JP3225102B2 - 位相シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク - Google Patents
位相シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスクInfo
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- JP3225102B2 JP3225102B2 JP22240592A JP22240592A JP3225102B2 JP 3225102 B2 JP3225102 B2 JP 3225102B2 JP 22240592 A JP22240592 A JP 22240592A JP 22240592 A JP22240592 A JP 22240592A JP 3225102 B2 JP3225102 B2 JP 3225102B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の
高密度集積回路の製造や化合物半導体を用いた高速素子
の製造に用いられる位相シフトフォトマスク及びそのた
めの位相シフトフォトマスクブランクに関し、特に、位
相シフト層をエッチング加工する際に、透明基板を保護
するためのエッチングストップ層を有する位相シフトフ
ォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスクに関す
る。
高密度集積回路の製造や化合物半導体を用いた高速素子
の製造に用いられる位相シフトフォトマスク及びそのた
めの位相シフトフォトマスクブランクに関し、特に、位
相シフト層をエッチング加工する際に、透明基板を保護
するためのエッチングストップ層を有する位相シフトフ
ォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】位相シフトフォトマスクのエッチングス
トップ層として要求される機能は、位相シフト層を部
分的にドライエッチングして位相シフトパターンを形成
する際に、この位相シフト層の下に配置されたエッチン
グストップ層がエッチングされ難いこと、位相シフト
フォトマスクを使用する際の露光波長（超高圧水銀ラン
プのｉ線波長：３６５ｎｍ、フッ化クリプトン・エキシ
マレーザー波長：２４８ｎｍ、等）に対し透過率が高い
こと、少なくとも透過率が８５％以上であること、通
常のフォトマスク製造工程中の洗浄方法の１つとして広
く用いられている酸洗浄法（例えば、濃硫酸浸漬）を位
相シフトフォトマスク製造工程でも用いることができる
ような十分な耐酸性を有すること、があげられる。
トップ層として要求される機能は、位相シフト層を部
分的にドライエッチングして位相シフトパターンを形成
する際に、この位相シフト層の下に配置されたエッチン
グストップ層がエッチングされ難いこと、位相シフト
フォトマスクを使用する際の露光波長（超高圧水銀ラン
プのｉ線波長：３６５ｎｍ、フッ化クリプトン・エキシ
マレーザー波長：２４８ｎｍ、等）に対し透過率が高い
こと、少なくとも透過率が８５％以上であること、通
常のフォトマスク製造工程中の洗浄方法の１つとして広
く用いられている酸洗浄法（例えば、濃硫酸浸漬）を位
相シフトフォトマスク製造工程でも用いることができる
ような十分な耐酸性を有すること、があげられる。
【０００３】現在、ｉ線用位相シフトフォトマスクのエ
ッチングストップ層としては、酸化スズを主体とした膜
が多く用いられているが、ドライエッチング耐性が十分
でなく、フッ化クリプトン・エキシマレーザー波長２４
８ｎｍを含む３５０ｎｍ以下の波長領域では、透過性が
悪く、フッ化クリプトン・エキシマレーザー用の位相シ
フトフォトマスクには適しないことが広く知られてい
る。
ッチングストップ層としては、酸化スズを主体とした膜
が多く用いられているが、ドライエッチング耐性が十分
でなく、フッ化クリプトン・エキシマレーザー波長２４
８ｎｍを含む３５０ｎｍ以下の波長領域では、透過性が
悪く、フッ化クリプトン・エキシマレーザー用の位相シ
フトフォトマスクには適しないことが広く知られてい
る。
【０００４】また、フッ化クリプトン・エキシマレーザ
ー波長２４８ｎｍを含む３５０ｎｍ以下の波長領域でも
透過性の高く、かつ、ドライエッチング耐性が十分なア
ルミナ膜からなるエッチングストップ層を有する真空蒸
着法で形成した位相シフトフォトマスクが報告されてい
るが（第５２回応用物理学会学術講演会講演予稿集、
ｐ．５３９）、そのアルミナ膜が酸に弱いことが同時に
報告されている。
ー波長２４８ｎｍを含む３５０ｎｍ以下の波長領域でも
透過性の高く、かつ、ドライエッチング耐性が十分なア
ルミナ膜からなるエッチングストップ層を有する真空蒸
着法で形成した位相シフトフォトマスクが報告されてい
るが（第５２回応用物理学会学術講演会講演予稿集、
ｐ．５３９）、そのアルミナ膜が酸に弱いことが同時に
報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来、
アルミナ膜は耐酸性が乏しく、そのアルミナ膜をエッチ
ングストップ層として有する位相シフトフォトマスクに
は、通常の酸洗浄が適用できないという問題点があっ
た。
アルミナ膜は耐酸性が乏しく、そのアルミナ膜をエッチ
ングストップ層として有する位相シフトフォトマスクに
は、通常の酸洗浄が適用できないという問題点があっ
た。
【０００６】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、紫外域で透過性が高く、ドラ
イエッチング耐性が十分で、かつ、十分な耐酸性がある
アルミナ膜からなるエッチングストップ層を用いた位相
シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマス
クを提供することである。
ものであり、その目的は、紫外域で透過性が高く、ドラ
イエッチング耐性が十分で、かつ、十分な耐酸性がある
アルミナ膜からなるエッチングストップ層を用いた位相
シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマス
クを提供することである。
【０００７】
【課題を解決しようとする手段】本発明は、上記の問題
に鑑み、耐酸性を有し、かつ、フッ化クリプトン・レー
ザーにも対応できるエッチングストップ層の開発、研究
を行った結果、透明基板上にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を
成膜し、大気中で６００℃以上で焼成することにより、
耐酸性に優れ、２００ｎｍ以上の波長で８５％以上の透
過率を持った膜が得られることを見出し、かかる知見に
基づいて本発明を完成させたものである。
に鑑み、耐酸性を有し、かつ、フッ化クリプトン・レー
ザーにも対応できるエッチングストップ層の開発、研究
を行った結果、透明基板上にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を
成膜し、大気中で６００℃以上で焼成することにより、
耐酸性に優れ、２００ｎｍ以上の波長で８５％以上の透
過率を持った膜が得られることを見出し、かかる知見に
基づいて本発明を完成させたものである。
【０００８】図５に、石英基板上にアルミナ膜を厚さ１
１０ｎｍだけスパッタした後、１時間大気中で加熱処理
した膜の、熱硫酸によるエッチ速度の焼成温度による変
化を示す。この図から、酸化性雰囲気中で加熱処理する
ことにより、アルミナ膜の耐酸性が上昇することが分
る。特に、６００℃以上で焼成することが望ましい。
１０ｎｍだけスパッタした後、１時間大気中で加熱処理
した膜の、熱硫酸によるエッチ速度の焼成温度による変
化を示す。この図から、酸化性雰囲気中で加熱処理する
ことにより、アルミナ膜の耐酸性が上昇することが分
る。特に、６００℃以上で焼成することが望ましい。
【０００９】次に、図６に、６００℃加熱処理後のアル
ミナ膜の波長２００〜８５０ｎｍの範囲の分光透過率を
示す。
ミナ膜の波長２００〜８５０ｎｍの範囲の分光透過率を
示す。
【００１０】以上から、６００℃以上で加熱処理したア
ルミナ膜は、耐酸性が向上し、２００ｎｍ〜８５０ｎｍ
の波長範囲で透過率が８５％以上であることが分かっ
た。
ルミナ膜は、耐酸性が向上し、２００ｎｍ〜８５０ｎｍ
の波長範囲で透過率が８５％以上であることが分かっ
た。
【００１１】ところで、このような加熱処理後のアルミ
ナ膜上に配置される位相シフト層としては、スパッタ
法、ＣＶＤ法等により形成した二酸化珪素膜や塗布・焼
成法により形成したＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓ
ｓ：塗布性ガラス）膜等が好適である。
ナ膜上に配置される位相シフト層としては、スパッタ
法、ＣＶＤ法等により形成した二酸化珪素膜や塗布・焼
成法により形成したＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓ
ｓ：塗布性ガラス）膜等が好適である。
【００１２】また、遮光性薄膜層としては、スパッタ法
等により形成したクロム、タンタル、珪化モリブデン
等、又は、それらの酸化物、窒化物、酸化窒化物を主体
とした単層もしくは複合層が好適である。
等により形成したクロム、タンタル、珪化モリブデン
等、又は、それらの酸化物、窒化物、酸化窒化物を主体
とした単層もしくは複合層が好適である。
【００１３】すなわち、本発明の位相シフトフォトマス
クブランクは、透明基板上に少なくともエッチングスト
ップ層と位相シフト層を備えた位相シフトフォトマスク
ブランクにおいて、前記のエッチングストップ層が、ス
パッタ法で形成された後に酸化性雰囲気中で６００℃以
上の加熱処理を施されたアルミナ膜からなることを特徴
とするものである。
クブランクは、透明基板上に少なくともエッチングスト
ップ層と位相シフト層を備えた位相シフトフォトマスク
ブランクにおいて、前記のエッチングストップ層が、ス
パッタ法で形成された後に酸化性雰囲気中で６００℃以
上の加熱処理を施されたアルミナ膜からなることを特徴
とするものである。
【００１４】
【００１５】なお、本発明の位相シフトフォトマスクは
このような位相シフトフォトマスクブランクの位相シフ
ト層の一部を選択的に除去して位相シフトパターンが形
成されてなるものである。
このような位相シフトフォトマスクブランクの位相シフ
ト層の一部を選択的に除去して位相シフトパターンが形
成されてなるものである。
【００１６】
【作用】本発明においては、エッチングストップ層が、
スパッタ法で形成された後に酸化性雰囲気中で６００℃
以上の加熱処理を施されたアルミナ膜からなるので、エ
ッチングストップ層が耐酸性に優れ、かつ、紫外域から
可視域において透過性に優れたものとなる。したがっ
て、位相シフトフォトマスクを製造する際、通常の酸洗
浄法を適用でき、欠陥の少ない位相シフトフォトマスク
を製造することができる。しかも、超高圧水銀ランプの
ｉ線を用いた露光装置ばかりではなく、フッ化クリプト
ン・エキシマレーザーを用いた露光装置にも適用可能な
位相シフトフォトマスクが構成できる。
スパッタ法で形成された後に酸化性雰囲気中で６００℃
以上の加熱処理を施されたアルミナ膜からなるので、エ
ッチングストップ層が耐酸性に優れ、かつ、紫外域から
可視域において透過性に優れたものとなる。したがっ
て、位相シフトフォトマスクを製造する際、通常の酸洗
浄法を適用でき、欠陥の少ない位相シフトフォトマスク
を製造することができる。しかも、超高圧水銀ランプの
ｉ線を用いた露光装置ばかりではなく、フッ化クリプト
ン・エキシマレーザーを用いた露光装置にも適用可能な
位相シフトフォトマスクが構成できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の位相シフトフォトマスクブラ
ンク及び位相シフトフォトマスクの実施例を図面を参照
にして説明する。図１及び図２は、それぞれ本発明によ
って製造されるフォトマスクブランクとフォトマスクを
示す断面図である。図１（ａ）は、位相シフト層が遮光
層の下にある下シフタ型のブランクである。このブラン
クを製造するには、石英基板１上にアルミナをＲＦマグ
ネトロンスパッタ法により約１００ｎｍ成膜し、焼成炉
等で酸化性雰囲気中６００℃以上に加熱してアルミナ膜
２を形成し、次に、アルミナ膜２上に位相シフト層３と
なるＳＯＧ（スピン・オン・グラス：塗布性ガラス）材
を回転塗布し、次いで、オーブン等で焼成して、３８０
〜４３０ｎｍ厚のＳＯＧ膜３を形成し、遮光層４である
クロム膜をスパッタ法により成膜し、同図（ａ）に示す
下シフタ型のブランクが完成する。また、図１（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）は、本発明によるブランクの別の実施例
で、それぞれ位相シフト層が遮光層の上にある上シフタ
型、ハーフトーン型、透過型のブランクである。同図
（ｂ）の場合は、石英基板１上に同図（ａ）と同様にし
てアルミナ膜２が設けられ、その上に直接遮光層４又は
半透過性層５が設けられている。同図（ｃ）の場合は、
石英基板１上に同図（ａ）と同様にしてアルミナ膜２が
設けられ、その上に位相シフト層３、半透過性層５がこ
の順に成膜されている。さらに、同図（ｄ）の場合は、
石英基板１上に同図（ａ）と同様にしてアルミナ膜２が
設けられ、その上に位相シフト層３が設けられている。
ンク及び位相シフトフォトマスクの実施例を図面を参照
にして説明する。図１及び図２は、それぞれ本発明によ
って製造されるフォトマスクブランクとフォトマスクを
示す断面図である。図１（ａ）は、位相シフト層が遮光
層の下にある下シフタ型のブランクである。このブラン
クを製造するには、石英基板１上にアルミナをＲＦマグ
ネトロンスパッタ法により約１００ｎｍ成膜し、焼成炉
等で酸化性雰囲気中６００℃以上に加熱してアルミナ膜
２を形成し、次に、アルミナ膜２上に位相シフト層３と
なるＳＯＧ（スピン・オン・グラス：塗布性ガラス）材
を回転塗布し、次いで、オーブン等で焼成して、３８０
〜４３０ｎｍ厚のＳＯＧ膜３を形成し、遮光層４である
クロム膜をスパッタ法により成膜し、同図（ａ）に示す
下シフタ型のブランクが完成する。また、図１（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）は、本発明によるブランクの別の実施例
で、それぞれ位相シフト層が遮光層の上にある上シフタ
型、ハーフトーン型、透過型のブランクである。同図
（ｂ）の場合は、石英基板１上に同図（ａ）と同様にし
てアルミナ膜２が設けられ、その上に直接遮光層４又は
半透過性層５が設けられている。同図（ｃ）の場合は、
石英基板１上に同図（ａ）と同様にしてアルミナ膜２が
設けられ、その上に位相シフト層３、半透過性層５がこ
の順に成膜されている。さらに、同図（ｄ）の場合は、
石英基板１上に同図（ａ）と同様にしてアルミナ膜２が
設けられ、その上に位相シフト層３が設けられている。
【００１８】さらに、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）に、それぞれ図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）のブランクを用いて製造された位相シフトフォト
マスクの完成断面図を示す。これらの詳細な作用は周知
であるので、説明は省く。
（ｄ）に、それぞれ図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）のブランクを用いて製造された位相シフトフォト
マスクの完成断面図を示す。これらの詳細な作用は周知
であるので、説明は省く。
【００１９】次に、図３及び図４に、それぞれ図２
（ａ）及び（ｂ）の位相シフトフォトマスクの製造工程
を説明するための断面図を示す。
（ａ）及び（ｂ）の位相シフトフォトマスクの製造工程
を説明するための断面図を示す。
【００２０】図３（ａ）に示すように、図１（ａ）のブ
ランク上に通常の電離放射線レジストを塗布し、電子線
露光装置等の電離放射線によって所定のパターンを描画
露光し、現像、リンスして、レジストパターン１６を形
成する。次に、レジストパターン１６の開口部より露出
するクロム膜４をドライ又はウェットエッチングして、
クロムパターン１４を形成後、レジストパターン１６を
剥離する（図３（ｂ））。次いで、クロムパターン１４
上に電離放射線レジスト等を塗布し、常法に従ってクロ
ムパターン１４とのアライメントを行った後、露光、現
象してレジストパターン１７を形成する（図３
（ｃ））。次に、位相シフト層３のドライ又はウェット
エッチングを行い、レジストパターン１７を剥離するこ
とにより、図２（ａ）に示すような位相シフトパターン
１３を有する位相シフトフォトマスクが完成する。
ランク上に通常の電離放射線レジストを塗布し、電子線
露光装置等の電離放射線によって所定のパターンを描画
露光し、現像、リンスして、レジストパターン１６を形
成する。次に、レジストパターン１６の開口部より露出
するクロム膜４をドライ又はウェットエッチングして、
クロムパターン１４を形成後、レジストパターン１６を
剥離する（図３（ｂ））。次いで、クロムパターン１４
上に電離放射線レジスト等を塗布し、常法に従ってクロ
ムパターン１４とのアライメントを行った後、露光、現
象してレジストパターン１７を形成する（図３
（ｃ））。次に、位相シフト層３のドライ又はウェット
エッチングを行い、レジストパターン１７を剥離するこ
とにより、図２（ａ）に示すような位相シフトパターン
１３を有する位相シフトフォトマスクが完成する。
【００２１】また、図４（ａ）に示すように、図１
（ｂ）のブランク上に、レジストパターン１６を形成し
た後、クロム膜４を選択エッチングして、レジストパタ
ーン１６の剥離を行い（図４（ｂ））、図４（ｃ）のよ
うに位相シフト層３を形成し、さらに、その上にレジス
トパターン１７を形成（図４（ｄ））後、位相シフト層
３をドライ又はウェットエッチングを行い、レジストパ
ターン１７を剥離することにより、図２（ｂ）に示すよ
うな位相シフトパターン１３を有する上シフタ型位相シ
フトフォトマスクが完了する。
（ｂ）のブランク上に、レジストパターン１６を形成し
た後、クロム膜４を選択エッチングして、レジストパタ
ーン１６の剥離を行い（図４（ｂ））、図４（ｃ）のよ
うに位相シフト層３を形成し、さらに、その上にレジス
トパターン１７を形成（図４（ｄ））後、位相シフト層
３をドライ又はウェットエッチングを行い、レジストパ
ターン１７を剥離することにより、図２（ｂ）に示すよ
うな位相シフトパターン１３を有する上シフタ型位相シ
フトフォトマスクが完了する。
【００２２】図２（ｃ）及び（ｄ）に示した位相シフト
フォトマスクもほぼ同様に製造することができる。
フォトマスクもほぼ同様に製造することができる。
【００２３】以上、本発明の位相シフトフォトマスクブ
ランク及び位相シフトフォトマスクをいくつかの実施例
に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限
定されず種々の変形が可能である。
ランク及び位相シフトフォトマスクをいくつかの実施例
に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限
定されず種々の変形が可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、位相シフトフォトマスクのエッチングストッ
プ層が、スパッタ法で形成された後に酸化性雰囲気中で
６００℃以上の加熱処理を施されたアルミナ膜からなる
ので、エッチングストップ層が耐酸性に優れ、かつ、紫
外域から可視域において透過性に優れたものとなる。し
たがって、位相シフトフォトマスクを製造する際、通常
の酸洗浄法を適用でき、欠陥の少ない位相シフトフォト
マスクを製造することができる。しかも、超高圧水銀ラ
ンプのｉ線を用いた露光装置ばかりではなく、フッ化ク
リプトン・エキシマレーザーを用いた露光装置にも適用
可能な位相シフトフォトマスクが構成できるので、ＬＳ
Ｉ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路や高速素子の製造にお
いて、より微細パターンが高歩留まりで形成でき、その
ため、より高性能な集積回路や高速素子を高歩留まりで
製造することができる。
によると、位相シフトフォトマスクのエッチングストッ
プ層が、スパッタ法で形成された後に酸化性雰囲気中で
６００℃以上の加熱処理を施されたアルミナ膜からなる
ので、エッチングストップ層が耐酸性に優れ、かつ、紫
外域から可視域において透過性に優れたものとなる。し
たがって、位相シフトフォトマスクを製造する際、通常
の酸洗浄法を適用でき、欠陥の少ない位相シフトフォト
マスクを製造することができる。しかも、超高圧水銀ラ
ンプのｉ線を用いた露光装置ばかりではなく、フッ化ク
リプトン・エキシマレーザーを用いた露光装置にも適用
可能な位相シフトフォトマスクが構成できるので、ＬＳ
Ｉ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路や高速素子の製造にお
いて、より微細パターンが高歩留まりで形成でき、その
ため、より高性能な集積回路や高速素子を高歩留まりで
製造することができる。
【図１】本発明による位相フォトマスクブランクの断面
図である。
図である。
【図２】本発明による位相フォトマスクの断面図であ
る。
る。
【図３】図２（ａ）の位相シフトフォトマスクの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図４】図２（ｂ）の位相シフトフォトマスクの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図５】本発明によるアルミナ膜のエッチ速度の焼成温
度による変化を示す図である。
度による変化を示す図である。
【図６】本発明によるアルミナ膜の分光透過率を示す図
である。
である。
１…基板 ２…アルミナ膜 ３…位相シフト層 ４…遮光層 ５…半透過性層 １３…位相シフトパターン １４…クロムパターン １５…パターニングされた半透過性層 １６、１７…レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくともエッチングスト
ップ層と位相シフト層を備えた位相シフトフォトマスク
ブランクにおいて、前記のエッチングストップ層が、ス
パッタ法で形成された後に酸化性雰囲気中で６００℃以
上の加熱処理を施されたアルミナ膜からなることを特徴
とする位相シフトフォトマスクブランク。 - 【請求項２】 請求項１記載の位相シフトフォトマスク
ブランクの位相シフト層の一部を選択的に除去して位相
シフトパターンが形成されてなることを特徴とする位相
シフトフォトマスク。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22240592A JP3225102B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 位相シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク |
| US08/102,488 US5419988A (en) | 1992-08-07 | 1993-08-05 | Photomask blank and phase shift photomask |
| DE69328140T DE69328140T2 (de) | 1992-08-07 | 1993-08-06 | Blankophotomaske und Phasenverschiebungsmaske |
| EP93112647A EP0582308B1 (en) | 1992-08-07 | 1993-08-06 | Photomask blank and phase shift photomask |
| KR1019930015326A KR100306861B1 (ko) | 1992-08-07 | 1993-08-06 | 포토마스크블랭크및위상쉬프트포토마스크 |
| KR1020010023857A KR100317211B1 (ko) | 1992-08-07 | 2001-05-02 | 포토마스크 블랭크 및 위상쉬프트 포토마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22240592A JP3225102B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 位相シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0667406A JPH0667406A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3225102B2 true JP3225102B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=16781867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22240592A Expired - Fee Related JP3225102B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-21 | 位相シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225102B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2791757B2 (ja) * | 1995-06-30 | 1998-08-27 | エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド | 半導体マスク及びその製造方法 |
| JP6312260B2 (ja) * | 2014-11-02 | 2018-04-18 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 光学素子 |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP22240592A patent/JP3225102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0667406A (ja) | 1994-03-11 |
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