JPH1020335A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH1020335A JPH1020335A JP17153396A JP17153396A JPH1020335A JP H1020335 A JPH1020335 A JP H1020335A JP 17153396 A JP17153396 A JP 17153396A JP 17153396 A JP17153396 A JP 17153396A JP H1020335 A JPH1020335 A JP H1020335A
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- light
- shielding layer
- wiring
- liquid crystal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＦの最外郭を覆うＢＭを形成しないで、そ
の部分からの光漏れを防ぐ。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板に、カラーフ
ィルタの最外郭部分に対向する部分を覆い、かつ、隣接
するゲート信号線７ａ、隣接するソース信号線７ｂの少
なくとも一方を覆うように、遮光層９ａ、９ｂを設け
る。
の部分からの光漏れを防ぐ。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板に、カラーフ
ィルタの最外郭部分に対向する部分を覆い、かつ、隣接
するゲート信号線７ａ、隣接するソース信号線７ｂの少
なくとも一方を覆うように、遮光層９ａ、９ｂを設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、テレビジ
ョン、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、Ｏ
Ａ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器などの
表示装置として用いられる液晶表示装置に関する。
ョン、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、Ｏ
Ａ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器などの
表示装置として用いられる液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述の液晶表示装置は、例えば図１９に
示すような構成のアクティブマトリクス基板を備えてい
る。このアクティブマトリクス基板は、スイッチング素
子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）
２、画素電極および画素容量１がマトリクス状に形成さ
れている。ＴＦＴ２のゲート電極には走査配線であるゲ
ート信号線が接続され、そこに入力される信号によって
ＴＦＴ２が駆動される。ＴＦＴ２のソース電極には信号
配線であるソース信号線が接続され、そこから表示信号
としてのビデオ信号等が入力される。各ゲート信号線と
各ソース信号線とは、互いに交差するように形成されて
いる。ＴＦＴ２のドレイン電極には画素電極および画素
容量１の一方の端子が接続されている。各画素容量１の
他方の端子には画素容量配線４が接続されている。この
アクティブマトリクス基板は、対向電極が形成された対
向基板と貼り合わせられ、両基板の間隙に液晶層が挟持
されて液晶表示装置が構成される。この際、上記画素容
量配線４は、対向基板上の対向電極と接続される。
示すような構成のアクティブマトリクス基板を備えてい
る。このアクティブマトリクス基板は、スイッチング素
子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）
２、画素電極および画素容量１がマトリクス状に形成さ
れている。ＴＦＴ２のゲート電極には走査配線であるゲ
ート信号線が接続され、そこに入力される信号によって
ＴＦＴ２が駆動される。ＴＦＴ２のソース電極には信号
配線であるソース信号線が接続され、そこから表示信号
としてのビデオ信号等が入力される。各ゲート信号線と
各ソース信号線とは、互いに交差するように形成されて
いる。ＴＦＴ２のドレイン電極には画素電極および画素
容量１の一方の端子が接続されている。各画素容量１の
他方の端子には画素容量配線４が接続されている。この
アクティブマトリクス基板は、対向電極が形成された対
向基板と貼り合わせられ、両基板の間隙に液晶層が挟持
されて液晶表示装置が構成される。この際、上記画素容
量配線４は、対向基板上の対向電極と接続される。
【０００３】このような液晶表示装置において、カラー
表示を実現するためには、対向基板上に、Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の色層を有するカラーフィルタ（以
下、ＣＦと称する）を形成してＣＦ基板とする構成が知
られている。このＣＦ基板には、色の混合や光漏れを防
ぐために、各色層の間およびＣＦの最外郭に一般にブラ
ックマトリクス（以下、ＢＭと称する）が設けられる。
表示を実現するためには、対向基板上に、Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の色層を有するカラーフィルタ（以
下、ＣＦと称する）を形成してＣＦ基板とする構成が知
られている。このＣＦ基板には、色の混合や光漏れを防
ぐために、各色層の間およびＣＦの最外郭に一般にブラ
ックマトリクス（以下、ＢＭと称する）が設けられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置の製造コストを低減するために、ＢＭの形成を省略す
ることが行われるようになってきている。このため、Ｃ
Ｆの最外郭を覆うＢＭが省略されている場合には、その
部分から光漏れが生じるという問題がある。
置の製造コストを低減するために、ＢＭの形成を省略す
ることが行われるようになってきている。このため、Ｃ
Ｆの最外郭を覆うＢＭが省略されている場合には、その
部分から光漏れが生じるという問題がある。
【０００５】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、ＣＦの最外郭のＢＭ省略
部分からの光漏れを防ぐことができる液晶表示装置を提
供することを目的とする。
決すべくなされたものであり、ＣＦの最外郭のＢＭ省略
部分からの光漏れを防ぐことができる液晶表示装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、一対の基板の画素電極を有する一方の基板と対向電
極を有する他方の基板とが液晶層を挟んで対向配設さ
れ、両電極の対向する部分が表示領域となっていると共
に該表示領域の周囲が周辺領域となっており、該一方の
基板には該表示領域及び周辺領域にわたる範囲に相互に
交差する走査配線および信号配線が形成され、該他方の
基板には該表示領域に少なくとも最外郭にブラックマト
リクスの無いカラーフィルタが形成されている液晶表示
装置において、該一方の基板の該周辺領域に、走査配線
間を少なくとも覆って走査配線用の遮光膜が設けられて
いると共に信号配線間を少なくとも覆って信号配線用の
遮光層が設けられ、そのことにより上記目的が達成され
る。
は、一対の基板の画素電極を有する一方の基板と対向電
極を有する他方の基板とが液晶層を挟んで対向配設さ
れ、両電極の対向する部分が表示領域となっていると共
に該表示領域の周囲が周辺領域となっており、該一方の
基板には該表示領域及び周辺領域にわたる範囲に相互に
交差する走査配線および信号配線が形成され、該他方の
基板には該表示領域に少なくとも最外郭にブラックマト
リクスの無いカラーフィルタが形成されている液晶表示
装置において、該一方の基板の該周辺領域に、走査配線
間を少なくとも覆って走査配線用の遮光膜が設けられて
いると共に信号配線間を少なくとも覆って信号配線用の
遮光層が設けられ、そのことにより上記目的が達成され
る。
【０００７】本発明の液晶表示装置において、前記走査
配線用の遮光層がその一部を前記走査配線と重ならせ、
前記信号配線用の遮光層がその一部を前記信号配線と重
ならせて設けられている構成とすることができる。
配線用の遮光層がその一部を前記走査配線と重ならせ、
前記信号配線用の遮光層がその一部を前記信号配線と重
ならせて設けられている構成とすることができる。
【０００８】本発明の液晶表示装置において、前記走査
配線用の遮光層および前記信号配線用の遮光層が、前記
走査配線および前記信号配線のそれぞれにおける隣接す
る３本以上を覆って設けられている構成とすることがで
きる。
配線用の遮光層および前記信号配線用の遮光層が、前記
走査配線および前記信号配線のそれぞれにおける隣接す
る３本以上を覆って設けられている構成とすることがで
きる。
【０００９】本発明の液晶表示装置において、前記走査
配線用の遮光層および前記信号配線用の遮光層が導電性
金属からなり、該走査配線用の遮光層と前記走査配線と
が絶縁膜を介して畳重する部分を有すると共に互いに同
電位とされていると共に、該信号配線用の遮光層と前記
信号配線とが絶縁膜を介して畳重する部分を有すると共
に互いに同電位とされている構成とすることができる。
配線用の遮光層および前記信号配線用の遮光層が導電性
金属からなり、該走査配線用の遮光層と前記走査配線と
が絶縁膜を介して畳重する部分を有すると共に互いに同
電位とされていると共に、該信号配線用の遮光層と前記
信号配線とが絶縁膜を介して畳重する部分を有すると共
に互いに同電位とされている構成とすることができる。
【００１０】本発明の液晶表示装置において、前記画素
電極との間で容量を形成する画素容量配線が、前記走査
配線または前記信号配線と並設されていると共に、該画
素容量配線同士を接続する画素容量幹配線が前記一方の
基板における前記カラーフィルタの最外郭との対向部分
近傍に設けられ、かつ、前記導電性金属からなる遮光層
が該画素容量幹配線に接し、または、重なるよう設けら
れている構成とすることができる。
電極との間で容量を形成する画素容量配線が、前記走査
配線または前記信号配線と並設されていると共に、該画
素容量配線同士を接続する画素容量幹配線が前記一方の
基板における前記カラーフィルタの最外郭との対向部分
近傍に設けられ、かつ、前記導電性金属からなる遮光層
が該画素容量幹配線に接し、または、重なるよう設けら
れている構成とすることができる。
【００１１】本発明の液晶表示装置において、前記画素
電極との間で容量を形成する画素容量配線が、前記走査
配線または前記信号配線と並設されていると共に、該画
素容量配線同士を接続する画素容量幹配線が前記一方の
基板における前記カラーフィルタの最外郭との対向部分
近傍に設けられ、かつ、前記導電性金属からなる遮光層
が該画素容量幹配線と離隔して設けられている構成とす
ることができる。
電極との間で容量を形成する画素容量配線が、前記走査
配線または前記信号配線と並設されていると共に、該画
素容量配線同士を接続する画素容量幹配線が前記一方の
基板における前記カラーフィルタの最外郭との対向部分
近傍に設けられ、かつ、前記導電性金属からなる遮光層
が該画素容量幹配線と離隔して設けられている構成とす
ることができる。
【００１２】本発明の液晶表示装置において、前記遮光
層と前記画素容量幹配線との離隔部分に、該遮光層とは
別の遮光層が設けられている構成とすることがてきる。
層と前記画素容量幹配線との離隔部分に、該遮光層とは
別の遮光層が設けられている構成とすることがてきる。
【００１３】本発明の液晶表示装置において、前記遮光
層は、前記隣接する走査配線の間を少なくとも覆う場合
には前記信号配線と同じ材料を用いて同時にパターン形
成され、前記隣接する信号配線の間を少なくとも覆う場
合には前記走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン
形成された構成とすることができる。
層は、前記隣接する走査配線の間を少なくとも覆う場合
には前記信号配線と同じ材料を用いて同時にパターン形
成され、前記隣接する信号配線の間を少なくとも覆う場
合には前記走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン
形成された構成とすることができる。
【００１４】以下に、本発明の作用につき説明する。
【００１５】本発明においては、一方の基板に設けた遮
光層が、ＣＦの最外郭のＢＭで覆われていない部分を覆
い、かつ、その部分における隣接する走査配線の間また
は隣接する信号配線の間を少なくとも覆っている。よっ
て、この遮光層の存在により、ＣＦの最外郭部分の配線
間からの光漏れを防ぐことができる。
光層が、ＣＦの最外郭のＢＭで覆われていない部分を覆
い、かつ、その部分における隣接する走査配線の間また
は隣接する信号配線の間を少なくとも覆っている。よっ
て、この遮光層の存在により、ＣＦの最外郭部分の配線
間からの光漏れを防ぐことができる。
【００１６】この遮光層は、走査配線および信号配線の
うちの少なくとも一方に対し、配線間だけでなく、配線
と一部重なるように形成してもよく、配線の隣接する３
本以上を覆うように形成してもよい。この場合におい
て、遮光層を導電性の金属で作製した際、遮光層が配線
と一部重なっている場合には、遮光層が配線の全部を覆
う場合に比べて、両者の重なり部分が小さくなるため、
両者間における容量結合が小さくできる。また、配線間
のみを覆い、両者を全く重ならないようにする場合に
は、パターニング精度を良好にする必要があるが、さら
に容量結合を小さくできる。
うちの少なくとも一方に対し、配線間だけでなく、配線
と一部重なるように形成してもよく、配線の隣接する３
本以上を覆うように形成してもよい。この場合におい
て、遮光層を導電性の金属で作製した際、遮光層が配線
と一部重なっている場合には、遮光層が配線の全部を覆
う場合に比べて、両者の重なり部分が小さくなるため、
両者間における容量結合が小さくできる。また、配線間
のみを覆い、両者を全く重ならないようにする場合に
は、パターニング精度を良好にする必要があるが、さら
に容量結合を小さくできる。
【００１７】このように導電性金属により遮光層を作製
する場合、隣接する走査配線の間を少なくとも覆うとき
には、信号配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成
し、隣接する信号配線の間を少なくとも覆うときには、
走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成すれ
ば、遮光層の形成に独自の工程を必要とせず、工程の簡
略化が図れる。また、この場合において、遮光層と配線
とは絶縁膜を介して畳重させる構造にするが、両者を同
じ電位にしてもよい。このように電位を同じにする手段
として、両者の重畳する絶縁膜部分にコンタクトホール
を設けて両者を接続させることや、あるいはリード線に
より両者を直接接続させることによってもよい。両者を
同電位にすると、両者間の容量結合が極めて小さくでき
る。
する場合、隣接する走査配線の間を少なくとも覆うとき
には、信号配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成
し、隣接する信号配線の間を少なくとも覆うときには、
走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成すれ
ば、遮光層の形成に独自の工程を必要とせず、工程の簡
略化が図れる。また、この場合において、遮光層と配線
とは絶縁膜を介して畳重させる構造にするが、両者を同
じ電位にしてもよい。このように電位を同じにする手段
として、両者の重畳する絶縁膜部分にコンタクトホール
を設けて両者を接続させることや、あるいはリード線に
より両者を直接接続させることによってもよい。両者を
同電位にすると、両者間の容量結合が極めて小さくでき
る。
【００１８】このように設けられる遮光層の近傍に、信
号配線や走査配線とは異なる導電性部材、たとえば画素
容量（Ｃｓ）幹配線が設けられる場合がある。このよう
にＣｓ幹配線が遮光層の近傍に設けられる理由は、表示
領域のすぐ近くの周辺領域に設けることにより周辺領域
を可及的に小さくするためである。この導電性金属から
なる遮光層とＣｓ幹配線との間は、場合によっては、導
電状態にしたり、絶縁状態にしたりする必要がある。な
お、上記Ｃｓ幹配線は、画素電極との間で容量を形成す
べく、遮光層を設ける側の基板上に、信号配線または走
査配線とほぼ平行にして設けられた画素容量配線（Ｃｓ
配線）の複数のものを接続するためのものである。上述
した導電状態や絶縁状態にする場合を以下により詳細に
説明する。
号配線や走査配線とは異なる導電性部材、たとえば画素
容量（Ｃｓ）幹配線が設けられる場合がある。このよう
にＣｓ幹配線が遮光層の近傍に設けられる理由は、表示
領域のすぐ近くの周辺領域に設けることにより周辺領域
を可及的に小さくするためである。この導電性金属から
なる遮光層とＣｓ幹配線との間は、場合によっては、導
電状態にしたり、絶縁状態にしたりする必要がある。な
お、上記Ｃｓ幹配線は、画素電極との間で容量を形成す
べく、遮光層を設ける側の基板上に、信号配線または走
査配線とほぼ平行にして設けられた画素容量配線（Ｃｓ
配線）の複数のものを接続するためのものである。上述
した導電状態や絶縁状態にする場合を以下により詳細に
説明する。
【００１９】遮光層に対向電極と同じ電位を入力する場
合には、遮光層をＣｓ幹配線に接して、または重なって
設けることができ、ＣＦの最外郭のＢＭが設けられてい
ない部分からの光漏れが完全に遮光される。遮光層に対
向電極と同じ電位を入力しない場合には、遮光層をＣｓ
幹配線と離隔して設ける必要があるため、その離隔部分
で光漏れが生じるが、その光漏れが生じる部分に別の遮
光層を設けると、その光漏れを少なくすることができ
る。
合には、遮光層をＣｓ幹配線に接して、または重なって
設けることができ、ＣＦの最外郭のＢＭが設けられてい
ない部分からの光漏れが完全に遮光される。遮光層に対
向電極と同じ電位を入力しない場合には、遮光層をＣｓ
幹配線と離隔して設ける必要があるため、その離隔部分
で光漏れが生じるが、その光漏れが生じる部分に別の遮
光層を設けると、その光漏れを少なくすることができ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００２１】図１および図２は、本発明を適用する箇所
を説明するための図である。図１は、アクティブマトリ
クス基板の正面図であり、図２はそのアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを貼り合わせて液晶表示装置とし
た場合の正面図である。
を説明するための図である。図１は、アクティブマトリ
クス基板の正面図であり、図２はそのアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを貼り合わせて液晶表示装置とし
た場合の正面図である。
【００２２】液晶表示装置は、図２の貼り合わされた状
態において、表示領域の周囲に周辺領域を有し、その周
辺領域の外側に両基板間を実質的に貼り合わせるシール
材の存在するシール領域を有する。また、アクティブマ
トリクス基板の対向基板よりはみ出した部分がドライバ
実装領域としてある。
態において、表示領域の周囲に周辺領域を有し、その周
辺領域の外側に両基板間を実質的に貼り合わせるシール
材の存在するシール領域を有する。また、アクティブマ
トリクス基板の対向基板よりはみ出した部分がドライバ
実装領域としてある。
【００２３】アクティブマトリクス基板は、図２に示す
ように、少なくとも表示領域および周辺領域を含む領域
に信号配線としてのソース信号線が複数並設されてお
り、このソース信号線と交差して、たとえば直交して走
査配線としてのゲート信号線が並設されている。そし
て、これら両信号線で囲まれた部分に画素電極が設けら
れる。この画素電極は、両信号線やこれらと接続された
ＴＦＴの上に、基板のほぼ全面に層間絶縁膜を形成し、
この層間絶縁膜の上に設けるようになし、かつ、層間絶
縁膜に設けたコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイ
ン電極と接続した状態の、いわゆるＰＯＰ構造としても
よい。また、層間絶縁膜やコンタクトホールを用いるこ
となく、直接に画素電極とドレイン電極とを接続した構
造としてもよい。
ように、少なくとも表示領域および周辺領域を含む領域
に信号配線としてのソース信号線が複数並設されてお
り、このソース信号線と交差して、たとえば直交して走
査配線としてのゲート信号線が並設されている。そし
て、これら両信号線で囲まれた部分に画素電極が設けら
れる。この画素電極は、両信号線やこれらと接続された
ＴＦＴの上に、基板のほぼ全面に層間絶縁膜を形成し、
この層間絶縁膜の上に設けるようになし、かつ、層間絶
縁膜に設けたコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイ
ン電極と接続した状態の、いわゆるＰＯＰ構造としても
よい。また、層間絶縁膜やコンタクトホールを用いるこ
となく、直接に画素電極とドレイン電極とを接続した構
造としてもよい。
【００２４】（実施形態１）図３は実施形態１の液晶表
示装置の断面図であり、図４および図５はその液晶表示
装置を構成するアクティブマトリクス基板における表示
領域と周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタの周
縁部に相当する領域）であって、左側および上側を示す
平面図である（図５は裏側から見た図）。また、右側お
よび下側は省略するが、両部分においては方向は逆とな
るが同様になっている。なお、これら図３〜図５はカラ
ーフィルタの周縁部に相当する領域を示す。図４におい
て、図の左側が基板の端側、図の右側が表示領域側であ
る。
示装置の断面図であり、図４および図５はその液晶表示
装置を構成するアクティブマトリクス基板における表示
領域と周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタの周
縁部に相当する領域）であって、左側および上側を示す
平面図である（図５は裏側から見た図）。また、右側お
よび下側は省略するが、両部分においては方向は逆とな
るが同様になっている。なお、これら図３〜図５はカラ
ーフィルタの周縁部に相当する領域を示す。図４におい
て、図の左側が基板の端側、図の右側が表示領域側であ
る。
【００２５】また、図６（ａ）は１画素を示す平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線による断面図（図３とは異な
る部分であるＴＦＴ部分の断面図）である。
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線による断面図（図３とは異な
る部分であるＴＦＴ部分の断面図）である。
【００２６】この液晶表示装置は、アクティブマトリク
ス基板とＣＦ基板１２とが液晶層１１を挟んで対向配置
されている。
ス基板とＣＦ基板１２とが液晶層１１を挟んで対向配置
されている。
【００２７】アクティブマトリクス基板には、ガラス等
からなる基板６上に、走査配線としてのゲート信号線７
ａおよび信号配線としてのソース信号線７ｂが互いに交
差するように形成され、各信号線の交差部近傍にＴＦＴ
が形成されている。このＴＦＴはゲート信号線７ａで送
られるゲート信号にてオンオフ制御され、前述したＰＯ
Ｐ構造の画素電極に、ソース信号線７ｂで送られるソー
ス信号が書き込まれる。この書き込まれた画素電極によ
って表示が行われる。つまり、この画素電極が存在する
領域が表示領域となっている。なお、前記ゲート信号線
７ａおよびソース信号線７ｂは、基板６の周辺に設けら
れた駆動回路と接続すべく、表示領域の外側に延出して
設けられている。
からなる基板６上に、走査配線としてのゲート信号線７
ａおよび信号配線としてのソース信号線７ｂが互いに交
差するように形成され、各信号線の交差部近傍にＴＦＴ
が形成されている。このＴＦＴはゲート信号線７ａで送
られるゲート信号にてオンオフ制御され、前述したＰＯ
Ｐ構造の画素電極に、ソース信号線７ｂで送られるソー
ス信号が書き込まれる。この書き込まれた画素電極によ
って表示が行われる。つまり、この画素電極が存在する
領域が表示領域となっている。なお、前記ゲート信号線
７ａおよびソース信号線７ｂは、基板６の周辺に設けら
れた駆動回路と接続すべく、表示領域の外側に延出して
設けられている。
【００２８】一方、ＣＦ基板１２には、ガラス等からな
る基板上に、対向電極およびＢＭで覆われていないＣＦ
などが設けられている。このＣＦは、前記表示領域に存
在する画素電極に対応する位置に各色層を有する状態に
形成されており、ほぼ表示領域と同じ大きさとなってい
る。したがって、上述したゲート信号線７ａおよびソー
ス信号線７ｂは、ＣＦ最外郭のＢＭで覆われていない部
分と対向する部分を超えて延出形成されている。
る基板上に、対向電極およびＢＭで覆われていないＣＦ
などが設けられている。このＣＦは、前記表示領域に存
在する画素電極に対応する位置に各色層を有する状態に
形成されており、ほぼ表示領域と同じ大きさとなってい
る。したがって、上述したゲート信号線７ａおよびソー
ス信号線７ｂは、ＣＦ最外郭のＢＭで覆われていない部
分と対向する部分を超えて延出形成されている。
【００２９】また、上述したアクティブマトリクス基板
には、この延出形成部分のゲート信号線７ａとその間の
総ての上を覆って遮光層９ａが設けられ、また、延出形
成部分のソース信号線７ｂとその間の総ての上を覆って
遮光層９ｂが設けられている。遮光層９ａはソース信号
線７ｂを形成するときに同時に同じ金属材料で形成し、
遮光層９ｂはゲート信号線７ａを形成するときに同時に
同じ金属材料で形成している。更に、延出形成部分のゲ
ート信号線７ａと遮光層９ａとの間、および延出形成部
分のソース信号線７ｂと遮光層９ｂとの間には、ＴＦＴ
のゲート電極を覆うゲート絶縁膜と同一工程で形成され
た絶縁膜８が設けられている。この遮光層９ａ、９ｂ
は、その幅の中にＣＦの最外郭と対向している部分が位
置する。
には、この延出形成部分のゲート信号線７ａとその間の
総ての上を覆って遮光層９ａが設けられ、また、延出形
成部分のソース信号線７ｂとその間の総ての上を覆って
遮光層９ｂが設けられている。遮光層９ａはソース信号
線７ｂを形成するときに同時に同じ金属材料で形成し、
遮光層９ｂはゲート信号線７ａを形成するときに同時に
同じ金属材料で形成している。更に、延出形成部分のゲ
ート信号線７ａと遮光層９ａとの間、および延出形成部
分のソース信号線７ｂと遮光層９ｂとの間には、ＴＦＴ
のゲート電極を覆うゲート絶縁膜と同一工程で形成され
た絶縁膜８が設けられている。この遮光層９ａ、９ｂ
は、その幅の中にＣＦの最外郭と対向している部分が位
置する。
【００３０】その上には感光性樹脂からなる層間絶縁膜
１０または絶縁膜１０’が設けられる。層間絶縁膜１０
および絶縁膜１０’は同一工程で作製される。層間絶縁
膜１０は、表示領域に設けられたゲート信号線７ａやソ
ース信号線７ｂなどの導電部材と画素電極とを絶縁し、
かつ、層間絶縁膜１０に設けたコンタクトホールを介し
てＴＦＴと画素電極とを電気的に接続するためのもので
ある。一方、絶縁膜１０’は、遮光層９ａ、９ｂと他の
導電部材との間などを絶縁するために設けられたもので
ある。
１０または絶縁膜１０’が設けられる。層間絶縁膜１０
および絶縁膜１０’は同一工程で作製される。層間絶縁
膜１０は、表示領域に設けられたゲート信号線７ａやソ
ース信号線７ｂなどの導電部材と画素電極とを絶縁し、
かつ、層間絶縁膜１０に設けたコンタクトホールを介し
てＴＦＴと画素電極とを電気的に接続するためのもので
ある。一方、絶縁膜１０’は、遮光層９ａ、９ｂと他の
導電部材との間などを絶縁するために設けられたもので
ある。
【００３１】また、アクティブマトリクス基板には、Ｃ
ｓ ｏｎ Ｃｏｍの構成のＣｓ配線２０が形成されてい
る。このＣｓ配線２０は、画素電極との間で画素容量を
形成するものである。各Ｃｓ配線２０は基板周縁部まで
延出され、ソース信号線７ｂと同時にパターン形成され
たＣｓ幹配線１３により互いに接続されており、Ｃｓ幹
配線１３には対向電極と同じ信号が入力されている。こ
のＣｓ幹配線１３と接して、図４に示すように、遮光層
９ａが形成されている。よって、遮光層９ａにも、対向
電極と同じ信号が入力される。
ｓ ｏｎ Ｃｏｍの構成のＣｓ配線２０が形成されてい
る。このＣｓ配線２０は、画素電極との間で画素容量を
形成するものである。各Ｃｓ配線２０は基板周縁部まで
延出され、ソース信号線７ｂと同時にパターン形成され
たＣｓ幹配線１３により互いに接続されており、Ｃｓ幹
配線１３には対向電極と同じ信号が入力されている。こ
のＣｓ幹配線１３と接して、図４に示すように、遮光層
９ａが形成されている。よって、遮光層９ａにも、対向
電極と同じ信号が入力される。
【００３２】このように構成された本実施形態の液晶表
示装置においては、ＣＦ最外郭のＢＭで覆われていない
部分におけるゲート信号線７ａの総てを覆って、また、
同じくソース信号線７ｂの総てを覆って遮光層９ａ、９
ｂが設けられているので、この部分からの光漏れを完全
に遮光することができる。また、図６（ａ）に示すよう
に、ゲート信号線７ａやソース信号線７ｂは隣合う画素
電極の間を覆うように設けられており、それ故、画素電
極と対向して設けられるＣＦの各色層の間にＢＭが省略
されていても、その部分からの光漏れをゲート信号線７
ａやソース信号線７ｂは防止することとなる。
示装置においては、ＣＦ最外郭のＢＭで覆われていない
部分におけるゲート信号線７ａの総てを覆って、また、
同じくソース信号線７ｂの総てを覆って遮光層９ａ、９
ｂが設けられているので、この部分からの光漏れを完全
に遮光することができる。また、図６（ａ）に示すよう
に、ゲート信号線７ａやソース信号線７ｂは隣合う画素
電極の間を覆うように設けられており、それ故、画素電
極と対向して設けられるＣＦの各色層の間にＢＭが省略
されていても、その部分からの光漏れをゲート信号線７
ａやソース信号線７ｂは防止することとなる。
【００３３】（実施形態２）図７は実施形態２の液晶表
示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域と
周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタの周縁部に
相当する領域）を示す平面図である。なお、この図はア
クティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左側
が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側で
ある。
示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域と
周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタの周縁部に
相当する領域）を示す平面図である。なお、この図はア
クティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左側
が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側で
ある。
【００３４】この液晶表示装置は、対向電極と同じ信号
が入力されるＣｓ幹配線１３との間にスリットを設け、
つまりＣｓ幹配線１３から離隔して絶縁状態で遮光層９
ａを設けており、それ以外は実施形態１と同様の構成と
した。
が入力されるＣｓ幹配線１３との間にスリットを設け、
つまりＣｓ幹配線１３から離隔して絶縁状態で遮光層９
ａを設けており、それ以外は実施形態１と同様の構成と
した。
【００３５】この液晶表示装置においては、実際の表示
点灯状態において、スリット部分から光が漏れるが、僅
かな程度である。更には、図８に示すように、スリット
部分を埋めるように別の遮光層７ｃを形成することによ
り、さらに光漏れを少なくすることができる。
点灯状態において、スリット部分から光が漏れるが、僅
かな程度である。更には、図８に示すように、スリット
部分を埋めるように別の遮光層７ｃを形成することによ
り、さらに光漏れを少なくすることができる。
【００３６】この液晶表示装置は、遮光層９ａに対向電
極と同じ信号を入力した実施形態１の液晶表示装置に比
べて、ゲート信号線７ａと遮光層９ａとの間の容量結合
が約１／２となるので表示状態が良好であった。また、
実施形態１の液晶表示装置よりも、ゲート信号線７ａお
よびソース信号線７ｂと遮光層９ａ、９ｂとの間で発生
するリーク欠陥を少なくでき、歩留りの向上を図れる。
極と同じ信号を入力した実施形態１の液晶表示装置に比
べて、ゲート信号線７ａと遮光層９ａとの間の容量結合
が約１／２となるので表示状態が良好であった。また、
実施形態１の液晶表示装置よりも、ゲート信号線７ａお
よびソース信号線７ｂと遮光層９ａ、９ｂとの間で発生
するリーク欠陥を少なくでき、歩留りの向上を図れる。
【００３７】（実施形態３）図９は実施形態３の液晶表
示装置の断面図であり、図１０および図１１はその液晶
表示装置を構成するアクティブマトリクス基板における
表示領域と周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタ
の周縁部に相当する領域）であって、左側および上側を
示す平面図である（図１１は裏側から見た図）。また、
右側および下側は省略するが、両部分においては方向は
逆となるが同様になっている。なお、これら図９〜図１
１はカラーフィルタの周縁部に相当する領域を示す。図
１０において、図の左側が基板の端側、図の右側が表示
領域側である。
示装置の断面図であり、図１０および図１１はその液晶
表示装置を構成するアクティブマトリクス基板における
表示領域と周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタ
の周縁部に相当する領域）であって、左側および上側を
示す平面図である（図１１は裏側から見た図）。また、
右側および下側は省略するが、両部分においては方向は
逆となるが同様になっている。なお、これら図９〜図１
１はカラーフィルタの周縁部に相当する領域を示す。図
１０において、図の左側が基板の端側、図の右側が表示
領域側である。
【００３８】この液晶表示装置は、隣接するゲート信号
線７ａの間を覆い、かつ、ゲート信号線７ａの側端部を
覆うように遮光層９ａを形成しており、また、隣接する
ソース信号線７ｂの間を覆い、かつ、ソース信号線７ｂ
の側端部を覆うように遮光層９ｂを形成した。それ以外
は実施形態１と同様の構成とした。
線７ａの間を覆い、かつ、ゲート信号線７ａの側端部を
覆うように遮光層９ａを形成しており、また、隣接する
ソース信号線７ｂの間を覆い、かつ、ソース信号線７ｂ
の側端部を覆うように遮光層９ｂを形成した。それ以外
は実施形態１と同様の構成とした。
【００３９】この液晶表示装置においては、実際の表示
点灯状態において、ＣＦ最外郭のＢＭで覆われていない
部分から光が漏れるのを完全に防ぐことができた。
点灯状態において、ＣＦ最外郭のＢＭで覆われていない
部分から光が漏れるのを完全に防ぐことができた。
【００４０】また、この液晶表示装置は、遮光層９ａ、
９ｂとゲート信号線７ａおよびソース信号線７ｂとの重
なりが実施形態１の液晶表示装置に比べて少ないので、
ゲート信号線７ａおよびソース信号線７ｂと遮光層９
ａ、９ｂとの間の容量が少なくなり、表示状態が良好で
あった。また、実施形態１の液晶表示装置よりもゲート
信号線７ａおよびソース信号線７ｂと遮光層９ａ、９ｂ
との間のリーク欠陥が少なく、歩留りが向上した。
９ｂとゲート信号線７ａおよびソース信号線７ｂとの重
なりが実施形態１の液晶表示装置に比べて少ないので、
ゲート信号線７ａおよびソース信号線７ｂと遮光層９
ａ、９ｂとの間の容量が少なくなり、表示状態が良好で
あった。また、実施形態１の液晶表示装置よりもゲート
信号線７ａおよびソース信号線７ｂと遮光層９ａ、９ｂ
との間のリーク欠陥が少なく、歩留りが向上した。
【００４１】（実施形態４）図１２は実施形態４の液晶
表示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域
と周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタの周縁部
に相当する領域）を示す平面図である。なお、この図は
アクティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左
側が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側
である。
表示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域
と周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタの周縁部
に相当する領域）を示す平面図である。なお、この図は
アクティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左
側が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側
である。
【００４２】この液晶表示装置は、実施形態３のもの
を、実施形態２のように構成した。つまり、対向電極に
入力する信号を遮光層９ａに入力しない構成とし、遮光
層９ａとＣｓ幹配線１３との間にスリットを設けて互い
に離隔させた。それ以外は実施形態３と同様の構成とし
た。
を、実施形態２のように構成した。つまり、対向電極に
入力する信号を遮光層９ａに入力しない構成とし、遮光
層９ａとＣｓ幹配線１３との間にスリットを設けて互い
に離隔させた。それ以外は実施形態３と同様の構成とし
た。
【００４３】この液晶表示装置においては、実際の表示
点灯状態において、スリット部分から光が漏れるが、僅
かな程度である。更には、図１３に示すように、スリッ
ト部分を埋めるように別の遮光層７ｃを形成することに
より、さらに光漏れを少なくすることができる。
点灯状態において、スリット部分から光が漏れるが、僅
かな程度である。更には、図１３に示すように、スリッ
ト部分を埋めるように別の遮光層７ｃを形成することに
より、さらに光漏れを少なくすることができる。
【００４４】本実施形態の液晶表示装置は、遮光層９ａ
に対向電極と同じ信号を入力した実施形態３の液晶表示
装置に比べて、ゲート信号線７ａと遮光層９ａとの間の
容量結合を少なくできる。また、ゲート信号線７ａと遮
光層９ａ、９ｂとの間の容量およびソース信号線７ｂと
遮光層９ｂとの間の容量が、各々直列接続された構成に
なっているので、その容量結合をさらに半分にできる。
また、リーク欠陥が生じるのは、１本のゲート信号線７
ａと遮光層９ａとの間の絶縁膜の２箇所または１本のソ
ース信号線７ｂと遮光層９ａとの間の絶縁膜の２箇所が
リークした場合のみであるので、実施形態３の液晶表示
装置よりもゲート信号線７ａおよびソース信号線７ｂと
遮光層９ａ、９ｂとの間のリーク欠陥が少なく、歩留り
が向上した。
に対向電極と同じ信号を入力した実施形態３の液晶表示
装置に比べて、ゲート信号線７ａと遮光層９ａとの間の
容量結合を少なくできる。また、ゲート信号線７ａと遮
光層９ａ、９ｂとの間の容量およびソース信号線７ｂと
遮光層９ｂとの間の容量が、各々直列接続された構成に
なっているので、その容量結合をさらに半分にできる。
また、リーク欠陥が生じるのは、１本のゲート信号線７
ａと遮光層９ａとの間の絶縁膜の２箇所または１本のソ
ース信号線７ｂと遮光層９ａとの間の絶縁膜の２箇所が
リークした場合のみであるので、実施形態３の液晶表示
装置よりもゲート信号線７ａおよびソース信号線７ｂと
遮光層９ａ、９ｂとの間のリーク欠陥が少なく、歩留り
が向上した。
【００４５】（実施形態５）図１４は実施形態５の液晶
表示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域
と周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタの周縁部
に相当する領域）を示す平面図である。なお、この図は
アクティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左
側が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側
である。
表示装置のアクティブマトリクス基板における表示領域
と周辺領域との境界近傍部分（カラーフィルタの周縁部
に相当する領域）を示す平面図である。なお、この図は
アクティブマトリクス基板の基板周縁部を示し、図の左
側が基板端側であり、図の右側が図示しない表示領域側
である。
【００４６】この液晶表示装置は、遮光層９ａにゲート
信号線７ａと絶縁膜を介して畳重する部分を設けて、そ
の部分とゲート信号線７ａとを絶縁膜に設けたコンタク
トホール部１４において接続させた。そして、遮光層９
ａに各々対応するゲート信号線７ａの信号を入力する構
成とした。それ以外は実施形態４と同様の構成とした。
信号線７ａと絶縁膜を介して畳重する部分を設けて、そ
の部分とゲート信号線７ａとを絶縁膜に設けたコンタク
トホール部１４において接続させた。そして、遮光層９
ａに各々対応するゲート信号線７ａの信号を入力する構
成とした。それ以外は実施形態４と同様の構成とした。
【００４７】この液晶表示装置は、遮光層９ａに対向電
極と同じ信号を入力した実施形態１、３の液晶表示装置
や信号を入力しない実施形態２、４の液晶表示装置に比
べて、さらにゲート信号線７ａと遮光層９ａとの間の容
量結合を少なくできる。
極と同じ信号を入力した実施形態１、３の液晶表示装置
や信号を入力しない実施形態２、４の液晶表示装置に比
べて、さらにゲート信号線７ａと遮光層９ａとの間の容
量結合を少なくできる。
【００４８】なお、実施形態５においては遮光層に絶縁
膜を介してゲート信号線と畳重する部分を設けたが、遮
光層に絶縁膜を介してソース信号線と畳重する部分を設
けた構成も可能である。また、遮光層とゲート信号線
と、および遮光層とソース信号線とは絶縁膜に設けたコ
ンタクトホール部１４において接続させた構成とした
が、他の接続手段、たとえばリード線などを用いること
も可能である。
膜を介してゲート信号線と畳重する部分を設けたが、遮
光層に絶縁膜を介してソース信号線と畳重する部分を設
けた構成も可能である。また、遮光層とゲート信号線
と、および遮光層とソース信号線とは絶縁膜に設けたコ
ンタクトホール部１４において接続させた構成とした
が、他の接続手段、たとえばリード線などを用いること
も可能である。
【００４９】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれらの構成のものに限られない。例え
ば、図１５に示すように、遮光層９ｂの上を覆うよう
に、絶縁膜８を介してソース信号線７ｂを設ける構成と
したり、あるいは、図１６に示すように、ゲート信号線
７ａおよびソース信号線７ｂとは異なる層で遮光層９
ａ、９ｂを形成することも可能である。
が、本発明はこれらの構成のものに限られない。例え
ば、図１５に示すように、遮光層９ｂの上を覆うよう
に、絶縁膜８を介してソース信号線７ｂを設ける構成と
したり、あるいは、図１６に示すように、ゲート信号線
７ａおよびソース信号線７ｂとは異なる層で遮光層９
ａ、９ｂを形成することも可能である。
【００５０】また、本発明は、図１７に示すように、隣
接する遮光層９ｂとその一部が重なるように、絶縁膜８
を介してソース信号線７ｂを設ける構成としたり、ある
いは、図１８に示すように、ゲート信号線７ａおよびソ
ース信号線７ｂとは異なる層で遮光層９ａ、９ｂを形成
することも可能である。
接する遮光層９ｂとその一部が重なるように、絶縁膜８
を介してソース信号線７ｂを設ける構成としたり、ある
いは、図１８に示すように、ゲート信号線７ａおよびソ
ース信号線７ｂとは異なる層で遮光層９ａ、９ｂを形成
することも可能である。
【００５１】また、上記実施形態においては遮光層とし
て金属層を用いた場合について説明したが、本発明はこ
れに限らず、金属以外の遮光性を有する材料、たとえば
アクリル系樹脂やポリイミド、ポリアミドイミド、ポリ
エステルイミド、ポリアミド、ポリエステルアミドなど
の少なくとも一種からなるポリマーなどを用いることも
可能である。この場合には、導電性を考慮して用いる材
料を選択すると、遮光層と他の部材との絶縁性について
余り問題にならないようにできる利点があるが、工程の
増加を招来する欠点がある。また、遮光層にゲート信号
線やソース信号線あるいは対向電極と同じ信号を入力す
る場合には、金属層を用いる必要がある。
て金属層を用いた場合について説明したが、本発明はこ
れに限らず、金属以外の遮光性を有する材料、たとえば
アクリル系樹脂やポリイミド、ポリアミドイミド、ポリ
エステルイミド、ポリアミド、ポリエステルアミドなど
の少なくとも一種からなるポリマーなどを用いることも
可能である。この場合には、導電性を考慮して用いる材
料を選択すると、遮光層と他の部材との絶縁性について
余り問題にならないようにできる利点があるが、工程の
増加を招来する欠点がある。また、遮光層にゲート信号
線やソース信号線あるいは対向電極と同じ信号を入力す
る場合には、金属層を用いる必要がある。
【００５２】また、上述した実施形態３および４におい
ては、隣合うゲート信号線間または隣合うソース信号線
間を覆い、かつ、そのゲート信号線の側端部またはソー
ス信号線の側端部を覆って遮光層を形成しているが、本
発明はこれに限らず、隣合うゲート信号線間のみ、また
は、隣合うソース信号線間のみを覆うように遮光層を設
けるようにしてもよい。また、１つの遮光層が隣合う３
本以上のゲート信号線またはソース信号線を覆うよう
に、数を減少させて遮光層を設けるようにしてもよい。
ては、隣合うゲート信号線間または隣合うソース信号線
間を覆い、かつ、そのゲート信号線の側端部またはソー
ス信号線の側端部を覆って遮光層を形成しているが、本
発明はこれに限らず、隣合うゲート信号線間のみ、また
は、隣合うソース信号線間のみを覆うように遮光層を設
けるようにしてもよい。また、１つの遮光層が隣合う３
本以上のゲート信号線またはソース信号線を覆うよう
に、数を減少させて遮光層を設けるようにしてもよい。
【００５３】上述した各実施形態においてＣｓ幹配線が
ゲート信号線の存在する側に設けられた場合に本発明を
適用しているのは以下の理由である。それは、ゲート信
号線やソース信号線、およびＣｓ幹配線の幅は数μｍ〜
数１０μｍ程度であるのに対して、遮光層の幅は一般的
に１ｍｍ〜数ｍｍ程度を必要とし、それ故に寄生容量の
影響が大きくなるため、それの解消の必要性より例に挙
げている。但し、本発明は、これに限らず、Ｃｓ幹配線
がソース信号線の存在する側に設けられた場合にも同様
にして適用できる。更には、Ｃｓ配線やＣｓ幹配線が形
成されていない液晶表示装置にも同様に適用できること
はもちろんである。
ゲート信号線の存在する側に設けられた場合に本発明を
適用しているのは以下の理由である。それは、ゲート信
号線やソース信号線、およびＣｓ幹配線の幅は数μｍ〜
数１０μｍ程度であるのに対して、遮光層の幅は一般的
に１ｍｍ〜数ｍｍ程度を必要とし、それ故に寄生容量の
影響が大きくなるため、それの解消の必要性より例に挙
げている。但し、本発明は、これに限らず、Ｃｓ幹配線
がソース信号線の存在する側に設けられた場合にも同様
にして適用できる。更には、Ｃｓ配線やＣｓ幹配線が形
成されていない液晶表示装置にも同様に適用できること
はもちろんである。
【００５４】また、本発明は、ＣＦのＲ、Ｂ、Ｇの各色
層の境界部分および最外郭がＢＭにて覆われていないも
のに適用できることはもちろんであるが、ＣＦのＲ、
Ｂ、Ｇの各色層の境界部分がＢＭにて覆われ、かつ、最
外郭のみがＢＭにて覆われていないものにも同様にして
適用できる。
層の境界部分および最外郭がＢＭにて覆われていないも
のに適用できることはもちろんであるが、ＣＦのＲ、
Ｂ、Ｇの各色層の境界部分がＢＭにて覆われ、かつ、最
外郭のみがＢＭにて覆われていないものにも同様にして
適用できる。
【００５５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、一方の基板に設けた遮光層により、ＣＦの最
外郭部分において配線の間から光が漏れるのを防ぐこと
ができるので、良好な表示状態を得ることができる。ま
た、遮光層が走査配線および信号配線と一部のみ重なっ
ている場合には、遮光層と走査配線および信号配線との
間の容量結合が小さいので、さらに良好な表示状態を得
ることができる。
によれば、一方の基板に設けた遮光層により、ＣＦの最
外郭部分において配線の間から光が漏れるのを防ぐこと
ができるので、良好な表示状態を得ることができる。ま
た、遮光層が走査配線および信号配線と一部のみ重なっ
ている場合には、遮光層と走査配線および信号配線との
間の容量結合が小さいので、さらに良好な表示状態を得
ることができる。
【００５６】また、この遮光層と走査配線および信号配
線とは絶縁膜を介して畳重させ、両者を同じ電位にした
場合、遮光層と走査配線および信号配線との間の容量結
合が小さくなり、さらに良好な表示状態を得ることがで
きる。また、Ｃｓ ｏｎ Ｃｏｍの構成のＣｓ配線を接
続するためのＣｓ幹配線が遮光層を設ける部分の近傍に
存在し、かつ、遮光層に対向電極と同じ電位を入力する
場合、遮光層をＣｓ幹配線に接した状態または重なった
状態で設けることができ、基板周縁の配線部分における
光漏れを完全に遮光できる。また、遮光層に対向電極と
同じ電位を入力しない場合には、遮光層をＣｓ幹配線と
離隔して設ければよく、この場合にも僅かに光漏れが生
じる程度にすることができ、更には、その遮光層とＣｓ
幹配線との離隔部分に別の遮光層を設けると、さらに光
漏れを少なくすることができる。また、遮光層を、信号
配線や走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成
する場合には、遮光層の形成工程を別途設ける必要がな
いため、製造工程の削減化により安価に液晶表示装置を
得ることができる。
線とは絶縁膜を介して畳重させ、両者を同じ電位にした
場合、遮光層と走査配線および信号配線との間の容量結
合が小さくなり、さらに良好な表示状態を得ることがで
きる。また、Ｃｓ ｏｎ Ｃｏｍの構成のＣｓ配線を接
続するためのＣｓ幹配線が遮光層を設ける部分の近傍に
存在し、かつ、遮光層に対向電極と同じ電位を入力する
場合、遮光層をＣｓ幹配線に接した状態または重なった
状態で設けることができ、基板周縁の配線部分における
光漏れを完全に遮光できる。また、遮光層に対向電極と
同じ電位を入力しない場合には、遮光層をＣｓ幹配線と
離隔して設ければよく、この場合にも僅かに光漏れが生
じる程度にすることができ、更には、その遮光層とＣｓ
幹配線との離隔部分に別の遮光層を設けると、さらに光
漏れを少なくすることができる。また、遮光層を、信号
配線や走査配線と同じ材料を用いて同時にパターン形成
する場合には、遮光層の形成工程を別途設ける必要がな
いため、製造工程の削減化により安価に液晶表示装置を
得ることができる。
【００５７】このように、本発明の液晶表示装置によれ
ば、ＣＦの最外郭を覆うＢＭを形成しなくても基板周辺
の配線部分からの光漏れを防ぐことができるため、良好
な表示を得ると共に、液晶表示装置の製造工程を減らし
て製造原価を低減することができる。
ば、ＣＦの最外郭を覆うＢＭを形成しなくても基板周辺
の配線部分からの光漏れを防ぐことができるため、良好
な表示を得ると共に、液晶表示装置の製造工程を減らし
て製造原価を低減することができる。
【図１】本発明を適用する箇所を説明するための図であ
り、アクティブマトリクス基板の正面図である。
り、アクティブマトリクス基板の正面図である。
【図２】本発明を適用する箇所を説明するための図であ
り、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わ
せて液晶表示装置とした場合の正面図である。
り、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わ
せて液晶表示装置とした場合の正面図である。
【図３】実施形態１の液晶表示装置の断面図である。
【図４】実施形態１の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
マトリクス基板の平面図である。
【図５】実施形態１の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
マトリクス基板の平面図である。
【図６】（ａ）は実施形態１の液晶表示装置における１
画素を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線による断
面図である。
画素を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線による断
面図である。
【図７】実施形態２の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
マトリクス基板の平面図である。
【図８】実施形態２の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
マトリクス基板の平面図である。
【図９】実施形態３の液晶表示装置の断面図である。
【図１０】実施形態３の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
ブマトリクス基板の平面図である。
【図１１】実施形態３の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
ブマトリクス基板の平面図である。
【図１２】実施形態４の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
ブマトリクス基板の平面図である。
【図１３】実施形態４の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
ブマトリクス基板の平面図である。
【図１４】実施形態５の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。
ブマトリクス基板の平面図である。
【図１５】本発明の液晶表示装置の他の例を示す断面図
である。
である。
【図１６】本発明の液晶表示装置の他の例を示す断面図
である。
である。
【図１７】本発明の液晶表示装置の他の例を示す断面図
である。
である。
【図１８】本発明の液晶表示装置の他の例を示す断面図
である。
である。
【図１９】アクティブマトリクス基板の構成の一例を示
す概略図である。
す概略図である。
１ 画素容量 ２ ＴＦＴ ７ａ ゲート信号線 ４ 画素容量配線 ７ｂ ソース信号線 ６ 基板 ８ 絶縁膜 １０ 層間絶縁膜 １０’ 絶縁膜 １１ 液晶層 １２ ＣＦ基板 １３ Ｃｓ幹配線 ２０ Ｃｓ配線
Claims (8)
- 【請求項１】 一対の基板の画素電極を有する一方の基
板と対向電極を有する他方の基板とが液晶層を挟んで対
向配設され、両電極の対向する部分が表示領域となって
いると共に該表示領域の周囲が周辺領域となっており、
該一方の基板には該表示領域及び周辺領域にわたる範囲
に相互に交差する走査配線および信号配線が形成され、
該他方の基板には該表示領域に少なくとも最外郭にブラ
ックマトリクスの無いカラーフィルタが形成されている
液晶表示装置において、 該一方の基板の該周辺領域に、走査配線間を少なくとも
覆って走査配線用の遮光膜が設けられていると共に信号
配線間を少なくとも覆って信号配線用の遮光層が設けら
れている液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記走査配線用の遮光層がその一部を前
記走査配線と重ならせ、前記信号配線用の遮光層がその
一部を前記信号配線と重ならせて設けられている請求項
１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記走査配線用の遮光層および前記信号
配線用の遮光層が、前記走査配線および前記信号配線の
それぞれにおける隣接する３本以上を覆って設けられて
いる請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記走査配線用の遮光層および前記信号
配線用の遮光層が導電性金属からなり、該走査配線用の
遮光層と前記走査配線とが絶縁膜を介して畳重する部分
を有すると共に互いに同電位とされていると共に、該信
号配線用の遮光層と前記信号配線とが絶縁膜を介して畳
重する部分を有すると共に互いに同電位とされている請
求項１、２または３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記画素電極との間で容量を形成する画
素容量配線が、前記走査配線または前記信号配線と並設
されていると共に、該画素容量配線同士を接続する画素
容量幹配線が前記一方の基板における前記カラーフィル
タの最外郭との対向部分近傍に設けられ、かつ、前記導
電性金属からなる遮光層が該画素容量幹配線に接し、ま
たは、重なるよう設けられている請求項４に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項６】 前記画素電極との間で容量を形成する画
素容量配線が、前記走査配線または前記信号配線と並設
されていると共に、該画素容量配線同士を接続する画素
容量幹配線が前記一方の基板における前記カラーフィル
タの最外郭との対向部分近傍に設けられ、かつ、前記導
電性金属からなる遮光層が該画素容量幹配線と離隔して
設けられている請求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記遮光層と前記画素容量幹配線との離
隔部分に、該遮光層とは別の遮光層が設けられている請
求項６に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記遮光層は、前記隣接する走査配線の
間を少なくとも覆う場合には前記信号配線と同じ材料を
用いて同時にパターン形成され、前記隣接する信号配線
の間を少なくとも覆う場合には前記走査配線と同じ材料
を用いて同時にパターン形成されたものである請求項１
〜７のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP17153396A JP3327508B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 液晶表示装置 |
| US08/736,426 US6268895B1 (en) | 1995-10-27 | 1996-10-24 | Liquid crystal display device having light shield in periphery of display |
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|---|---|---|---|
| JP17153396A JP3327508B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 液晶表示装置 |
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|---|---|
| JPH1020335A true JPH1020335A (ja) | 1998-01-23 |
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| JP17153396A Expired - Lifetime JP3327508B2 (ja) | 1995-10-27 | 1996-07-01 | 液晶表示装置 |
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1996
- 1996-07-01 JP JP17153396A patent/JP3327508B2/ja not_active Expired - Lifetime
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