JPS59128540A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS59128540A JPS59128540A JP58005085A JP508583A JPS59128540A JP S59128540 A JPS59128540 A JP S59128540A JP 58005085 A JP58005085 A JP 58005085A JP 508583 A JP508583 A JP 508583A JP S59128540 A JPS59128540 A JP S59128540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- film
- photomask
- mask
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明はフォトマスク、特に透明基板面に設けるマスク
パターンの構成に関する。
パターンの構成に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
通常、半導体集積回路（ＩＣ）など半導体装置の製造に
用いられるフォトマスクはガラス板のような透明基板の
片面にクロム（Ｃｒ）や酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）な
どの金属又は金属化合物薄膜のマスクパターンを設けた
金属薄膜マスクが主体となってきた。これは従来のエマ
ルジジンマスクより高精度パターンがこのような金属薄
膜マスクで形成できるからである。
用いられるフォトマスクはガラス板のような透明基板の
片面にクロム（Ｃｒ）や酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）な
どの金属又は金属化合物薄膜のマスクパターンを設けた
金属薄膜マスクが主体となってきた。これは従来のエマ
ルジジンマスクより高精度パターンがこのような金属薄
膜マスクで形成できるからである。
しかしながら、ＩＣが高集積化され微細化されて、かよ
うな金属薄膜マスクを用いてドライエツチングにより高
精度パターンが形成されるようになってくると、一方で
その高密度によって基板上に多層構造２例えば多層配線
構造を採る必要がある。このような配線層と絶縁層とを
パターン周縁部して積層する多層配線構造の場合には、
配線層側面が精度良く形成されるとかえって段差が鋭く
なって断線や短絡を生ずる恐れが大きい。
うな金属薄膜マスクを用いてドライエツチングにより高
精度パターンが形成されるようになってくると、一方で
その高密度によって基板上に多層構造２例えば多層配線
構造を採る必要がある。このような配線層と絶縁層とを
パターン周縁部して積層する多層配線構造の場合には、
配線層側面が精度良く形成されるとかえって段差が鋭く
なって断線や短絡を生ずる恐れが大きい。
従って、最近ドライエツチングを用いてこのような配線
層を形成する場合には、初めにサイドエッチングの生じ
る等方性エツチング、例えばプラズマエツチングをおこ
ない、次いでサイドエツチングの生じない異方性エツチ
ング、例えばスパッタエツチングあるいはりアクティブ
イオンエツチングをおこなう方法が採られている。
層を形成する場合には、初めにサイドエッチングの生じ
る等方性エツチング、例えばプラズマエツチングをおこ
ない、次いでサイドエツチングの生じない異方性エツチ
ング、例えばスパッタエツチングあるいはりアクティブ
イオンエツチングをおこなう方法が採られている。
第１図および第２図はその一例の工程断面図を示してお
り、これは半導体基板１上に燐珪酸ガラスＣＰＳＧ）膜
２を被着し、その上にレジスト膜パターン３を形成して
窓あけする例である。このようなレジスト膜パターン３
を通宝のフォトマスクを用いて露光現像により形成した
後、まずエンチングガスとして四部化炭１（ＣＦ４）ガ
スを用い、プラズマエツチングによって第１図に示すよ
うに等方性エツチングをおこなう。次いで、第２図に示
すようにアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、基板にバイアス
をかけてイオンを加速させてスパッタエツチングをおこ
ない、図示のようにテーパー形状に形成する。この時、
トリフロロメタン（ＣＨＦａ）ガスを用いてリアクティ
ブイオンエツチングをおこなっても同様に形成できる。
り、これは半導体基板１上に燐珪酸ガラスＣＰＳＧ）膜
２を被着し、その上にレジスト膜パターン３を形成して
窓あけする例である。このようなレジスト膜パターン３
を通宝のフォトマスクを用いて露光現像により形成した
後、まずエンチングガスとして四部化炭１（ＣＦ４）ガ
スを用い、プラズマエツチングによって第１図に示すよ
うに等方性エツチングをおこなう。次いで、第２図に示
すようにアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、基板にバイアス
をかけてイオンを加速させてスパッタエツチングをおこ
ない、図示のようにテーパー形状に形成する。この時、
トリフロロメタン（ＣＨＦａ）ガスを用いてリアクティ
ブイオンエツチングをおこなっても同様に形成できる。
しかしながら、このような形成方法は所望する形状に形
成することは難しく、そのエツチング条件の調整が微妙
であり、再現性に乏しい欠点がある。又、工数のかかる
形成方法でもある。
成することは難しく、そのエツチング条件の調整が微妙
であり、再現性に乏しい欠点がある。又、工数のかかる
形成方法でもある。
（ｃ＋ 発明の目的
本発明はこのような問題点を解消させ、イオンエツチン
グあるいはりアクティブイオンエツチングのみによって
微細パターン側面をテーパー形に形成するためのフォト
マスクを提案するものである。
グあるいはりアクティブイオンエツチングのみによって
微細パターン側面をテーパー形に形成するためのフォト
マスクを提案するものである。
（ｄｌ 発明の構成
その目的は、透明基板上に金属又は金属化合物ＦＪ１５
ｆのマスクパターンを設けたフォトマスクであって、該
マスクパターン周縁部の膜厚を薄くし、パターン周縁部
において照射エネルギー線が半透過するようにしたフォ
トマスク、あるいは透明基板上に金属又は金属化合物薄
膜のマスクパターンを設けたフォトマスクであって、該
透明基板の両面にマスクパターンを設けて、一方の面の
マスクパターンを他方の面のマスクパターンより周縁部
のみ大きくし、パターン周縁部において照射エネルギー
線が半透過するようにしたフォトマスクによって達成す
ることができる。
ｆのマスクパターンを設けたフォトマスクであって、該
マスクパターン周縁部の膜厚を薄くし、パターン周縁部
において照射エネルギー線が半透過するようにしたフォ
トマスク、あるいは透明基板上に金属又は金属化合物薄
膜のマスクパターンを設けたフォトマスクであって、該
透明基板の両面にマスクパターンを設けて、一方の面の
マスクパターンを他方の面のマスクパターンより周縁部
のみ大きくし、パターン周縁部において照射エネルギー
線が半透過するようにしたフォトマスクによって達成す
ることができる。
（ｅ） 発明の実施例
以下１図面を参照して詳細に説明する。第３図は本発明
にかかるフォトマスクの一実施例の部分断面図を示して
おり、図はマスクパターン周縁部の膜厚を薄くし、パタ
ーン周縁部において照射エネルギー線が半透過するよう
にしたフォトマスクである。
にかかるフォトマスクの一実施例の部分断面図を示して
おり、図はマスクパターン周縁部の膜厚を薄くし、パタ
ーン周縁部において照射エネルギー線が半透過するよう
にしたフォトマスクである。
このようなフォトマスクはガラス基板ｌｏ上にＨ’Ｊ！
Ｎ２００人のクロムＢ莫パターン１１ （マスクパター
ン）を形成し、更にその上に上記クロム膜パターン１１
の周縁部をカットした膜厚４００人のクロム膜パターン
１２を形成する。例えば、幅２゜５ないし２μｍのクロ
ム膜パターン１２（この部分の膜厚は６００人となる）
とすると、周縁部のカットした幅を０．５μｍ程度にす
る。最近、フォトマスクは電子線露光法によって形成さ
れるから、このような微細なサブミクロンパターンの作
成は容易である。
Ｎ２００人のクロムＢ莫パターン１１ （マスクパター
ン）を形成し、更にその上に上記クロム膜パターン１１
の周縁部をカットした膜厚４００人のクロム膜パターン
１２を形成する。例えば、幅２゜５ないし２μｍのクロ
ム膜パターン１２（この部分の膜厚は６００人となる）
とすると、周縁部のカットした幅を０．５μｍ程度にす
る。最近、フォトマスクは電子線露光法によって形成さ
れるから、このような微細なサブミクロンパターンの作
成は容易である。
本発明によるこの第３図のフォトマスクを用いて、基板
１上のＰＳＧＮ灸１４面に塗布したネガ型レジスト膜を
紫外線露光法により露光して、レジスト膜パターンを形
成すると第４図に示すようなレジストｌｌ１１３がパタ
ーン周縁グされる。即ち、レジスト膜パターンの周縁部
は紫外線が半透過するため完全に重合されず、未重合部
分が現像の際に解かされて周縁部にテーパー形状のレジ
スト膜パターンが形成される。尚、このテーパー形の形
成にはパターン周縁における光線のまわりごみの影響も
加味されている。従って、このように形成した半導体基
板の上面からイオンエツチングすると、イオンエツチン
グは物理的なエツチング作用であるからレジスト膜１３
もＰＳＧ膜１４も同様にエツチングされて、第５図に示
すようにレジスト膜１３パターンをそのまま模写したよ
うなテーパー形状をＰＳＧ膜１４に形成することができ
る。
１上のＰＳＧＮ灸１４面に塗布したネガ型レジスト膜を
紫外線露光法により露光して、レジスト膜パターンを形
成すると第４図に示すようなレジストｌｌ１１３がパタ
ーン周縁グされる。即ち、レジスト膜パターンの周縁部
は紫外線が半透過するため完全に重合されず、未重合部
分が現像の際に解かされて周縁部にテーパー形状のレジ
スト膜パターンが形成される。尚、このテーパー形の形
成にはパターン周縁における光線のまわりごみの影響も
加味されている。従って、このように形成した半導体基
板の上面からイオンエツチングすると、イオンエツチン
グは物理的なエツチング作用であるからレジスト膜１３
もＰＳＧ膜１４も同様にエツチングされて、第５図に示
すようにレジスト膜１３パターンをそのまま模写したよ
うなテーパー形状をＰＳＧ膜１４に形成することができ
る。
また、第６図は本発明にかかるフォトマスクの他の実施
例の部分断面図を示しており、図はガラス基板１０上の
片面に膜厚５００人のクロム膜パターン１５を形成し、
その反対側の面に同じく膜厚５００人のクロム膜パター
ン１６を形成して、クロム膜パターン１６は周縁部分だ
けクロム膜パターン１５より大きくしたパターンである
。
例の部分断面図を示しており、図はガラス基板１０上の
片面に膜厚５００人のクロム膜パターン１５を形成し、
その反対側の面に同じく膜厚５００人のクロム膜パター
ン１６を形成して、クロム膜パターン１６は周縁部分だ
けクロム膜パターン１５より大きくしたパターンである
。
このようなフォトマスクを用い、クロム膜バク−７１５
面を半導体基板Ｉに近接した面として、このマスクを通
して紫外線露光すれば、両クロム膜パターン１５．１６
の間には厚さ２，５龍程度のガラス基板１０が介在する
から、バクーン周縁部で光線のまわりごみが起こって、
同様に第４図に示すようなレジスト膜１３がバクーンニ
ングされる。従って、同じく半導体基板の上面からイオ
ンエツチングすると、第５図に示すようにレジスト膜１
３パターンをそのまま模写したテーパー形状をＰＳＧ膜
１４に形成できる。
面を半導体基板Ｉに近接した面として、このマスクを通
して紫外線露光すれば、両クロム膜パターン１５．１６
の間には厚さ２，５龍程度のガラス基板１０が介在する
から、バクーン周縁部で光線のまわりごみが起こって、
同様に第４図に示すようなレジスト膜１３がバクーンニ
ングされる。従って、同じく半導体基板の上面からイオ
ンエツチングすると、第５図に示すようにレジスト膜１
３パターンをそのまま模写したテーパー形状をＰＳＧ膜
１４に形成できる。
尚、上記はイオンエツチングした例であるが、リアクテ
ィブイオンエツチングする場合は少し化学的作用が加わ
るためテーパー形状は異なってくるが、テーパー形状と
なることに変わりはない。
ィブイオンエツチングする場合は少し化学的作用が加わ
るためテーパー形状は異なってくるが、テーパー形状と
なることに変わりはない。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明のフォトマスク
を使用すれば容易にパターン側面を再現性良（テーパー
形状に形成することができて、半導体装置の信頼性を向
上しコストダウンにも役だつものである。
を使用すれば容易にパターン側面を再現性良（テーパー
形状に形成することができて、半導体装置の信頼性を向
上しコストダウンにも役だつものである。
第１図および第２図は従来の半導体基板上のテーパー形
状の形成工程順断面図、第３図および第６図は本発明に
かかるフォトマスクの部分断面図。 第４図および第５図は本発明のフォトマスクを用い”ζ
形成した半導体基板上のテーパー形状の形成工程順断面
図、第６図は本発明の他の実施例の断面図である。 図中、１は半導体基板、２．１４はＰＳＧ膜。 ３、Ｉ３はレジスト膜パターン、１０はガラス基板、１
１，１２，１５．１６はクロム膜パターン（マスクパタ
ーン）を示している。 第１図 第２ｒｙＪ 第３図 第５図 第６図 ６
状の形成工程順断面図、第３図および第６図は本発明に
かかるフォトマスクの部分断面図。 第４図および第５図は本発明のフォトマスクを用い”ζ
形成した半導体基板上のテーパー形状の形成工程順断面
図、第６図は本発明の他の実施例の断面図である。 図中、１は半導体基板、２．１４はＰＳＧ膜。 ３、Ｉ３はレジスト膜パターン、１０はガラス基板、１
１，１２，１５．１６はクロム膜パターン（マスクパタ
ーン）を示している。 第１図 第２ｒｙＪ 第３図 第５図 第６図 ６
Claims (2)
- （１） 透明基板上に金属又は金属化合物薄膜のマス
クパターンを設けたフォトマスクであって、該マスクパ
ターン周縁部の膜厚を薄くし、パターン周縁部において
照射エネルギー線が半透過するようにしたことを特徴と
するフォトマ久り。 - （２）透明基板上に金属又は金属化合物薄膜のマスクパ
ターンを設けたフォトマスクであって、該透明基板の両
面にマスクパターンを設けて、一方の面のマスクパター
ンを他方の面のマスクパターンより周縁部のみ大き（し
、パターン周縁部において照射エネルギー線が半透過す
るようにしたことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005085A JPS59128540A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005085A JPS59128540A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128540A true JPS59128540A (ja) | 1984-07-24 |
Family
ID=11601547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58005085A Pending JPS59128540A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59128540A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59115996U (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-04 | 株式会社セピヤ | 便器蓋カバ− |
| JPS60135949A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 光成形体の製造方法 |
| JPH02115841A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスク |
| JPH08148755A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Nec Corp | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP58005085A patent/JPS59128540A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59115996U (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-04 | 株式会社セピヤ | 便器蓋カバ− |
| JPS60135949A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 光成形体の製造方法 |
| JPH02115841A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスク |
| JPH08148755A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Nec Corp | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4174219A (en) | Method of making a negative exposure mask | |
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| US4278710A (en) | Apparatus and method for submicron pattern generation | |
| JP3351485B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH06289589A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法そしてそれに用いるブランク | |
| JPS59128540A (ja) | フオトマスク | |
| JPH0466345B2 (ja) | ||
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JP3110855B2 (ja) | 投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法 | |
| JPH07295204A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP3166812B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク | |
| JP3194410B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH07219203A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
| JPS609342B2 (ja) | パタ−ンの作製法 | |
| JPS6050535A (ja) | フォトマスクのパタ−ン幅修正方法 | |
| JPS5968744A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS6289053A (ja) | フオトマスク | |
| JPH04298745A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH0363734B2 (ja) | ||
| JPH09244211A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク、ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH07306522A (ja) | 位相シフトフオトマスク | |
| JPH03104113A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH05241320A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH10307382A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク及びそれらの製造方法 | |
| JPH0353250A (ja) | フォトマスクの製造方法 |