JP2791757B2 - 半導体マスク及びその製造方法 - Google Patents
半導体マスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2791757B2 JP2791757B2 JP18667295A JP18667295A JP2791757B2 JP 2791757 B2 JP2791757 B2 JP 2791757B2 JP 18667295 A JP18667295 A JP 18667295A JP 18667295 A JP18667295 A JP 18667295A JP 2791757 B2 JP2791757 B2 JP 2791757B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- region
- transmitting
- quartz substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体マスクに係り、微
細パターン時に近接効果を最小化させてエッジ部分にお
ける感光パターンを改善させることができるマスク及び
その製造方法に関する。
細パターン時に近接効果を最小化させてエッジ部分にお
ける感光パターンを改善させることができるマスク及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体の製造工程に用いられて
いるマスクは光透過度の高い石英基板上にＣｒ薄膜を選
択的に形成して製作した。
いるマスクは光透過度の高い石英基板上にＣｒ薄膜を選
択的に形成して製作した。
【０００３】図１（Ａ）〜（Ｄ）は従来のマスクの製造
工程図を示す。図１（Ａ）のように透光性石英基板１０
を用意し、用意された石英基板１０上に図１（Ｂ）のよ
うにクロム薄膜１１を全面に蒸着する。次に、図１
（Ｃ）のように遮光領域Ｓに該当する部分のクロム薄膜
１１上には感光膜１３を形成し、透光領域Ｔに当たる部
分のクロム薄膜１１は露出させる。図１（Ｄ）のように
感光膜１３をマスクにしてクロム薄膜１１をエッチング
して遮光層１２を形成する。この際、透光領域Ｔに当た
る部分のクロム薄膜１１はエッチングされて透光性基板
１０が露出され、遮光領域Ｓに当たる部分には遮光層１
２が形成される。これにより、従来の格子形状のマスク
２０が得られる。
工程図を示す。図１（Ａ）のように透光性石英基板１０
を用意し、用意された石英基板１０上に図１（Ｂ）のよ
うにクロム薄膜１１を全面に蒸着する。次に、図１
（Ｃ）のように遮光領域Ｓに該当する部分のクロム薄膜
１１上には感光膜１３を形成し、透光領域Ｔに当たる部
分のクロム薄膜１１は露出させる。図１（Ｄ）のように
感光膜１３をマスクにしてクロム薄膜１１をエッチング
して遮光層１２を形成する。この際、透光領域Ｔに当た
る部分のクロム薄膜１１はエッチングされて透光性基板
１０が露出され、遮光領域Ｓに当たる部分には遮光層１
２が形成される。これにより、従来の格子形状のマスク
２０が得られる。
【０００４】図２（Ａ）は図１の製造工程により製造さ
れたマスク２０の断面構造を示し、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）のマスク２０を通ってウェーハ上に入射する光の
強度を示す。前記のマスク２０を通ってウェーハ上に入
射する光は、光自体の回折によって、透光領域Ｔのうち
マスク２０の中心部分の透光領域Ｔｃを透光する光とマ
スク２０のエッジ部分の透光領域Ｔｅを透過する光との
間にはΔＩだけの強度差が出る。従来のマスク２０を使
用してウェーハ上の感光膜を露光及び現像する場合に
は、マスク２０の中心部分とエッジ部分との間でΔＩだ
けの光強度の差が発生するために、その感光膜のフロフ
ァーイルが図３のようになる。
れたマスク２０の断面構造を示し、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）のマスク２０を通ってウェーハ上に入射する光の
強度を示す。前記のマスク２０を通ってウェーハ上に入
射する光は、光自体の回折によって、透光領域Ｔのうち
マスク２０の中心部分の透光領域Ｔｃを透光する光とマ
スク２０のエッジ部分の透光領域Ｔｅを透過する光との
間にはΔＩだけの強度差が出る。従来のマスク２０を使
用してウェーハ上の感光膜を露光及び現像する場合に
は、マスク２０の中心部分とエッジ部分との間でΔＩだ
けの光強度の差が発生するために、その感光膜のフロフ
ァーイルが図３のようになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３のように感光膜の
フロファーイルがエッジ部分と中心部分との間で差を生
じるので、感光膜のパターンサイズが段々小さくなれば
なる程、露光及び現像後に得られる感光膜はエッジ部分
でパターンの不良をもたらすという問題点があった。
フロファーイルがエッジ部分と中心部分との間で差を生
じるので、感光膜のパターンサイズが段々小さくなれば
なる程、露光及び現像後に得られる感光膜はエッジ部分
でパターンの不良をもたらすという問題点があった。
【０００６】本発明は従来の技術のかかる問題点を解決
するためのもので、マスクのエッジ部分に入射する光の
強度と同一になるように、中心部分に入射する光の強度
を減少させて、感光膜のエッジ部分におけるパターンの
不良を防止できる半導体マスクの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
するためのもので、マスクのエッジ部分に入射する光の
強度と同一になるように、中心部分に入射する光の強度
を減少させて、感光膜のエッジ部分におけるパターンの
不良を防止できる半導体マスクの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の半導体マスクは、透光領域と遮光領域に分け
られた透光性石英基板と、エッジ部分の透光領域に対す
る部分を除いた基板上に形成された光調節層と、遮光領
域の光調節層上に形成された遮光層とを有する。その製
造方法は、石英基板を用意する段階と、用意した石英基
板上に光調節層を形成する段階と、光調節層の遮光領域
上に遮光層を形成する段階と、石英基板を遮光領域と透
光領域に区画する段階と、基板のエッジ部分の透光領域
に該当する透光性光調節層をエッチングする段階と、を
含む。
の本発明の半導体マスクは、透光領域と遮光領域に分け
られた透光性石英基板と、エッジ部分の透光領域に対す
る部分を除いた基板上に形成された光調節層と、遮光領
域の光調節層上に形成された遮光層とを有する。その製
造方法は、石英基板を用意する段階と、用意した石英基
板上に光調節層を形成する段階と、光調節層の遮光領域
上に遮光層を形成する段階と、石英基板を遮光領域と透
光領域に区画する段階と、基板のエッジ部分の透光領域
に該当する透光性光調節層をエッチングする段階と、を
含む。
【０００８】透明光調節層は中心部分からエッジ部分の
透光領域にわたって一定の厚さを有するように形成する
ことができ、エッジ部位から中心部位に行けば行くほど
段々厚くなるように形成することもできる。
透光領域にわたって一定の厚さを有するように形成する
ことができ、エッジ部位から中心部位に行けば行くほど
段々厚くなるように形成することもできる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例によるマスクの製造方
法を図面を参照して説明する。図４（Ａ）〜（Ｆ）は本
発明の一実施例によるマスクの製造工程図である。図４
（Ａ）のように石英基板４０を用意し、用意された石英
基板４０上に透光性光調節層４１を図４（Ｂ）のように
形成し、図４（Ｃ）のように透光性光調節層４１上にク
ロム薄膜４２を形成する。透光性光調節層４１は入射す
る光の透過度を調節するための層であり、光透過度の優
れた石英基板４０に比べて光透過度を減少できる物質な
ら何でも使用可能である。透光性光調節層４１として、
染料が含有されたポリイミド、もしくは酸化膜や窒化膜
などの無機質層が用いられる。図４（Ｄ）のように、ク
ロム薄膜４２上に感光膜４４を塗布し、パターニングし
て透光領域Ｔと遮光領域Ｓとを区画する。感光膜４４を
マスクにして透光領域Ｔ上のクロム薄膜４２を選択的に
エッチングして図４（Ｅ）のように遮光領域Ｓ上に遮光
層４３を形成する。感光膜４４を除去した後、図４
（Ｆ）のように、遮光層４３を含んだ透光性光調節層４
１上に感光膜４５をさらに塗布し、パターニングして透
光領域Ｔのうち、エッジ部分の透光領域Ｔｅの透光性光
調節層を露出させる。次に、図４（Ｇ）のようにその露
出されたエッジ部分の透光領域Ｔｃをエッチングする。
従って、マスクの中心部分の透光領域Ｔｃでは基板上に
透光性光調節層４１が残っており、エッジ部分の透光領
域Ｔｅでは透光性光調節層４１が除去されて透光性の石
英基板４０が露出する。これにより、一実施例による半
導体マスク５０が得られる。
法を図面を参照して説明する。図４（Ａ）〜（Ｆ）は本
発明の一実施例によるマスクの製造工程図である。図４
（Ａ）のように石英基板４０を用意し、用意された石英
基板４０上に透光性光調節層４１を図４（Ｂ）のように
形成し、図４（Ｃ）のように透光性光調節層４１上にク
ロム薄膜４２を形成する。透光性光調節層４１は入射す
る光の透過度を調節するための層であり、光透過度の優
れた石英基板４０に比べて光透過度を減少できる物質な
ら何でも使用可能である。透光性光調節層４１として、
染料が含有されたポリイミド、もしくは酸化膜や窒化膜
などの無機質層が用いられる。図４（Ｄ）のように、ク
ロム薄膜４２上に感光膜４４を塗布し、パターニングし
て透光領域Ｔと遮光領域Ｓとを区画する。感光膜４４を
マスクにして透光領域Ｔ上のクロム薄膜４２を選択的に
エッチングして図４（Ｅ）のように遮光領域Ｓ上に遮光
層４３を形成する。感光膜４４を除去した後、図４
（Ｆ）のように、遮光層４３を含んだ透光性光調節層４
１上に感光膜４５をさらに塗布し、パターニングして透
光領域Ｔのうち、エッジ部分の透光領域Ｔｅの透光性光
調節層を露出させる。次に、図４（Ｇ）のようにその露
出されたエッジ部分の透光領域Ｔｃをエッチングする。
従って、マスクの中心部分の透光領域Ｔｃでは基板上に
透光性光調節層４１が残っており、エッジ部分の透光領
域Ｔｅでは透光性光調節層４１が除去されて透光性の石
英基板４０が露出する。これにより、一実施例による半
導体マスク５０が得られる。
【００１０】図５（Ａ）は一実施例による半導体マスク
５０の断面構造を示し、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の半導
体マスク５０を通ってウェーハ上に入射する光の強度を
示す。半導体マスク５０のエッジ部分の透光領域Ｔｅで
は入射する光が露出された透光性基板４０を通って透過
してウェーハ上に入射し、中心部分の透光領域Ｔｃでは
入射する光が透光性光調節層４１を通って透過されてウ
ェーハ上に入射する。従って、エッジ部分の透光領域Ｔ
ｅでは光が透光性石英基板４０を通ってそのまま透過さ
れるが、中心部分の透光領域Ｔｃでは透光性石英基板４
０よりは光の透過度の小さい透光性光調節層４１を通っ
て透過するので、透光性光調節層４１を通ってウェーハ
上に入射する光は中心領域で石英基板のみを通って透過
する光より強度が相対的に減少する。従って、マスク５
０の全透光領域Ｔを通ってウェーハ上に入射する光の強
度は同一になる。
５０の断面構造を示し、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の半導
体マスク５０を通ってウェーハ上に入射する光の強度を
示す。半導体マスク５０のエッジ部分の透光領域Ｔｅで
は入射する光が露出された透光性基板４０を通って透過
してウェーハ上に入射し、中心部分の透光領域Ｔｃでは
入射する光が透光性光調節層４１を通って透過されてウ
ェーハ上に入射する。従って、エッジ部分の透光領域Ｔ
ｅでは光が透光性石英基板４０を通ってそのまま透過さ
れるが、中心部分の透光領域Ｔｃでは透光性石英基板４
０よりは光の透過度の小さい透光性光調節層４１を通っ
て透過するので、透光性光調節層４１を通ってウェーハ
上に入射する光は中心領域で石英基板のみを通って透過
する光より強度が相対的に減少する。従って、マスク５
０の全透光領域Ｔを通ってウェーハ上に入射する光の強
度は同一になる。
【００１１】図６（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の他の実施例
によるマスクの製造工程図を示す。図６（Ａ）のように
石英基板６０を用意し、図６（Ｂ）のように用意された
石英基板６０上に透光性光調節層６１を形成する。透光
性光調節層６１は一実施例と同様に光を調節するための
層で、石英基板６０に比べて光透過度を抑制できる物質
なら使用可能である。図６（ｃ）のように透光性光調節
層６１上にクロム薄膜６２を形成し、クロム薄膜６２上
に感光膜６４を塗布する。感光膜６４をパターニングし
て透光領域Ｔと遮光領域Ｓを形成する。図６（Ｄ）のよ
うに、感光膜６４をマスクにして選択的にクロム薄膜６
２をエッチングして遮光領域Ｓ上に遮光層６３を形成
し、透光領域Ｔの透光性光調節層６１を露出させる。感
光膜６４を除去した後、図６（Ｅ）のように、遮光層６
３を含んだ透光性光調節層６１上に感光膜６５をさらに
塗布し、パターニングして透光領域Ｔのうち、エッジ部
分の透光領域Ｔｅの透光性光調節層を露出させる。図６
（Ｆ）のように、感光膜６５をマスクとして透光領域Ｔ
のうち、露出されたエッジ部分の透光領域Ｔｅを選択的
にエッチングしてエッジ部分の基板６１を露出させる。
この感光膜６５を除去した後、図６（Ｇ）のように、遮
光層６３を含んだ透光性光調節層６１及び前記露出され
た基板６１上に感光膜６６をさらに塗布し、パターニン
グして透光領域Ｔのうち、エッジ部分Ｔｅと中心部分Ｔ
ｃ間の透光領域Ｔｄを露出させる。この感光膜６６をマ
スクとして露出された透光領域Ｔｄにおける透光性光調
節層６１を一定の厚さだけエッチングする。この際、エ
ッジ部分Ｔｅと中心部分Ｔｃ間の透光領域Ｔｄではエッ
ジ部分Ｔｅよりは光を少なく透過させ、且つ中心部分Ｔ
ｃよりは光を多く透過させるように、エッジ部分Ｔｅと
中心部分Ｔｃ間の透光領域Ｔｄの透光性光調節層６１を
完全エッチングせずに一部分のみエッチングする。これ
により、他の実施例による半導体マスクが得られる。
によるマスクの製造工程図を示す。図６（Ａ）のように
石英基板６０を用意し、図６（Ｂ）のように用意された
石英基板６０上に透光性光調節層６１を形成する。透光
性光調節層６１は一実施例と同様に光を調節するための
層で、石英基板６０に比べて光透過度を抑制できる物質
なら使用可能である。図６（ｃ）のように透光性光調節
層６１上にクロム薄膜６２を形成し、クロム薄膜６２上
に感光膜６４を塗布する。感光膜６４をパターニングし
て透光領域Ｔと遮光領域Ｓを形成する。図６（Ｄ）のよ
うに、感光膜６４をマスクにして選択的にクロム薄膜６
２をエッチングして遮光領域Ｓ上に遮光層６３を形成
し、透光領域Ｔの透光性光調節層６１を露出させる。感
光膜６４を除去した後、図６（Ｅ）のように、遮光層６
３を含んだ透光性光調節層６１上に感光膜６５をさらに
塗布し、パターニングして透光領域Ｔのうち、エッジ部
分の透光領域Ｔｅの透光性光調節層を露出させる。図６
（Ｆ）のように、感光膜６５をマスクとして透光領域Ｔ
のうち、露出されたエッジ部分の透光領域Ｔｅを選択的
にエッチングしてエッジ部分の基板６１を露出させる。
この感光膜６５を除去した後、図６（Ｇ）のように、遮
光層６３を含んだ透光性光調節層６１及び前記露出され
た基板６１上に感光膜６６をさらに塗布し、パターニン
グして透光領域Ｔのうち、エッジ部分Ｔｅと中心部分Ｔ
ｃ間の透光領域Ｔｄを露出させる。この感光膜６６をマ
スクとして露出された透光領域Ｔｄにおける透光性光調
節層６１を一定の厚さだけエッチングする。この際、エ
ッジ部分Ｔｅと中心部分Ｔｃ間の透光領域Ｔｄではエッ
ジ部分Ｔｅよりは光を少なく透過させ、且つ中心部分Ｔ
ｃよりは光を多く透過させるように、エッジ部分Ｔｅと
中心部分Ｔｃ間の透光領域Ｔｄの透光性光調節層６１を
完全エッチングせずに一部分のみエッチングする。これ
により、他の実施例による半導体マスクが得られる。
【００１２】この実施例による半導体マスク７０はエッ
ジ部分の透光領域Ｔｅでは光を完全に透過させるよう
に、透光性光調節層６１をすべて除去して石英基板を露
出させ、中心部分の透光領域Ｔｃではエッジ部分の透光
領域Ｔｅに比べて光を相対的に少し透過させるように、
透光性光調節層６１をエッチングせずにそのまま置く。
そして、エッジ部分と中心部分との間の透光領域Ｔｄで
はエッジ部分の透光領域Ｔｅよりは光を少し少なく透過
させ、且つ中心部分の透光領域Ｔｃよりは光をもっと多
く透過させるように、透光性光調節層６１を中心部位に
おける厚さよりは薄く形成する。
ジ部分の透光領域Ｔｅでは光を完全に透過させるよう
に、透光性光調節層６１をすべて除去して石英基板を露
出させ、中心部分の透光領域Ｔｃではエッジ部分の透光
領域Ｔｅに比べて光を相対的に少し透過させるように、
透光性光調節層６１をエッチングせずにそのまま置く。
そして、エッジ部分と中心部分との間の透光領域Ｔｄで
はエッジ部分の透光領域Ｔｅよりは光を少し少なく透過
させ、且つ中心部分の透光領域Ｔｃよりは光をもっと多
く透過させるように、透光性光調節層６１を中心部位に
おける厚さよりは薄く形成する。
【００１３】図６（Ｆ）では一回のエッチング工程を行
って中心部分の透光領域Ｔｃの透光性光調節層（６１−
２）よりは中心部分とエッジ部分との間の透光領域（Ｔ
ｄ）の透光性光調節層（６１−１）が薄い厚さを有する
ように透光性光調節層６１を形成したが、数回のエッチ
ング工程を行って中心部分からエッジ部分に行けば行く
ほど段々薄くなる透光性光調節層６１を形成することも
できる。
って中心部分の透光領域Ｔｃの透光性光調節層（６１−
２）よりは中心部分とエッジ部分との間の透光領域（Ｔ
ｄ）の透光性光調節層（６１−１）が薄い厚さを有する
ように透光性光調節層６１を形成したが、数回のエッチ
ング工程を行って中心部分からエッジ部分に行けば行く
ほど段々薄くなる透光性光調節層６１を形成することも
できる。
【００１４】
【発明の効果】前記した本発明によれば、半導体マスク
の中心部分の透光領域に透光性の石英基板よりは光透過
度の小さい透光性光調節層を形成して、中心部分の透光
領域における光透過度を調節することができる。従っ
て、本発明の半導体マスクを微細パターン形成に用いる
場合に、近接効果を最小化させることができ、これによ
り従来の半導体マスクで問題になっているエッジ部位に
おける感光膜のフロファーイルを改善してパターン不良
の発生を防止できるという利点がある。
の中心部分の透光領域に透光性の石英基板よりは光透過
度の小さい透光性光調節層を形成して、中心部分の透光
領域における光透過度を調節することができる。従っ
て、本発明の半導体マスクを微細パターン形成に用いる
場合に、近接効果を最小化させることができ、これによ
り従来の半導体マスクで問題になっているエッジ部位に
おける感光膜のフロファーイルを改善してパターン不良
の発生を防止できるという利点がある。
【図１】 従来の半導体マスクの製造工程図である。
【図２】 （Ａ）は従来の半導体マスクの断面構造図で
あり、（Ｂ）は図２（Ａ）の半導体マスクを通ってウェ
ーハ上に入射する光強度を示す図である。
あり、（Ｂ）は図２（Ａ）の半導体マスクを通ってウェ
ーハ上に入射する光強度を示す図である。
【図３】 図２（Ａ）の半導体マスクを用いてパターニ
ングされた感光膜の電子顕微鏡による写真である。
ングされた感光膜の電子顕微鏡による写真である。
【図４】 本発明の一実施例による半導体マスクの製造
工程図である。
工程図である。
【図５】 （Ａ）は本発明の一実施例による半導体マス
クの断面構造図であり、（Ｂ）は図５（Ａ）の半導体マ
スクを通ってウェーハ上に入射する光強度を示す図であ
る。
クの断面構造図であり、（Ｂ）は図５（Ａ）の半導体マ
スクを通ってウェーハ上に入射する光強度を示す図であ
る。
【図６】 本発明の他の実施例による半導体マスクの製
造工程図である。
造工程図である。
【符号の説明】 ５０，７０…半導体マスク、４０，６０…石英基板、４
１，６１…透光性光調節層、４２，６２…クロム薄膜、
４３，６３…遮光層、４４，６４…感光膜。
１，６１…透光性光調節層、４２，６２…クロム薄膜、
４３，６３…遮光層、４４，６４…感光膜。
Claims (7)
- 【請求項１】 透光領域と遮光領域とが交互に縞状に並
んでいる半導体マスクにおいて、 透光性石英基板と、 基板のエッジ部分の透光領域に対応する部分を除いて基
板上に形、成された光調節層と、 遮光領域の光調節層上に形成された遮光層と、 を有することを特徴とする半導体マスク。 - 【請求項２】 光調節層は、石英基板に比べて低い光透
過度を有する物質からなることを特徴とする請求項１記
載の半導体マスク。 - 【請求項３】 透光領域と遮光領域とが交互に縞状に並
んでいる半導体マスクにおいて、 透光性石英基板と、 基板のエッジ部分の透光領域を除いて基板上に形成され
た光調節層であって、基板の中心部分の透光領域とその
他の透光領域で互いに異なる厚さを有する光調節層と、 遮光領域の光調節層上に形成された遮光層と、 を有することを特徴とする半導体マスク。 - 【請求項４】 光調節層は、中心部分の透光領域からエ
ッジ部分の透光領域に移るに従って、その厚さが薄くな
ることを特徴とする、請求項３記載の半導体マスク。 - 【請求項５】 石英基板を用意する段階と、 用意した石英基板上に光調節層を形成する段階と、 光調節層の遮光領域上に遮光層を形成する段階と、 基板のエッジ部分の透光領域に該当する前記光調節層を
エッチングする段階と、 を有することを特徴とする半導体マスクの製造方法。 - 【請求項６】 石英基板を用意する段階と、 用意した石英基板上に光調節層を形成する段階と、 光調節層の遮光領域上に遮光層を形成する段階と、 基板のエッジ部分の透光領域に該当する前記光調節層を
エッチングする段階と、 基板のエッジ部分と中心部分との間の光調節層を、中心
部分の透光領域における光調節層に比べて薄い厚さとな
るように、エッチングする段階と、 を含むことを特徴とする半導体マスクの製造方法。 - 【請求項７】 遮光領域と透光領域とが交互に形成され
る半導体マスクにおいて、 透光性の石英基板と、 前記透光性の石英基板上に形成される光調節層であっ
て、前記透光性の石英基板のエッジと中央部分とで互い
に異なる厚さを有する光調節層と、 前記遮光領域に対応する光調節層上に形成される遮光層
とを有することを特徴とする半導体マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18667295A JP2791757B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18667295A JP2791757B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体マスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915832A JPH0915832A (ja) | 1997-01-17 |
| JP2791757B2 true JP2791757B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=16192647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18667295A Expired - Fee Related JP2791757B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2791757B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3225102B2 (ja) * | 1992-08-21 | 2001-11-05 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP18667295A patent/JP2791757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0915832A (ja) | 1997-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0713142A2 (en) | Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor | |
| JP3411613B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク | |
| JPH06175347A (ja) | ホトマスクおよびそれを用いたパタン形成方法 | |
| JPH0690505B2 (ja) | ホトマスク | |
| JPH04136854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3912949B2 (ja) | フォトマスクの形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US6150058A (en) | Method of making attenuating phase-shifting mask using different exposure doses | |
| US5219686A (en) | Photomask | |
| US5849438A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
| JPH07287386A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP2791757B2 (ja) | 半導体マスク及びその製造方法 | |
| US5932489A (en) | Method for manufacturing phase-shifting mask | |
| US5747196A (en) | Method of fabricating a phase-shift photomask | |
| KR0166846B1 (ko) | 반도체 마스크 및 그의 제조방법 | |
| JP3485071B2 (ja) | フォトマスク及び製造方法 | |
| JPH0990602A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH02207252A (ja) | パターン形成用フォトマスク | |
| JPH04247456A (ja) | 露光用マスク | |
| JPH10142767A (ja) | パターン形成方法、これに使用されるマスク及びその製造方法 | |
| JPH10186630A (ja) | 位相シフト露光マスクおよびその製造方法 | |
| JP2652341B2 (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| JPH01237660A (ja) | フォトマスク | |
| JPH04223464A (ja) | フォトマスク | |
| US5718990A (en) | Semiconductor mask and method of manufacturing the same | |
| JP2681610B2 (ja) | リソグラフイマスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080619 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110619 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |