JPS6050535A - フォトマスクのパタ−ン幅修正方法 - Google Patents
フォトマスクのパタ−ン幅修正方法Info
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- JPS6050535A JPS6050535A JP58158487A JP15848783A JPS6050535A JP S6050535 A JPS6050535 A JP S6050535A JP 58158487 A JP58158487 A JP 58158487A JP 15848783 A JP15848783 A JP 15848783A JP S6050535 A JPS6050535 A JP S6050535A
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- Japan
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路等の製造工程において使用さ
れるフォトマスクのパターン幅修正方法に関する。
れるフォトマスクのパターン幅修正方法に関する。
従来、ガラス基板上の金属薄膜パターンにおける修正方
法に関しては、白欠陥や黒欠陥に対するものが提案され
ているが、金属薄膜パターン幅に対するものは未開発で
あった。
法に関しては、白欠陥や黒欠陥に対するものが提案され
ているが、金属薄膜パターン幅に対するものは未開発で
あった。
したがって、ガラス基板上に金属薄膜パターンが形成さ
れたフォトマスクは、そのパターン幅が所望値よりも大
きかった場合、不良どするしかなかった。
れたフォトマスクは、そのパターン幅が所望値よりも大
きかった場合、不良どするしかなかった。
本発明の第１の目的は、既にガラス基板上に形成された
金属薄膜パターン幅を所望値に修正することのできるフ
ォトマスクのパターン幅修正方法を提供することである
。もう一つの本発明の目的は、複数の金属薄膜パターン
の各パターン幅が、ガラス基板上の中心近傍から周辺近
傍または周辺近傍から中心近傍に向かって基準となるパ
ターン幅より漸次増大するように面内分布している場合
、全ての金属薄膜パターン幅を同時に所望値に修正する
ことの゛できるフォトマスクのパターン幅修正方法を提
供することである。
金属薄膜パターン幅を所望値に修正することのできるフ
ォトマスクのパターン幅修正方法を提供することである
。もう一つの本発明の目的は、複数の金属薄膜パターン
の各パターン幅が、ガラス基板上の中心近傍から周辺近
傍または周辺近傍から中心近傍に向かって基準となるパ
ターン幅より漸次増大するように面内分布している場合
、全ての金属薄膜パターン幅を同時に所望値に修正する
ことの゛できるフォトマスクのパターン幅修正方法を提
供することである。
以下、本発明を実施例図面を参照しながら説明第１図は
、透光性のアルミノボロシリケートガラス（（株）保谷
硝子−：ＬＥ、−３０）等から製作されたガラス基板１
の一主面上に、遮光性金属薄膜としてクロム（Ｃｒ ）
等の金属薄膜パターン２（膜厚：約７００人）を真空蒸
着等により１１字状の形状に形成し、その金属薄膜パタ
ーン２の×１−×１線上の幅（ＷＸ）が所望値（Ｗｏ
＝ ５．０μ１Ｉｌ）よりも大きい、すなわち幅Ｗｘ、
＝、５．４μｍであった場合の事例を示す。
、透光性のアルミノボロシリケートガラス（（株）保谷
硝子−：ＬＥ、−３０）等から製作されたガラス基板１
の一主面上に、遮光性金属薄膜としてクロム（Ｃｒ ）
等の金属薄膜パターン２（膜厚：約７００人）を真空蒸
着等により１１字状の形状に形成し、その金属薄膜パタ
ーン２の×１−×１線上の幅（ＷＸ）が所望値（Ｗｏ
＝ ５．０μ１Ｉｌ）よりも大きい、すなわち幅Ｗｘ、
＝、５．４μｍであった場合の事例を示す。
この事例に対する本発明の実施例は、第２図（ａ ）〜
（ｅ）の工程図により示される。先ず、第２図（ａ ）
において、ポジ型フォトレジスト３（本例：米国５ｈｉ
ｐｌｅｙ社のＡ Ｚ −１３５０等）を金属薄膜パター
ン２の形成側、すなわち金属薄膜パターン２の形成して
いる以外の領域におけるガラス基板１の一方の主面上と
金属薄膜パターン２上とに被覆する。このレジスト３の
膜厚は約８０００人である。次に、同図（ｂ）において
、ガラス基板１の他方の主面側から、 水銀ランプによ
る３００〜５００ｒ＋ｍの波長を用いた６７ｍ Ｊの光
エネルギで垂直方向に露光する。この露光は、ガラス基
板１を通してポジ型フォトレジスト３のうち、金属薄膜
パタＬン２の影になる領域（未感光領域）４以外の領域
５を感光する。なお、影になる領域４と感光領域５との
境界については、露光エネルギを大きくするに従って、
影になる領域４に向かって感光させることになる。次に
、同図（Ｃ）において、現像液（本例：ＡＺ−１３５０
用デベロツパ〉により所定時間〈本例二６０秒）現像処
理することにより、感光領域のレジスト５を除去して、
金属薄膜パターン２の端面６を露出させると共に、その
金属薄膜パターン２上に未感光領域のレジスト４を形成
する。次に、同図（ｄ ）において、金属薄膜パターン
２の金属（本例：Ｃｒ）に応じたエツチング液（本例：
硝酸セリウムアンモン１６５９と過塩素酸５０ｍ Ｑを
純水１Ｑの比率で、混合した水溶液）にて、金属薄膜パ
ターン２の露出端面６をガラス基板１の主面と平行方向
にエツチング処理して、金属薄膜パターン２の幅Ｗｘ
＝ ５．４μｍを所望値ＷＯ−５，０μｍまで減少させ
、所望幅の金属薄膜パターン７を得る。そして、同図（
ｅ）において、レジスト４に応じたレジスト剥離液（本
例：過酸化水素水と熱濃硫酸の混合液）によりレジスト
４を剥離することにより、最終の金属薄膜パターン７を
得る。このような所望幅への減少量、すなわち修正幅は
、 パターン幅５〜２０μｍに対して０．１〜１．０μ
Ｉｌｌ程度まで可能である。
（ｅ）の工程図により示される。先ず、第２図（ａ ）
において、ポジ型フォトレジスト３（本例：米国５ｈｉ
ｐｌｅｙ社のＡ Ｚ −１３５０等）を金属薄膜パター
ン２の形成側、すなわち金属薄膜パターン２の形成して
いる以外の領域におけるガラス基板１の一方の主面上と
金属薄膜パターン２上とに被覆する。このレジスト３の
膜厚は約８０００人である。次に、同図（ｂ）において
、ガラス基板１の他方の主面側から、 水銀ランプによ
る３００〜５００ｒ＋ｍの波長を用いた６７ｍ Ｊの光
エネルギで垂直方向に露光する。この露光は、ガラス基
板１を通してポジ型フォトレジスト３のうち、金属薄膜
パタＬン２の影になる領域（未感光領域）４以外の領域
５を感光する。なお、影になる領域４と感光領域５との
境界については、露光エネルギを大きくするに従って、
影になる領域４に向かって感光させることになる。次に
、同図（Ｃ）において、現像液（本例：ＡＺ−１３５０
用デベロツパ〉により所定時間〈本例二６０秒）現像処
理することにより、感光領域のレジスト５を除去して、
金属薄膜パターン２の端面６を露出させると共に、その
金属薄膜パターン２上に未感光領域のレジスト４を形成
する。次に、同図（ｄ ）において、金属薄膜パターン
２の金属（本例：Ｃｒ）に応じたエツチング液（本例：
硝酸セリウムアンモン１６５９と過塩素酸５０ｍ Ｑを
純水１Ｑの比率で、混合した水溶液）にて、金属薄膜パ
ターン２の露出端面６をガラス基板１の主面と平行方向
にエツチング処理して、金属薄膜パターン２の幅Ｗｘ
＝ ５．４μｍを所望値ＷＯ−５，０μｍまで減少させ
、所望幅の金属薄膜パターン７を得る。そして、同図（
ｅ）において、レジスト４に応じたレジスト剥離液（本
例：過酸化水素水と熱濃硫酸の混合液）によりレジスト
４を剥離することにより、最終の金属薄膜パターン７を
得る。このような所望幅への減少量、すなわち修正幅は
、 パターン幅５〜２０μｍに対して０．１〜１．０μ
Ｉｌｌ程度まで可能である。
第３図は、同図（ａ）に示すようにガラス基板１上に複
数の金属薄膜パターン８．９が点在し、中心近傍の金属
薄膜パターン８のパターン幅（ＷＸ。
数の金属薄膜パターン８．９が点在し、中心近傍の金属
薄膜パターン８のパターン幅（ＷＸ。
＝ ８．２μｍ 、 ＷＹ＋ ＝ ５．１μｌｌｌ ）
が所望値（Ｗｘｏ −８，０μＩｌｌ 、 ＷＹＯ＝
５．０μｍ）より僅かに大きく、中心近傍から周辺近傍
に向かってその金属薄膜パターン９のパターン幅（ＷＸ
２ ＝ ８．５μｍ 、 Ｗｙｚ ＝５．４μｌｌ１）
が所望値（前出）よりも漸次大きくなった場合の事例で
あり、この事例のフォトマスクに対しては、露光工程に
おいて、同図（ｂ）に示すように露光の光強度を中心近
傍にて最も小さく、中心近傍から周辺近傍に向かって漸
次増大するように面内分布させている。そして、各工程
は、第３図（ａ ）のＸ３−Ｘ３線上の断面図について
第４図（ａ ）〜（ｅ）により示される。なお、Ｙ軸方
向の断面図は示していないが、第４図を参照して理解さ
れよう。第４図（ａ ）〜（ｅ）は、前実施例の工程図
である第２図（ａ）〜（＋３）にそれぞれ対応している
ことから、互に同様な構成については符号をもって説明
に代え、新たな構成について詳述する。
が所望値（Ｗｘｏ −８，０μＩｌｌ 、 ＷＹＯ＝
５．０μｍ）より僅かに大きく、中心近傍から周辺近傍
に向かってその金属薄膜パターン９のパターン幅（ＷＸ
２ ＝ ８．５μｍ 、 Ｗｙｚ ＝５．４μｌｌ１）
が所望値（前出）よりも漸次大きくなった場合の事例で
あり、この事例のフォトマスクに対しては、露光工程に
おいて、同図（ｂ）に示すように露光の光強度を中心近
傍にて最も小さく、中心近傍から周辺近傍に向かって漸
次増大するように面内分布させている。そして、各工程
は、第３図（ａ ）のＸ３−Ｘ３線上の断面図について
第４図（ａ ）〜（ｅ）により示される。なお、Ｙ軸方
向の断面図は示していないが、第４図を参照して理解さ
れよう。第４図（ａ ）〜（ｅ）は、前実施例の工程図
である第２図（ａ）〜（＋３）にそれぞれ対応している
ことから、互に同様な構成については符号をもって説明
に代え、新たな構成について詳述する。
第４図において、１０はポジ型フォ１〜レジスト、１１
及び１２はそれぞれ金属薄膜パターン８及び９上におけ
る未感光領域のレジスト、１３は感光領域のレジスト、
１４及び１５はそれぞれ金属薄膜パターン８及び９の露
出端面、並びに１６及び１７はそれぞれエツチング処理
後に所望幅に形成された金属薄膜パターン１６及び１７
である。本例では、第４図（ｂ ）の露光工程において
光強度を第３図（ｂ）に示すように面内分布させている
ことから、感光領域レジスト１３のうち、金属薄膜パタ
ーン８の両端周辺部分を比較的少なく感光させ、金属薄
膜パターン９の両端周辺部分を比較的多く感光させてい
る。
及び１２はそれぞれ金属薄膜パターン８及び９上におけ
る未感光領域のレジスト、１３は感光領域のレジスト、
１４及び１５はそれぞれ金属薄膜パターン８及び９の露
出端面、並びに１６及び１７はそれぞれエツチング処理
後に所望幅に形成された金属薄膜パターン１６及び１７
である。本例では、第４図（ｂ ）の露光工程において
光強度を第３図（ｂ）に示すように面内分布させている
ことから、感光領域レジスト１３のうち、金属薄膜パタ
ーン８の両端周辺部分を比較的少なく感光させ、金属薄
膜パターン９の両端周辺部分を比較的多く感光させてい
る。
次に、第４図（Ｃ）の現像工程において、未感光領域レ
ジスト１１は金属薄膜パターン８上にあって、その露出
端面１４の一部分をも被覆するように形成されており、
未感光領域レジスト１２は金属薄膜パターン９の上面の
み被覆するように形成され、その金属薄膜パターン９の
端面１５を完全に露出させている。したがって、次の第
４図＜ｄ ）に示すエッヂング工程において、同図（Ｃ
）に示した金属薄膜パターン８及び９の台幅Ｗｘ＋ ＝
８．２μｍ及びＷＸ２ ＝ ８．５μｍをそれぞれ０
．２μｍ及び０．５．ｃｚｍだけ減少させ、所望幅Ｗｏ
＝ ８．０μｍの金Ｒ薄膜パターン１６及び１７を得る
。なお、周辺近傍の金属薄膜パターン９のパターン幅が
所望値より僅かに大ぎく、周辺近傍から中心近傍に向か
って中心近傍の金Ｒ薄膜パターン８のパターン幅が所望
値よりも漸次大きくなった場合の事例に対しては、露光
の光強度を前述したと逆にすればよい。
ジスト１１は金属薄膜パターン８上にあって、その露出
端面１４の一部分をも被覆するように形成されており、
未感光領域レジスト１２は金属薄膜パターン９の上面の
み被覆するように形成され、その金属薄膜パターン９の
端面１５を完全に露出させている。したがって、次の第
４図＜ｄ ）に示すエッヂング工程において、同図（Ｃ
）に示した金属薄膜パターン８及び９の台幅Ｗｘ＋ ＝
８．２μｍ及びＷＸ２ ＝ ８．５μｍをそれぞれ０
．２μｍ及び０．５．ｃｚｍだけ減少させ、所望幅Ｗｏ
＝ ８．０μｍの金Ｒ薄膜パターン１６及び１７を得る
。なお、周辺近傍の金属薄膜パターン９のパターン幅が
所望値より僅かに大ぎく、周辺近傍から中心近傍に向か
って中心近傍の金Ｒ薄膜パターン８のパターン幅が所望
値よりも漸次大きくなった場合の事例に対しては、露光
の光強度を前述したと逆にすればよい。
第５図は、ガラス基板１上に複数の金属薄膜パターン１
８が点在し、 各パターン幅（ＷＸ＋ ＝１０．８μｍ
、 ＷＹ＋ ＝１０．２μｍ ）が所望値（Ｗｙｏ
＝ １０．０μｍ 、 Ｗｙｏ ＝ １０．０μＩｎ
）よりもＸ軸方向及びＹ軸方向において０．５μｍ及び
０．２μｍだけ大きかった場合の事例である。この事例
に対する各工程は、第５図のＸ５−Ｘｓ線上の断面図に
ついて第６図（ａ）〜（ｅ）により、第５図のＹ５−Ｙ
５線上の断面図について第７図（ａ ）〜（ｅ ）によ
りそれぞれ示される。本例においても、第２図（ａ ）
〜（ｅ）に示した実施例工程図にそれぞれ対応している
ことから、互に同様な構成については符号をもって説明
に代え、新たな構成について詳述する。
８が点在し、 各パターン幅（ＷＸ＋ ＝１０．８μｍ
、 ＷＹ＋ ＝１０．２μｍ ）が所望値（Ｗｙｏ
＝ １０．０μｍ 、 Ｗｙｏ ＝ １０．０μＩｎ
）よりもＸ軸方向及びＹ軸方向において０．５μｍ及び
０．２μｍだけ大きかった場合の事例である。この事例
に対する各工程は、第５図のＸ５−Ｘｓ線上の断面図に
ついて第６図（ａ）〜（ｅ）により、第５図のＹ５−Ｙ
５線上の断面図について第７図（ａ ）〜（ｅ ）によ
りそれぞれ示される。本例においても、第２図（ａ ）
〜（ｅ）に示した実施例工程図にそれぞれ対応している
ことから、互に同様な構成については符号をもって説明
に代え、新たな構成について詳述する。
第６図及び第７図において、１９はポジ型フォ１ヘレジ
スト、２０及び２１は金属薄膜パターン１８上における
未感光領域のレジスト、２２．２３及び２４は感光領域
のレジスト、２５．２６及び２７は金属薄膜パターンの
露出端面、並びに２８及び２９はエツチング処理後に所
望幅に形成された金属薄膜パターンである。
スト、２０及び２１は金属薄膜パターン１８上における
未感光領域のレジスト、２２．２３及び２４は感光領域
のレジスト、２５．２６及び２７は金属薄膜パターンの
露出端面、並びに２８及び２９はエツチング処理後に所
望幅に形成された金属薄膜パターンである。
本例では、第６図（ｂ）及び第７図（ｂ）の露光工程に
おいて、それぞれ斜め方向及び垂直方向（斜め方向光の
うち垂直方向成分）に露光する。
おいて、それぞれ斜め方向及び垂直方向（斜め方向光の
うち垂直方向成分）に露光する。
そこで、斜め方向光は、第６図（ｂ）に示すように、ガ
ラス基板１を通して、金属薄膜パターン１８の左側近傍
とその右側近傍の比較的薄い膜厚部分との感光領域レジ
スト２２．２３を通過すると共に、その感光領域レジス
ト２２で内部反射することから、金属薄膜パターン１８
上の左側近傍部分とその右側隣接部分をも露光する。一
方、垂直方向成分光は、第７図（ｂ ）に示すように、
ガラス基板１を通して、金属薄膜パターン１８の左右両
側近傍の比較的薄い膜厚部分の感光領域レジスト２４を
透過して露光する。次に、第６図（Ｃ）及び第７図（Ｃ
）の現像工程において、未感光領域レジスト２０は金属
薄膜パターン１８の左側露出端面とその近傍の上面部分
、左側露出端面２６を露出させ（第６図（Ｃ））、未感
光領域レジスト２１は金属簿膜パターン１８の左右両側
端面２７を露出させていることから（第７図（Ｃ））、
次の第６図（ｄ ）及び第７図（ｄ ）に示すエツヂン
グ工程において、金属薄膜パターン１８のパターン幅Ｗ
Ｘ＋ −１０，８μｒａ及びＷＹ＋＝１０．２μｍをそ
れぞれ０．８μ町及び０．２μｍだけ減少させ、所望値
ＷｘＯ＝ １０．０μｍ及びＷｙｏ ＝ １０．０μＩ
ｎの金属簿膜パターン２８及び２９を得る。
ラス基板１を通して、金属薄膜パターン１８の左側近傍
とその右側近傍の比較的薄い膜厚部分との感光領域レジ
スト２２．２３を通過すると共に、その感光領域レジス
ト２２で内部反射することから、金属薄膜パターン１８
上の左側近傍部分とその右側隣接部分をも露光する。一
方、垂直方向成分光は、第７図（ｂ ）に示すように、
ガラス基板１を通して、金属薄膜パターン１８の左右両
側近傍の比較的薄い膜厚部分の感光領域レジスト２４を
透過して露光する。次に、第６図（Ｃ）及び第７図（Ｃ
）の現像工程において、未感光領域レジスト２０は金属
薄膜パターン１８の左側露出端面とその近傍の上面部分
、左側露出端面２６を露出させ（第６図（Ｃ））、未感
光領域レジスト２１は金属簿膜パターン１８の左右両側
端面２７を露出させていることから（第７図（Ｃ））、
次の第６図（ｄ ）及び第７図（ｄ ）に示すエツヂン
グ工程において、金属薄膜パターン１８のパターン幅Ｗ
Ｘ＋ −１０，８μｒａ及びＷＹ＋＝１０．２μｍをそ
れぞれ０．８μ町及び０．２μｍだけ減少させ、所望値
ＷｘＯ＝ １０．０μｍ及びＷｙｏ ＝ １０．０μＩ
ｎの金属簿膜パターン２８及び２９を得る。
以上のとおり、本発明によれば、従来不良とされていた
フォトマスクのパターン幅を所望値に修正することがで
きることから、その実用的価値は多大である。
フォトマスクのパターン幅を所望値に修正することがで
きることから、その実用的価値は多大である。
なお、本発明は前）ホした実施例に限定されず、例えば
ガラス基板についてソーダライムガラス、合成石英等の
透光性ガラス基板、金属ｉ膜について酸化クロム、モリ
ブデン、タングステン、チタン等の遮光性金属薄膜、及
び成膜法についてスパッタリング、イオンブレーティン
グ等を使用してもよい。また、金ＩＩ膜及びレジストの
各膜厚、露光条件及び現像条件についても適宜選定すれ
ばよい。
ガラス基板についてソーダライムガラス、合成石英等の
透光性ガラス基板、金属ｉ膜について酸化クロム、モリ
ブデン、タングステン、チタン等の遮光性金属薄膜、及
び成膜法についてスパッタリング、イオンブレーティン
グ等を使用してもよい。また、金ＩＩ膜及びレジストの
各膜厚、露光条件及び現像条件についても適宜選定すれ
ばよい。
第１図はフォトマスクのパターンを示す図゛であって、
同図（ａ ）は正面図及び同図（ｂ）は同図（ａ ）の
Ｘ＋−Ｘ＋線上の断面図である。第２図（ａ ）〜（ｅ
）は第１図のフォトマスクに対する本発明による各工
程を示す断面図である。第３図（ａ ）はもう一つのフ
ォトマスクのパターンを示す正面図であり、第３図（ｂ
）は第３図（ａ ）のフォトマスクに対する露光条件を
示す特性図である。第４図（ａ ）〜（ｅ）は第３図（
ａ ”）のフォトマスクに対する本発明による各工程を
示す断面図である。第５図はもう一つのフォトマスクの
パターンを示す正面図である。 第６図（ａ ）〜（ｅ
）及び第７図（ａ ）〜（ｅ ）はそれぞれ第５図（
ＤＸ５−Ｘ５１ｉ１及ｔＦＹ５−Ｙ５ ｆｉ！上の本発
明ニよる工程を示す断面図である。 １・・・ガラス基板、２．８．９．１８・・・形成済の
金属薄膜パターン、３． １０．１９・・・ポジ型フォ
トレジスト、４． １１，１２，２０．２１・・・未感
光領域レジスト、５． １３，２２，２３．２４・・・
感光領域レジスト、６．１４，１５，２５，２６．２７
・・・金属薄膜パターンの露出端面、７． １６．１７
，２８．２９・・・エツチング処理後の金属薄膜パター
ン （ａ） （ｂ）
同図（ａ ）は正面図及び同図（ｂ）は同図（ａ ）の
Ｘ＋−Ｘ＋線上の断面図である。第２図（ａ ）〜（ｅ
）は第１図のフォトマスクに対する本発明による各工
程を示す断面図である。第３図（ａ ）はもう一つのフ
ォトマスクのパターンを示す正面図であり、第３図（ｂ
）は第３図（ａ ）のフォトマスクに対する露光条件を
示す特性図である。第４図（ａ ）〜（ｅ）は第３図（
ａ ”）のフォトマスクに対する本発明による各工程を
示す断面図である。第５図はもう一つのフォトマスクの
パターンを示す正面図である。 第６図（ａ ）〜（ｅ
）及び第７図（ａ ）〜（ｅ ）はそれぞれ第５図（
ＤＸ５−Ｘ５１ｉ１及ｔＦＹ５−Ｙ５ ｆｉ！上の本発
明ニよる工程を示す断面図である。 １・・・ガラス基板、２．８．９．１８・・・形成済の
金属薄膜パターン、３． １０．１９・・・ポジ型フォ
トレジスト、４． １１，１２，２０．２１・・・未感
光領域レジスト、５． １３，２２，２３．２４・・・
感光領域レジスト、６．１４，１５，２５，２６．２７
・・・金属薄膜パターンの露出端面、７． １６．１７
，２８．２９・・・エツチング処理後の金属薄膜パター
ン （ａ） （ｂ）
Claims (4)
- （１） 次の工程から成ることを特徴とするフォトマス
クのパターン幅修正方法。 ■ 透光性のガラス基板の一方の主面上に遮光性の金属
薄膜パターンを所定形状に形成する工程。 ■ 前記金属薄膜パターンが形成されている以外の領域
における前記ガラス基板の一方の主面上と前記金属薄膜
パターン上とにポジ型フォトレジストを被覆する工程。 ■ 前記金属薄膜パターンが形成されている以外の領域
における前記ガラス基板の一方の主面上の前記ポジ型フ
ォトレジストの部分を前記ガラス基板の他方の主面側か
ら露光・現像して、除去する工程。 ■ 前記除去による前記金ａ薄膜パターンの露出端面を
エツチング処理して、前記金属薄膜パターン幅を所望値
まで減少する工程。 - （２） 露光をガラス基板の他方の主面に対して垂直に
入射させることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載のフォトマスクのパターン幅修正方法。 - （３） 露光をガラス基板の他方の主面に対して斜めに
入射させることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載のフォトマスクのパターン幅修正方法。 - （４） 複数の金属薄膜パターンがガラス基板の一方の
主面上に点在すると共に、その各パターン幅が中心近傍
から周辺近傍または周辺近傍から中心近傍に向かって所
望値より漸次増大し、その増大の程度に応じて露光の光
強麿を調整していることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のフォトマスクのパターン幅修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158487A JPS6050535A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | フォトマスクのパタ−ン幅修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158487A JPS6050535A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | フォトマスクのパタ−ン幅修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050535A true JPS6050535A (ja) | 1985-03-20 |
Family
ID=15672810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158487A Pending JPS6050535A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | フォトマスクのパタ−ン幅修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050535A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008128365A1 (en) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Basf Se | Method for forming a pattern on a substrate and electronic device formed thereby |
| US9244356B1 (en) | 2014-04-03 | 2016-01-26 | Rolith, Inc. | Transparent metal mesh and method of manufacture |
| US20170116808A1 (en) | 2014-05-27 | 2017-04-27 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Anti-counterfeiting features and methods of fabrication and detection |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158487A patent/JPS6050535A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008128365A1 (en) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Basf Se | Method for forming a pattern on a substrate and electronic device formed thereby |
| US8343779B2 (en) | 2007-04-19 | 2013-01-01 | Basf Se | Method for forming a pattern on a substrate and electronic device formed thereby |
| US9244356B1 (en) | 2014-04-03 | 2016-01-26 | Rolith, Inc. | Transparent metal mesh and method of manufacture |
| US20170116808A1 (en) | 2014-05-27 | 2017-04-27 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Anti-counterfeiting features and methods of fabrication and detection |
| US10395461B2 (en) | 2014-05-27 | 2019-08-27 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Anti-counterfeiting features and methods of fabrication and detection |
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