JP3327508B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP3327508B2
JP3327508B2 JP17153396A JP17153396A JP3327508B2 JP 3327508 B2 JP3327508 B2 JP 3327508B2 JP 17153396 A JP17153396 A JP 17153396A JP 17153396 A JP17153396 A JP 17153396A JP 3327508 B2 JP3327508 B2 JP 3327508B2
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信也 田中
尚幸 島田
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、テレビジ
ョン、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、O
A(Office Automation)機器などの
表示装置として用いられる液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】上述の液晶表示装置は、例えば図19に
示すような構成のアクティブマトリクス基板を備えてい
る。このアクティブマトリクス基板は、スイッチング素
子である薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)
2、画素電極および画素容量1がマトリクス状に形成さ
れている。TFT2のゲート電極には走査配線であるゲ
ート信号線が接続され、そこに入力される信号によって
TFT2が駆動される。TFT2のソース電極には信号
配線であるソース信号線が接続され、そこから表示信号
としてのビデオ信号等が入力される。各ゲート信号線と
各ソース信号線とは、互いに交差するように形成されて
いる。TFT2のドレイン電極には画素電極および画素
容量1の一方の端子が接続されている。各画素容量1の
他方の端子には画素容量配線4が接続されている。この
アクティブマトリクス基板は、対向電極が形成された対
向基板と貼り合わせられ、両基板の間隙に液晶層が挟持
されて液晶表示装置が構成される。この際、上記画素容
量配線4は、対向基板上の対向電極と接続される。
【0003】このような液晶表示装置において、カラー
表示を実現するためには、対向基板上に、R(赤)、G
(緑)、B(青)の色層を有するカラーフィルタ(以
下、CFと称する)を形成してCF基板とする構成が知
られている。このCF基板には、色の混合や光漏れを防
ぐために、各色層の間およびCFの最外郭に一般にブラ
ックマトリクス(以下、BMと称する)が設けられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置の製造コストを低減するために、BMの形成を省略す
ることが行われるようになってきている。このため、C
Fの最外郭を覆うBMが省略されている場合には、その
部分から光漏れが生じるという問題がある。
【0005】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、CFの最外郭のBM省略
部分からの光漏れを防ぐことができる液晶表示装置を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、一対の基板の画素電極を有する一方の基板と対向電
極を有する他方の基板とが液晶層を挟んで対向配設さ
れ、両電極の対向する部分が表示領域となっていると共
に該表示領域の周囲が周辺領域となっており、該一方の
基板には該表示領域及び周辺領域にわたる範囲に相互に
交差する走査配線および信号配線が形成され、該他方の
基板には該表示領域に少なくとも最外郭にブラックマト
リクスの無いカラーフィルタが形成されている液晶表示
装置において、該一方の基板の該周辺領域に、走査配線
間を少なくとも覆って走査配線用の遮光膜が設けられて
いると共に信号配線間を少なくとも覆って信号配線用の
遮光層が設けられ、そのことにより上記目的が達成され
る。
【0007】本発明の液晶表示装置において、前記走査
配線用の遮光層がその一部を前記走査配線と重ならせ、
前記信号配線用の遮光層がその一部を前記信号配線と重
ならせて設けられている構成とすることができる。
【0008】本発明の液晶表示装置において、前記走査
配線用の遮光層および前記信号配線用の遮光層が、前記
走査配線および前記信号配線のそれぞれにおける隣接す
る3本以上を覆って設けられている構成とすることがで
きる。
【0009】本発明の液晶表示装置において、前記走査
配線用の遮光層および前記信号配線用の遮光層が導電性
金属からなり、該走査配線用の遮光層と前記走査配線と
が絶縁膜を介して畳重する部分を有すると共に互いに同
電位とされていると共に、該信号配線用の遮光層と前記
信号配線とが絶縁膜を介して畳重する部分を有すると共
に互いに同電位とされている構成とすることができる。
【0010】本発明の液晶表示装置において、前記画素
電極との間で容量を形成する画素容量配線が、前記走査
配線または前記信号配線と並設されていると共に、該画
素容量配線同士を接続する画素容量幹配線が前記一方の
基板における前記カラーフィルタの最外郭との対向部分
近傍に設けられ、かつ、前記導電性金属からなる遮光層
が該画素容量幹配線に接し、または、重なるよう設けら
れている構成とすることができる。
【0011】本発明の液晶表示装置において、前記画素
電極との間で容量を形成する画素容量配線が、前記走査
配線または前記信号配線と並設されていると共に、該画
素容量配線同士を接続する画素容量幹配線が前記一方の
基板における前記カラーフィルタの最外郭との対向部分
近傍に設けられ、かつ、前記導電性金属からなる遮光層
が該画素容量幹配線と離隔して設けられている構成とす
ることができる。
【0012】本発明の液晶表示装置において、前記遮光
層と前記画素容量幹配線との離隔部分に、該遮光層とは
別の遮光層が設けられている構成とすることがてきる。
【0013】本発明の液晶表示装置において、前記遮光
層は、前記隣接する走査配線の間を少なくとも覆う場合
には前記信号配線と同じ材料を用いて同時にパターン形
成され、前記隣接する信号配線の間を少なくとも覆う場
合には前記走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン
形成された構成とすることができる。
【0014】以下に、本発明の作用につき説明する。
【0015】本発明においては、一方の基板に設けた遮
光層が、CFの最外郭のBMで覆われていない部分を覆
い、かつ、その部分における隣接する走査配線の間また
は隣接する信号配線の間を少なくとも覆っている。よっ
て、この遮光層の存在により、CFの最外郭部分の配線
間からの光漏れを防ぐことができる。
【0016】この遮光層は、走査配線および信号配線の
うちの少なくとも一方に対し、配線間だけでなく、配線
と一部重なるように形成してもよく、配線の隣接する3
本以上を覆うように形成してもよい。この場合におい
て、遮光層を導電性の金属で作製した際、遮光層が配線
と一部重なっている場合には、遮光層が配線の全部を覆
う場合に比べて、両者の重なり部分が小さくなるため、
両者間における容量結合が小さくできる。また、配線間
のみを覆い、両者を全く重ならないようにする場合に
は、パターニング精度を良好にする必要があるが、さら
に容量結合を小さくできる。
【0017】このように導電性金属により遮光層を作製
する場合、隣接する走査配線の間を少なくとも覆うとき
には、信号配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成
し、隣接する信号配線の間を少なくとも覆うときには、
走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成すれ
ば、遮光層の形成に独自の工程を必要とせず、工程の簡
略化が図れる。また、この場合において、遮光層と配線
とは絶縁膜を介して畳重させる構造にするが、両者を同
じ電位にしてもよい。このように電位を同じにする手段
として、両者の重畳する絶縁膜部分にコンタクトホール
を設けて両者を接続させることや、あるいはリード線に
より両者を直接接続させることによってもよい。両者を
同電位にすると、両者間の容量結合が極めて小さくでき
る。
【0018】このように設けられる遮光層の近傍に、信
号配線や走査配線とは異なる導電性部材、たとえば画素
容量(Cs)幹配線が設けられる場合がある。このよう
にCs幹配線が遮光層の近傍に設けられる理由は、表示
領域のすぐ近くの周辺領域に設けることにより周辺領域
を可及的に小さくするためである。この導電性金属から
なる遮光層とCs幹配線との間は、場合によっては、導
電状態にしたり、絶縁状態にしたりする必要がある。な
お、上記Cs幹配線は、画素電極との間で容量を形成す
べく、遮光層を設ける側の基板上に、信号配線または走
査配線とほぼ平行にして設けられた画素容量配線(Cs
配線)の複数のものを接続するためのものである。上述
した導電状態や絶縁状態にする場合を以下により詳細に
説明する。
【0019】遮光層に対向電極と同じ電位を入力する場
合には、遮光層をCs幹配線に接して、または重なって
設けることができ、CFの最外郭のBMが設けられてい
ない部分からの光漏れが完全に遮光される。遮光層に対
向電極と同じ電位を入力しない場合には、遮光層をCs
幹配線と離隔して設ける必要があるため、その離隔部分
で光漏れが生じるが、その光漏れが生じる部分に別の遮
光層を設けると、その光漏れを少なくすることができ
る。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
【0021】図1および図2は、本発明を適用する箇所
を説明するための図である。図1は、アクティブマトリ
クス基板の正面図であり、図2はそのアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを貼り合わせて液晶表示装置とし
た場合の正面図である。
【0022】液晶表示装置は、図2の貼り合わされた状
態において、表示領域の周囲に周辺領域を有し、その周
辺領域の外側に両基板間を実質的に貼り合わせるシール
材の存在するシール領域を有する。また、アクティブマ
トリクス基板の対向基板よりはみ出した部分がドライバ
実装領域としてある。
【0023】アクティブマトリクス基板は、図2に示す
ように、少なくとも表示領域および周辺領域を含む領域
に信号配線としてのソース信号線が複数並設されてお
り、このソース信号線と交差して、たとえば直交して走
査配線としてのゲート信号線が並設されている。そし
て、これら両信号線で囲まれた部分に画素電極が設けら
れる。この画素電極は、両信号線やこれらと接続された
TFTの上に、基板のほぼ全面に層間絶縁膜を形成し、
この層間絶縁膜の上に設けるようになし、かつ、層間絶
縁膜に設けたコンタクトホールを介してTFTのドレイ
ン電極と接続した状態の、いわゆるPOP構造としても
よい。また、層間絶縁膜やコンタクトホールを用いるこ
となく、直接に画素電極とドレイン電極とを接続した構
造としてもよい。
【0024】(実施形態1)図3は実施形態1の液晶表
示装置の断面図であり、図4および図5はその液晶表示
装置を構成するアクティブマトリクス基板における表示
領域と周辺領域との境界近傍部分(カラーフィルタの周
縁部に相当する領域)であって、左側および上側を示す
平面図である(図5は裏側から見た図)。また、右側お
よび下側は省略するが、両部分においては方向は逆とな
るが同様になっている。なお、これら図3〜図5はカラ
ーフィルタの周縁部に相当する領域を示す。図4におい
て、図の左側が基板の端側、図の右側が表示領域側であ
る。
【0025】また、図6(a)は1画素を示す平面図、
(b)は(a)のA−A線による断面図(図3とは異な
る部分であるTFT部分の断面図)である。
【0026】この液晶表示装置は、アクティブマトリク
ス基板とCF基板12とが液晶層11を挟んで対向配置
されている。
【0027】アクティブマトリクス基板には、ガラス等
からなる基板6上に、走査配線としてのゲート信号線7
aおよび信号配線としてのソース信号線7bが互いに交
差するように形成され、各信号線の交差部近傍にTFT
が形成されている。このTFTはゲート信号線7aで送
られるゲート信号にてオンオフ制御され、前述したPO
P構造の画素電極に、ソース信号線7bで送られるソー
ス信号が書き込まれる。この書き込まれた画素電極によ
って表示が行われる。つまり、この画素電極が存在する
領域が表示領域となっている。なお、前記ゲート信号線
7aおよびソース信号線7bは、基板6の周辺に設けら
れた駆動回路と接続すべく、表示領域の外側に延出して
設けられている。
【0028】一方、CF基板12には、ガラス等からな
る基板上に、対向電極およびBMで覆われていないCF
などが設けられている。このCFは、前記表示領域に存
在する画素電極に対応する位置に各色層を有する状態に
形成されており、ほぼ表示領域と同じ大きさとなってい
る。したがって、上述したゲート信号線7aおよびソー
ス信号線7bは、CF最外郭のBMで覆われていない部
分と対向する部分を超えて延出形成されている。
【0029】また、上述したアクティブマトリクス基板
には、この延出形成部分のゲート信号線7aとその間の
総ての上を覆って遮光層9aが設けられ、また、延出形
成部分のソース信号線7bとその間の総ての上を覆って
遮光層9bが設けられている。遮光層9aはソース信号
線7bを形成するときに同時に同じ金属材料で形成し、
遮光層9bはゲート信号線7aを形成するときに同時に
同じ金属材料で形成している。更に、延出形成部分のゲ
ート信号線7aと遮光層9aとの間、および延出形成部
分のソース信号線7bと遮光層9bとの間には、TFT
のゲート電極を覆うゲート絶縁膜と同一工程で形成され
た絶縁膜8が設けられている。この遮光層9a、9b
は、その幅の中にCFの最外郭と対向している部分が位
置する。
【0030】その上には感光性樹脂からなる層間絶縁膜
10または絶縁膜10’が設けられる。層間絶縁膜10
および絶縁膜10’は同一工程で作製される。層間絶縁
膜10は、表示領域に設けられたゲート信号線7aやソ
ース信号線7bなどの導電部材と画素電極とを絶縁し、
かつ、層間絶縁膜10に設けたコンタクトホールを介し
てTFTと画素電極とを電気的に接続するためのもので
ある。一方、絶縁膜10’は、遮光層9a、9bと他の
導電部材との間などを絶縁するために設けられたもので
ある。
【0031】また、アクティブマトリクス基板には、C
s on Comの構成のCs配線20が形成されてい
る。このCs配線20は、画素電極との間で画素容量を
形成するものである。各Cs配線20は基板周縁部まで
延出され、ソース信号線7bと同時にパターン形成され
たCs幹配線13により互いに接続されており、Cs幹
配線13には対向電極と同じ信号が入力されている。こ
のCs幹配線13と接して、図4に示すように、遮光層
9aが形成されている。よって、遮光層9aにも、対向
電極と同じ信号が入力される。
【0032】このように構成された本実施形態の液晶表
示装置においては、CF最外郭のBMで覆われていない
部分におけるゲート信号線7aの総てを覆って、また、
同じくソース信号線7bの総てを覆って遮光層9a、9
bが設けられているので、この部分からの光漏れを完全
に遮光することができる。また、図6(a)に示すよう
に、ゲート信号線7aやソース信号線7bは隣合う画素
電極の間を覆うように設けられており、それ故、画素電
極と対向して設けられるCFの各色層の間にBMが省略
されていても、その部分からの光漏れをゲート信号線7
aやソース信号線7bは防止することとなる。
【0033】(実施形態2)図7は実施形態2の液晶表
示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域と
周辺領域との境界近傍部分(カラーフィルタの周縁部に
相当する領域)を示す平面図である。なお、この図はア
クティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左側
が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側で
ある。
【0034】この液晶表示装置は、対向電極と同じ信号
が入力されるCs幹配線13との間にスリットを設け、
つまりCs幹配線13から離隔して絶縁状態で遮光層9
aを設けており、それ以外は実施形態1と同様の構成と
した。
【0035】この液晶表示装置においては、実際の表示
点灯状態において、スリット部分から光が漏れるが、僅
かな程度である。更には、図8に示すように、スリット
部分を埋めるように別の遮光層7cを形成することによ
り、さらに光漏れを少なくすることができる。
【0036】この液晶表示装置は、遮光層9aに対向電
極と同じ信号を入力した実施形態1の液晶表示装置に比
べて、ゲート信号線7aと遮光層9aとの間の容量結合
が約1/2となるので表示状態が良好であった。また、
実施形態1の液晶表示装置よりも、ゲート信号線7aお
よびソース信号線7bと遮光層9a、9bとの間で発生
するリーク欠陥を少なくでき、歩留りの向上を図れる。
【0037】(実施形態3)図9は実施形態3の液晶表
示装置の断面図であり、図10および図11はその液晶
表示装置を構成するアクティブマトリクス基板における
表示領域と周辺領域との境界近傍部分(カラーフィルタ
の周縁部に相当する領域)であって、左側および上側を
示す平面図である(図11は裏側から見た図)。また、
右側および下側は省略するが、両部分においては方向は
逆となるが同様になっている。なお、これら図9〜図1
1はカラーフィルタの周縁部に相当する領域を示す。図
10において、図の左側が基板の端側、図の右側が表示
領域側である。
【0038】この液晶表示装置は、隣接するゲート信号
線7aの間を覆い、かつ、ゲート信号線7aの側端部を
覆うように遮光層9aを形成しており、また、隣接する
ソース信号線7bの間を覆い、かつ、ソース信号線7b
の側端部を覆うように遮光層9bを形成した。それ以外
は実施形態1と同様の構成とした。
【0039】この液晶表示装置においては、実際の表示
点灯状態において、CF最外郭のBMで覆われていない
部分から光が漏れるのを完全に防ぐことができた。
【0040】また、この液晶表示装置は、遮光層9a、
9bとゲート信号線7aおよびソース信号線7bとの重
なりが実施形態1の液晶表示装置に比べて少ないので、
ゲート信号線7aおよびソース信号線7bと遮光層9
a、9bとの間の容量が少なくなり、表示状態が良好で
あった。また、実施形態1の液晶表示装置よりもゲート
信号線7aおよびソース信号線7bと遮光層9a、9b
との間のリーク欠陥が少なく、歩留りが向上した。
【0041】(実施形態4)図12は実施形態4の液晶
表示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域
と周辺領域との境界近傍部分(カラーフィルタの周縁部
に相当する領域)を示す平面図である。なお、この図は
アクティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左
側が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側
である。
【0042】この液晶表示装置は、実施形態3のもの
を、実施形態2のように構成した。つまり、対向電極に
入力する信号を遮光層9aに入力しない構成とし、遮光
層9aとCs幹配線13との間にスリットを設けて互い
に離隔させた。それ以外は実施形態3と同様の構成とし
た。
【0043】この液晶表示装置においては、実際の表示
点灯状態において、スリット部分から光が漏れるが、僅
かな程度である。更には、図13に示すように、スリッ
ト部分を埋めるように別の遮光層7cを形成することに
より、さらに光漏れを少なくすることができる。
【0044】本実施形態の液晶表示装置は、遮光層9a
に対向電極と同じ信号を入力した実施形態3の液晶表示
装置に比べて、ゲート信号線7aと遮光層9aとの間の
容量結合を少なくできる。また、ゲート信号線7aと遮
光層9a、9bとの間の容量およびソース信号線7bと
遮光層9bとの間の容量が、各々直列接続された構成に
なっているので、その容量結合をさらに半分にできる。
また、リーク欠陥が生じるのは、1本のゲート信号線7
aと遮光層9aとの間の絶縁膜の2箇所または1本のソ
ース信号線7bと遮光層9aとの間の絶縁膜の2箇所が
リークした場合のみであるので、実施形態3の液晶表示
装置よりもゲート信号線7aおよびソース信号線7bと
遮光層9a、9bとの間のリーク欠陥が少なく、歩留り
が向上した。
【0045】(実施形態5)図14は実施形態5の液晶
表示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域
と周辺領域との境界近傍部分(カラーフィルタの周縁部
に相当する領域)を示す平面図である。なお、この図は
アクティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左
側が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側
である。
【0046】この液晶表示装置は、遮光層9aにゲート
信号線7aと絶縁膜を介して畳重する部分を設けて、そ
の部分とゲート信号線7aとを絶縁膜に設けたコンタク
トホール部14において接続させた。そして、遮光層9
aに各々対応するゲート信号線7aの信号を入力する構
成とした。それ以外は実施形態4と同様の構成とした。
【0047】この液晶表示装置は、遮光層9aに対向電
極と同じ信号を入力した実施形態1、3の液晶表示装置
や信号を入力しない実施形態2、4の液晶表示装置に比
べて、さらにゲート信号線7aと遮光層9aとの間の容
量結合を少なくできる。
【0048】なお、実施形態5においては遮光層に絶縁
膜を介してゲート信号線と畳重する部分を設けたが、遮
光層に絶縁膜を介してソース信号線と畳重する部分を設
けた構成も可能である。また、遮光層とゲート信号線
と、および遮光層とソース信号線とは絶縁膜に設けたコ
ンタクトホール部14において接続させた構成とした
が、他の接続手段、たとえばリード線などを用いること
も可能である。
【0049】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれらの構成のものに限られない。例え
ば、図15に示すように、遮光層9bの上を覆うよう
に、絶縁膜8を介してソース信号線7bを設ける構成と
したり、あるいは、図16に示すように、ゲート信号線
7aおよびソース信号線7bとは異なる層で遮光層9
a、9bを形成することも可能である。
【0050】また、本発明は、図17に示すように、隣
接する遮光層9bとその一部が重なるように、絶縁膜8
を介してソース信号線7bを設ける構成としたり、ある
いは、図18に示すように、ゲート信号線7aおよびソ
ース信号線7bとは異なる層で遮光層9a、9bを形成
することも可能である。
【0051】また、上記実施形態においては遮光層とし
て金属層を用いた場合について説明したが、本発明はこ
れに限らず、金属以外の遮光性を有する材料、たとえば
アクリル系樹脂やポリイミド、ポリアミドイミド、ポリ
エステルイミド、ポリアミド、ポリエステルアミドなど
の少なくとも一種からなるポリマーなどを用いることも
可能である。この場合には、導電性を考慮して用いる材
料を選択すると、遮光層と他の部材との絶縁性について
余り問題にならないようにできる利点があるが、工程の
増加を招来する欠点がある。また、遮光層にゲート信号
線やソース信号線あるいは対向電極と同じ信号を入力す
る場合には、金属層を用いる必要がある。
【0052】また、上述した実施形態3および4におい
ては、隣合うゲート信号線間または隣合うソース信号線
間を覆い、かつ、そのゲート信号線の側端部またはソー
ス信号線の側端部を覆って遮光層を形成しているが、本
発明はこれに限らず、隣合うゲート信号線間のみ、また
は、隣合うソース信号線間のみを覆うように遮光層を設
けるようにしてもよい。また、1つの遮光層が隣合う3
本以上のゲート信号線またはソース信号線を覆うよう
に、数を減少させて遮光層を設けるようにしてもよい。
【0053】上述した各実施形態においてCs幹配線が
ゲート信号線の存在する側に設けられた場合に本発明を
適用しているのは以下の理由である。それは、ゲート信
号線やソース信号線、およびCs幹配線の幅は数μm〜
数10μm程度であるのに対して、遮光層の幅は一般的
に1mm〜数mm程度を必要とし、それ故に寄生容量の
影響が大きくなるため、それの解消の必要性より例に挙
げている。但し、本発明は、これに限らず、Cs幹配線
がソース信号線の存在する側に設けられた場合にも同様
にして適用できる。更には、Cs配線やCs幹配線が形
成されていない液晶表示装置にも同様に適用できること
はもちろんである。
【0054】また、本発明は、CFのR、B、Gの各色
層の境界部分および最外郭がBMにて覆われていないも
のに適用できることはもちろんであるが、CFのR、
B、Gの各色層の境界部分がBMにて覆われ、かつ、最
外郭のみがBMにて覆われていないものにも同様にして
適用できる。
【0055】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、一方の基板に設けた遮光層により、CFの最
外郭部分において配線の間から光が漏れるのを防ぐこと
ができるので、良好な表示状態を得ることができる。ま
た、遮光層が走査配線および信号配線と一部のみ重なっ
ている場合には、遮光層と走査配線および信号配線との
間の容量結合が小さいので、さらに良好な表示状態を得
ることができる。
【0056】また、この遮光層と走査配線および信号配
線とは絶縁膜を介して畳重させ、両者を同じ電位にした
場合、遮光層と走査配線および信号配線との間の容量結
合が小さくなり、さらに良好な表示状態を得ることがで
きる。また、Cs on Comの構成のCs配線を接
続するためのCs幹配線が遮光層を設ける部分の近傍に
存在し、かつ、遮光層に対向電極と同じ電位を入力する
場合、遮光層をCs幹配線に接した状態または重なった
状態で設けることができ、基板周縁の配線部分における
光漏れを完全に遮光できる。また、遮光層に対向電極と
同じ電位を入力しない場合には、遮光層をCs幹配線と
離隔して設ければよく、この場合にも僅かに光漏れが生
じる程度にすることができ、更には、その遮光層とCs
幹配線との離隔部分に別の遮光層を設けると、さらに光
漏れを少なくすることができる。また、遮光層を、信号
配線や走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成
する場合には、遮光層の形成工程を別途設ける必要がな
いため、製造工程の削減化により安価に液晶表示装置を
得ることができる。
【0057】このように、本発明の液晶表示装置によれ
ば、CFの最外郭を覆うBMを形成しなくても基板周辺
の配線部分からの光漏れを防ぐことができるため、良好
な表示を得ると共に、液晶表示装置の製造工程を減らし
て製造原価を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用する箇所を説明するための図であ
り、アクティブマトリクス基板の正面図である。
【図2】本発明を適用する箇所を説明するための図であ
り、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わ
せて液晶表示装置とした場合の正面図である。
【図3】実施形態1の液晶表示装置の断面図である。
【図4】実施形態1の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
【図5】実施形態1の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
【図6】(a)は実施形態1の液晶表示装置における1
画素を示す平面図、(b)は(a)のA−A線による断
面図である。
【図7】実施形態2の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
【図8】実施形態2の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
【図9】実施形態3の液晶表示装置の断面図である。
【図10】実施形態3の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
【図11】実施形態3の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
【図12】実施形態4の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
【図13】実施形態4の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
【図14】実施形態5の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
【図15】本発明の液晶表示装置の他の例を示す断面図
である。
【図16】本発明の液晶表示装置の他の例を示す断面図
である。
【図17】本発明の液晶表示装置の他の例を示す断面図
である。
【図18】本発明の液晶表示装置の他の例を示す断面図
である。
【図19】アクティブマトリクス基板の構成の一例を示
す概略図である。
【符号の説明】
1 画素容量 2 TFT 7a ゲート信号線 4 画素容量配線 7b ソース信号線 6 基板 8 絶縁膜 10 層間絶縁膜 10’ 絶縁膜 11 液晶層 12 CF基板 13 Cs幹配線 20 Cs配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−175157(JP,A) 特開 平6−82815(JP,A) 特開 昭61−32087(JP,A) 特開 平4−309925(JP,A) 実開 昭63−19820(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1368 G02F 1/1335

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の基板を有し、画素電極を有する一
    方の基板と対向電極を有する他方の基板とが液晶層を挟
    んで対向配設され、両電極の対向する部分がマトリクス
    状に設けられて表示領域となっていると共に該表示領域
    の周囲が周辺領域となっており、該一方の基板には該表
    示領域及び周辺領域にわたる範囲に相互に交差する走査
    配線および信号配線が形成され、該他方の基板には該表
    示領域に少なくとも最外郭にブラックマトリクスの無い
    カラーフィルタが形成されている液晶表示装置におい
    て、 該一方の基板の該周辺領域に、走査配線間を少なくとも
    覆って走査配線用の遮光膜が設けられていると共に信号
    配線間を少なくとも覆って信号配線用の遮光層が設けら
    れており、 該走査配線用の遮光層および該信号配線用の遮光層が導
    電性金属からなり、該走査配線用の遮光層と該走査配線
    とが絶縁膜を介して畳重する部分を有すると共に互いに
    同電位とされており、該信号配線用の遮光層と該信号配
    線とが絶縁膜を介して畳重する部分を有すると共に互い
    に同電位とされている、液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記画素電極との間で容量を形成する画
    素容量配線が、前記走査配線または前記信号配線と並設
    されていると共に、該画素容量配線同士を接続する画素
    容量幹配線が前記一方の基板における前記カラーフィル
    タの最外郭との対向部分近傍に設けられ、かつ、前記導
    電性金属からなる遮光層が該画素容量幹配線に接し、ま
    たは、重なるよう設けられている、請求項1に記載の液
    晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記画素電極との間で容量を形成する画
    素容量配線が、前記走査配線または前記信号配線と並設
    されていると共に、該画素容量配線同士を接続する画素
    容量幹配線が前記一方の基板における前記カラーフィル
    タの最外郭との対向部分近傍に設けられ、かつ、前記導
    電性金属からなる遮光層が該画素容量幹配線と離隔して
    設けられている、請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記遮光層と前記画素容量幹配線との離
    隔部分に、該遮光層とは別の遮光層が設けられている
    請求項3に記載の液晶表示装置。
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