JPH0467613A - 微細コンタクトホールの形成方法 - Google Patents
微細コンタクトホールの形成方法Info
- Publication number
- JPH0467613A JPH0467613A JP2180213A JP18021390A JPH0467613A JP H0467613 A JPH0467613 A JP H0467613A JP 2180213 A JP2180213 A JP 2180213A JP 18021390 A JP18021390 A JP 18021390A JP H0467613 A JPH0467613 A JP H0467613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- contact hole
- photomask
- resist
- transferred
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上等に形成されるコンタクトホーμ
の精度を良くするための微細コンタクトホーμの形成方
法に関するものである。
の精度を良くするための微細コンタクトホーμの形成方
法に関するものである。
最近、半導体デバイスが高集積化するに伴って最小加工
寸法の微小化が進み、パターンｔ−精度良く仕上げるの
が困難になって来た。特に、コンタクトホールパターン
は光学像のシミュレーションから本説明されるように、
焦点ずれ等による光学像の劣化が著しく、プロセスにも
余裕度が小さい０次に、従来のコンタクトホールの形成
工程を第２図と第３図に基づいて説明する。
寸法の微小化が進み、パターンｔ−精度良く仕上げるの
が困難になって来た。特に、コンタクトホールパターン
は光学像のシミュレーションから本説明されるように、
焦点ずれ等による光学像の劣化が著しく、プロセスにも
余裕度が小さい０次に、従来のコンタクトホールの形成
工程を第２図と第３図に基づいて説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、シリコン単結晶等よ
りなる基板（１）上に、例えば、シリコン酸化膜等の下
地膜（２）を形成し、塗布前ベーク等の塗布前処理を行
った後、スピンナー法等でレジスト（３）、この場合ポ
ジ型のレジストを産布する０次に第２図（ｂ）に示すよ
うに、所定パターン、この場合コンタクトホールパター
ンが形成されたフォトマスク（４）ｔ−介して紫外線（
５）を照射して、レシヌ）（３）Ｋパターンを転写する
。次に、第２図（Ｃ）に示すように現像処理することに
よって、露光された部分のレジスト（３）を除去し、レ
ジストパターン（６）を形成する。次に第２図（ｄ）に
示すように、例えば反応性イオンエツチング等により１
１元している下地膜（２）を選択的に除去する。これに
より、レジストパターン（６）が下地側に転写される。
りなる基板（１）上に、例えば、シリコン酸化膜等の下
地膜（２）を形成し、塗布前ベーク等の塗布前処理を行
った後、スピンナー法等でレジスト（３）、この場合ポ
ジ型のレジストを産布する０次に第２図（ｂ）に示すよ
うに、所定パターン、この場合コンタクトホールパター
ンが形成されたフォトマスク（４）ｔ−介して紫外線（
５）を照射して、レシヌ）（３）Ｋパターンを転写する
。次に、第２図（Ｃ）に示すように現像処理することに
よって、露光された部分のレジスト（３）を除去し、レ
ジストパターン（６）を形成する。次に第２図（ｄ）に
示すように、例えば反応性イオンエツチング等により１
１元している下地膜（２）を選択的に除去する。これに
より、レジストパターン（６）が下地側に転写される。
なお、この俊レジストパターン（６）はアッシング等に
よシ除去される〇ところでこのように、第２図（ｂ）で
ホトレジスト（３）にパターンを転写する際に使用する
フォトマスク＋４） Ｋ形成されているパターン、この
場合コンタクトホールパターン（４）はｊ１！３図（Ａ
）に示すように正方形となっている０このような正方形
のマスクを介して紫外線（５）を照射して形成されたレ
ジストパターン（６） ｒｉ、ｊ１！３図（Ｂ）に示す
ようにほぼ円形となる。
よシ除去される〇ところでこのように、第２図（ｂ）で
ホトレジスト（３）にパターンを転写する際に使用する
フォトマスク＋４） Ｋ形成されているパターン、この
場合コンタクトホールパターン（４）はｊ１！３図（Ａ
）に示すように正方形となっている０このような正方形
のマスクを介して紫外線（５）を照射して形成されたレ
ジストパターン（６） ｒｉ、ｊ１！３図（Ｂ）に示す
ようにほぼ円形となる。
従来の微細コンタクトホー〜の形成方法は以上のように
なされていたので、マスクに形成されているコンタクト
ホールパターンは第３図（蜀に示されているように正方
形で、しかし、このマスクを介して紫外線を照射し、レ
ジストパターンを形成さ−すると、微細コンタクトホー
μでは第３図（Ｂ）Ｋ示すようにほぼ円形となる。さら
に、このマスクを介して紫外＃！を照射してパターンを
転写させる際ニ焦点がずれると、レンズの収差等の影響
によシレジヌトパターンは第３図（Ｃ１で示すようにひ
し形となる。従って、パターンを転写する際の焦点スレ
ニよってコンタクトホール）（ターンの寸法がばらつき
、精度良く仕上げるのは困難であるという問題点があっ
た。
なされていたので、マスクに形成されているコンタクト
ホールパターンは第３図（蜀に示されているように正方
形で、しかし、このマスクを介して紫外線を照射し、レ
ジストパターンを形成さ−すると、微細コンタクトホー
μでは第３図（Ｂ）Ｋ示すようにほぼ円形となる。さら
に、このマスクを介して紫外＃！を照射してパターンを
転写させる際ニ焦点がずれると、レンズの収差等の影響
によシレジヌトパターンは第３図（Ｃ１で示すようにひ
し形となる。従って、パターンを転写する際の焦点スレ
ニよってコンタクトホール）（ターンの寸法がばらつき
、精度良く仕上げるのは困難であるという問題点があっ
た。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、微細コンタクトホールを精度良く仕上げ、プロ
セス余裕度を向上させる微細コンタクトホールの形成方
法を得ることを目的とする。
もので、微細コンタクトホールを精度良く仕上げ、プロ
セス余裕度を向上させる微細コンタクトホールの形成方
法を得ることを目的とする。
本発明に係る微細コンタクトホーｐの形成方法は、レジ
ストにパターンを転写する際に使用するフォトマスクの
コンタクトホールパターンの形状を８角形にする手段を
備えたものである０〔作用〕 本発明における８角形のコンタクトホールが形成された
フォトマスクは、微細コンタクトホールパターンを精度
良く形成させる０ 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図と第２図に基づいて説
明する。
ストにパターンを転写する際に使用するフォトマスクの
コンタクトホールパターンの形状を８角形にする手段を
備えたものである０〔作用〕 本発明における８角形のコンタクトホールが形成された
フォトマスクは、微細コンタクトホールパターンを精度
良く形成させる０ 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図と第２図に基づいて説
明する。
まず第２図（、）に示すように、シリコン単結晶等よシ
なる基板（１）上に例えばシリコン酸化膜等の下地膜（
２）を形成し、塗布前ベーク等の塗布前処理を行った後
、スピンナー法等でレンズ） （３） 、この場合ポジ
型レジストを塗布する。次に、第２図（ｂ）に示すよう
に所定パターン、この場合コンタクトホールパターンが
形成されたフォトマスク（４）ヲ介して、紫外線（５）
を照射してホトレジスト（３）にパターンを転写する。
なる基板（１）上に例えばシリコン酸化膜等の下地膜（
２）を形成し、塗布前ベーク等の塗布前処理を行った後
、スピンナー法等でレンズ） （３） 、この場合ポジ
型レジストを塗布する。次に、第２図（ｂ）に示すよう
に所定パターン、この場合コンタクトホールパターンが
形成されたフォトマスク（４）ヲ介して、紫外線（５）
を照射してホトレジスト（３）にパターンを転写する。
この時のフォトマスク（４）ｒｉ第１図（Ａ）に示され
ているように、コンタクトホールパターンの形状は８角
形となっている。次に、第２図（Ｃ）に示すよう１ｃ３
１ｔ像処理することによって、無光された部分のホトレ
ジスト（３） を除去し、レジストパターン（６）を形
成する。次に第２図（ｄ）に示すように、例えば反応性
イオンエツチング等によシ、籐出している下地膜（２）
全選択的に除去する。これにヨク、レジストパターン（
６）が下地側に転写される０なお、この後レジメトパタ
ーンはアッシング等により除去される０ 以上のような方法によシコンタクトホールパターン（４
）を形成嘔せると、レジストパターンは第１図（Ｂ）に
示すようにほぼ円形となる０さらに、前記マスク（４）
を介して紫外線を照射してパターンを転写する際、焦点
がずれても第１図（Ｃ）に示すようにほぼ円形となる。
ているように、コンタクトホールパターンの形状は８角
形となっている。次に、第２図（Ｃ）に示すよう１ｃ３
１ｔ像処理することによって、無光された部分のホトレ
ジスト（３） を除去し、レジストパターン（６）を形
成する。次に第２図（ｄ）に示すように、例えば反応性
イオンエツチング等によシ、籐出している下地膜（２）
全選択的に除去する。これにヨク、レジストパターン（
６）が下地側に転写される０なお、この後レジメトパタ
ーンはアッシング等により除去される０ 以上のような方法によシコンタクトホールパターン（４
）を形成嘔せると、レジストパターンは第１図（Ｂ）に
示すようにほぼ円形となる０さらに、前記マスク（４）
を介して紫外線を照射してパターンを転写する際、焦点
がずれても第１図（Ｃ）に示すようにほぼ円形となる。
従って、パターンを転写する際に焦点がずれても、コン
タクトホーμの寸法のばらつきは小さいためプロセス余
裕度が向上する効果がある０〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、８角形コンタクトホール
が形成されたフォトマスクを介して紫外線を照射してパ
ターンを転写することにより、微細なコンタクトホール
パターンを精度良＜仕上ケる効果がある。
タクトホーμの寸法のばらつきは小さいためプロセス余
裕度が向上する効果がある０〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、８角形コンタクトホール
が形成されたフォトマスクを介して紫外線を照射してパ
ターンを転写することにより、微細なコンタクトホール
パターンを精度良＜仕上ケる効果がある。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例であるフォトマスク上
に形成された１つのコンタクトホールパターンを真上か
ら見た図、第１図ＣＢ）は第１図（Ａ）のフォトマスク
を使用した際のベストフォーカス時のパターン形状を真
上から見た図、第１図（Ｃ１は第１図（Ａ）のフォトマ
スクを使用した際のデフォーカス時のパターン形状を真
上から見た図、第２図（ａ）〜（ｄｌは本発明および従
来共通のパターン形成工程を示す断面図、第３図（Ａ）
は従来のフォトマスク上に形成された１つのコンタクト
ホールパターンヲ真上から見た図、Ｎ３図（Ｂ）は第３
図（Ａｌのフォトマスクを使用した際のベストフォーカ
ス時のパターン形状を真上から見た図、第３図（Ｃｏｒ
ｉ第３図（Ａｌのフォトマスクを使用した隙のデフォー
カス時のパターン形状を真上から見た図である。 図において、（４）はコンタクトホールパターン、（６
）はレジストパターンを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
に形成された１つのコンタクトホールパターンを真上か
ら見た図、第１図ＣＢ）は第１図（Ａ）のフォトマスク
を使用した際のベストフォーカス時のパターン形状を真
上から見た図、第１図（Ｃ１は第１図（Ａ）のフォトマ
スクを使用した際のデフォーカス時のパターン形状を真
上から見た図、第２図（ａ）〜（ｄｌは本発明および従
来共通のパターン形成工程を示す断面図、第３図（Ａ）
は従来のフォトマスク上に形成された１つのコンタクト
ホールパターンヲ真上から見た図、Ｎ３図（Ｂ）は第３
図（Ａｌのフォトマスクを使用した際のベストフォーカ
ス時のパターン形状を真上から見た図、第３図（Ｃｏｒ
ｉ第３図（Ａｌのフォトマスクを使用した隙のデフォー
カス時のパターン形状を真上から見た図である。 図において、（４）はコンタクトホールパターン、（６
）はレジストパターンを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上等に微細コンタクトホールパターンを形
成させる方法において、レジストにパターンを転写する
際にコンタクトホールが８角形に形成されているフォト
マスクによりコンタクトホールパターンを形成させるこ
とを特徴とする微細コンタクトホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2180213A JPH0467613A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 微細コンタクトホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2180213A JPH0467613A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 微細コンタクトホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467613A true JPH0467613A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16079380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2180213A Pending JPH0467613A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 微細コンタクトホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467613A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6445113B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-09-03 | Nec Corporation | Field emission cold cathode device and method of manufacturing the same |
| GB2387239A (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-08 | Zarlink Semiconductor Ltd | Improvements in reticles in MEMS and IC processes |
| WO2004077156A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Fujitsu Limited | フォトマスク及びその作製方法並びにパターン形成方法 |
| CN110456429A (zh) * | 2018-05-03 | 2019-11-15 | 采钰科技股份有限公司 | 形成微镜头阵列的方法以及光遮罩 |
| US20220390828A1 (en) * | 2021-06-07 | 2022-12-08 | United Microelectronics Corp. | Method of making mask pattern and method of forming pattern in layer |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP2180213A patent/JPH0467613A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6445113B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-09-03 | Nec Corporation | Field emission cold cathode device and method of manufacturing the same |
| GB2387239A (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-08 | Zarlink Semiconductor Ltd | Improvements in reticles in MEMS and IC processes |
| EP1351095A2 (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-08 | Zarlink Semiconductor Limited | Reticles for MEMS and IC processes |
| EP1351095A3 (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-15 | Zarlink Semiconductor Limited | Reticles for mems and ic processes |
| WO2004077156A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Fujitsu Limited | フォトマスク及びその作製方法並びにパターン形成方法 |
| JPWO2004077156A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2006-06-08 | 富士通株式会社 | フォトマスク及びその作製方法並びにパターン形成方法 |
| US7598005B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-10-06 | Fujitsu Microelectronics Limited | Photomask and manufacturing method of the same, and pattern forming method |
| JP4494221B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2010-06-30 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク及びその作製方法並びにパターン形成方法 |
| CN110456429A (zh) * | 2018-05-03 | 2019-11-15 | 采钰科技股份有限公司 | 形成微镜头阵列的方法以及光遮罩 |
| US20220390828A1 (en) * | 2021-06-07 | 2022-12-08 | United Microelectronics Corp. | Method of making mask pattern and method of forming pattern in layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6563568B2 (en) | Multiple image reticle for forming layers | |
| US7494749B2 (en) | Photolithography using interdependent binary masks | |
| JP4613364B2 (ja) | レジストパタン形成方法 | |
| US20020004175A1 (en) | Generic phase shift masks | |
| US6306558B1 (en) | Method of forming small contact holes using alternative phase shift masks and negative photoresist | |
| JPH0467613A (ja) | 微細コンタクトホールの形成方法 | |
| JPS59160144A (ja) | ホトマスク | |
| JPH05243115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0815848A (ja) | フォトレチクル | |
| KR20050016152A (ko) | 설계 패턴의 작성 방법, 포토 마스크의 제조 방법,레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2693805B2 (ja) | レチクル及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH0845810A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0580492A (ja) | 位相シフト層を有するフオトマスクの製造方法 | |
| JPH04304452A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
| KR100855264B1 (ko) | 포토 공정 마진 개선방법 | |
| KR100728947B1 (ko) | 반도체소자용 레티클을 이용한 노광방법 | |
| JPH04214559A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH05204130A (ja) | レチクル及びマスクとその製造方法 | |
| JPH04237053A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
| JP2900700B2 (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPS58101427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5825234A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS607431A (ja) | 半導体装置製造用レチクル | |
| JPH03172848A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPH02281725A (ja) | 投影露光装置 |