JP3196378B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP3196378B2 JP3196378B2 JP32443592A JP32443592A JP3196378B2 JP 3196378 B2 JP3196378 B2 JP 3196378B2 JP 32443592 A JP32443592 A JP 32443592A JP 32443592 A JP32443592 A JP 32443592A JP 3196378 B2 JP3196378 B2 JP 3196378B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタを用いて
駆動することにより、表示を行う液晶表示装置に関す
る。
駆動することにより、表示を行う液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来の液晶表示体装置の斜視図
である。従来、薄膜トランジスタを有する液晶表示装置
では、表示画像のコントラストおよび色再現性を向上さ
せるために配線と画素電極のすき間からの光漏れを防ぐ
ために、対向基板側に遮光性のある金属等によりブラッ
クマトリックスを設けていた。従って、薄膜トランジス
タを形成した基板と対向基板との組み合わせずれを考慮
して１０μｍ以上の合わせマージンが必要となる。ま
た、ソース配線と画素電極は同一平面上にあるために、
両者を電気的に分離するための間隙が必要である。以上
の理由から、液晶表示装置の画素部の開口率は減少す
る。これらの問題を解決するために、図２（ａ）から
（ｃ）に示されるような方法が考案されている。図２
（ａ）は、薄膜トランジスタが形成された基板の平面図
を示し、図２（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ図２
（ａ）におけるＡＡ部およびＢＢ部の断面図を示す。本
方式の特徴は、前記薄膜トランジスタのソース配線なら
びにゲート配線と画素電極を層間絶縁膜で分離し、各々
が異なる平面に形成されることにより、前記薄膜トラン
ジスタのソース配線とゲート配線が、ブラックマトリッ
クスを兼ねるように構成されている。
である。従来、薄膜トランジスタを有する液晶表示装置
では、表示画像のコントラストおよび色再現性を向上さ
せるために配線と画素電極のすき間からの光漏れを防ぐ
ために、対向基板側に遮光性のある金属等によりブラッ
クマトリックスを設けていた。従って、薄膜トランジス
タを形成した基板と対向基板との組み合わせずれを考慮
して１０μｍ以上の合わせマージンが必要となる。ま
た、ソース配線と画素電極は同一平面上にあるために、
両者を電気的に分離するための間隙が必要である。以上
の理由から、液晶表示装置の画素部の開口率は減少す
る。これらの問題を解決するために、図２（ａ）から
（ｃ）に示されるような方法が考案されている。図２
（ａ）は、薄膜トランジスタが形成された基板の平面図
を示し、図２（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ図２
（ａ）におけるＡＡ部およびＢＢ部の断面図を示す。本
方式の特徴は、前記薄膜トランジスタのソース配線なら
びにゲート配線と画素電極を層間絶縁膜で分離し、各々
が異なる平面に形成されることにより、前記薄膜トラン
ジスタのソース配線とゲート配線が、ブラックマトリッ
クスを兼ねるように構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
晶表示装置では、画素部の開口率の向上と共に、液晶表
示装置内に入射した光が散乱して、散乱光が薄膜トラン
ジスタに入射し、薄膜トランジスタの特性を変化させる
問題があった。
晶表示装置では、画素部の開口率の向上と共に、液晶表
示装置内に入射した光が散乱して、散乱光が薄膜トラン
ジスタに入射し、薄膜トランジスタの特性を変化させる
問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マトリクス状
に配列された複数のソース線と複数のゲート線と、前記
各ソース線と前記各ゲート線に接続されたトランジスタ
と、前記トランジスタに接続された画素電極とを有する
基板と、対向基板とで液晶を挟む液晶表示装置であっ
て、前記ゲート線上に形成された第１層間絶縁膜と、前
記第１層間絶縁膜上に形成された前記ソース線と、前記
ソース線上に形成された第２層間絶縁膜と、前記第２層
間絶縁膜上に形成され、前記ゲート線に隣接する前記画
素電極の端部及び前記ゲート線に重なるように島状に形
成された遮光膜と、前記遮光膜上に形成され平坦化され
た第３層間絶縁膜と、前記第３層間絶縁膜上に形成され
前記遮光膜と電気的に接続された画素電極とを具備する
ことを特徴とするまた、本発明は、マトリクス状に配列
された複数のソース線と複数のゲート線と、前記各ソー
ス線と前記各ゲート線に接続されたトランジスタと、前
記トランジスタに接続された画素電極とを有する基板
と、対向基板とで液晶を挟む液晶表示装置であって、前
記ソース線に対して層間絶縁膜を介して形成され、前記
ゲート線に隣接する前記画素電極の端部及び前記ゲート
線に重なるように島状に形成された遮光膜を有し、前記
遮光膜は層間絶縁膜を介して前記液晶層側に設けられた
前記画素電極に電気的に接続されていると共に、前記ゲ
ート線と前記遮光膜間の層間絶縁膜の比誘電率は、前記
遮光膜と前記画素電極間の層間絶縁膜の比誘電率よりも
大きいことを特徴とする。
に配列された複数のソース線と複数のゲート線と、前記
各ソース線と前記各ゲート線に接続されたトランジスタ
と、前記トランジスタに接続された画素電極とを有する
基板と、対向基板とで液晶を挟む液晶表示装置であっ
て、前記ゲート線上に形成された第１層間絶縁膜と、前
記第１層間絶縁膜上に形成された前記ソース線と、前記
ソース線上に形成された第２層間絶縁膜と、前記第２層
間絶縁膜上に形成され、前記ゲート線に隣接する前記画
素電極の端部及び前記ゲート線に重なるように島状に形
成された遮光膜と、前記遮光膜上に形成され平坦化され
た第３層間絶縁膜と、前記第３層間絶縁膜上に形成され
前記遮光膜と電気的に接続された画素電極とを具備する
ことを特徴とするまた、本発明は、マトリクス状に配列
された複数のソース線と複数のゲート線と、前記各ソー
ス線と前記各ゲート線に接続されたトランジスタと、前
記トランジスタに接続された画素電極とを有する基板
と、対向基板とで液晶を挟む液晶表示装置であって、前
記ソース線に対して層間絶縁膜を介して形成され、前記
ゲート線に隣接する前記画素電極の端部及び前記ゲート
線に重なるように島状に形成された遮光膜を有し、前記
遮光膜は層間絶縁膜を介して前記液晶層側に設けられた
前記画素電極に電気的に接続されていると共に、前記ゲ
ート線と前記遮光膜間の層間絶縁膜の比誘電率は、前記
遮光膜と前記画素電極間の層間絶縁膜の比誘電率よりも
大きいことを特徴とする。
【０００５】
【０００６】
【実施例】図３（ａ）から（ｃ）は、本発明の液晶表示
装置の一実施例を示す平面図および断面図である。図３
（ａ）は平面図を示し、図３（ｂ）および（ｃ）は、そ
れぞれ図３（ａ）におけるＡＡ部およびＢＢ部での断面
図を示す。石英やガラスなどの透明基板３０１上に設け
られた薄膜トランジスタのゲート配線３０２、前記ゲー
ト配線と薄膜トランジスタのソース配線を絶縁分離する
第一の層間絶縁膜３０３、ＡｌやＭｏ、Ｃｒ、Ｔａなど
の金属で形成され、薄膜トランジスタのゲート配線と直
交するブラックマトリックスを兼ねるソース配線３０
４、前記ゲート配線と平行な遮光部３０７を絶縁分離す
る第二の層間絶縁膜３０５、前段の薄膜トランジスタの
ゲート配線３０６に重なり、かつ前記ゲート線３０６と
平行で島状に形成された遮光部３０７、前記の遮光部３
０７と、薄膜トランジスタのドレイン電極３０８および
画素電極３１０とを絶縁分離する第三の層間絶縁膜３０
９を示す。なお、３１１は画素電極３１０と前段のゲー
ト配線３０６に平行に重なる遮光部３０７とを電気的に
接続するためのコンタクトホールである。
装置の一実施例を示す平面図および断面図である。図３
（ａ）は平面図を示し、図３（ｂ）および（ｃ）は、そ
れぞれ図３（ａ）におけるＡＡ部およびＢＢ部での断面
図を示す。石英やガラスなどの透明基板３０１上に設け
られた薄膜トランジスタのゲート配線３０２、前記ゲー
ト配線と薄膜トランジスタのソース配線を絶縁分離する
第一の層間絶縁膜３０３、ＡｌやＭｏ、Ｃｒ、Ｔａなど
の金属で形成され、薄膜トランジスタのゲート配線と直
交するブラックマトリックスを兼ねるソース配線３０
４、前記ゲート配線と平行な遮光部３０７を絶縁分離す
る第二の層間絶縁膜３０５、前段の薄膜トランジスタの
ゲート配線３０６に重なり、かつ前記ゲート線３０６と
平行で島状に形成された遮光部３０７、前記の遮光部３
０７と、薄膜トランジスタのドレイン電極３０８および
画素電極３１０とを絶縁分離する第三の層間絶縁膜３０
９を示す。なお、３１１は画素電極３１０と前段のゲー
ト配線３０６に平行に重なる遮光部３０７とを電気的に
接続するためのコンタクトホールである。
【０００７】前記ソース配線と直交する遮光部に、Ａｌ
やＭｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕなどの導電性を有する
金属を用いると、前記遮光部３０７と前段のゲート線３
０６との重なり部に、保持容量Ｃ0が生じる。また、前
段の画素電極３１０遮光部３０７との重なり部に、容量
Ｃ1が生じる。液晶表示装置の表示品質を劣化させない
ためには、前記の容量Ｃ0が容量Ｃ1に比べて、十分に大
きくなるようにすることが必要である。従って、前記の
第一の層間絶縁膜３０３ならびに第二の層間絶縁膜３０
５には、ＳｉＯ2やＳｉＮxなどの比誘電率の大きい絶縁
膜を用いることが好ましく、前記の第三の層間絶縁膜３
０９には、ポリイミド系樹脂・アクリル系樹脂・フッ素
系樹脂などの比誘電率が小さい有機絶縁膜を１〜５μｍ
程度と厚く塗布することが好ましく、さらに平坦化効果
もあり液晶の配向性も改善される。図４は、本発明の液
晶表示装置を示す斜視図である。図３（ａ）から（ｃ）
に示した構造をもつ薄膜トランジスタが形成された基板
を用いることにより、対向基板側のブラックマトリック
スが廃止され、従って表示部分の開口率を大きくできる
と同時に、対向基板と薄膜トランジスタが形成された基
板との貼り合わせが容易になる。
やＭｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕなどの導電性を有する
金属を用いると、前記遮光部３０７と前段のゲート線３
０６との重なり部に、保持容量Ｃ0が生じる。また、前
段の画素電極３１０遮光部３０７との重なり部に、容量
Ｃ1が生じる。液晶表示装置の表示品質を劣化させない
ためには、前記の容量Ｃ0が容量Ｃ1に比べて、十分に大
きくなるようにすることが必要である。従って、前記の
第一の層間絶縁膜３０３ならびに第二の層間絶縁膜３０
５には、ＳｉＯ2やＳｉＮxなどの比誘電率の大きい絶縁
膜を用いることが好ましく、前記の第三の層間絶縁膜３
０９には、ポリイミド系樹脂・アクリル系樹脂・フッ素
系樹脂などの比誘電率が小さい有機絶縁膜を１〜５μｍ
程度と厚く塗布することが好ましく、さらに平坦化効果
もあり液晶の配向性も改善される。図４は、本発明の液
晶表示装置を示す斜視図である。図３（ａ）から（ｃ）
に示した構造をもつ薄膜トランジスタが形成された基板
を用いることにより、対向基板側のブラックマトリック
スが廃止され、従って表示部分の開口率を大きくできる
と同時に、対向基板と薄膜トランジスタが形成された基
板との貼り合わせが容易になる。
【０００８】図５（ａ）から（ｃ）は、本発明の液晶表
示装置の関連技術を示す平面図および断面図である。図
５（ａ）は平面図を示し、図５（ｂ）および（ｃ）は、
それぞれ図５（ａ）のＡＡ部ならびにＢＢ部の断面図を
示す。図５（ａ）から（ｃ）においても、島状に形成さ
れた遮光部５０２と前段のゲート線５０４との重なり部
に形成される保持容量Ｃ2と、島状に形成された遮光部
５０２と前段の画素電極５０１との重なり部に形成され
る容量Ｃ3において、前記容量Ｃ2が容量Ｃ3よりも十分
に大きくなるようにすればよい。従って、前記の第一の
層間絶縁膜５０７には、ＳｉＯ2やＳｉＮxなどの比誘電
率の大きい絶縁膜を用いることが好ましく、前記の第二
の層間絶縁膜５０６には、ポリイミド系樹脂・アクリル
系樹脂・フッ素系樹脂などの比誘電率が小さい有機絶縁
膜を１〜５μｍ程度と厚く塗布することが好ましく、さ
らに平坦化効果もあり液晶の配向性も改善される。図５
（ａ）から（ｃ）において、前記ゲート配線５０４に平
行に重なる遮光部５０２として、薄膜トランジスタのソ
ース配線５０５の層を島状に形成することも可能であ
る。
示装置の関連技術を示す平面図および断面図である。図
５（ａ）は平面図を示し、図５（ｂ）および（ｃ）は、
それぞれ図５（ａ）のＡＡ部ならびにＢＢ部の断面図を
示す。図５（ａ）から（ｃ）においても、島状に形成さ
れた遮光部５０２と前段のゲート線５０４との重なり部
に形成される保持容量Ｃ2と、島状に形成された遮光部
５０２と前段の画素電極５０１との重なり部に形成され
る容量Ｃ3において、前記容量Ｃ2が容量Ｃ3よりも十分
に大きくなるようにすればよい。従って、前記の第一の
層間絶縁膜５０７には、ＳｉＯ2やＳｉＮxなどの比誘電
率の大きい絶縁膜を用いることが好ましく、前記の第二
の層間絶縁膜５０６には、ポリイミド系樹脂・アクリル
系樹脂・フッ素系樹脂などの比誘電率が小さい有機絶縁
膜を１〜５μｍ程度と厚く塗布することが好ましく、さ
らに平坦化効果もあり液晶の配向性も改善される。図５
（ａ）から（ｃ）において、前記ゲート配線５０４に平
行に重なる遮光部５０２として、薄膜トランジスタのソ
ース配線５０５の層を島状に形成することも可能であ
る。
【０００９】図６（ａ）から（ｃ）は、本発明の液晶表
示装置の別の関連技術を示す平面図および断面図であ
る。図６（ａ）は平面図を示し、図６（ｂ）および
（ｃ）は、それぞれ図６（ａ）のＡＡ部ならびにＢＢ部
の断面図を示す。
示装置の別の関連技術を示す平面図および断面図であ
る。図６（ａ）は平面図を示し、図６（ｂ）および
（ｃ）は、それぞれ図６（ａ）のＡＡ部ならびにＢＢ部
の断面図を示す。
【００１０】図７は、本発明の液晶表示装置の別の関連
技術の斜視図を示す。図５（ａ）から（ｃ）に示された
構造をもつ薄膜トランジスタ、または図６（ａ）から
（ｃ）に示された構造をもつ薄膜トランジスタが形成さ
れた基板を用いる場合、ソース配線・ゲート配線の一部
・ゲート配線に平行に重なる遮光部がブラックマトリッ
クスとる。なお、ゲート配線に平行に設けられた遮光部
とソース配線の隙間（薄膜トランジスタの部分）からの
光の漏れは、対向基板側に遮光部を島状に形成する。従
って表示部分の開口率を減じることなく、十分な保持容
量をもつ液晶表示装置が作製できる。
技術の斜視図を示す。図５（ａ）から（ｃ）に示された
構造をもつ薄膜トランジスタ、または図６（ａ）から
（ｃ）に示された構造をもつ薄膜トランジスタが形成さ
れた基板を用いる場合、ソース配線・ゲート配線の一部
・ゲート配線に平行に重なる遮光部がブラックマトリッ
クスとる。なお、ゲート配線に平行に設けられた遮光部
とソース配線の隙間（薄膜トランジスタの部分）からの
光の漏れは、対向基板側に遮光部を島状に形成する。従
って表示部分の開口率を減じることなく、十分な保持容
量をもつ液晶表示装置が作製できる。
【００１１】
【発明の効果】本発明により解決しようとする課題は、
以下の通りである。
以下の通りである。
【００１２】画素開口率を大きくしても、液晶表示装置
内で光が散乱して、薄膜トランジスタの特性が変化する
のを防止できる。
内で光が散乱して、薄膜トランジスタの特性が変化する
のを防止できる。
【００１３】
【００１４】
【図１】従来の、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装
置の斜視図である。
置の斜視図である。
【図２】（ａ）から（ｃ）は、薄膜トランジスタを用い
た液晶表示装置にもちいる薄膜トランジスタの従来例の
平面図および断面図である。
た液晶表示装置にもちいる薄膜トランジスタの従来例の
平面図および断面図である。
【図３】（ａ）から（ｃ）は、本発明の液晶表示装置の
一実施例を示す平面図および断面図である。
一実施例を示す平面図および断面図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の一実施例を示す斜視図
である。
である。
【図５】（ａ）から（ｃ）は、本発明の液晶表示装置の
関連技術を示す平面図および断面図である。
関連技術を示す平面図および断面図である。
【図６】（ａ）から（ｃ）は、本発明の液晶表示装置の
他の関連技術を示す平面図および断面図である。
他の関連技術を示す平面図および断面図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の他の関連技術を示す斜
視図である。
視図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−27249（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−922（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34679（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−142925（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1362 G02F 1/1335 G02F 1/1333 G09F 9/00 - 9/46
Claims (2)
- 【請求項１】 マトリクス状に配列された複数のソース
線と複数のゲート線と、前記各ソース線と前記各ゲート
線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接
続された画素電極とを有する基板と、対向基板とで液晶
を挟む液晶表示装置であって、 前記ゲート線上に形成された第１層間絶縁膜と、前記第
１層間絶縁膜上に形成された前記ソース線と、前記ソー
ス線上に形成された第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶
縁膜上に形成され、前記ゲート線に隣接する前記画素電
極の端部及び前記ゲート線に重なるように島状に形成さ
れた遮光膜と、前記遮光膜上に形成され平坦化された第
３層間絶縁膜と、前記第３層間絶縁膜上に形成され前記
遮光膜と電気的に接続された画素電極とを具備すること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 マトリクス状に配列された複数のソース
線と複数のゲート線と、前記各ソース線と前記各ゲート
線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接
続された画素電極とを有する基板と、対向基板とで液晶
を挟む液晶表示装置であって、 前記ソース線に対して層間絶縁膜を介して形成され、前
記ゲート線に隣接する前記画素電極の端部及び前記ゲー
ト線に重なるように島状に形成された遮光膜を有し、前
記遮光膜は層間絶縁膜を介して前記液晶層側に設けられ
た前記画素電極に電気的に接続されていると共に、前記
ゲート線と前記遮光膜間の層間絶縁膜の比誘電率は、前
記遮光膜と前記画素電極間の層間絶縁膜の比誘電率より
も大きいことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32443592A JP3196378B2 (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32443592A JP3196378B2 (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006847A Division JP3277934B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06175156A JPH06175156A (ja) | 1994-06-24 |
| JP3196378B2 true JP3196378B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=18165779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32443592A Expired - Lifetime JP3196378B2 (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196378B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001125510A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置 |
| JP2001109402A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US5985740A (en) * | 1996-01-19 | 1999-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst |
| JP3191745B2 (ja) | 1997-04-23 | 2001-07-23 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ素子及びその製造方法 |
| JP2001305557A (ja) | 2000-04-21 | 2001-10-31 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| JP4089529B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
| US9305496B2 (en) | 2010-07-01 | 2016-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric field driving display device |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP32443592A patent/JP3196378B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06175156A (ja) | 1994-06-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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