JPH06124872A - 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 - Google Patents
像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法Info
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- JPH06124872A JPH06124872A JP4276065A JP27606592A JPH06124872A JP H06124872 A JPH06124872 A JP H06124872A JP 4276065 A JP4276065 A JP 4276065A JP 27606592 A JP27606592 A JP 27606592A JP H06124872 A JPH06124872 A JP H06124872A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Abstract
(57)【要約】
【目的】 格子線が互いに直交する２種類の格子パター
ンを結像する際の解像度を上げる。 【構成】 開口絞り３０８の開口３１〜３４に、開口３
１、３３からの射出する第１光束と開口３２、３４から
射出する第２光束が互いに偏光面が直交する直線偏光光
となるよう偏光フィルター１０１〜１０４を設け、レチ
クル３０４の第１格子パターン上に第１光束を遮光する
偏光フィルター１６２を設け、レチクル３０４の第２格
子パターン上に第２光束を遮光する偏光フィルター１６
３を設け、第１、第２光束によりレチクル３０４の第
１、第２格子パターンを斜め照明する。 【効果】 各格子パターンがそれらの像のコントラスト
を低下させる光束により照明されないので、高コントラ
ストで各格子パターンの像を形成することが可能にな
る。
ンを結像する際の解像度を上げる。 【構成】 開口絞り３０８の開口３１〜３４に、開口３
１、３３からの射出する第１光束と開口３２、３４から
射出する第２光束が互いに偏光面が直交する直線偏光光
となるよう偏光フィルター１０１〜１０４を設け、レチ
クル３０４の第１格子パターン上に第１光束を遮光する
偏光フィルター１６２を設け、レチクル３０４の第２格
子パターン上に第２光束を遮光する偏光フィルター１６
３を設け、第１、第２光束によりレチクル３０４の第
１、第２格子パターンを斜め照明する。 【効果】 各格子パターンがそれらの像のコントラスト
を低下させる光束により照明されないので、高コントラ
ストで各格子パターンの像を形成することが可能にな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は像形成方法及び該方法を
用いて半導体装置を製造する方法に関する。
用いて半導体装置を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の高集積化が
益々加速度を増しており、これに伴なう半導体ウエハー
の微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術の中
心をなす投影露光技術は、現在、０．５ミクロン以下の
寸法の像を形成するべく、解像度の向上が図られてい
る。
益々加速度を増しており、これに伴なう半導体ウエハー
の微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術の中
心をなす投影露光技術は、現在、０．５ミクロン以下の
寸法の像を形成するべく、解像度の向上が図られてい
る。
【０００３】解像度を向上させるには投影レンズ系の開
口数（ＮＡ）を大きくする方法と露光光の波長を短くす
る方法とがあるが、どちらの方法にも限界がある。
口数（ＮＡ）を大きくする方法と露光光の波長を短くす
る方法とがあるが、どちらの方法にも限界がある。
【０００４】一方、半導体の回路パターンを斜め照明し
て結像させることにより解像度を向上させる考え方があ
り、その一つに、回路パターンの縦線と横線の格子状パ
ターンの各格子線に夫々が平行な互いに直交する一対の
入射平面に沿って、回路パターン上に複数の光束を斜入
射させる方式がある。
て結像させることにより解像度を向上させる考え方があ
り、その一つに、回路パターンの縦線と横線の格子状パ
ターンの各格子線に夫々が平行な互いに直交する一対の
入射平面に沿って、回路パターン上に複数の光束を斜入
射させる方式がある。
【０００５】この方式では、各格子状パターンの当該格
子状パターンの格子線と直交する入射平面に沿った斜入
射光束は分解能の向上に寄与するが当該格子状パターン
の格子線に平行な入射平面に沿った斜入射光束は分解能
を下げる方向に働くという問題があった。
子状パターンの格子線と直交する入射平面に沿った斜入
射光束は分解能の向上に寄与するが当該格子状パターン
の格子線に平行な入射平面に沿った斜入射光束は分解能
を下げる方向に働くという問題があった。
【０００６】〔発明の概要〕本発明は、上記問題に鑑み
て成されたものであり、その目的は高解像力を示す像形
成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法を
提供することにある。
て成されたものであり、その目的は高解像力を示す像形
成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法を
提供することにある。
【０００７】上記目的を達成するための本発明の像形成
方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第１、第２
の格子パターンを該第１格子パターンの格子線と平行な
入射平面を形成するよう斜入射する第１光束と該第２格
子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜
入射する第２光束とを用いて照明し、該第１、第２格子
パターンの像を形成する方法において、前記第１格子パ
ターンに前記第１光束を遮光して前記第２光束を通過せ
しめるする光選択手段を設けると共に前記第２格子パタ
ーンに前記第２光束を遮光して前記第１光束を通過せし
める光選択手段を設けることにより、前記第１光束によ
り前記第２格子パターンの像を形成し、前記第２光束に
より前記第１格子パターンの像を形成することを特徴と
している。
方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第１、第２
の格子パターンを該第１格子パターンの格子線と平行な
入射平面を形成するよう斜入射する第１光束と該第２格
子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜
入射する第２光束とを用いて照明し、該第１、第２格子
パターンの像を形成する方法において、前記第１格子パ
ターンに前記第１光束を遮光して前記第２光束を通過せ
しめるする光選択手段を設けると共に前記第２格子パタ
ーンに前記第２光束を遮光して前記第１光束を通過せし
める光選択手段を設けることにより、前記第１光束によ
り前記第２格子パターンの像を形成し、前記第２光束に
より前記第１格子パターンの像を形成することを特徴と
している。
【０００８】上記目的を達成するための本発明の他の像
形成方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第１、
第２の格子パターンを該第１格子パターンの格子線と平
行な入射平面を形成するよう斜入射する第１光束と該第
２格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよ
う斜入射する第２光束とを用いて照明し、該第１、第２
格子パターンの像を形成する方法において、前記第１光
束と前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光
で構成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光
する偏光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前
記第２光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前
記第１光束により前記第２格子パターンの像を形成し、
前記第２光束により前記第１格子パターンの像を形成す
ることを特徴としている。
形成方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第１、
第２の格子パターンを該第１格子パターンの格子線と平
行な入射平面を形成するよう斜入射する第１光束と該第
２格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよ
う斜入射する第２光束とを用いて照明し、該第１、第２
格子パターンの像を形成する方法において、前記第１光
束と前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光
で構成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光
する偏光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前
記第２光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前
記第１光束により前記第２格子パターンの像を形成し、
前記第２光束により前記第１格子パターンの像を形成す
ることを特徴としている。
【０００９】上記目的を達成するための本発明の別の像
形成方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第１、
第２の格子パターンと該第１、第２格子パターンの各格
子線と角度を成す斜め方向に格子線が延びる第３格子パ
ターンとを該第１格子パターンの格子線と平行な入射平
面を形成するよう斜入射する第１光束と該第２格子パタ
ーンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射す
る第２光束とを用いて照明し、該第１、第２、第３格子
パターンの像を形成する方法において、前記第１光束と
前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光で構
成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光する
偏光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前記第
２光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前記第
１光束により前記第２格子パターンの像を形成し、前記
第２光束により前記第１格子パターンの像を形成するこ
とを特徴としている。
形成方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第１、
第２の格子パターンと該第１、第２格子パターンの各格
子線と角度を成す斜め方向に格子線が延びる第３格子パ
ターンとを該第１格子パターンの格子線と平行な入射平
面を形成するよう斜入射する第１光束と該第２格子パタ
ーンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射す
る第２光束とを用いて照明し、該第１、第２、第３格子
パターンの像を形成する方法において、前記第１光束と
前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光で構
成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光する
偏光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前記第
２光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前記第
１光束により前記第２格子パターンの像を形成し、前記
第２光束により前記第１格子パターンの像を形成するこ
とを特徴としている。
【００１０】上記目的を達成するための本発明の半導体
装置製造方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンを含む回路パターンを、該第１
格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう
斜入射する第１光束と該第２格子パターンの格子線と平
行な入射平面を形成するよう斜入射する第２光束とを用
いて照明し、該回路パターンの像をウエハ上に投影する
段階を含む半導体装置の製造方法において、前記第１光
束と前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光
で構成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光
する偏光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前
記第２光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前
記第１光束により前記第２格子パターンの像を形成し、
前記第２光束により前記第１格子パターンの像を形成す
ることを特徴としている。
装置製造方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンを含む回路パターンを、該第１
格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう
斜入射する第１光束と該第２格子パターンの格子線と平
行な入射平面を形成するよう斜入射する第２光束とを用
いて照明し、該回路パターンの像をウエハ上に投影する
段階を含む半導体装置の製造方法において、前記第１光
束と前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光
で構成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光
する偏光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前
記第２光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前
記第１光束により前記第２格子パターンの像を形成し、
前記第２光束により前記第１格子パターンの像を形成す
ることを特徴としている。
【００１１】上記目的を達成するための本発明の半導体
装置製造方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンと該第１、第２格子パターンの
各格子線と角度を成す斜め方向に格子線が延びる第３格
子パターンとを含む回路パターンを、該第１格子パター
ンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射する
第１光束と該第２格子パターンの格子線と平行な入射平
面を形成するよう斜入射する第２光束とを用いて照明
し、該回路パターンの像をウエハ上に投影する段階を含
む半導体装置の製造方法において、前記第１光束と前記
第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光で構成
し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光する偏
光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前記第２
光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前記第１
光束により前記第２格子パターンの像を形成し、前記第
２光束により前記第１格子パターンの像を形成すること
を特徴としている。
装置製造方法は、格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンと該第１、第２格子パターンの
各格子線と角度を成す斜め方向に格子線が延びる第３格
子パターンとを含む回路パターンを、該第１格子パター
ンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射する
第１光束と該第２格子パターンの格子線と平行な入射平
面を形成するよう斜入射する第２光束とを用いて照明
し、該回路パターンの像をウエハ上に投影する段階を含
む半導体装置の製造方法において、前記第１光束と前記
第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光で構成
し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光する偏
光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前記第２
光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前記第１
光束により前記第２格子パターンの像を形成し、前記第
２光束により前記第１格子パターンの像を形成すること
を特徴としている。
【００１２】
【実施例】本発明の内容を理解し易くする為に、図１
（Ａ）、（Ｂ）を用いて微細パターンの結像に関して説
明する。図１（Ａ）が示すように、マスクＭの５本の微
細スリット２１〜２５の列より成る格子パターンが照明
光Ｌで真上から照明されて、微細スリット２１〜２５の
列で生じる回折光が不図示の投影レンズ系の瞳に入射
し、この投影レンズ系により、投影レンズ系の像面に微
細スリット２１〜２５の列の像が形成される。投影レン
ズ系が開口数０．５５の無収差レンズ、照明光Ｌによる
照明がコヒーレント照明、照明光Ｌがｉ線（波長３６５
ｎｍ）として、投影レンズ系の像面における微細スリッ
ト列の像の強度分布のシミュレーションを行なうと、微
細スリット２１〜２５の線幅が０．３ミクロン、微細ス
リット２１〜２５の列の周期が０．６ミクロンの時の投
影レンズ系の像面における微細スリット列の像の強度分
布は、図１（Ｂ）に示すようになる。図１（Ｂ）に示す
ように高いコントラストが得られないのは、微細スリッ
ト１１〜１５の列により垂直入射した照明光Ｌが回折さ
れて生じる高次回折光の一部が投影レンズ系の瞳に入射
しないからである。
（Ａ）、（Ｂ）を用いて微細パターンの結像に関して説
明する。図１（Ａ）が示すように、マスクＭの５本の微
細スリット２１〜２５の列より成る格子パターンが照明
光Ｌで真上から照明されて、微細スリット２１〜２５の
列で生じる回折光が不図示の投影レンズ系の瞳に入射
し、この投影レンズ系により、投影レンズ系の像面に微
細スリット２１〜２５の列の像が形成される。投影レン
ズ系が開口数０．５５の無収差レンズ、照明光Ｌによる
照明がコヒーレント照明、照明光Ｌがｉ線（波長３６５
ｎｍ）として、投影レンズ系の像面における微細スリッ
ト列の像の強度分布のシミュレーションを行なうと、微
細スリット２１〜２５の線幅が０．３ミクロン、微細ス
リット２１〜２５の列の周期が０．６ミクロンの時の投
影レンズ系の像面における微細スリット列の像の強度分
布は、図１（Ｂ）に示すようになる。図１（Ｂ）に示す
ように高いコントラストが得られないのは、微細スリッ
ト１１〜１５の列により垂直入射した照明光Ｌが回折さ
れて生じる高次回折光の一部が投影レンズ系の瞳に入射
しないからである。
【００１３】次に、斜め照明による解像力の向上につい
て説明する。図２（Ａ）はマスクＭとマスクＭを斜め照
明する４本の光束３５〜３８の位置関係を立体的に示し
た図であり、図２（Ａ）において、３０は光束３５〜３
８を供給する照明系の開口絞りを示し、３１〜３４は開
口絞り３０の開口を示す。図２（Ｂ）はマスクＭの平面
図、図２（Ｃ）は開口絞り３０の平面図である。
て説明する。図２（Ａ）はマスクＭとマスクＭを斜め照
明する４本の光束３５〜３８の位置関係を立体的に示し
た図であり、図２（Ａ）において、３０は光束３５〜３
８を供給する照明系の開口絞りを示し、３１〜３４は開
口絞り３０の開口を示す。図２（Ｂ）はマスクＭの平面
図、図２（Ｃ）は開口絞り３０の平面図である。
【００１４】微細スリット２１〜２５はｙ方向に長手方
向を有し、ｘ方向に配列されている。開口絞り３０はｘ
ｙ平面に平行に配置され、照明系の光軸（投影レンズ系
の光軸）を原点にしてｘ、ｙの各方向にＸ、Ｙの各軸を
設けたＸＹ座標を設定した時、原点から丁度４５度の方
向に位置する座標上に、各開口３１〜３４の中心が位置
付けられている。従って、光束３５〜３８が形成する各
入射平面は、ｚｘ平面とｚｙ平面の各々に対して４５度
の方位角を成す平面であり、光束３６、３８の入射平面
と光束３５、３７の入射平面は互いに直交する。尚、入
射平面とは、マスクＭの面に立てた垂線と斜入射する光
束の中心光線とを含む面である。
向を有し、ｘ方向に配列されている。開口絞り３０はｘ
ｙ平面に平行に配置され、照明系の光軸（投影レンズ系
の光軸）を原点にしてｘ、ｙの各方向にＸ、Ｙの各軸を
設けたＸＹ座標を設定した時、原点から丁度４５度の方
向に位置する座標上に、各開口３１〜３４の中心が位置
付けられている。従って、光束３５〜３８が形成する各
入射平面は、ｚｘ平面とｚｙ平面の各々に対して４５度
の方位角を成す平面であり、光束３６、３８の入射平面
と光束３５、３７の入射平面は互いに直交する。尚、入
射平面とは、マスクＭの面に立てた垂線と斜入射する光
束の中心光線とを含む面である。
【００１５】マスクＭを光束３５〜３８により斜め照明
すると、マスクＭの格子パターンに４本の光束３５〜３
８が斜入射する。この時の微細スリット２１〜２５の列
の結像を考える。前述のシュミレーションと同様に、投
影レンズ系が開口数０．５５の無収差レンズ、照明がコ
ヒーレント照明、照明光がｉ線として、投影レンズ系の
像面における微細スリット２１〜２５の列の像の強度分
布のシミュレーションを行なうと、微細スリット２１〜
２５の線幅が０．３ミクロン、微細スリット２１〜２５
の列の周期が０．６ミクロンの時の投影レンズ系の像面
における微細スリット２１〜２５の列の像の強度分布は
図２（Ｄ）に示されるものとなり、高いコントラストが
得られる。このような高いコントラストの像は、マスク
Ｍの格子パターンが図２（Ｅ）に示す縦線の微細スリッ
ト２１〜２５の列と横線の微細スリット４１〜４５の列
とを備えるものに対しても得られる。
すると、マスクＭの格子パターンに４本の光束３５〜３
８が斜入射する。この時の微細スリット２１〜２５の列
の結像を考える。前述のシュミレーションと同様に、投
影レンズ系が開口数０．５５の無収差レンズ、照明がコ
ヒーレント照明、照明光がｉ線として、投影レンズ系の
像面における微細スリット２１〜２５の列の像の強度分
布のシミュレーションを行なうと、微細スリット２１〜
２５の線幅が０．３ミクロン、微細スリット２１〜２５
の列の周期が０．６ミクロンの時の投影レンズ系の像面
における微細スリット２１〜２５の列の像の強度分布は
図２（Ｄ）に示されるものとなり、高いコントラストが
得られる。このような高いコントラストの像は、マスク
Ｍの格子パターンが図２（Ｅ）に示す縦線の微細スリッ
ト２１〜２５の列と横線の微細スリット４１〜４５の列
とを備えるものに対しても得られる。
【００１６】一方、マスクＭの格子パターンが図２
（Ｆ）に示す右下り線の微細スリット６１〜６５の列と
該右下り線の微細スリット列と格子線の方向が直交する
右上り線の微細スリット７１〜７５の列を備えるもの
を、４本の光束３５〜３８の内の２本の光束３５、３７
により斜め照明する時と２本光束３６、３８とにより斜
め照明する時の像の強度分布を上記と同様のシュミレー
ションを行って別々に見てみると次のようになる。ここ
で、右下り線の微細スリット列のスリット長手方向（格
子線方向）は光束３６、３８の夫々の入射平面と平行で
あり、右上りの微細スリット列のスリット長手方向（格
子線方向）は光束３５、３７の夫々の入射平面と平行で
ある。微細スリット６１〜６５の列より成る格子パター
ンを光束３５、３７による照明のみで結像させた場合や
微細スリット７１〜７５の列より成る格子パターンを光
束３６、３８による照明のみで結像させた場合の微細ス
リット列の像の強度分布は図２（Ｇ）に示す通り高いコ
ントラストを持つが、微細スリット６１〜６５の列より
成る格子パターンを光束３６、３８による照明のみで結
像させた場合や微細スリット７１〜７５の列より成る格
子パターンを光束３５、３７による照明のみで結像させ
た場合の微細スリット列の像の強度分布は図２（Ｈ）に
示すように低コントラストである。従って、微細スリッ
ト６１〜６５の列と微細スリット７１〜７５とを４本の
光束３５〜３８により斜め照明する時の像の強度分布は
図２（Ｉ）に示す如く高いコントラストが得られない。
（Ｆ）に示す右下り線の微細スリット６１〜６５の列と
該右下り線の微細スリット列と格子線の方向が直交する
右上り線の微細スリット７１〜７５の列を備えるもの
を、４本の光束３５〜３８の内の２本の光束３５、３７
により斜め照明する時と２本光束３６、３８とにより斜
め照明する時の像の強度分布を上記と同様のシュミレー
ションを行って別々に見てみると次のようになる。ここ
で、右下り線の微細スリット列のスリット長手方向（格
子線方向）は光束３６、３８の夫々の入射平面と平行で
あり、右上りの微細スリット列のスリット長手方向（格
子線方向）は光束３５、３７の夫々の入射平面と平行で
ある。微細スリット６１〜６５の列より成る格子パター
ンを光束３５、３７による照明のみで結像させた場合や
微細スリット７１〜７５の列より成る格子パターンを光
束３６、３８による照明のみで結像させた場合の微細ス
リット列の像の強度分布は図２（Ｇ）に示す通り高いコ
ントラストを持つが、微細スリット６１〜６５の列より
成る格子パターンを光束３６、３８による照明のみで結
像させた場合や微細スリット７１〜７５の列より成る格
子パターンを光束３５、３７による照明のみで結像させ
た場合の微細スリット列の像の強度分布は図２（Ｈ）に
示すように低コントラストである。従って、微細スリッ
ト６１〜６５の列と微細スリット７１〜７５とを４本の
光束３５〜３８により斜め照明する時の像の強度分布は
図２（Ｉ）に示す如く高いコントラストが得られない。
【００１７】以下、本発明の一実施例を図３（Ａ）〜
（Ｃ）を用いて説明する。
（Ｃ）を用いて説明する。
【００１８】図３（Ａ）は半導体装置製造用の縮少投影
露光装置を示す概略図である。図３（Ａ）において、３
０１は超高圧水銀灯を備える光源部、３０２はフライア
イレンズを備える光学式インテグレーター、３０３は照
明レンズ系、３０４は格子状のパターンを含む回路パタ
ーンが形成されたレチクル、３０５は倍率１／５や１／
１０の縮少投影レンズ系、３０６は半導体ウエハー、３
０７はウエハー３０６を載置し動くステージ、３０８は
開口絞りを示している。
露光装置を示す概略図である。図３（Ａ）において、３
０１は超高圧水銀灯を備える光源部、３０２はフライア
イレンズを備える光学式インテグレーター、３０３は照
明レンズ系、３０４は格子状のパターンを含む回路パタ
ーンが形成されたレチクル、３０５は倍率１／５や１／
１０の縮少投影レンズ系、３０６は半導体ウエハー、３
０７はウエハー３０６を載置し動くステージ、３０８は
開口絞りを示している。
【００１９】光源部３０１から出た露光光は、インテグ
レーター３０２、開口絞り３０８、照明レンズ系３０３
を介してレチクル３０４を照明する。レチクル３０４の
回路パターンからの回折光は投影レンズ系３０５の瞳に
入射し、投影レンズ系３０５を通った回折光によって、
ステージ３０７上に載置されたウエハー３０８上に回路
パターンの像が投影される。インテグレーター３０２の
光出射面に近接させて置かれた開口絞り３０８の位置と
投影レンズ系３０５の瞳とは光学的に共役な関係にあ
り、開口絞り３０８の開口によって、インテグレーター
３０２からの光の内のレチクル３０４の回路パターンの
結像に適した部分のみが選択され、照明レンズ系３０３
に向けられ、投影露光に使用される。
レーター３０２、開口絞り３０８、照明レンズ系３０３
を介してレチクル３０４を照明する。レチクル３０４の
回路パターンからの回折光は投影レンズ系３０５の瞳に
入射し、投影レンズ系３０５を通った回折光によって、
ステージ３０７上に載置されたウエハー３０８上に回路
パターンの像が投影される。インテグレーター３０２の
光出射面に近接させて置かれた開口絞り３０８の位置と
投影レンズ系３０５の瞳とは光学的に共役な関係にあ
り、開口絞り３０８の開口によって、インテグレーター
３０２からの光の内のレチクル３０４の回路パターンの
結像に適した部分のみが選択され、照明レンズ系３０３
に向けられ、投影露光に使用される。
【００２０】ウエハー３０６上にはレジスト（感材）が
塗布されており、ウエハー３０６上のレジストが回路パ
ターン像により感光されて、ウエハー３０６に回路パタ
ーンが転写される。
塗布されており、ウエハー３０６上のレジストが回路パ
ターン像により感光されて、ウエハー３０６に回路パタ
ーンが転写される。
【００２１】レチクル３０４とウエハー３０６は、ウエ
ハー３０６を載置してあるステージ３０７を動かすこと
によって所定の関係に位置合わせされる。ウエハー３０
６の第１の領域（ショット領域）の露光が終了すると、
ステージ３０７を動かすことによってウエハー３０６を
水平方向に所定量移動し、そこでウエハー３０６の第２
の領域（ショット領域）の露光が行なわれる。（ステッ
プ・アンド・リピート方式の露光）
ハー３０６を載置してあるステージ３０７を動かすこと
によって所定の関係に位置合わせされる。ウエハー３０
６の第１の領域（ショット領域）の露光が終了すると、
ステージ３０７を動かすことによってウエハー３０６を
水平方向に所定量移動し、そこでウエハー３０６の第２
の領域（ショット領域）の露光が行なわれる。（ステッ
プ・アンド・リピート方式の露光）
【００２２】レチクル３０４の格子状パターンの部分
は、図２（Ｆ）に示したような互いに格子線の方向が直
交する右下りと右上りの線幅数ミクロンの格子パターン
を夫々備えており、図３（Ｂ）に示すように、右下りの
微細スリット列（格子パターン）には矢印１６０で示す
方向に偏光方位が設定された偏光膜１６２が設けられ、
右上りの微細スリット列（格子パターン）には矢印１６
１で示す方向に偏光方位が設定された偏光膜１６３が設
けられている。本実施例では偏光膜１６２、１６３（偏
光フィルター）はレチクル３０４の上面に形成されてい
るものとするが、偏光膜をレチクル３０４の下面に形成
することも可能である。一方、開口絞り３０８は図２
（Ａ）、（Ｃ）で示した４つの開口３１〜３４を備えて
おり、４つの開口の各々は図３（Ｃ）で矢印９１〜９４
で示す方向に偏光方位が設定された偏光膜１０１〜１０
４（偏光フィルター）が設けられている。偏光膜１０
１、１０３の偏光方位９１、９３は互いに一致してお
り、偏光膜１０２、１０４の偏光方位９２、９４は互い
に一致しており、又、偏光膜１０１、１０３の偏光方位
９１、９３と偏光膜１０２、１０４の偏光方位９２、９
４とは互いに直交している。開口３１、３３からの各光
束が形成する入射平面と開口３２、３４からの各光束が
形成する入射平面は互いに直交し、開口３１、３３から
の各直線偏光光が形成する入射平面は図３（Ｂ）の右上
りの格子パターンの格子線の方向と平行で右下りの格子
パターンの格子線の方向に直交し、又、開口３２、３４
からの各直線偏光光が形成する入射平面は図３（Ｂ）の
右下りの格子パターンの格子線の方向と平行で右上りの
格子パターンの格子線の方向に直交する。
は、図２（Ｆ）に示したような互いに格子線の方向が直
交する右下りと右上りの線幅数ミクロンの格子パターン
を夫々備えており、図３（Ｂ）に示すように、右下りの
微細スリット列（格子パターン）には矢印１６０で示す
方向に偏光方位が設定された偏光膜１６２が設けられ、
右上りの微細スリット列（格子パターン）には矢印１６
１で示す方向に偏光方位が設定された偏光膜１６３が設
けられている。本実施例では偏光膜１６２、１６３（偏
光フィルター）はレチクル３０４の上面に形成されてい
るものとするが、偏光膜をレチクル３０４の下面に形成
することも可能である。一方、開口絞り３０８は図２
（Ａ）、（Ｃ）で示した４つの開口３１〜３４を備えて
おり、４つの開口の各々は図３（Ｃ）で矢印９１〜９４
で示す方向に偏光方位が設定された偏光膜１０１〜１０
４（偏光フィルター）が設けられている。偏光膜１０
１、１０３の偏光方位９１、９３は互いに一致してお
り、偏光膜１０２、１０４の偏光方位９２、９４は互い
に一致しており、又、偏光膜１０１、１０３の偏光方位
９１、９３と偏光膜１０２、１０４の偏光方位９２、９
４とは互いに直交している。開口３１、３３からの各光
束が形成する入射平面と開口３２、３４からの各光束が
形成する入射平面は互いに直交し、開口３１、３３から
の各直線偏光光が形成する入射平面は図３（Ｂ）の右上
りの格子パターンの格子線の方向と平行で右下りの格子
パターンの格子線の方向に直交し、又、開口３２、３４
からの各直線偏光光が形成する入射平面は図３（Ｂ）の
右下りの格子パターンの格子線の方向と平行で右上りの
格子パターンの格子線の方向に直交する。
【００２３】偏光膜の偏光方位は該偏光膜を通過できる
光の偏光方向に対応しており、偏光膜の偏光方位と偏光
方向が直交する偏光光は偏光膜により吸収される。本実
施例では、レチクル３０４の右下りの微細スリット列の
上部に設けた偏光膜１６２の偏光方位１６０と開口絞り
３０８の開口３２、３４に設けた偏光膜１０２、１０４
の偏光方位９２、９４を互いに直交させ、レチクル３０
４の右上りの微細スリット列の上部に設けた偏光膜１６
３の偏光方位１６１と開口絞り３０８の開口３１、３３
に設けた偏光膜１０１、１０３の偏光方位９１、９３を
互いに直交させることにより、レチクル３０４の右下り
の微細スリット列が開口絞り３０８の開口３２、３４か
らの２光束により照明されず開口絞り３０８の開口３
１、３３からの２光束で照明され、レチクル３０４の右
上りの微細スリット列が開口絞り３０８の開口３１、３
３からの２光束により照明されず開口絞り３０８の開口
３２、３４からの２光束で照明されるようにしている。
このような照明を行なうことにより、右下りの微細スリ
ット列と右上りの微細スリット列の各々の像のコントラ
ストを低下させる光束を各微細スリット列の結像に使用
しないようにできる。従って、レチクル３０４の右下り
の微細スリット列と右上りの微細スリット列の各々の像
を高い解像力でウエハ３０６上に投影し転写することが
可能になる。
光の偏光方向に対応しており、偏光膜の偏光方位と偏光
方向が直交する偏光光は偏光膜により吸収される。本実
施例では、レチクル３０４の右下りの微細スリット列の
上部に設けた偏光膜１６２の偏光方位１６０と開口絞り
３０８の開口３２、３４に設けた偏光膜１０２、１０４
の偏光方位９２、９４を互いに直交させ、レチクル３０
４の右上りの微細スリット列の上部に設けた偏光膜１６
３の偏光方位１６１と開口絞り３０８の開口３１、３３
に設けた偏光膜１０１、１０３の偏光方位９１、９３を
互いに直交させることにより、レチクル３０４の右下り
の微細スリット列が開口絞り３０８の開口３２、３４か
らの２光束により照明されず開口絞り３０８の開口３
１、３３からの２光束で照明され、レチクル３０４の右
上りの微細スリット列が開口絞り３０８の開口３１、３
３からの２光束により照明されず開口絞り３０８の開口
３２、３４からの２光束で照明されるようにしている。
このような照明を行なうことにより、右下りの微細スリ
ット列と右上りの微細スリット列の各々の像のコントラ
ストを低下させる光束を各微細スリット列の結像に使用
しないようにできる。従って、レチクル３０４の右下り
の微細スリット列と右上りの微細スリット列の各々の像
を高い解像力でウエハ３０６上に投影し転写することが
可能になる。
【００２４】図３の装置において光源部３０１の光源と
してＫｒＦエキシマレーザー等の紫外線レーザーを使用
する形態もある。
してＫｒＦエキシマレーザー等の紫外線レーザーを使用
する形態もある。
【００２５】図３の装置は投影レンズ系により投影露光
する装置であるが、本発明は、投影ミラー系により投影
露光する装置、投影ミラー及びレンズ系により投影露光
する装置、に適用できる。
する装置であるが、本発明は、投影ミラー系により投影
露光する装置、投影ミラー及びレンズ系により投影露光
する装置、に適用できる。
【００２６】図４はレチクル３０４の別の構成を示す平
面図であり、レチクル３０４はガラス基板の下面に横線
で構成された格子パターン８０と縦線で構成された格子
パターン８１と右下りの斜め線で構成された格子パター
ン８２と右上りの斜め線で構成された格子パターン８３
とが形成されており、更に、ガラス基板の上面の格子パ
ターン８２、８３の対応する部分には夫々偏光膜８６、
８７が形成されている。偏光膜８６、８７の各々の偏光
方位は、矢印８４、８５で示すように図３（Ｂ）の偏光
膜１６２、１６３の偏光方位１６０、１６１と同じであ
る。この図４のレチクル３０４の各格子パターンも、図
３（Ｂ）の格子パターン同様、高いコントラストで結像
することが可能である。
面図であり、レチクル３０４はガラス基板の下面に横線
で構成された格子パターン８０と縦線で構成された格子
パターン８１と右下りの斜め線で構成された格子パター
ン８２と右上りの斜め線で構成された格子パターン８３
とが形成されており、更に、ガラス基板の上面の格子パ
ターン８２、８３の対応する部分には夫々偏光膜８６、
８７が形成されている。偏光膜８６、８７の各々の偏光
方位は、矢印８４、８５で示すように図３（Ｂ）の偏光
膜１６２、１６３の偏光方位１６０、１６１と同じであ
る。この図４のレチクル３０４の各格子パターンも、図
３（Ｂ）の格子パターン同様、高いコントラストで結像
することが可能である。
【００２７】図５（Ａ）、（Ｂ）と図６（Ａ）、（Ｂ）
はどちらもレチクル３０４上に設ける偏光膜の偏光方位
と開口絞り３０８の開口に設ける偏光膜の偏光方位の別
の実施例を示す模式図であり、図５及び図６において、
偏光方位が矢印で記載されている。
はどちらもレチクル３０４上に設ける偏光膜の偏光方位
と開口絞り３０８の開口に設ける偏光膜の偏光方位の別
の実施例を示す模式図であり、図５及び図６において、
偏光方位が矢印で記載されている。
【００２８】次に図３の投影露光装置とレチクル３０４
とを利用した半導体装置の製造方法の実施例を説明す
る。図７は半導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステッ
プ１（回路設計）では半導体装置の回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスク（レチクル３０４）を製作する。一方、
ステップ３（ウエハー製造）ではシリコン等の材料を用
いてウエハー（ウエハー３０６）を製造する。ステップ
４（ウエハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意し
たマスクとウエハーとを用いて、リソグラフィー技術に
よってウエハー上に実際の回路を形成する。次のステッ
プ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって
作成されたウエハーを用いてチップ化する工程であり、
アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデイ ング）、パッ
ケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステッ
プ６（検査）ではステップ５で作成された半導体装置の
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステ
ップ７）される。
とを利用した半導体装置の製造方法の実施例を説明す
る。図７は半導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステッ
プ１（回路設計）では半導体装置の回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスク（レチクル３０４）を製作する。一方、
ステップ３（ウエハー製造）ではシリコン等の材料を用
いてウエハー（ウエハー３０６）を製造する。ステップ
４（ウエハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意し
たマスクとウエハーとを用いて、リソグラフィー技術に
よってウエハー上に実際の回路を形成する。次のステッ
プ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって
作成されたウエハーを用いてチップ化する工程であり、
アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデイ ング）、パッ
ケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステッ
プ６（検査）ではステップ５で作成された半導体装置の
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステ
ップ７）される。
【００２９】図８は上記ウエハープロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハ
ー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
チクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハ
ー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
チクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
【００３０】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体装置を製造することが可能に
なる。
しかった高集積度の半導体装置を製造することが可能に
なる。
【００３１】
【発明の効果】以上、本発明では、格子線の方向が互い
にほぼ直交する第１、第２の格子パターンを該第１格子
パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入
射する第１光束と該第２格子パターンの格子線と平行な
入射平面を形成するよう斜入射する第２光束とを用いて
照明し、該第１、第２格子パターンの像を形成する際、
前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光して前記第
２光束を通過せしめるする光選択手段を設けると共に前
記第２格子パターンに前記第２光束を遮光して前記第１
光束を通過せしめる光選択手段を設けることにより、各
格子パターンがそれらの像のコントラストを低下させる
光束により照明されないので、高コントラストで各格子
パターンの像を形成することが可能になる。
にほぼ直交する第１、第２の格子パターンを該第１格子
パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入
射する第１光束と該第２格子パターンの格子線と平行な
入射平面を形成するよう斜入射する第２光束とを用いて
照明し、該第１、第２格子パターンの像を形成する際、
前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光して前記第
２光束を通過せしめるする光選択手段を設けると共に前
記第２格子パターンに前記第２光束を遮光して前記第１
光束を通過せしめる光選択手段を設けることにより、各
格子パターンがそれらの像のコントラストを低下させる
光束により照明されないので、高コントラストで各格子
パターンの像を形成することが可能になる。
【図１】微細パターンの結像に関する説明図であり、
（Ａ）は微細スリットの配列を示し、（Ｂ）は線幅が
０．３ミクロン周期が０．６ミクロンの縦線の微細スリ
ット列を垂直照明により結像した時の像面における光強
度分布を示す図である。
（Ａ）は微細スリットの配列を示し、（Ｂ）は線幅が
０．３ミクロン周期が０．６ミクロンの縦線の微細スリ
ット列を垂直照明により結像した時の像面における光強
度分布を示す図である。
【図２】斜め照明による微細パターンの結像に関する説
明図であり、（Ａ）はマスクと斜入射光束とを示す図、
（Ｂ）はマスクの平面図、（Ｃ）は開口絞りの平面図、
（Ｄ）は線幅が０．３ミクロン周期が０．６ミクロンの
縦線の微細スリット列を（Ａ）に示す斜め照明により結
像した時の像面における光強度分布を示す図、（Ｅ）と
（Ｆ）はマスクの他の構成を示す平面図、（Ｇ）は線幅
が０．３ミクロン周期が０．６ミクロンの斜め線の微細
スリット列を斜め線と直交する入射平面に沿った斜め照
明により結像した時の像面における光強度分布を示す
図、（Ｈ）は線幅が０．３ミクロン周期が０．６ミクロ
ンの斜め線の微細スリット列を斜め線と平行な入射平面
に沿った斜め照明により結像した時の像面における光強
度分布を示す図、（Ｉ）は線幅が０．３ミクロン周期が
０．６ミクロンの斜め線の微細スリット列を斜め線と平
行な入射平面及び直交する入射平面に沿った斜め照明に
より結像した時の像面における光強度分布を示す図であ
る。
明図であり、（Ａ）はマスクと斜入射光束とを示す図、
（Ｂ）はマスクの平面図、（Ｃ）は開口絞りの平面図、
（Ｄ）は線幅が０．３ミクロン周期が０．６ミクロンの
縦線の微細スリット列を（Ａ）に示す斜め照明により結
像した時の像面における光強度分布を示す図、（Ｅ）と
（Ｆ）はマスクの他の構成を示す平面図、（Ｇ）は線幅
が０．３ミクロン周期が０．６ミクロンの斜め線の微細
スリット列を斜め線と直交する入射平面に沿った斜め照
明により結像した時の像面における光強度分布を示す
図、（Ｈ）は線幅が０．３ミクロン周期が０．６ミクロ
ンの斜め線の微細スリット列を斜め線と平行な入射平面
に沿った斜め照明により結像した時の像面における光強
度分布を示す図、（Ｉ）は線幅が０．３ミクロン周期が
０．６ミクロンの斜め線の微細スリット列を斜め線と平
行な入射平面及び直交する入射平面に沿った斜め照明に
より結像した時の像面における光強度分布を示す図であ
る。
【図３】本発明の一実施例を示す説明図であり、（Ａ）
は半導体装置製造用縮小投影露光装置の概略図、（Ｂ）
はレチクルの平面図、（Ｃ）は開口絞りの平面図であ
る。
は半導体装置製造用縮小投影露光装置の概略図、（Ｂ）
はレチクルの平面図、（Ｃ）は開口絞りの平面図であ
る。
【図４】レチクルの他の構成を示す平面図である。
【図５】レチクル上に設ける偏光膜の偏光方位と開口絞
りの開口に設ける偏光膜の偏光方位の他の例を示す模式
図である。
りの開口に設ける偏光膜の偏光方位の他の例を示す模式
図である。
【図６】レチクル上に設ける偏光膜の偏光方位と開口絞
りの開口に設ける偏光膜の偏光方位の別の例を示す模式
図である。
りの開口に設ける偏光膜の偏光方位の別の例を示す模式
図である。
【図７】半導体装置の製造工程を示すフローチャート図
である。
である。
【図８】図７の工程中のウエハープロセスの詳細を示す
フローチャート図である。
フローチャート図である。
３１、３２、３３、３４ 開口絞りの開口 １０１、１０２、１０３、１０４ 開口絞りの偏光膜 １６２、１６３ レチクルの偏光膜 ３０４ レチクル ３０８ 開口絞り
Claims (5)
- 【請求項１】 格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンを該第１格子パターンの格子線
と平行な入射平面を形成するよう斜入射する第１光束と
該第２格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成す
るよう斜入射する第２光束とを用いて照明し、該第１、
第２格子パターンの像を形成する方法において、前記第
１格子パターンに前記第１光束を遮光して前記第２光束
を通過せしめるする光選択手段を設けると共に前記第２
格子パターンに前記第２光束を遮光して前記第１光束を
通過せしめる光選択手段を設けることにより、前記第１
光束により前記第２格子パターンの像を形成し、前記第
２光束により前記第１格子パターンの像を形成すること
を特徴とする像形成方法。 - 【請求項２】 格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンを該第１格子パターンの格子線
と平行な入射平面を形成するよう斜入射する第１光束と
該第２格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成す
るよう斜入射する第２光束とを用いて照明し、該第１、
第２格子パターンの像を形成する方法において、前記第
１光束と前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏
光光で構成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を
遮光する偏光手段を設けると共に前記第２格子パターン
に前記第２光束を遮光する偏光手段を設けることによ
り、前記第１光束により前記第２格子パターンの像を形
成し、前記第２光束により前記第１格子パターンの像を
形成することを特徴とする像形成方法。 - 【請求項３】 格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンを含む回路パターンを、該第１
格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう
斜入射する第１光束と該第２格子パターンの格子線と平
行な入射平面を形成するよう斜入射する第２光束とを用
いて照明し、該回路パターンの像をウエハ上に投影する
段階を含む半導体装置の製造方法において、前記第１光
束と前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光
で構成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光
する偏光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前
記第２光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前
記第１光束により前記第２格子パターンの像を形成し、
前記第２光束により前記第１格子パターンの像を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンと該第１、第２格子パターンの
各格子線と角度を成す斜め方向に格子線が延びる第３格
子パターンとを該第１格子パターンの格子線と平行な入
射平面を形成するよう斜入射する第１光束と該第２格子
パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入
射する第２光束とを用いて照明し、該第１、第２、第３
格子パターンの像を形成する方法において、前記第１光
束と前記第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光
で構成し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光
する偏光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前
記第２光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前
記第１光束により前記第２格子パターンの像を形成し、
前記第２光束により前記第１格子パターンの像を形成す
ることを特徴とする像形成方法。 - 【請求項５】 格子線の方向が互いにほぼ直交する第
１、第２の格子パターンと該第１、第２格子パターンの
各格子線と角度を成す斜め方向に格子線が延びる第３格
子パターンとを含む回路パターンを、該第１格子パター
ンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射する
第１光束と該第２格子パターンの格子線と平行な入射平
面を形成するよう斜入射する第２光束とを用いて照明
し、該回路パターンの像をウエハ上に投影する段階を含
む半導体装置の製造方法において、前記第１光束と前記
第２光束を互いに偏光面が直交する直線偏光光で構成
し、前記第１格子パターンに前記第１光束を遮光する偏
光手段を設けると共に前記第２格子パターンに前記第２
光束を遮光する偏光手段を設けることにより、前記第１
光束により前記第２格子パターンの像を形成し、前記第
２光束により前記第１格子パターンの像を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276065A JPH06124872A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 |
| US08/130,903 US5459000A (en) | 1992-10-14 | 1993-10-04 | Image projection method and device manufacturing method using the image projection method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276065A JPH06124872A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124872A true JPH06124872A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17564316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276065A Pending JPH06124872A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124872A (ja) |
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|---|---|---|---|
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