JPS61109051A - 液晶素子のパタ−ニング方法 - Google Patents
液晶素子のパタ−ニング方法Info
- Publication number
- JPS61109051A JPS61109051A JP59228988A JP22898884A JPS61109051A JP S61109051 A JPS61109051 A JP S61109051A JP 59228988 A JP59228988 A JP 59228988A JP 22898884 A JP22898884 A JP 22898884A JP S61109051 A JPS61109051 A JP S61109051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- liquid crystal
- crystal element
- shielding member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］ ′
本発明は液晶素子のパターニング方法に関する、もので
ある、。
ある、。
［従来の技術］
従来の液晶素子のバター三ング方法においぞは、フォト
マスクが基板上のパターン形成面と略同−の大きさで形
成されており、基板の端面に対する考慮は何ら払われて
いなかった。
マスクが基板上のパターン形成面と略同−の大きさで形
成されており、基板の端面に対する考慮は何ら払われて
いなかった。
上述の如〈従来の液晶素子のパターニング方法において
は基板の端面に対する考慮が払われていなかったため、
基板の端面の形状によっては、露光光が該溜桶より基板
内部に入射しパターン形成不良が発生する場合があった
。即ち、例えば、表面に図示しない導電被膜を形成した
断面形状が第２図に示すような基板１の端面３に露光光
線７がフォトマスク４を介して入射した場合には、露光
光線７のうちＡの部分は端面３から基板ｌ内に入射し屈
折反射し、本来はパターン面６により遮光され非露光部
となるべきフォトレジスト２のＢの部分が該屈折反射し
た光線により露光されてしまいパターン形成不良となっ
てしまうものである。
は基板の端面に対する考慮が払われていなかったため、
基板の端面の形状によっては、露光光が該溜桶より基板
内部に入射しパターン形成不良が発生する場合があった
。即ち、例えば、表面に図示しない導電被膜を形成した
断面形状が第２図に示すような基板１の端面３に露光光
線７がフォトマスク４を介して入射した場合には、露光
光線７のうちＡの部分は端面３から基板ｌ内に入射し屈
折反射し、本来はパターン面６により遮光され非露光部
となるべきフォトレジスト２のＢの部分が該屈折反射し
た光線により露光されてしまいパターン形成不良となっ
てしまうものである。
本発明はこの様な従来の液晶素子のパターニング方法の
欠点を解消するためになされたもので、基板の端面がど
のような形状であろうとも露光時に該端面から光が入射
せずパターン形成不良の発生しない液晶素子のパターニ
ング方法を提供することを目的とする。
欠点を解消するためになされたもので、基板の端面がど
のような形状であろうとも露光時に該端面から光が入射
せずパターン形成不良の発生しない液晶素子のパターニ
ング方法を提供することを目的とする。
［問題を解決するための手段］
本発明になる液晶素子のパターニング方法は、所定のパ
ターンを形成したフォトマスクを用いて該パターンを露
光し、該露光部又は該露光部以外の部分をエツチングに
より除去して基板上に電極パターンを形成する液晶素子
のパターニング方法において、基板端面への前記露光光
の入射を遮蔽する遮蔽部材を前記フォトマスクと一体的
に又は前記フォトマスクとは別個に設けて露光を行うこ
とを特徴とする。
ターンを形成したフォトマスクを用いて該パターンを露
光し、該露光部又は該露光部以外の部分をエツチングに
より除去して基板上に電極パターンを形成する液晶素子
のパターニング方法において、基板端面への前記露光光
の入射を遮蔽する遮蔽部材を前記フォトマスクと一体的
に又は前記フォトマスクとは別個に設けて露光を行うこ
とを特徴とする。
［作用］
第１図に本発明の液晶素子のパターニング方法を適用し
た代表的１例の断面図を示す、この第１図を参照しなが
ら本発明の詳細な説明する。
た代表的１例の断面図を示す、この第１図を参照しなが
ら本発明の詳細な説明する。
図において、遮光部材８は、基板ｌの端面３の上方に設
けられ、該端面３に入射するはずの露光光線７の一部Ａ
を遮蔽するのに十分な大きさを有し、フォトマスク４の
パターン面５，６と同一の面上に固着されている。この
様な遮光部材８を設けることにより露光光線７のＡの部
分の光は該遮蔽部材８により遮蔽され基板ｌの端面３に
入射しない、従ってパターン面６に対応する基板ｌ上の
フォトレジスト２の部分Ｂは露光されず良好なパターン
面が形成できる。
けられ、該端面３に入射するはずの露光光線７の一部Ａ
を遮蔽するのに十分な大きさを有し、フォトマスク４の
パターン面５，６と同一の面上に固着されている。この
様な遮光部材８を設けることにより露光光線７のＡの部
分の光は該遮蔽部材８により遮蔽され基板ｌの端面３に
入射しない、従ってパターン面６に対応する基板ｌ上の
フォトレジスト２の部分Ｂは露光されず良好なパターン
面が形成できる。
なお、遮蔽部材８は、フォトマスク４上にパターン面５
．６を形成する際に該パターン面５．６と同一の素材を
用いて、第１図に示す様に、フォトマスク４の面上に形
成すれば、別部材゛を用いる場合に比べ容易に形成でき
、かつ露光時に該遮蔽部材８の位置決め作業が不要とな
り作業能率の上でも好ましい。
．６を形成する際に該パターン面５．６と同一の素材を
用いて、第１図に示す様に、フォトマスク４の面上に形
成すれば、別部材゛を用いる場合に比べ容易に形成でき
、かつ露光時に該遮蔽部材８の位置決め作業が不要とな
り作業能率の上でも好ましい。
また、電極パターンの形状が、前記基板１の端面３から
の異常光の該基板ｌ上の入射位置Ｂの部分が正常光によ
り露光される形状である場合には、この部分には遮蔽部
材８を設ける必要はない、従って遮蔽部材８は全ての端
面３を遮蔽する形状である必要はない、この様な場合に
も上述のようにパターン面５．６と関連させて遮蔽部材
８をフォトマスク４上に形成するようにすれば、無駄が
なく効果的に遮蔽部材８を形成することができる。
の異常光の該基板ｌ上の入射位置Ｂの部分が正常光によ
り露光される形状である場合には、この部分には遮蔽部
材８を設ける必要はない、従って遮蔽部材８は全ての端
面３を遮蔽する形状である必要はない、この様な場合に
も上述のようにパターン面５．６と関連させて遮蔽部材
８をフォトマスク４上に形成するようにすれば、無駄が
なく効果的に遮蔽部材８を形成することができる。
露光の光源としては、紫外線、可視光線の他にＸｌｌや
電子線等を用いても良い。
電子線等を用いても良い。
また、遮蔽部材８は、第３図に示すように、フォトマス
ク４よりもより光源側に近い位置に設置しても良いし、
第４図に示すように、フォトマスク４のパターン面５，
６よりもより基板１の端面３に近い位置に設置しても良
い、このように遮蔽部材８をフォトマスク４と切り離す
ことにより遮光の自由度が大きくなり、基板ｌの端面３
の個別形状の変化に応じた遮光が可能となる。
ク４よりもより光源側に近い位置に設置しても良いし、
第４図に示すように、フォトマスク４のパターン面５，
６よりもより基板１の端面３に近い位置に設置しても良
い、このように遮蔽部材８をフォトマスク４と切り離す
ことにより遮光の自由度が大きくなり、基板ｌの端面３
の個別形状の変化に応じた遮光が可能となる。
［実施例］
裏ム勇ユ
４００人厚Ｏ４ンジウム・チン・オキサイド（ＩＴＯ）
薄膜を片面に塗布した０、７ｍｍ厚のガラス基板を洗浄
し、該ガラス基板のＩＴＯ薄股上にポジ型フォトレジス
トを ｔ、Ｓ＝腸の膜厚で塗布し、乾燥させた０次に第
５図にその上面図を示すように、パターン面１０の両側
面に遮蔽部材１１を設けたフォトマスク１２を作成した
。この際、第６図にその一部拡大図を示すように、遮蔽
部材１１は前ｉ板の端面の上方より見下した時の幅ｄ
（０，０５５層層より十分大きな幅Ｄ（０，１層層）を
持たせて形成した。かかるフォトマスク１２を用いて第
１図に示すように前記ガラス基板を紫外線で露光した。
薄膜を片面に塗布した０、７ｍｍ厚のガラス基板を洗浄
し、該ガラス基板のＩＴＯ薄股上にポジ型フォトレジス
トを ｔ、Ｓ＝腸の膜厚で塗布し、乾燥させた０次に第
５図にその上面図を示すように、パターン面１０の両側
面に遮蔽部材１１を設けたフォトマスク１２を作成した
。この際、第６図にその一部拡大図を示すように、遮蔽
部材１１は前ｉ板の端面の上方より見下した時の幅ｄ
（０，０５５層層より十分大きな幅Ｄ（０，１層層）を
持たせて形成した。かかるフォトマスク１２を用いて第
１図に示すように前記ガラス基板を紫外線で露光した。
露光後は現像、ＩＴＯ薄膜のエツチング処理の後フォト
レジストを剥離した。この作業の後基板上のＩＴＯ薄膜
のパターンを確認した結果、従来方法では基板端面から
１．０〜１．軸層の位置に異常露光が見られ、電極パタ
ーンの断線が発生したのが、上記フォトマスク１２の使
用により断線の発生が皆無となった。
レジストを剥離した。この作業の後基板上のＩＴＯ薄膜
のパターンを確認した結果、従来方法では基板端面から
１．０〜１．軸層の位置に異常露光が見られ、電極パタ
ーンの断線が発生したのが、上記フォトマスク１２の使
用により断線の発生が皆無となった。
実ｍヱ
ガラス基板として １．１履重厚のガラス基板を用いた
他は実施例１と全く同様にして露光、エツチング処理を
行った。この様にして作成した本実施例の基板には、従
来、当該厚を有するガラス基板を用いた電極パターンに
は基板端面から１．８〜２．０履膳の位置に異常露光に
よる断線が発生したのが、本実施例においては断線は全
く見られなかった。
他は実施例１と全く同様にして露光、エツチング処理を
行った。この様にして作成した本実施例の基板には、従
来、当該厚を有するガラス基板を用いた電極パターンに
は基板端面から１．８〜２．０履膳の位置に異常露光に
よる断線が発生したのが、本実施例においては断線は全
く見られなかった。
塞ｍ
３．０＋ｗｍ厚のガラス基板を用いる他は実施例１．２
と全く同様な方法でフォトマスクによる露光エツチング
処理により電極パターンを基板上に形成した。従来は３
．Ｏｍ層厚のガラス基板を用いた場合には、基板端面か
ら５．０〜５．５＋＋＋ｎの位置に異常露光による電極
パターンの断線″が多発したが１本実施例による電極パ
ターンには断線は全く見られなかった。
と全く同様な方法でフォトマスクによる露光エツチング
処理により電極パターンを基板上に形成した。従来は３
．Ｏｍ層厚のガラス基板を用いた場合には、基板端面か
ら５．０〜５．５＋＋＋ｎの位置に異常露光による電極
パターンの断線″が多発したが１本実施例による電極パ
ターンには断線は全く見られなかった。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明になる液晶素°子のパター
ニング方法においては、基板端面への露光光入射を遮蔽
する遮蔽部材をフォトマスクと一体的に又はフォトマス
クとは別個に設けて露光するようにしたので、基板端面
への露光光の入射を完全に遮蔽することができ、電極パ
ターンが異常露光のため断線されることがなく、電極パ
ターン作成の歩留を飛躍的に向上させることが可能とな
るものである。
ニング方法においては、基板端面への露光光入射を遮蔽
する遮蔽部材をフォトマスクと一体的に又はフォトマス
クとは別個に設けて露光するようにしたので、基板端面
への露光光の入射を完全に遮蔽することができ、電極パ
ターンが異常露光のため断線されることがなく、電極パ
ターン作成の歩留を飛躍的に向上させることが可能とな
るものである。
第１図は本発明の液晶素子のパターニング方法を適用し
た代表的１例の断面図、第２図は従来の方法の１例を示
す断面図、第３図は本発明の方法の他の適用例を示す断
面図、第４図は本発明の方法の第３の適用例を示す断面
図、第５図は本発明を適用した１実施例のフォトマスク
の上面図、第６図は第５図の一部拡大図である。 １−ｍ−基板、 ２−一一フオドレジスト、３−ｍ一端
面、 ４．１２−−−フォトマスク、５、８．１０
−−−パターン面、７−−−露光光線、８、１１−ｍ−
遮蔽部材。 以上 華 １ 図 寮２ 図 早 ３５Ａ ＃４Ｉ！］ １０ハ０ｇ−ン面 穿５ 目 竿 ６ 回
た代表的１例の断面図、第２図は従来の方法の１例を示
す断面図、第３図は本発明の方法の他の適用例を示す断
面図、第４図は本発明の方法の第３の適用例を示す断面
図、第５図は本発明を適用した１実施例のフォトマスク
の上面図、第６図は第５図の一部拡大図である。 １−ｍ−基板、 ２−一一フオドレジスト、３−ｍ一端
面、 ４．１２−−−フォトマスク、５、８．１０
−−−パターン面、７−−−露光光線、８、１１−ｍ−
遮蔽部材。 以上 華 １ 図 寮２ 図 早 ３５Ａ ＃４Ｉ！］ １０ハ０ｇ−ン面 穿５ 目 竿 ６ 回
Claims (5)
- （１）所定のパターンを形成したフォトマスクを用いて
該パターンを露光し、該露光部又は該露光部以外の部分
をエッチングにより除去して基板上に電極パターンを形
成する液晶素子のパターニング方法において、基板端面
への前記露光光の入射を遮蔽する遮蔽部材を前記フォト
マスクと一体的に又は前記フォトマスクとは別個に設け
て露光を行うことを特徴とする液晶素子のパターニング
方法。 - （２）露光光は紫外線である特許請求の範囲第１項記載
の液晶素子のパターニング方法。 - （３）遮蔽部材はフォトマスクのパターン面と同一素材
で形成した特許請求の範囲第１項記載の液晶素子のパタ
ーニング方法。 - （４）遮蔽部材はフォトマスクよりも光源に近い位置に
設けられた特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項
記載の液晶素子のパターニング方法。 - （５）遮蔽部材はフォトマスクよりも光源から遠い位置
に設けられた特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３
項記載の液晶素子のパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228988A JPS61109051A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 液晶素子のパタ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228988A JPS61109051A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 液晶素子のパタ−ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109051A true JPS61109051A (ja) | 1986-05-27 |
Family
ID=16885005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59228988A Pending JPS61109051A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 液晶素子のパタ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61109051A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273230A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Optrex Corp | 基板のパターニング法 |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP59228988A patent/JPS61109051A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273230A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Optrex Corp | 基板のパターニング法 |
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