JPH05204130A - レチクル及びマスクとその製造方法 - Google Patents
レチクル及びマスクとその製造方法Info
- Publication number
- JPH05204130A JPH05204130A JP1247692A JP1247692A JPH05204130A JP H05204130 A JPH05204130 A JP H05204130A JP 1247692 A JP1247692 A JP 1247692A JP 1247692 A JP1247692 A JP 1247692A JP H05204130 A JPH05204130 A JP H05204130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- glass substrate
- resist film
- reticle
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，レチクル及びマスクの製造方法，
特に位相シフトパターンの形成方法に関し，位相法を用
いたレチクル及びマスクのよりよい製造方法の開発を目
的とする。 【構成】 位相シフト法を利用したレチクル及びマスク
において，シフター層３がガラス基板１上のマスクパタ
ーン２と反対面に形成されてなるように，また，前記シ
フター層３が前記ガラス基板１上に透明膜により形成さ
れてなるように，或いは，前記シフター層３が前記ガラ
ス基板１を途中までエッチングして形成されてなるよう
に構成する。
特に位相シフトパターンの形成方法に関し，位相法を用
いたレチクル及びマスクのよりよい製造方法の開発を目
的とする。 【構成】 位相シフト法を利用したレチクル及びマスク
において，シフター層３がガラス基板１上のマスクパタ
ーン２と反対面に形成されてなるように，また，前記シ
フター層３が前記ガラス基板１上に透明膜により形成さ
れてなるように，或いは，前記シフター層３が前記ガラ
ス基板１を途中までエッチングして形成されてなるよう
に構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，レチクル及びマスクの
製造方法，特に位相シフトパターンの形成方法に関す
る。
製造方法，特に位相シフトパターンの形成方法に関す
る。
【０００２】近年，ＬＳＩパターンの微細化に伴い，レ
チクル及びマスクを用いたパターンの転写方法において
も，ステッパ等パターン解像度の限界があり，今後のパ
ターン形成において，高度なリソグラフィ技術を用いた
ステッパの限界以上の微細パターンが要求されておりま
す。
チクル及びマスクを用いたパターンの転写方法において
も，ステッパ等パターン解像度の限界があり，今後のパ
ターン形成において，高度なリソグラフィ技術を用いた
ステッパの限界以上の微細パターンが要求されておりま
す。
【０００３】
【従来の技術】図５は従来例の説明図である。図におい
て，11はガラス基板, 12はクロムマスクパターン, 13は
レジスト膜シフター層である。
て，11はガラス基板, 12はクロムマスクパターン, 13は
レジスト膜シフター層である。
【０００４】図５（ａ）に示すような，従来のガラス基
板11上に形成されるクロムマスクパターン12からなるＬ
ＳＩパターンにおいては，ステッパの解像度がＬＳＩパ
ターンの微細度より上回っていた事や，それほどの微細
化が従来は必要なかった為，ステッパの解像度以上のパ
ターンは余り要求されなかった。
板11上に形成されるクロムマスクパターン12からなるＬ
ＳＩパターンにおいては，ステッパの解像度がＬＳＩパ
ターンの微細度より上回っていた事や，それほどの微細
化が従来は必要なかった為，ステッパの解像度以上のパ
ターンは余り要求されなかった。
【０００５】そのため，図５（ｂ）に示すように，レチ
クル上の光の振幅はウエハ上では図のようになり，ウエ
ハ上での光強度の差が小さくなるので，周辺がだれて寸
法精度がでない。
クル上の光の振幅はウエハ上では図のようになり，ウエ
ハ上での光強度の差が小さくなるので，周辺がだれて寸
法精度がでない。
【０００６】そのため，図５（ｃ）に示すような，微細
パターン形成に最近用いられている位相シフト法を用い
てのレチクル作製方法では，図５（ｄ）に示すように，
レジスト膜シフター層13によりレチクル上の光の振幅
が, 180 °位相がずれるため,ウエハ上のパターン露光
時にマスクパターン12のエッジがシャープとなり, 解像
度は向上するが, 用いるレジスト膜シフター層13の強度
等に問題があった。
パターン形成に最近用いられている位相シフト法を用い
てのレチクル作製方法では，図５（ｄ）に示すように，
レジスト膜シフター層13によりレチクル上の光の振幅
が, 180 °位相がずれるため,ウエハ上のパターン露光
時にマスクパターン12のエッジがシャープとなり, 解像
度は向上するが, 用いるレジスト膜シフター層13の強度
等に問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って，ＬＳＩパター
ンのステッパ解像度以上のパターンの微細化が今まで困
難とされてきたが，本発明では，以上の問題点を鑑み，
微細パターン形成のために，位相法を用いたレチクル及
びマスクのよりよい製造方法を開発することを目的とす
る。
ンのステッパ解像度以上のパターンの微細化が今まで困
難とされてきたが，本発明では，以上の問題点を鑑み，
微細パターン形成のために，位相法を用いたレチクル及
びマスクのよりよい製造方法を開発することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１はガラス基板，２はマスクパ
ターン，３はシフター層である。
図である。図において，１はガラス基板，２はマスクパ
ターン，３はシフター層である。
【０００９】上記の問題点を解決するために，本発明に
おいては，位相シフトのためのシフター層３が，従来は
マスク基板１上のマスクパターン２と同一面に形成され
ていたものを，マスクパターン２とは反対の面に作成す
る事により，図１に示すように，露光パターンの微細化
が容易に実現され，位相シフト法によるレチクル及びマ
スクの製造方法を現実的なものとしている。
おいては，位相シフトのためのシフター層３が，従来は
マスク基板１上のマスクパターン２と同一面に形成され
ていたものを，マスクパターン２とは反対の面に作成す
る事により，図１に示すように，露光パターンの微細化
が容易に実現され，位相シフト法によるレチクル及びマ
スクの製造方法を現実的なものとしている。
【００１０】即ち，本発明の目的は，図１に示すよう
に，位相シフト法を利用したレチクル及びマスクにおい
て，シフター層３がガラス基板１上のマスクパターン２
と反対面に形成されてなることにより，また，図１
（ａ）に示すように，前記シフター層３が前記ガラス基
板１上に透明膜により形成されてなることにより，或い
は，図１（ｂ）に示すように，前記シフター層３が前記
ガラス基板１を途中までエッチングして形成されてなる
ことにより,図１（ｃ）に示すように，マスクパターン
エッジでの光の強弱がはっきりして微細パターンの形成
が達成される。
に，位相シフト法を利用したレチクル及びマスクにおい
て，シフター層３がガラス基板１上のマスクパターン２
と反対面に形成されてなることにより，また，図１
（ａ）に示すように，前記シフター層３が前記ガラス基
板１上に透明膜により形成されてなることにより，或い
は，図１（ｂ）に示すように，前記シフター層３が前記
ガラス基板１を途中までエッチングして形成されてなる
ことにより,図１（ｃ）に示すように，マスクパターン
エッジでの光の強弱がはっきりして微細パターンの形成
が達成される。
【００１１】
【作用】本発明では，位相法を利用したレチクル及びマ
スクを作成するのに，位相するシフター層をガラス基板
上のマスクパターン面と反対の面に作成する事により，
パターン表面を保護膜で保護出来るなど，現実的な位相
シフト法によるレチクル及びマスクの作成を可能として
いる。
スクを作成するのに，位相するシフター層をガラス基板
上のマスクパターン面と反対の面に作成する事により，
パターン表面を保護膜で保護出来るなど，現実的な位相
シフト法によるレチクル及びマスクの作成を可能として
いる。
【００１２】
【実施例】図２〜図４は本発明の第１〜第３の実施例の
工程順模式断面図である。図において，１はガラス基
板，２はマスクパターン，３はシフト層，４はネガ型レ
ジスト膜，５は露光部，６は透明膜，７はポジ型レジス
ト膜，８は遮蔽膜，９はレジスト膜である。
工程順模式断面図である。図において，１はガラス基
板，２はマスクパターン，３はシフト層，４はネガ型レ
ジスト膜，５は露光部，６は透明膜，７はポジ型レジス
ト膜，８は遮蔽膜，９はレジスト膜である。
【００１３】第１の実施例としては，図２（ａ）〜
（ｄ）に示すように，従来方法によりガラス基板１上に
マスクパターン２を形成した後，図２（ｅ）に示すよう
に，該ガラス基板１の該マスクパターン２形成面の反対
側の面にネガ型レジスト膜４を塗布する。
（ｄ）に示すように，従来方法によりガラス基板１上に
マスクパターン２を形成した後，図２（ｅ）に示すよう
に，該ガラス基板１の該マスクパターン２形成面の反対
側の面にネガ型レジスト膜４を塗布する。
【００１４】そして，該マスクパターン２をマスクとし
て該ネガ型レジスト膜４を露光する。この場合，電子ビ
ーム用のネガ型レジスト膜４を用いれば，ガラス基板１
の裏面から，マスクパターン２を通さず，位置合わせに
より直接露光しても良い。
て該ネガ型レジスト膜４を露光する。この場合，電子ビ
ーム用のネガ型レジスト膜４を用いれば，ガラス基板１
の裏面から，マスクパターン２を通さず，位置合わせに
より直接露光しても良い。
【００１５】次に，図２（ｆ）に示すように，該ネガ型
レジスト膜４を現像して図２（ｇ）に示すように，マス
クパターン２と反対のパターンとなるシフター層３を形
成する。
レジスト膜４を現像して図２（ｇ）に示すように，マス
クパターン２と反対のパターンとなるシフター層３を形
成する。
【００１６】第２の実施例としては，図３（ａ）に示す
ように，ガラス基板１上にマスクパターン２を形成した
後，図３（ｂ）に示すように，ガラス基板１のマスクパ
ターン２形成面の反対側の面にシフター層３となる透明
膜６，例えば，二酸化シリコン膜等と，ネガ型レジスト
膜４を順次積層する。
ように，ガラス基板１上にマスクパターン２を形成した
後，図３（ｂ）に示すように，ガラス基板１のマスクパ
ターン２形成面の反対側の面にシフター層３となる透明
膜６，例えば，二酸化シリコン膜等と，ネガ型レジスト
膜４を順次積層する。
【００１７】そして，ガラス基板の表面より，マスクパ
ターン２をマスクとしてネガ型レジスト膜４を露光す
る。図３（ｃ）に示すように，ネガ型レジスト膜４を現
像する。
ターン２をマスクとしてネガ型レジスト膜４を露光す
る。図３（ｃ）に示すように，ネガ型レジスト膜４を現
像する。
【００１８】図３（ｄ）に示すように，ネガ型レジスト
膜４をマスクとして透明膜６をエッチングする。この
後，図３（ｅ）に示すように，ネガ型レジスト膜４を除
去してシフター層３を形成する。
膜４をマスクとして透明膜６をエッチングする。この
後，図３（ｅ）に示すように，ネガ型レジスト膜４を除
去してシフター層３を形成する。
【００１９】第３の実施例として，図４（ａ）に示すよ
うに，ガラス基板１上にマスクパターン２を形成する。
図４（ｂ）に示すように，ガラス基板１のマスクパター
ン２形成面の反対側の面にポジ型レジスト膜７を塗布す
る。
うに，ガラス基板１上にマスクパターン２を形成する。
図４（ｂ）に示すように，ガラス基板１のマスクパター
ン２形成面の反対側の面にポジ型レジスト膜７を塗布す
る。
【００２０】図４（ｃ）に示すように，マスクパターン
２をマスクとしてポジ型レジスト膜７を露光する。図４
（ｄ）に示すように，ポジ型レジスト膜７を現像する。
２をマスクとしてポジ型レジスト膜７を露光する。図４
（ｄ）に示すように，ポジ型レジスト膜７を現像する。
【００２１】図４（ｅ）に示すように，ポジ型レジスト
膜７をマスクとしてガラス基板１を途中まで，ガラス基
板の厚さがシフター層に必要な厚さになるまでエッチン
グする。
膜７をマスクとしてガラス基板１を途中まで，ガラス基
板の厚さがシフター層に必要な厚さになるまでエッチン
グする。
【００２２】図４（ｆ）に示すように，ポジ型レジスト
膜７を除去して，位相シフトレチクル或いは位相シフト
マスクが完成する。以上，三つの実施例において，シフ
ター層の厚さｄを露光波長λに対して，ｄ＝λ／２（ｎ
−１）に設定することにより，このレチクル及びマスク
を用いた位相シフト法によって半導体基板上にシャープ
な露光パターンを得ることができた。
膜７を除去して，位相シフトレチクル或いは位相シフト
マスクが完成する。以上，三つの実施例において，シフ
ター層の厚さｄを露光波長λに対して，ｄ＝λ／２（ｎ
−１）に設定することにより，このレチクル及びマスク
を用いた位相シフト法によって半導体基板上にシャープ
な露光パターンを得ることができた。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
位相シフト法によるレチクル及びマスクの作成を現実化
し，ＬＳＩパターンの縮小化，微細化，延いては大容量
化に寄与するところが大きい。
位相シフト法によるレチクル及びマスクの作成を現実化
し，ＬＳＩパターンの縮小化，微細化，延いては大容量
化に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第１の実施例の工程順模式断面図
【図３】 本発明の第２の実施例の工程順模式断面図
【図４】 本発明の第３の実施例の工程順模式断面図
【図５】 従来例の説明図
１ ガラス基板 ２ マスクパターン ３ シフター層 ４ ネガ型レジスト膜 ５ 露光部 ６ 透明膜 ７ ポジ型レジスト膜 ８ 遮蔽膜 ９ レジスト膜
Claims (6)
- 【請求項１】 位相シフト法を利用したレチクル及びマ
スクにおいて，シフター層(3) がガラス基板(1) 上のマ
スクパターン(2) と反対面に形成されてなることを特徴
とするレチクル及びマスク。 - 【請求項２】 前記シフター層(3) が前記ガラス基板
(1) 上に透明膜により形成されてなることを特徴とする
請求項１記載のレチクル及びマスク。 - 【請求項３】 前記シフター層(3) が前記ガラス基板
(1) を途中までエッチングして形成されてなることを特
徴とする請求項１記載のレチクル及びマスク。 - 【請求項４】 ガラス基板(1) 上にマスクパターン(2)
を形成する工程と,該ガラス基板(1) の該マスクパター
ン(2) 形成面の反対側の面にネガ型レジスト膜(4) を塗
布する工程と，該マスクパターン(2) をマスクとして該
ネガ型レジスト膜(4) を露光する工程と，該ネガ型レジ
スト膜(4) を現像してシフター層(3)を形成する工程と
を含むことを特徴とするレチクル及びマスクの製造方
法。 - 【請求項５】 ガラス基板(1) 上にマスクパターン(2)
を形成する工程と,該ガラス基板(1) のマスクパターン
(2) 形成面の反対側の面にシフター層(3)となる透明膜
(6) とネガ型レジスト膜(4) を順次積層する工程と，該
マスクパターン(2) をマスクとして該ネガ型レジスト膜
(4) を露光する工程と，該ネガ型レジスト膜(4) を現像
する工程と,該ネガ型レジスト膜(4) をマスクとして該
透明膜(6) をエッチングしてシフター層(3) を形成する
工程とを含むことを特徴とするレチクル及びマスクの製
造方法。 - 【請求項６】 ガラス基板(1) 上にマスクパターン(2)
を形成する工程と,該ガラス基板(1) のマスクパターン
(2) 形成面の反対側の面にポジ型レジスト膜(7) を塗布
する工程と，該マスクパターン(2) をマスクとして該ポ
ジ型レジスト膜(7) を露光する工程と，該ポジ型レジス
ト膜(7) を現像する工程と,該ポジ型レジスト膜(7) を
マスクとして該ガラス基板(1) を途中までエッチングし
てシフター層(3) を形成する工程とを含むことを特徴と
するレチクル及びマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1247692A JPH05204130A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | レチクル及びマスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1247692A JPH05204130A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | レチクル及びマスクとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05204130A true JPH05204130A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11806436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1247692A Withdrawn JPH05204130A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | レチクル及びマスクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05204130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100642399B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-11-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| JP2010190935A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク基板の作製方法 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP1247692A patent/JPH05204130A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100642399B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-11-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| JP2010190935A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク基板の作製方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |