JPH0820638B2 - 液晶装置およびその作製方法 - Google Patents

液晶装置およびその作製方法

Info

Publication number
JPH0820638B2
JPH0820638B2 JP61186201A JP18620186A JPH0820638B2 JP H0820638 B2 JPH0820638 B2 JP H0820638B2 JP 61186201 A JP61186201 A JP 61186201A JP 18620186 A JP18620186 A JP 18620186A JP H0820638 B2 JPH0820638 B2 JP H0820638B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
conductive thin
thin films
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61186201A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6341828A (ja
Inventor
舜平 山崎
晃 間瀬
寛幸 坂寄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP61186201A priority Critical patent/JPH0820638B2/ja
Priority to US07/082,544 priority patent/US4854675A/en
Priority to CN 90102570 priority patent/CN1015940B/zh
Priority to CN87105511A priority patent/CN1014098B/zh
Priority to EP87307065A priority patent/EP0257902B1/en
Priority to DE8787307065T priority patent/DE3782381T2/de
Publication of JPS6341828A publication Critical patent/JPS6341828A/ja
Priority to US07/222,635 priority patent/US4927493A/en
Priority to US07/222,634 priority patent/US4954217A/en
Priority to US07/283,794 priority patent/US4974939A/en
Priority to US07/470,732 priority patent/US4975145A/en
Publication of JPH0820638B2 publication Critical patent/JPH0820638B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/04Charge transferring layer characterised by chemical composition, i.e. conductive
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/05Bonding or intermediate layer characterised by chemical composition, e.g. sealant or spacer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells

Description

【発明の詳細な説明】 『発明の利用分野』 本発明は、液晶表示パネルに関するものであって、マ
イクロコンピュータ、ワードプロセッサまたはテレビ等
の表示部の薄型化を図る単純マトリックス方式の液晶装
置およびその作製方法に関する。
『従来の技術』 従来の液晶表示装置に関しては、2つの透明基板の内
側にそれぞれ透明導電膜、配向膜が設けられ、この間に
液晶を充填して、2つの電極間に印加される「電圧の有
無」または「電圧の向き」により液晶の「オン」「オ
フ」を制御していた。そしてこの表示により、文字、グ
ラフまたは絵を表示するものである。
この単純マトリックス構成をさせた透光性導電膜であ
っても、X方向の電極・リード群およびY方向の電極・
リード群はともにフォトマスク、フォトレジストを用い
たフォトエッチングの工程を用いている。このため、単
純マトリックスというきわめて単純な電極・リード群で
あっても、きわめて精密なフォトエッチングプロセスを
用いることを常としていた。
このため、電極・リードの作製に多くの工程を必要と
し、結果として、この作製によりパネル全体の価格上昇
は避けられないものとなってしまった。
他方、本発明人はこの単純マトリックス構成を作製す
るに際し、基板上な周辺部を除き全面に極細(10〜100
μm)の巾の線状のレーザ光を照射して、この照射され
た部分のみを選択的に除去し、残された部分を電極・リ
ードとする構成を発明した。この方式を用いるならば、
基板上に周辺部を除き、全面に形成された透光性導電膜
に対し、フォトレジストのコート工程、プリベーク工
程、露光工程、現像工程、ポストベーク工程、透光性導
電膜のエッチング工程、レジストの剥離工程を経ること
なくパターニングすることが可能となる。
また従来方式においては、X方向の透明導電膜の電極
・リード群と、他方のY方向の透光性導電膜の電極・リ
ード群との位置合わせに関し、基板と周辺回路とのフレ
キシブルコネクタによる連結の際にはきわめて精密に実
行することが必要とされていた。このため、第1図
(9)に示す如く、パネルの周辺部においてパネルの封
止用樹脂に接触することなく電極・リードを配設するこ
とが重要であった。
第1図に従来の液晶表示装置の縦断面図が示されてい
る。
この図面において、液晶表示用の2つの透明基板
(1),(1′)の周辺部には液晶が外部にもれないよ
う樹脂とスペーサ(7)とを混合したシール材(6)が
設けられ、2つの基板間を一定に保っている。かつこの
封止用樹脂が電極・リード(2),(2′)と決して触
れることのないように注意が払われている。もしこの電
極の一部が樹脂(6)に覆われると、その部分には液晶
(5)が充填されず表示不可能領域となるからである。
このため、電極・リードの端部と樹脂(6)との端部の
間(9)は3〜5mmもあけておくことが一般的である。
『本発明が解決しようとする問題点』 しかしこの間隙(9)は製造プロセスにおけるマージ
ンとしてとらえられ、本来表示部をより大きくするため
には全く不要なものであった。
加えて電極・リードと周辺回路用のPCB(プラスチッ
ク基板)との連結はこれまできわめて精密なはりあわせ
による電気的連結を必要としていた。
しかしこの精密はフレキシブル配線群により、それぞ
れのリードが数百μm間隔に精密に配設され、かつそれ
ぞれが液晶表示パネルの電極・リードと一対一の対応を
して連結する。加えて、電気的分離領域において、それ
ぞれの電極・リードが隣の電極・リードとの電気的ショ
ートを防ぐという精密なパターンを互いに位置合わせす
ることはきわめて高度な技術を必要とし、製造歩留まり
の低下及び製造価値の上昇を誘発してしまった。
『問題を解決するための手段』 本発明は上記問題を解決するために、第1の基板上に
X方向にストライプ状に設けられた複数の導電性薄膜
と、第2の基板上にY方向にストライプ状に設けられた
複数の導電性薄膜とを有し、前記第1の基板上に設けら
れた導電性薄膜と前記第2の基板上に設けられた導電性
薄膜とを、液晶および該液晶の周囲に設けた封止用の有
機樹脂を介して対抗させて設けた液晶表示装置におい
て、前記有機樹脂によって形成される前記液晶が存在す
る表示領域が、前記第1の基板上に設けられた複数の導
電性薄膜と前記第2の基板上に設けられた複数の導電性
薄膜とが重なる領域の内側に設けられていることを特徴
とする液晶装置である。
また本発明は、第1の基板上にX方向にストライプ状
に設けられた複数の導電性薄膜と、第2の基板上にY方
向にストライプ状に設けられた複数の導電性薄膜とを、
液晶および該液晶の周囲に設けた封止用の有機樹脂を介
して対抗させて設けるに際し、前記有機樹脂によって形
成される前記液晶が存在する表示領域が、前記第1の基
板上に設けられた複数の導電性薄膜と前記第2の基板上
に設けられた複数の導電性薄膜とが重なる領域の内側に
設けられるように前記有機樹脂を設けることを特徴とす
る液晶装置の作製方法である。
すなわち本発明は、第1の基板と第2の基板を対抗さ
せて形成される、X方向とY方向のストライプ状の導電
性薄膜群が向かい合って重なっている領域の内側に、表
示を行うための液晶が存在する表示領域が設けられるよ
うに、封止用の有機樹脂を設けたものである。
したがって本発明は、上下のパネル(基板)の位置合
わせに対し、きわめて大きなマージンを与えるものであ
る。
本発明を実施するに際し、X方向の透明導電膜の電極
・リード群とY方向の透明導電膜の電極・リード群は周
辺部(透明導電膜の被膜作製の際、反対面及び側周辺に
導電膜材料がまわりこむことを防ぐ意味での周辺部)を
除く全面に形成することは有効である。
即ち、まず基板上の周辺部を除く全面に透明導電膜を
形成する。さらに実施例に従いエキシマレーザ光を用い
線状のパターニングを行う。さらにこのパターニングに
より一方の電極・リード群はX方向に、また他方の電極
・リード群はY方向に配設する。この後、スペーサを用
いつつ、周辺部を所定の電極間隔とするように樹脂封止
を行う。この液晶の領域を除き、かつ上下の電極間隔を
一定にするための樹脂は、第4図に示す如く、X方向ま
たはY方向の電極・リード部の周辺部に位置する電極・
リードをも覆って封止をさせる。このことにより、本発
明においては2つのパネルの精密な位置合わせをまった
く必要としない。ただ、2つのパネルがはりあわせた後
再び剥離しない程度に十分の強度を有せしめることが重
要である。
この単純マトリックスにおいて、外部回路との連結用
のフレキシブル配線は、さらにその内側のX方向の電極
・リード群(第4図(C)では(30′)に対応)または
Y方向の電極・リード群(第4図(C)では(31′)に
対応)と連結すればよい。
『作用』 かくすることにより、単純マトリックスの電極群を作
るに際し、フォトエッチング工程を必要としなくなっ
た。また、上下のパネルのはり合わせの際、精密な位置
合わせが不要となった。
さらに、周辺回路構成用のPCBとのフレキシブル配線
による連結も精密な位置合わせを不要にできた。
これらにより、これまで大型化に最も重要な信頼性低
下の原因であった外部回路と液晶表示装置との連結部に
おける信頼性の低下を完全に防ぐことができるようにな
った。
以下に実施例に従い、本発明を説明する。
『実施例』 実施例1 第2図は本発明の液晶表示装置の作製に必要な透明導
電膜のパターニングをレジストレスであってかつフォト
マスクを用いることにより実施したものである。
第2図にエキシマレーザを用いた本発明のレーザ加工
の系統図を記す。エキシマレーザ(17)(波長248nm,Eg
=5.0eV)を用いた。すると、初期の光ビーム(18)は1
6mm×20mmを有し、効率3%であるため、350mJを有す
る。さらにこのビームをビームエキスパンダ(16)にて
長面積化または大面積化した、即ち16mm×300mmに拡大
した(第2図(11)) この装置に5.6×10-2mJ/mm2をエネルギ密度で得た。
更に合成石英製のシリンドリカルレンズ(14)で加工
面での開溝巾がマスクを用いない場合100μmとなるべ
く集光(12−1)した。石英板のマスク(3)を用い
た。このマスクの下側にクロム、MoSi2等の耐熱性遮光
材(3′)が選択的に設けられ、マスクを構成してい
る。ここで集光光(12−1)より選択的に一部の光(12
−1)を選び、被加工面(2)に照射する。
かくして長さ30cm、巾20μのスリット状のビーム(12
−2)を基板(1)上の被加工物(2)に線状に照射
し、加工を行い、開溝(8)を形成した。
被加工面として、ガラス状の透明導電膜(Eg=3.5e
V)を有する基板(1)に対し、エキシマレーザ(Quest
ec Inc.製)を用いた。
パルス光はKrF248nmとした。光学的エネルギバンド巾
が5.0eVであるため、十分光を吸収し、透明導電膜のみ
を選択的に加工し得るからである。
パルス巾20n秒、繰り返し周波数1〜100Hz、例えば10
Hz、また、被加工物はガラス基板上のCTF(透光性導電
膜)である酸化スズ(SnO2)を用いた。
この被膜に加工を行うと、1回のみの線状のパルス光
の照射でスリット(8)が完全に白濁化されCTFが微粉
末になった。これをアセトン水溶液にての超音波洗浄
(周波数29KHz)を約1〜10分行いこのCTFを除去した。
下地のソータガラスはまったく損傷を受けていなかっ
た。
第3図は第2図におけるレーザビーム光の状態を解説
したものである。即ち、レーザ光より照射された状態は
第3図(A)の矩形(18)となる。これがエキスパンダ
にて長さ方向に拡大(11)され、第3図(B)を得る。
さらにフォトマスクにより一部周辺(12−1)が除去さ
れ、極細の開溝(12−2)が第3図(C−1)・・(C
−3)の如く形成される。ビーム光(12−1)の巾は10
0μmとし、マスクで一部が遮光されたビームの巾は(1
2−2)の20μmとした。この時、単純に中央部のみマ
スクで選択すると第3図(C−1)を得る。また端部を
太くすると第3図(C−2)を得る。この図面におい
て、端部にはマスクがない場合である。端部を太くしつ
つも、この太さ、形状をマスクで規定すると第3図(C
−3)となる。第3図(C−3)は第3図(C−1),
(C−2)に比べわかりやすくするため、図面を拡大し
てある。
この作業を繰り返すことにより、第4図(A−1),
(A−2)に示された単純マトリックスの電極・リード
群を得ることができる。
第4図を以下に説明する。
実施例2 第4図は実施例1により得られた透明導電膜を用いた
電極・リード群により液晶表示装置を作った例である。
第4図(A−1),(A−2)は、一対のガラス基板
(1),(1′)を有する。その内側にX方向の電極・
リード(2′)及びY方向の電極・リード(2′)を有
する。
この一対のパネルを一定の間隔とし、周辺部を有機樹
脂(6)により封止すると、この有機樹脂は基板の周辺
のみでなく、一部の電極上面(30−1),(30−2)を
も覆って、それぞれの基板(1),(1′)を近接固定
せしめている。図面ではY方向の電極・リードにおける
端部のすべて(30−1)を覆っている。この平面図を第
4図(C)に示す。図面より明らかな如く、ここではY
方向の電極・リード(30−3)及びX方向の電極・リー
ド(31−3)をマージンをとるため使用せず、表示に直
接用いる電極・リードは(30′),(31′)の領域であ
る。即ちこの領域の電極・リードと周辺回路が設けら
れ、PCBとをフレキシブル配線で連結させた。この配線
の合わせ精度の誤差により、未使用の電極・リードを1
つ(30−3),(31−3)有するが、これはない場合ま
たは2つまたはそれ以上生ずる場合もあり得る。
「効果」 本発明は以上に示す如く、透明基板上の透明導電膜の
パターニングをレジストレスプロセスを用い、エキシマ
レーザ光による線スクライブプロセスにより実施した。
このため、透光性基板上の導電膜のパターニングが廉価
となる。しかしこの工程には欠点とされている任意形状
を有せしめ得ないことに関しては、本発明の目的の単純
マトリックス構成の液晶表示装置においては何ら欠点と
ならないことも判明した。また、実施例1で示した如
く、周辺部の一部の電極・リードを周辺部の樹脂封止材
により覆って実施させた。このため2つのパネルの位置
合わせを精密に行うことを不要とさせた。
さらにこの有効なX方向、Y方向に単純マトリックス
化された電極・リード表示と外部回路で連結も精密に位
置合わせを必要としなかった。
もちろんIC(集積回路)をこの透明基板の周辺部にオ
ンチップ化(チップのまま装着)することにより低価格
化を図ることに有効である。
本発明において、一対の電極・リードまたは透過型の
液晶表示装置においては双方を透光性とすることが有効
であった。他方反射型の表示装置において、その反射面
を一方の液晶に密接した電極・リードとすることも可能
である。かかる場合、偏光板も1枚でよく、低価格化が
可能であり、この場合は電極・リードは一方は透光性導
電膜よりなり、他方は反射性の金属により設けることが
好ましい。本発明の液晶表示装置において一対の電極間
には配向膜、液晶が充填され、また必要に応じカラーフ
ィルタを内臓させ得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の液晶表示装置の縦断面図を示す。 第2図は本発明のための導電膜の作製例用のエキシマレ
ーザを2回用いた光学系を示す。 第3図は第2図で形成される光パターンを示す。 第4図は本発明の液晶表示装置の工程及び完成例の縦断
面図及び平面図の一部を拡大して示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の基板上にX方向にストライプ状に設
    けられた複数の導電性薄膜と、 第2の基板上にY方向にストライプ状に設けられた複数
    の導電性薄膜とを有し、 前記第1の基板上に設けられた導電性薄膜と前記第2の
    基板上に設けられた導電性薄膜とを、 液晶および該液晶の周囲に設けた封止用の有機樹脂を介
    して対抗させて設けた液晶表示装置において、 前記有機樹脂によって形成される前記液晶が存在する表
    示領域が、 前記第1の基板上に設けられた複数の導電性薄膜と前記
    第2の基板上に設けられた複数の導電性薄膜とが重なる
    領域の内側に設けられていることを特徴とする液晶装
    置。
  2. 【請求項2】第1の基板上にX方向にストライプ状に設
    けられた複数の導電性薄膜と、 第2の基板上にY方向にストライプ状に設けられた複数
    の導電性薄膜とを、 液晶および該液晶の周囲に設けた封止用の有機樹脂を介
    して対抗させて設けるに際し、 前記有機樹脂によって形成される前記液晶が存在する表
    示領域が、 前記第1の基板上に設けられた複数の導電性薄膜と前記
    第2の基板上に設けられた複数の導電性薄膜とが重なる
    領域の内側に設けられるように前記有機樹脂を設けるこ
    とを特徴とする液晶装置の作製方法。
JP61186201A 1986-08-08 1986-08-08 液晶装置およびその作製方法 Expired - Lifetime JPH0820638B2 (ja)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61186201A JPH0820638B2 (ja) 1986-08-08 1986-08-08 液晶装置およびその作製方法
US07/082,544 US4854675A (en) 1986-08-08 1987-08-07 Liquid crystal device having electrode strips in the seal without applied voltage
CN 90102570 CN1015940B (zh) 1986-08-08 1987-08-07 液晶器件基片的制备方法
CN87105511A CN1014098B (zh) 1986-08-08 1987-08-07 具有无用电极条的液晶器件及其制造方法
DE8787307065T DE3782381T2 (de) 1986-08-08 1987-08-10 Fluessigkristall-vorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung.
EP87307065A EP0257902B1 (en) 1986-08-08 1987-08-10 Liquid crystal device and method of manufacturing the same
US07/222,635 US4927493A (en) 1986-08-08 1988-07-21 Method for manufacturing liquid crystal device having electrode strips of no use
US07/222,634 US4954217A (en) 1986-08-08 1988-07-21 Method for manufacturing liquid crystal device having electrode strips of no use
US07/283,794 US4974939A (en) 1986-08-08 1988-12-13 Liquid crystal device having electrode strips in the peripheral seal
US07/470,732 US4975145A (en) 1986-08-08 1990-01-26 Method for manufacturing liquid crystal device having electrode strips of no use

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61186201A JPH0820638B2 (ja) 1986-08-08 1986-08-08 液晶装置およびその作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11861097A Division JP2942518B2 (ja) 1997-04-23 1997-04-23 液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6341828A JPS6341828A (ja) 1988-02-23
JPH0820638B2 true JPH0820638B2 (ja) 1996-03-04

Family

ID=16184146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61186201A Expired - Lifetime JPH0820638B2 (ja) 1986-08-08 1986-08-08 液晶装置およびその作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (5) US4854675A (ja)
EP (1) EP0257902B1 (ja)
JP (1) JPH0820638B2 (ja)
CN (1) CN1014098B (ja)
DE (1) DE3782381T2 (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5963288A (en) * 1987-08-20 1999-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device having sealant and spacers made from the same material
JP2698357B2 (ja) * 1987-08-17 1998-01-19 キヤノン株式会社 電極間の短絡部分離法及び液晶パネルの製造法
US5365357A (en) * 1988-04-21 1994-11-15 Asahi Glass Company Ltd. Color liquid crystal display having color filters and light blocking layers in the periphery
JPH02225273A (ja) * 1989-02-27 1990-09-07 Hitachi Elevator Eng & Service Co Ltd エレベータ遠隔監視装置
JP2811811B2 (ja) * 1989-10-03 1998-10-15 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JPH03249731A (ja) * 1990-02-28 1991-11-07 Stanley Electric Co Ltd 液晶カラー表示装置のカラーフィルター形成方法
US5131967A (en) * 1990-12-21 1992-07-21 Ford Motor Company Method of making laminated glazing units
JPH05203966A (ja) * 1992-01-29 1993-08-13 Seiko Instr Inc カラー液晶電気光学装置
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
JPH06267986A (ja) * 1993-03-17 1994-09-22 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
KR950003894A (ko) * 1993-07-27 1995-02-17 김광호 액정 표시장치의 제조방법
US5574583A (en) * 1994-08-02 1996-11-12 Hyundai Electronics Industries Co. Ltd. Liquid crystal display device having a compensation layer and method for fabricating the same
JP3086606B2 (ja) * 1994-11-14 2000-09-11 シャープ株式会社 液晶表示装置
US5865935A (en) * 1995-02-02 1999-02-02 Eastman Kodak Company Method of packaging image sensors
US6057900A (en) * 1995-02-09 2000-05-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Color liquid crystal display device and method for producing color filter substrate
US5751391A (en) * 1995-04-27 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device with elongated projection height smaller than liquid crystal thickness and process for producing same
US5589085A (en) * 1995-08-04 1996-12-31 Meeco, Incorporated Process of manufacturing a detecting unit for an electrolytic cell with thin film electrodes
JPH0954297A (ja) * 1995-08-14 1997-02-25 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
JPH0980416A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Sharp Corp 液晶表示装置
TW550424B (en) * 1998-03-03 2003-09-01 Sekisui Chemical Co Ltd Method of scattering fine particles, method of manufacturing liquid crystal display, apparatus for scattering fine particles, and liquid crystal display
US6049365A (en) * 1998-05-07 2000-04-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal displaying apparatus with a converter not exposed to liquid crystal
KR100628259B1 (ko) * 2000-11-22 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널
US6762124B2 (en) 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
DE60239261D1 (de) * 2002-04-19 2011-04-07 Eta Sa Mft Horlogere Suisse Verfahren zum Verbinden einer Leiterplatte mit einer Flüssigkristallanzeige
US7994021B2 (en) * 2006-07-28 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US7943287B2 (en) * 2006-07-28 2011-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR101346246B1 (ko) 2006-08-24 2013-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 제작방법
US7795154B2 (en) * 2006-08-25 2010-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device that uses laser ablation, to selectively remove one or more material layers
US8563431B2 (en) * 2006-08-25 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7651896B2 (en) * 2006-08-30 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5110830B2 (ja) * 2006-08-31 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7960261B2 (en) * 2007-03-23 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor
US8498464B2 (en) * 2007-09-27 2013-07-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems
US8432603B2 (en) * 2009-03-31 2013-04-30 View, Inc. Electrochromic devices
US9007674B2 (en) 2011-09-30 2015-04-14 View, Inc. Defect-mitigation layers in electrochromic devices
US9958750B2 (en) 2010-11-08 2018-05-01 View, Inc. Electrochromic window fabrication methods
KR20200035328A (ko) 2011-12-12 2020-04-02 뷰, 인크. 박막 디바이스 및 제조
US10295880B2 (en) 2011-12-12 2019-05-21 View, Inc. Narrow pre-deposition laser deletion
US10802371B2 (en) 2011-12-12 2020-10-13 View, Inc. Thin-film devices and fabrication
US11865632B2 (en) 2011-12-12 2024-01-09 View, Inc. Thin-film devices and fabrication
US20210394489A1 (en) 2011-12-12 2021-12-23 View, Inc. Thin-film devices and fabrication

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3911444A (en) * 1974-04-04 1975-10-07 Bell Telephone Labor Inc Metal film recording media for laser writing
US3960439A (en) * 1974-09-16 1976-06-01 Xerox Corporation Texture transformations in optically negative liquid crystals
US4099830A (en) * 1976-12-15 1978-07-11 A. J. Bingley Limited Optical systems including polygonal mirrors rotatable about two axes
US4081653A (en) * 1976-12-27 1978-03-28 Western Electric Co., Inc. Removal of thin films from substrates by laser induced explosion
US4256787A (en) * 1978-05-03 1981-03-17 Massachusetts Institute Of Technology Orientation of ordered liquids and their use in devices
DE2902325A1 (de) * 1979-01-22 1980-12-04 Siemens Ag Organischer kleber zur herstellung von fluessigkristalldisplays
JPS55134885A (en) * 1979-04-06 1980-10-21 Stanley Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JPS576882A (en) * 1980-06-16 1982-01-13 Hitachi Ltd Liquid crystal display element
DE3039713A1 (de) * 1980-10-21 1982-05-27 Siemens Ag Interaktive fluessigkristallanzeige
GB2104270B (en) * 1981-08-18 1986-02-12 Standard Telephones Cables Ltd Display device manufacture
JPS58163987A (ja) * 1982-03-25 1983-09-28 富士通株式会社 液晶表示パネル
JPS59119317A (ja) * 1982-12-27 1984-07-10 Seiko Epson Corp 液晶表示体の製造方法
JPS59214015A (ja) * 1983-05-19 1984-12-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JPS59214916A (ja) * 1983-05-19 1984-12-04 Meidensha Electric Mfg Co Ltd 計装制御用プログラマブル.コントロ−ラ
JPS6014441A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
US4671848A (en) * 1984-12-17 1987-06-09 General Laser, Inc. Method for laser-induced removal of a surface coating
US4724219A (en) * 1986-07-16 1988-02-09 Sprague Electric Company Radiation melting of semiconductor surface areas through a remote mask

Also Published As

Publication number Publication date
CN1014098B (zh) 1991-09-25
CN87105511A (zh) 1988-02-17
DE3782381T2 (de) 1993-03-11
US4927493A (en) 1990-05-22
JPS6341828A (ja) 1988-02-23
EP0257902A1 (en) 1988-03-02
DE3782381D1 (de) 1992-12-03
US4854675A (en) 1989-08-08
US4954217A (en) 1990-09-04
US4975145A (en) 1990-12-04
EP0257902B1 (en) 1992-10-28
US4974939A (en) 1990-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0820638B2 (ja) 液晶装置およびその作製方法
KR930016809A (ko) 액티브어드레싱기판의 제조방법 및 그 기판을 구비한 액정표시장치
JPH0990397A (ja) アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
JPH05346562A (ja) 液晶表示パネルの製造方法
JPH04294329A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JPS6054434A (ja) 露光装置
JP2942518B2 (ja) 液晶表示装置
JP2003156831A (ja) マスク、マスクの製造方法、及びマスクの製造装置
JPH0317614A (ja) アクティブマトリクス表示装置の製造方法
JP2999320B2 (ja) 透明パネルの両面に透明膜パターンを形成する方法
JPS5814568A (ja) 薄膜トランジスタマトリツクスアレイの製造方法
CN110596987B (zh) 显示基板和显示装置
JPH08129186A (ja) 液晶表示装置
JPS63265246A (ja) レチクル
US6743555B2 (en) Exposure mask for liquid crystal display device and exposure method thereof
JPS61121080A (ja) 薄膜トランジスタアレイの製造方法
JPH04305651A (ja) 配線基板の露光処理方法
GB2030751A (en) Liquid crystal display
JP4396283B2 (ja) パターン形成方法及び表示パネルの製造方法
CN1015940B (zh) 液晶器件基片的制备方法
JPH03145767A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0337248B2 (ja)
JPH10105080A (ja) 薄膜トランジスタ基板
JPS61289351A (ja) パタ−ン可変型ホトマスク
JPS61109051A (ja) 液晶素子のパタ−ニング方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term