JPS59160144A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS59160144A JPS59160144A JP58034537A JP3453783A JPS59160144A JP S59160144 A JPS59160144 A JP S59160144A JP 58034537 A JP58034537 A JP 58034537A JP 3453783 A JP3453783 A JP 3453783A JP S59160144 A JPS59160144 A JP S59160144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- mask
- light
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はホトマスクに係夛、特に、高い段差をもった被
パターン形成物のパターン形成に好適なホトマスクに関
する。
パターン形成物のパターン形成に好適なホトマスクに関
する。
従来のホトマ７りはｌ平面上にのみ遮光パターンが形成
されているため、高い段差をもった被パターン形成物上
にパターンを形成する場合、段差部の上部あるいは下部
のどちらがか結像不良となシ、完全なパターンが形成さ
れない欠点があった。
されているため、高い段差をもった被パターン形成物上
にパターンを形成する場合、段差部の上部あるいは下部
のどちらがか結像不良となシ、完全なパターンが形成さ
れない欠点があった。
本発明の目的は上述した欠点を解消したホトマスクを提
供することにある。
供することにある。
上聞の目的を達成するために本発明においては、被パタ
ーン形成物の段差に相当する高低差を２枚の遮光パター
ン平面間の間隔とし、かつ、平行に設定すること、るる
いは被パターン形成物の表面と相似な３次元面にパター
ンを形成することによシ、段差用のホトマスクを構成し
たことを特徴としている。かかる本発明の特徴的な構成
により前述した従来の欠点を全て解消したホトマスク及
びパターン形成を提供できるようになった。
ーン形成物の段差に相当する高低差を２枚の遮光パター
ン平面間の間隔とし、かつ、平行に設定すること、るる
いは被パターン形成物の表面と相似な３次元面にパター
ンを形成することによシ、段差用のホトマスクを構成し
たことを特徴としている。かかる本発明の特徴的な構成
により前述した従来の欠点を全て解消したホトマスク及
びパターン形成を提供できるようになった。
以下、本発明の実施例を第１図から第５図を用いて説明
する。第１図は本発明によるホトマスクの構成及びこの
マスクを用いて縮小投影露光法によってパターンを形成
する場合を説明するための概略図である。
する。第１図は本発明によるホトマスクの構成及びこの
マスクを用いて縮小投影露光法によってパターンを形成
する場合を説明するための概略図である。
第１図において、２枚の１０倍原画であるホトマスク１
．３が被パターン形成物７の段差高さｄ、に相当する間
隙ｄｒを決定する枠２がら構成される本発明によるホト
マスク４（以下、ここではレティクルと呼ぶ）、Ｎ倍縮
小レンズ５、露光光、１ｉＩｉ１８、及び被パターン形
成物７で縮小投影露光が行われる。この時、被バター／
形成物７上の段差ｄ、よシンティクル４上の間隙ｄｒは
次式とする必要がおる。
．３が被パターン形成物７の段差高さｄ、に相当する間
隙ｄｒを決定する枠２がら構成される本発明によるホト
マスク４（以下、ここではレティクルと呼ぶ）、Ｎ倍縮
小レンズ５、露光光、１ｉＩｉ１８、及び被パターン形
成物７で縮小投影露光が行われる。この時、被バター／
形成物７上の段差ｄ、よシンティクル４上の間隙ｄｒは
次式とする必要がおる。
例えば、１／１０縮小投影蕗光法を用い、被パターン形
成物７上の段差を１０μｍとすると、ｄｒは１ｍが必要
となる。また、レティクル４での間隙の公差は焦点深度
の１００倍となυ、レティクル４での２つのパターン間
隙及び平行度の許容量は大きくて揖み、容易に形成され
る。上記のレティクル４を縮小投影露光装置のレティク
ル装着治具９に設定し、ＵＶ光あるいは可視領域の短波
長光で構成される露光光線８によシ縮小投影膝元を行う
。これにより、段差をもつ被パターン形成物７上に段差
の上部及び下部にレティクル４のバタ、−ンを合焦点状
態で結像でき、レジスト潜像バク、−７６を形成するこ
とができる。
成物７上の段差を１０μｍとすると、ｄｒは１ｍが必要
となる。また、レティクル４での間隙の公差は焦点深度
の１００倍となυ、レティクル４での２つのパターン間
隙及び平行度の許容量は大きくて揖み、容易に形成され
る。上記のレティクル４を縮小投影露光装置のレティク
ル装着治具９に設定し、ＵＶ光あるいは可視領域の短波
長光で構成される露光光線８によシ縮小投影膝元を行う
。これにより、段差をもつ被パターン形成物７上に段差
の上部及び下部にレティクル４のバタ、−ンを合焦点状
態で結像でき、レジスト潜像バク、−７６を形成するこ
とができる。
本発明は上記以外にも、第２図から第４図のような構成
のホトマスクが考えられる。第２図は、１枚のガラスブ
ランク１００両面に必要なパターンを形成したものを示
す。この場合、ガラスブランク１０の厚さは、被パター
ン形成物の段差の高さ及びガラスの密度から決定される
。第３図は、必要な段差量をエツチング手段で加工し、
その中にパターンを形成したガラスマスク１１と凹部分
をガバーするごとく別のパターンを形成した平坦なガラ
スマスク１２刀）らＭ’４成したホトマスクを示す。第
４図は第２図に枠１３及びカバーガラス１３により両面
のパターンをゴミあるいは異物付着から逃れるように構
成したホトマスクを示す。
のホトマスクが考えられる。第２図は、１枚のガラスブ
ランク１００両面に必要なパターンを形成したものを示
す。この場合、ガラスブランク１０の厚さは、被パター
ン形成物の段差の高さ及びガラスの密度から決定される
。第３図は、必要な段差量をエツチング手段で加工し、
その中にパターンを形成したガラスマスク１１と凹部分
をガバーするごとく別のパターンを形成した平坦なガラ
スマスク１２刀）らＭ’４成したホトマスクを示す。第
４図は第２図に枠１３及びカバーガラス１３により両面
のパターンをゴミあるいは異物付着から逃れるように構
成したホトマスクを示す。
第５図は第１図で使用したホトマスク４の製作手順につ
いて述べたものである。本発明のホトマスクは２層構造
になっているが、これらのパターンは投影り光時に一体
のパターンである必要があシ、その精度も通常のホトマ
スクと同様な高精度が必要である。このため、通常のパ
ターン形成手段（レジスト潜像型のパターン形成法）で
は位置ずれが大きくなり、直接加工型のレーザパターン
ジェネレータが最も適している。第５図（ａ）はガラス
ブランク１．３に遮光膜を蒸着しだホトマスクブランク
１６を示している。レーザパターンジェネレータにより
（ｂ）図のごとく上部のガラスブランク１をレーザビ
ーム１５で直接パターン形成を行う。パターン形成後、
（Ｃ）図のごとく下部のガラスブランク３に下部パター
ン形成のだめの基準マークを形成する。同、レーザビー
ム１５は上部のレーザ加工によって遮光膜が除かれた部
分を通して下部の遮光膜に結像される。基準マーク形成
後、（ｄ）図のごとく、試料を裏返しにし、上記に形成
された基準マークに従って未形成部のパターンを形成し
、所望のホトマスク４を形成することができる。
いて述べたものである。本発明のホトマスクは２層構造
になっているが、これらのパターンは投影り光時に一体
のパターンである必要があシ、その精度も通常のホトマ
スクと同様な高精度が必要である。このため、通常のパ
ターン形成手段（レジスト潜像型のパターン形成法）で
は位置ずれが大きくなり、直接加工型のレーザパターン
ジェネレータが最も適している。第５図（ａ）はガラス
ブランク１．３に遮光膜を蒸着しだホトマスクブランク
１６を示している。レーザパターンジェネレータにより
（ｂ）図のごとく上部のガラスブランク１をレーザビ
ーム１５で直接パターン形成を行う。パターン形成後、
（Ｃ）図のごとく下部のガラスブランク３に下部パター
ン形成のだめの基準マークを形成する。同、レーザビー
ム１５は上部のレーザ加工によって遮光膜が除かれた部
分を通して下部の遮光膜に結像される。基準マーク形成
後、（ｄ）図のごとく、試料を裏返しにし、上記に形成
された基準マークに従って未形成部のパターンを形成し
、所望のホトマスク４を形成することができる。
以上の実施例は縮小投影露光法について述べたが、１：
１のホトマスクについても本発明は逸脱しないものであ
る。
１のホトマスクについても本発明は逸脱しないものであ
る。
また、球面あるいは段差面をしたガラスブランクにパタ
ーンを形成したレティクル等についても、本発明に含ま
れ、大きな段差等の中間部での結像状態をも良好とする
ことが可能となる。
ーンを形成したレティクル等についても、本発明に含ま
れ、大きな段差等の中間部での結像状態をも良好とする
ことが可能となる。
本発明によれば、高い段差を有する被ノくターン形成物
において段差上部及び下部に投影（転写）パターンが可
不足なく結像することができるので、メカトロニクス分
野の微小精密部品あるいは段差を必要とする半導体素子
の微細化に非常に効果がある。例えば、ＶＴＲのヘッド
や磁気ディスクのヘッドのｙｉ、細化や新機能素子（光
ＩＣあるいはジョゼフソン素子等）のパターン形成に有
効でおる。
において段差上部及び下部に投影（転写）パターンが可
不足なく結像することができるので、メカトロニクス分
野の微小精密部品あるいは段差を必要とする半導体素子
の微細化に非常に効果がある。例えば、ＶＴＲのヘッド
や磁気ディスクのヘッドのｙｉ、細化や新機能素子（光
ＩＣあるいはジョゼフソン素子等）のパターン形成に有
効でおる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるホトマスクを説明するだめの構成
と縮小投影露光法によｐ本発明の使用方法を説明するだ
めの概略図、第２図〜第４図は本発明によるホトマスク
の他の具体例、第５図は第１図で示したホトマスクの製
作工程を説明するだめの工稈図である。 １．３・・・ガラスブランク、２・・・段惹高さに相当
する間隙を設定する枠、４・・・本発嬰であるホトマス
ク、５・・・縮小投影レンズ、７・・・被パターン形成
物、８・・・露光光線。 代理人 弁理士 高槁明夫 第１図 ％ Ｚ 回 Ｚ ３ 図 第 ４ 図 ３ 第 ５ 図
と縮小投影露光法によｐ本発明の使用方法を説明するだ
めの概略図、第２図〜第４図は本発明によるホトマスク
の他の具体例、第５図は第１図で示したホトマスクの製
作工程を説明するだめの工稈図である。 １．３・・・ガラスブランク、２・・・段惹高さに相当
する間隙を設定する枠、４・・・本発嬰であるホトマス
ク、５・・・縮小投影レンズ、７・・・被パターン形成
物、８・・・露光光線。 代理人 弁理士 高槁明夫 第１図 ％ Ｚ 回 Ｚ ３ 図 第 ４ 図 ３ 第 ５ 図
Claims (1)
- １、互いに間隔を置いて配置された少なくとも２つの面
に遮光パターンを有してなることを特徴とするホトマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034537A JPS59160144A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034537A JPS59160144A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59160144A true JPS59160144A (ja) | 1984-09-10 |
Family
ID=12417030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58034537A Pending JPS59160144A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59160144A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5001038A (en) * | 1987-11-16 | 1991-03-19 | Motorola, Inc. | Process for photoimaging a three dimensional printed circuit substrate |
| EP0453753A2 (en) * | 1990-04-18 | 1991-10-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for enhancing the depth of focus in projection lithography |
| JPH04285957A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | 露光方法及びレチクルの製造方法 |
| JPH05134391A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスク |
| DE4232844A1 (de) * | 1992-09-30 | 1994-03-31 | Siemens Ag | Belichtungsverfahren und Maske für die optische Projektionslithographie |
| JPH06138644A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-20 | Sharp Corp | フォトマスク |
| EP0601621A1 (en) * | 1992-11-12 | 1994-06-15 | International Business Machines Corporation | Three dimensional imaging system |
| EP0607947A1 (en) * | 1993-01-20 | 1994-07-27 | Nec Corporation | Exposing device for projecting a pattern onto a photoresist layer with a surface having different levels |
| EP0643335A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-15 | International Business Machines Corporation | Optical system for the projection of patterned light onto the surface of three dimensional objects |
-
1983
- 1983-03-04 JP JP58034537A patent/JPS59160144A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5001038A (en) * | 1987-11-16 | 1991-03-19 | Motorola, Inc. | Process for photoimaging a three dimensional printed circuit substrate |
| EP0453753A2 (en) * | 1990-04-18 | 1991-10-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for enhancing the depth of focus in projection lithography |
| JPH04285957A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | 露光方法及びレチクルの製造方法 |
| JPH05134391A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスク |
| DE4232844A1 (de) * | 1992-09-30 | 1994-03-31 | Siemens Ag | Belichtungsverfahren und Maske für die optische Projektionslithographie |
| JPH06138644A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-20 | Sharp Corp | フォトマスク |
| EP0601621A1 (en) * | 1992-11-12 | 1994-06-15 | International Business Machines Corporation | Three dimensional imaging system |
| US5822042A (en) * | 1992-11-12 | 1998-10-13 | International Business Machines Corporation | Three dimensional imaging system |
| EP0607947A1 (en) * | 1993-01-20 | 1994-07-27 | Nec Corporation | Exposing device for projecting a pattern onto a photoresist layer with a surface having different levels |
| EP0643335A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-15 | International Business Machines Corporation | Optical system for the projection of patterned light onto the surface of three dimensional objects |
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