JP3165711B2 - 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は像投影方法及び該方法を
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に０．５μ
ｍ以下の線幅の回路パタ−ンをウエハ−に形成する際に
好適な、改良された像投影方法及び半導体デバイスの製
造方法に関する。
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に０．５μ
ｍ以下の線幅の回路パタ−ンをウエハ−に形成する際に
好適な、改良された像投影方法及び半導体デバイスの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスの高集
積化は益々加速度を増しており、これに伴って微細加工
技術も著しい進展を見せている。特に、半導体デバイス
の製造過程における加工技術の中心を成す露光技術は、
１メガＤＲＡＭを境にサブミクロンの領域に踏み込ん
だ。この露光用の装置として代表的なものが、所謂ステ
ッパ−と呼ばれる縮小投影露光装置であり、この装置の
解像力が半導体デバイスの将来を担っていると言っても
過言ではない。
積化は益々加速度を増しており、これに伴って微細加工
技術も著しい進展を見せている。特に、半導体デバイス
の製造過程における加工技術の中心を成す露光技術は、
１メガＤＲＡＭを境にサブミクロンの領域に踏み込ん
だ。この露光用の装置として代表的なものが、所謂ステ
ッパ−と呼ばれる縮小投影露光装置であり、この装置の
解像力が半導体デバイスの将来を担っていると言っても
過言ではない。
【０００３】従来、この装置の解像力を向上させる為に
用いられてきた手法は、主として投影光学系（縮小レン
ズ系）の開口数ＮＡを大きくしていく手法であった。し
かしながら、投影光学系の焦点深度はＮＡの２乗に反比
例する為、ＮＡを大きくすると焦点深度が小さく成り、
ウエハ−上にコントラストの良い像を形成するのが難し
くなるといった問題が生じる。従って、最近は、露光に
使用する光をｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎ
ｍ）或はＫｒＦエキシマレ−ザ−光（２４８ｎｍ）に代
えるといった、露光光の短波長化による解像力の向上が
図られている。これは、光学系が許容できる焦点深度を
一定とすると解像力が波長の平方根（√λ）反比例して
大きくなる効果を狙ったものである。
用いられてきた手法は、主として投影光学系（縮小レン
ズ系）の開口数ＮＡを大きくしていく手法であった。し
かしながら、投影光学系の焦点深度はＮＡの２乗に反比
例する為、ＮＡを大きくすると焦点深度が小さく成り、
ウエハ−上にコントラストの良い像を形成するのが難し
くなるといった問題が生じる。従って、最近は、露光に
使用する光をｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎ
ｍ）或はＫｒＦエキシマレ−ザ−光（２４８ｎｍ）に代
えるといった、露光光の短波長化による解像力の向上が
図られている。これは、光学系が許容できる焦点深度を
一定とすると解像力が波長の平方根（√λ）反比例して
大きくなる効果を狙ったものである。
【０００４】一方、投影光学系のＮＡを大きくしたり露
光光の波長を短くしたりする方法とは別に、レチクルに
対する照明法を代えることにより装置の解像力を上げる
方法がある。この方法は、投影光学系の瞳に円環状の有
効光源（０次光が形成する仮想光源）を形成する光でレ
チクルを照明するものであり、レチクルの微細な回路パ
タ−ンで生じる回折光（０次光と１次光）を投影光学系
の瞳に入射させることが可能である。尚、円環状の有効
光源を形成する光は、装置の照明系中の投影光学系の瞳
と共役な位置に円環状の２次光源を形成することにより
供給される。
光光の波長を短くしたりする方法とは別に、レチクルに
対する照明法を代えることにより装置の解像力を上げる
方法がある。この方法は、投影光学系の瞳に円環状の有
効光源（０次光が形成する仮想光源）を形成する光でレ
チクルを照明するものであり、レチクルの微細な回路パ
タ−ンで生じる回折光（０次光と１次光）を投影光学系
の瞳に入射させることが可能である。尚、円環状の有効
光源を形成する光は、装置の照明系中の投影光学系の瞳
と共役な位置に円環状の２次光源を形成することにより
供給される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この照
明法では投影光学系の焦点深度が余り改善されないの
で、この照明法を投影露光装置に適用してもコントラス
トの良い像を得ることは難しい。
明法では投影光学系の焦点深度が余り改善されないの
で、この照明法を投影露光装置に適用してもコントラス
トの良い像を得ることは難しい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦と横のパタ
ーンを備える微細パターンを照明し、該微細パターンの
像を投影光学系で投影する像投影方法において、前記縦
パターンに平行な辺と前記横パターンに平行な辺を持つ
輪郭を有する環状の光源を前記投影光学系の瞳と共役な
位置に形成し、該光源からの光により前記微細パターン
を照明する際、前記瞳の半径を１として規格化した場合
に、前記瞳の中心から前記瞳に形成される前記光源の像
の内側の輪郭までの距離Ｒ 1 を０．１≦Ｒ 1 ≦０．６５、
外側の輪郭までの距離Ｒ 2 を０．２５≦Ｒ 2 ≦０．７１の
大きさに設定したことにより、投影光学系の焦点深度を
向上させる。
ーンを備える微細パターンを照明し、該微細パターンの
像を投影光学系で投影する像投影方法において、前記縦
パターンに平行な辺と前記横パターンに平行な辺を持つ
輪郭を有する環状の光源を前記投影光学系の瞳と共役な
位置に形成し、該光源からの光により前記微細パターン
を照明する際、前記瞳の半径を１として規格化した場合
に、前記瞳の中心から前記瞳に形成される前記光源の像
の内側の輪郭までの距離Ｒ 1 を０．１≦Ｒ 1 ≦０．６５、
外側の輪郭までの距離Ｒ 2 を０．２５≦Ｒ 2 ≦０．７１の
大きさに設定したことにより、投影光学系の焦点深度を
向上させる。
【０００７】又、本発明は、縦と横のパターンを備える
回路パターンを照明し、該回路パターンで生じる回折光
を投影光学系の瞳に入射させて該回路パターンの像をウ
エハー上に投影し、該ウエハーに該回路パターンを転写
することにより半導体デバイスを製造する方法におい
て、前記縦パターンに平行な辺と前記横パターンに平行
な辺を持つ輪郭を有する環状の光源を前記投影光学系の
瞳と共役な位置に形成し、該光源からの光により前記回
路パターンを照明する際、前記瞳の半径を１として規格
化した場合に、前記瞳の中心から前記瞳に形成される前
記光源の像の内側の輪郭までの距離Ｒ 1 を０．１≦Ｒ 1 ≦
０．６５、外側の輪郭までの距離Ｒ 2 を０．２５≦Ｒ 2 ≦
０．７１の大きさに設定したことにより、投影光学系の
焦点深度を向上させる。
回路パターンを照明し、該回路パターンで生じる回折光
を投影光学系の瞳に入射させて該回路パターンの像をウ
エハー上に投影し、該ウエハーに該回路パターンを転写
することにより半導体デバイスを製造する方法におい
て、前記縦パターンに平行な辺と前記横パターンに平行
な辺を持つ輪郭を有する環状の光源を前記投影光学系の
瞳と共役な位置に形成し、該光源からの光により前記回
路パターンを照明する際、前記瞳の半径を１として規格
化した場合に、前記瞳の中心から前記瞳に形成される前
記光源の像の内側の輪郭までの距離Ｒ 1 を０．１≦Ｒ 1 ≦
０．６５、外側の輪郭までの距離Ｒ 2 を０．２５≦Ｒ 2 ≦
０．７１の大きさに設定したことにより、投影光学系の
焦点深度を向上させる。
【０００８】前記光源の辺とは、光源の基本的な輪郭を
定める辺のことであり、微視的に見て直線の繋がりより
なるものは勿論のこと、後で実施例に示す通り、微視的
に見て曲線の繋がりより成るが、巨視的に見ると繋がり
が予め決めた直線に沿ったものも含む。
定める辺のことであり、微視的に見て直線の繋がりより
なるものは勿論のこと、後で実施例に示す通り、微視的
に見て曲線の繋がりより成るが、巨視的に見ると繋がり
が予め決めた直線に沿ったものも含む。
【０００９】本発明の好ましい形態は、前記光源の内側
の輪郭が前記縦パターンに平行な辺と前記横パターンに
平行な辺を有すること、及び、前記光源の外側の輪郭が
前記縦パターンに平行な辺と前記横パターンに平行な辺
を有すること、の少なくとも一方を満たすものである。
の輪郭が前記縦パターンに平行な辺と前記横パターンに
平行な辺を有すること、及び、前記光源の外側の輪郭が
前記縦パターンに平行な辺と前記横パターンに平行な辺
を有すること、の少なくとも一方を満たすものである。
【００１０】従って、本発明では、前記光源の内側及び
外側の輪郭がほぼ矩形を成すもの、外側の輪郭がほぼ矩
形を成し内側の輪郭がほぼ円形を成すもの、内側の輪郭
がほぼ矩形を成し外側の輪郭がほぼ円形を成すもの等、
各種形態の光源からの光による照明を選択できる。
外側の輪郭がほぼ矩形を成すもの、外側の輪郭がほぼ矩
形を成し内側の輪郭がほぼ円形を成すもの、内側の輪郭
がほぼ矩形を成し外側の輪郭がほぼ円形を成すもの等、
各種形態の光源からの光による照明を選択できる。
【００１１】本発明では、上記形態の光源からの光で照
明を行う為、従来の円環状光源からの光で照明するより
も、縦横パターンに対する投影光学系の焦点深度を向上
させることが可能になる。
明を行う為、従来の円環状光源からの光で照明するより
も、縦横パターンに対する投影光学系の焦点深度を向上
させることが可能になる。
【００１２】尚、本発明において上記形態の光源は、投
影光学系の瞳と共役な位置に形成される１次光源や２次
光源に相当している。
影光学系の瞳と共役な位置に形成される１次光源や２次
光源に相当している。
【００１３】又、本発明では、回路パタ−ンを照明し、
該回路パタ−ンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射
させて該回路パタ−ンの像をウエハ−上に投影し、該ウ
エハ−に該回路パタ−ン像を転写することにより半導体
デバイスを製造する方法において、前記回路パタ−ンを
構成する縦横パタ−ンで生じる０次及び１次回折光が前
記瞳の中心を中心としたほぼ矩形の輪郭に沿って分布す
るように、所定形状の２次光源からの光で前記回路パタ
−ンを照明することにより、上記課題を解決する。
該回路パタ−ンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射
させて該回路パタ−ンの像をウエハ−上に投影し、該ウ
エハ−に該回路パタ−ン像を転写することにより半導体
デバイスを製造する方法において、前記回路パタ−ンを
構成する縦横パタ−ンで生じる０次及び１次回折光が前
記瞳の中心を中心としたほぼ矩形の輪郭に沿って分布す
るように、所定形状の２次光源からの光で前記回路パタ
−ンを照明することにより、上記課題を解決する。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の方法により半導体デバイス
を製造する為の投影露光装置を示す図である。
を製造する為の投影露光装置を示す図である。
【００１５】図１において、Ｍはレチクルであり、レチ
クルＭには回路パタ−ンが形成されている。Ｗはウエハ
−であり、ウエハ−Ｗにはレジストが塗布してある。１
０は装置の光軸、２０は光源（１次光源）、３０は光源
２０からの光をレチクルＭに向ける照明光学系、３０Ａ
は照明光学系３０の開口絞りであり、絞り３０Ａは、照
明光学系３０の不図示の光学式インテグレ−タ−（フラ
イアイレンズ）の光射出面近傍に置かれ、光学式インテ
グレ−タ−と共にその開口に環状の２次光源を形成す
る。４０はレチクルＭを保持するレチクルステ−ジ、５
０は照明光学系３０の環状の２次光源からの光束で均一
照明されたレチクルＭの回路パタ−ンの縮小像を投影す
る投影レンズ系、５０Ａは投影レンズ系５０の開口絞り
であり、この絞り５０Ａが投影レンズ系５０の瞳を定め
る。ここでは、絞り５０Ａの開口の位置を瞳位置として
説明を行う。６０はウエハ−Ｗを保持するウエハ−ステ
−ジであり、ステ−ジ６０はウエハ−Ｗ上の表面が投影
レンズ系５０によるレチクルＭの回路パタ−ンの結像面
に一致するようウエハ−Ｗを保持する。
クルＭには回路パタ−ンが形成されている。Ｗはウエハ
−であり、ウエハ−Ｗにはレジストが塗布してある。１
０は装置の光軸、２０は光源（１次光源）、３０は光源
２０からの光をレチクルＭに向ける照明光学系、３０Ａ
は照明光学系３０の開口絞りであり、絞り３０Ａは、照
明光学系３０の不図示の光学式インテグレ−タ−（フラ
イアイレンズ）の光射出面近傍に置かれ、光学式インテ
グレ−タ−と共にその開口に環状の２次光源を形成す
る。４０はレチクルＭを保持するレチクルステ−ジ、５
０は照明光学系３０の環状の２次光源からの光束で均一
照明されたレチクルＭの回路パタ−ンの縮小像を投影す
る投影レンズ系、５０Ａは投影レンズ系５０の開口絞り
であり、この絞り５０Ａが投影レンズ系５０の瞳を定め
る。ここでは、絞り５０Ａの開口の位置を瞳位置として
説明を行う。６０はウエハ−Ｗを保持するウエハ−ステ
−ジであり、ステ−ジ６０はウエハ−Ｗ上の表面が投影
レンズ系５０によるレチクルＭの回路パタ−ンの結像面
に一致するようウエハ−Ｗを保持する。
【００１６】以上の構成で、光源２０と照明光学系３０
とを用いてレチクルＭを照明すると、レチクルＭの回路
パタ−ン（主として縦横パタ−ンの集合より成る。）で
生じる回折光が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開口に
捕らえられ、投影レンズ系５０が、これらの回折光によ
りレチクルＭの回路パタ−ンの像をウエハ−Ｗ上に投影
し、回路パタ−ン像をウエハ−Ｗのレジストに転写す
る。このような露光−転写の工程を経てウエハ−Ｗから
半導体チップが製造される。
とを用いてレチクルＭを照明すると、レチクルＭの回路
パタ−ン（主として縦横パタ−ンの集合より成る。）で
生じる回折光が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開口に
捕らえられ、投影レンズ系５０が、これらの回折光によ
りレチクルＭの回路パタ−ンの像をウエハ−Ｗ上に投影
し、回路パタ−ン像をウエハ−Ｗのレジストに転写す
る。このような露光−転写の工程を経てウエハ−Ｗから
半導体チップが製造される。
【００１７】図１の装置では、照明光学系３０の絞り３
０Ａの位置と投影レンズ系５０の絞り５０Ａの位置とが
互いに共役な位置に設定されており、絞り３０Ａの開口
（２次光源）の像が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開
口中に投影される。従って、絞り３０Ａの開口の形状や
大きさ（２次光源の形状や大きさ）を適宜定めることに
より、絞り５０Ａの開口即ち瞳に形成する絞り３０Ａの
開口像即ち有効光源の形状と大きさが決まる。尚、絞り
５０Ａの開口は円形である。
０Ａの位置と投影レンズ系５０の絞り５０Ａの位置とが
互いに共役な位置に設定されており、絞り３０Ａの開口
（２次光源）の像が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開
口中に投影される。従って、絞り３０Ａの開口の形状や
大きさ（２次光源の形状や大きさ）を適宜定めることに
より、絞り５０Ａの開口即ち瞳に形成する絞り３０Ａの
開口像即ち有効光源の形状と大きさが決まる。尚、絞り
５０Ａの開口は円形である。
【００１８】図２に、図１の装置の投影レンズ系５０の
瞳（以下、『瞳５０Ａ』と記す。）に形成される有効光
源の模式図を、図３に、図１の装置の照明光学系３０の
絞り３０Ａの正面図を示す。尚、図２では、投影レンズ
系５０の瞳５０Ａの中心を原点にしたｘｙ座標系に瞳５
０Ａと有効光源を図示している。このｘｙ座標系のｘ軸
はレチクルＭの横パタ−ン（『横』方向に伸びる線状パ
タ−ン）の長手方向に、このｘｙ座標系のｙ軸はレチク
ルＭの縦パタ−ン（『縦』方向に伸びる線状パタ−ン）
の長手方向に対応している。尚、図１の装置の光学式イ
ンテグレ−タ−は、図７の断面図に示すようなレンズエ
レメントの集合体より成るフライアイレンズを使用して
いるので、瞳５０Ａで実際に観察される有効光源は図８
に示すようになり、有効光源は内側及び外側のレンズエ
レメント像の個々の外形を繋げた曲線で形づけられる
が、ここでは有効光源の輪郭を、内側及び外側のレンズ
エレメント像の配列に沿った線で形づけられるものとし
て取り扱う。
瞳（以下、『瞳５０Ａ』と記す。）に形成される有効光
源の模式図を、図３に、図１の装置の照明光学系３０の
絞り３０Ａの正面図を示す。尚、図２では、投影レンズ
系５０の瞳５０Ａの中心を原点にしたｘｙ座標系に瞳５
０Ａと有効光源を図示している。このｘｙ座標系のｘ軸
はレチクルＭの横パタ−ン（『横』方向に伸びる線状パ
タ−ン）の長手方向に、このｘｙ座標系のｙ軸はレチク
ルＭの縦パタ−ン（『縦』方向に伸びる線状パタ−ン）
の長手方向に対応している。尚、図１の装置の光学式イ
ンテグレ−タ−は、図７の断面図に示すようなレンズエ
レメントの集合体より成るフライアイレンズを使用して
いるので、瞳５０Ａで実際に観察される有効光源は図８
に示すようになり、有効光源は内側及び外側のレンズエ
レメント像の個々の外形を繋げた曲線で形づけられる
が、ここでは有効光源の輪郭を、内側及び外側のレンズ
エレメント像の配列に沿った線で形づけられるものとし
て取り扱う。
【００１９】図２に斜線で示す通り、図１の装置では、
瞳５０Ａに、レチクルＭの縦横パタ−ンの各方向に延び
る辺を備えた環状の有効光源を形成しており、この有効
光源は内側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の環状有効光
源より成る。
瞳５０Ａに、レチクルＭの縦横パタ−ンの各方向に延び
る辺を備えた環状の有効光源を形成しており、この有効
光源は内側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の環状有効光
源より成る。
【００２０】図２に極座標（ｒ、θ）を設定すると（ｘ
＝ｒｃｏｓθ、ｙ＝ｒｓｉｎθ）、瞳５０Ａのｘ軸から
の角度θを成す半径方向に伸びる有効光源の各部分の強
度Ｉ（ｒ、θ）の重心位置（Ｒｍ（θ）、θ）のＲｍ
（θ）は、瞳５０Ａの中心をｒ＝０、瞳５０Ａの半径を
ｒ＝１とする時、
＝ｒｃｏｓθ、ｙ＝ｒｓｉｎθ）、瞳５０Ａのｘ軸から
の角度θを成す半径方向に伸びる有効光源の各部分の強
度Ｉ（ｒ、θ）の重心位置（Ｒｍ（θ）、θ）のＲｍ
（θ）は、瞳５０Ａの中心をｒ＝０、瞳５０Ａの半径を
ｒ＝１とする時、
【００２１】
【外１】 で表すことができる。図２に破線で示した線は、θ＝０
0 〜３６０0 に関して重心位置（Ｒｍ（θ）、θ）を結
んだ線であり、本実施例の有効光源は、放射方向（ｒ方
向）に関する重心をθ＝０0 〜３６０0 の範囲で結ぶ線
の殆どがｘ軸やｙ軸に平行な線の集まりより成るほぼ矩
形の形態を取り、有効光源がｘ軸及びｙ軸の夫々に関し
て線対称であることが特徴である。又、この有効光源
は、レチクルＭの回路パタ−ンの内の最小線幅を持つ縦
及び／又は横パタ−ンで生じる０次回折光と１次回折光
が瞳５０Ａでｘ軸やｙ軸に関して互いに対称な位置に分
布するよう設定される。
0 〜３６０0 に関して重心位置（Ｒｍ（θ）、θ）を結
んだ線であり、本実施例の有効光源は、放射方向（ｒ方
向）に関する重心をθ＝０0 〜３６０0 の範囲で結ぶ線
の殆どがｘ軸やｙ軸に平行な線の集まりより成るほぼ矩
形の形態を取り、有効光源がｘ軸及びｙ軸の夫々に関し
て線対称であることが特徴である。又、この有効光源
は、レチクルＭの回路パタ−ンの内の最小線幅を持つ縦
及び／又は横パタ−ンで生じる０次回折光と１次回折光
が瞳５０Ａでｘ軸やｙ軸に関して互いに対称な位置に分
布するよう設定される。
【００２２】図３に示す通り、図１の装置の絞り３０Ａ
は、瞳５０Ａに図２に示す有効光源を形成する為に、内
側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の環状の開口３０２を
遮光部３０１で定めた絞りで構成される。従って、照明
光学系３０には、内側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の
環状の２次光源が形成される。図３にはｘｙ座標を示し
てはいないが、原点が開口３０２の中心（光軸）、図の
左右方向がこの原点を通るｘ軸の方向に、図の上下方向
がこの原点を通るｙ軸の方向に対応することが、図２と
の比較から明らかであろう。
は、瞳５０Ａに図２に示す有効光源を形成する為に、内
側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の環状の開口３０２を
遮光部３０１で定めた絞りで構成される。従って、照明
光学系３０には、内側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の
環状の２次光源が形成される。図３にはｘｙ座標を示し
てはいないが、原点が開口３０２の中心（光軸）、図の
左右方向がこの原点を通るｘ軸の方向に、図の上下方向
がこの原点を通るｙ軸の方向に対応することが、図２と
の比較から明らかであろう。
【００２３】図１の装置では、図３に示す絞り３０Ａの
開口像を投影レンズ系５０の瞳５０Ａに投影するようレ
チクルＭを照明して、ほぼ矩形の環状有効光源を瞳５０
Ａに形成しながら、レチクルＭの回路パタ−ンの像をウ
エハ−Ｗ上に投影するので、円環状の有効光源を投影レ
ンズ系の瞳に投影する方法に比べて、レチクルＭの回路
パタ−ンの縦横パタ−ンの結像に関する投影レンズ系の
焦点深度を向上させることができる。従って、レチクル
Ｍの回路パタ−ンの微細縦横パタ−ンの像を、安定し
て、高コントラストで、ウエハ−Ｗ上に投影できる。こ
の理由を以下に説明する。
開口像を投影レンズ系５０の瞳５０Ａに投影するようレ
チクルＭを照明して、ほぼ矩形の環状有効光源を瞳５０
Ａに形成しながら、レチクルＭの回路パタ−ンの像をウ
エハ−Ｗ上に投影するので、円環状の有効光源を投影レ
ンズ系の瞳に投影する方法に比べて、レチクルＭの回路
パタ−ンの縦横パタ−ンの結像に関する投影レンズ系の
焦点深度を向上させることができる。従って、レチクル
Ｍの回路パタ−ンの微細縦横パタ−ンの像を、安定し
て、高コントラストで、ウエハ−Ｗ上に投影できる。こ
の理由を以下に説明する。
【００２４】出願人が検討したところ、環状２次光源か
らの光束の如く軸外からの光で微細縦横パタ−ンを斜め
照明し、微細縦横パタ−ンで生じる回折光により微細縦
横パタ−ンを結像する場合、投影光学系の瞳において０
次回折光と１次回折光が瞳のｘｙ座標系（図２参照）で
ｘ軸或はｙ軸に関して互いに対称な位置に分布する時
が、デフォ−カスによる像質の劣化（像の歪み等）が最
も小さくなることが分かった。これは、この時が０次回
折光と１次回折光の波面収差の差が最も小さく成るから
である。この為、線幅が細かくなって焦点深度が問題と
なるようなパタ−ンに対し、０次光と１次光がｘ軸或は
ｙ軸に関して対称となるように構成できれば、細かい線
幅のパタ−ンの結像における焦点深度は改善される。
らの光束の如く軸外からの光で微細縦横パタ−ンを斜め
照明し、微細縦横パタ−ンで生じる回折光により微細縦
横パタ−ンを結像する場合、投影光学系の瞳において０
次回折光と１次回折光が瞳のｘｙ座標系（図２参照）で
ｘ軸或はｙ軸に関して互いに対称な位置に分布する時
が、デフォ−カスによる像質の劣化（像の歪み等）が最
も小さくなることが分かった。これは、この時が０次回
折光と１次回折光の波面収差の差が最も小さく成るから
である。この為、線幅が細かくなって焦点深度が問題と
なるようなパタ−ンに対し、０次光と１次光がｘ軸或は
ｙ軸に関して対称となるように構成できれば、細かい線
幅のパタ−ンの結像における焦点深度は改善される。
【００２５】例えば、図４（Ａ）に示すような縦パタ−
ンＭ1 、横パタ−ンＭ2 を結像する場合、図４（Ｂ）に
示すように回折光を分布させることが好ましいというこ
とである。図４（Ｂ）において、◎、△、○、×は０次
回折光及び１次回折光を示しており、◎と○がＭ1 で生
じる回折光の対を示し◎が０次光の時○が１次光で○が
０次光の時◎が１次光であり、△と×が横パタ−ンＭ2
生じる回折光の対を示し△が０次光の時×が１次光で×
が０次光の時△が１次光であり、瞳５０Ａにおいて矩形
の輪郭を作るように各回折光が分布している。このよう
な回折光の分布は図４（Ｃ）に示す内側と外側の輪郭が
双方共正方形の瞳の中心（光軸）を中心とした環状有効
光源を瞳５０Ａに形成することで達成される。円環状有
効光源を瞳に形成する場合には、瞳のｘｙ座標系でｘ軸
或はｙ軸に関して互いに対称でない回折光の対が生じ、
この回折光の対による微細縦横パタ−ンの結像はデフォ
−カスによる像質の劣化が大きい。
ンＭ1 、横パタ−ンＭ2 を結像する場合、図４（Ｂ）に
示すように回折光を分布させることが好ましいというこ
とである。図４（Ｂ）において、◎、△、○、×は０次
回折光及び１次回折光を示しており、◎と○がＭ1 で生
じる回折光の対を示し◎が０次光の時○が１次光で○が
０次光の時◎が１次光であり、△と×が横パタ−ンＭ2
生じる回折光の対を示し△が０次光の時×が１次光で×
が０次光の時△が１次光であり、瞳５０Ａにおいて矩形
の輪郭を作るように各回折光が分布している。このよう
な回折光の分布は図４（Ｃ）に示す内側と外側の輪郭が
双方共正方形の瞳の中心（光軸）を中心とした環状有効
光源を瞳５０Ａに形成することで達成される。円環状有
効光源を瞳に形成する場合には、瞳のｘｙ座標系でｘ軸
或はｙ軸に関して互いに対称でない回折光の対が生じ、
この回折光の対による微細縦横パタ−ンの結像はデフォ
−カスによる像質の劣化が大きい。
【００２６】従って、本発明では、瞳で図４（Ｂ）に示
すような瞳の中心を中心とした矩形の輪郭又はこれに近
い輪郭を形成するよう各回折光を分布させる為に、瞳の
中心を中心とした正方形や長方形或はこれらの形を変形
した輪郭を内側及び外側の少なくとも一方に有する有効
光源を形成するようにした。
すような瞳の中心を中心とした矩形の輪郭又はこれに近
い輪郭を形成するよう各回折光を分布させる為に、瞳の
中心を中心とした正方形や長方形或はこれらの形を変形
した輪郭を内側及び外側の少なくとも一方に有する有効
光源を形成するようにした。
【００２７】図４（Ｃ）に示す矩形の環状有効光源を形
成する像投影法と円環状有効光源を形成する像投影法に
よる結像特性を計算機でシュミレ−ションを行った比較
結果を図５に示す。このシュミレ−ションでは、開口数
ＮＡ＝０．５２の投影レンズ系により、５本のラインよ
り成る１次元ライン＆スペ−スのバ−チャ−トを、ｉ線
（波長３６５ｎｍ）で結像した時の、バ−チャ−ト像の
線幅とコントラスト７０％における焦点深度の関係を求
めた。図５において、は瞳中心の強度が最も大きいガ
ウシアン形の強度分布を示す有効光源を形成する場合の
縦横パタ−ンの特性、は円環状有効光源を形成する場
合の縦横パタ−ンの特性、は矩形環状有効光源を形成
する場合の縦横パタ−ンの特性、は矩形環状有効光源
を形成する場合の斜め４５0 パタ−ンの特性を示してい
る。尚、の場合の円環状有効光源の大きさは、瞳の半
径を１とした時に円環の内側の輪郭の半径が０．４、外
側の輪郭の半径が０．８に設定したもので、及びの
場合の矩形環状有効光源の大きさは、図４（Ｃ）におい
て（瞳の半径は１）、Ｒ1 ＝０．４、Ｒ2 ＝０．６５に
設定したものである。
成する像投影法と円環状有効光源を形成する像投影法に
よる結像特性を計算機でシュミレ−ションを行った比較
結果を図５に示す。このシュミレ−ションでは、開口数
ＮＡ＝０．５２の投影レンズ系により、５本のラインよ
り成る１次元ライン＆スペ−スのバ−チャ−トを、ｉ線
（波長３６５ｎｍ）で結像した時の、バ−チャ−ト像の
線幅とコントラスト７０％における焦点深度の関係を求
めた。図５において、は瞳中心の強度が最も大きいガ
ウシアン形の強度分布を示す有効光源を形成する場合の
縦横パタ−ンの特性、は円環状有効光源を形成する場
合の縦横パタ−ンの特性、は矩形環状有効光源を形成
する場合の縦横パタ−ンの特性、は矩形環状有効光源
を形成する場合の斜め４５0 パタ−ンの特性を示してい
る。尚、の場合の円環状有効光源の大きさは、瞳の半
径を１とした時に円環の内側の輪郭の半径が０．４、外
側の輪郭の半径が０．８に設定したもので、及びの
場合の矩形環状有効光源の大きさは、図４（Ｃ）におい
て（瞳の半径は１）、Ｒ1 ＝０．４、Ｒ2 ＝０．６５に
設定したものである。
【００２８】図５から理解できるように、矩形環状有効
光源を形成する場合の斜め４５0 パタ−ンの結像特性と
円環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの結像特
性がほぼ同じであり、矩形環状有効光源を形成する場合
の縦横パタ−ンの結像特性は、ガウシアン型の強度分布
を示す有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの特性や
円環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの結像特
性に比べて良好であり、縦横パタ−ンに対する焦点深度
が飛躍的に向上している。図１に示す装置の如き半導体
製造用露光装置（ステッパ−）の許容可能な焦点深度を
１．５μｍとすると、円環状有効光源を形成する場合の
縦横パタ−ンの限界解像力は０．４４μｍであるのに対
し、矩形環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの
限界解像力は０．３７μｍであり、矩形環状有効光源を
形成する像投影法の使用により、縦横パタ−ンの限界解
像力を向上させることが可能になる。回路パタ−ンは主
として縦横パタ−ンにより構成されるから、回路パタ−
ンを投影する場合に、縦横パタ−ンに関する焦点深度や
限界解像力を向上させることは効果がある。
光源を形成する場合の斜め４５0 パタ−ンの結像特性と
円環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの結像特
性がほぼ同じであり、矩形環状有効光源を形成する場合
の縦横パタ−ンの結像特性は、ガウシアン型の強度分布
を示す有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの特性や
円環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの結像特
性に比べて良好であり、縦横パタ−ンに対する焦点深度
が飛躍的に向上している。図１に示す装置の如き半導体
製造用露光装置（ステッパ−）の許容可能な焦点深度を
１．５μｍとすると、円環状有効光源を形成する場合の
縦横パタ−ンの限界解像力は０．４４μｍであるのに対
し、矩形環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの
限界解像力は０．３７μｍであり、矩形環状有効光源を
形成する像投影法の使用により、縦横パタ−ンの限界解
像力を向上させることが可能になる。回路パタ−ンは主
として縦横パタ−ンにより構成されるから、回路パタ−
ンを投影する場合に、縦横パタ−ンに関する焦点深度や
限界解像力を向上させることは効果がある。
【００２９】出願人の検討によれば、本発明の矩形の環
状有効光源として好ましいものは、図４（Ｃ）の形状或
はこの形状に近い形状で、瞳の半径を１として規格化し
た場合に、有効光源の内外の輪郭を、０．１≦Ｒ1 ≦
０．６５、０．２５≦Ｒ2 ≦０．７１ の大きさに設定
したものである。
状有効光源として好ましいものは、図４（Ｃ）の形状或
はこの形状に近い形状で、瞳の半径を１として規格化し
た場合に、有効光源の内外の輪郭を、０．１≦Ｒ1 ≦
０．６５、０．２５≦Ｒ2 ≦０．７１ の大きさに設定
したものである。
【００３０】図１の装置では、図３に示す絞り３０Ａを
用いて内側及び外側の輪郭が正方形に近い形の２次光源
を形成し、この２次光源と相似形の有効光源を瞳５０Ａ
に形成しているが、本発明は、このような形状以外の２
次光源や有効光源を形成して像を投影するものも含み、
例えば、図６（Ａ）〜（Ｏ）に斜線で示す各種形状の有
効光源を形成する場合も含む。図６（Ａ）〜（Ｏ）に示
す各種形状の有効光源は、何れも、内側及び外側の輪郭
の少なくとも一方に縦横パタ−ンの各方向に延びる辺を
備えており、これらの有効光源も、図２に破線で示した
如き放射方向に関する重心を結ぶ線がほぼ矩形の形態を
取り、縦横パタ−ンの結像に関して円環状有効光源より
大きな焦点深度を得ることが可能である。尚、図６
（Ａ）〜（Ｏ）に示す各種形状の有効光源を形成する為
には、図１の装置の照明光学系に、絞り３０Ａの代わり
に、図６の斜線部を開口とした図６（Ａ）〜（Ｏ）に図
示される何れかの形状の開口を備える絞りを用いればい
い。
用いて内側及び外側の輪郭が正方形に近い形の２次光源
を形成し、この２次光源と相似形の有効光源を瞳５０Ａ
に形成しているが、本発明は、このような形状以外の２
次光源や有効光源を形成して像を投影するものも含み、
例えば、図６（Ａ）〜（Ｏ）に斜線で示す各種形状の有
効光源を形成する場合も含む。図６（Ａ）〜（Ｏ）に示
す各種形状の有効光源は、何れも、内側及び外側の輪郭
の少なくとも一方に縦横パタ−ンの各方向に延びる辺を
備えており、これらの有効光源も、図２に破線で示した
如き放射方向に関する重心を結ぶ線がほぼ矩形の形態を
取り、縦横パタ−ンの結像に関して円環状有効光源より
大きな焦点深度を得ることが可能である。尚、図６
（Ａ）〜（Ｏ）に示す各種形状の有効光源を形成する為
には、図１の装置の照明光学系に、絞り３０Ａの代わり
に、図６の斜線部を開口とした図６（Ａ）〜（Ｏ）に図
示される何れかの形状の開口を備える絞りを用いればい
い。
【００３１】又、図３に示す絞り３０Ａは、開口３０２
以外の領域（遮光部３０１）を完全に遮光した例を示し
ているが、これらの領域を光が若干通過するような形の
絞りの使用も可能である。要は、開口３０２を通過する
光が他の領域を通過する光よりも十分に強度が強く、開
口３０２の像を瞳５０Ａに形成した場合、瞳５０Ａに内
側及び外側の輪郭の少なくとも一方に縦横パタ−ンの各
方向に延びる辺を備える有効光源が実質的に現れればい
い。
以外の領域（遮光部３０１）を完全に遮光した例を示し
ているが、これらの領域を光が若干通過するような形の
絞りの使用も可能である。要は、開口３０２を通過する
光が他の領域を通過する光よりも十分に強度が強く、開
口３０２の像を瞳５０Ａに形成した場合、瞳５０Ａに内
側及び外側の輪郭の少なくとも一方に縦横パタ−ンの各
方向に延びる辺を備える有効光源が実質的に現れればい
い。
【００３２】又、２次光源や有効光源内の強度分布は均
一な方が好ましいが、これに限定されるものではない。
一な方が好ましいが、これに限定されるものではない。
【００３３】又、図１の装置では、図７で示した通り断
面が円形のレンズエレメントを使用したフライアイレン
ズを示しているが、断面が四角形や六角形のレンズエレ
エメントの集光体より成るフライアイレンズを使用して
もいい。
面が円形のレンズエレメントを使用したフライアイレン
ズを示しているが、断面が四角形や六角形のレンズエレ
エメントの集光体より成るフライアイレンズを使用して
もいい。
【００３４】又、図１の装置では、絞り３０Ａを照明光
学系３０の光学式インテグレ−タ−の光射出面近傍に置
いていたが、絞り３０Ａを光学式インテグレ−タ−の光
入射面近傍に置いてもいい。この場合には、光学式イン
テグレ−タ−の光入射面に形成される矩形の環状２次光
源の像が投影レンズ系５０の瞳５０Ａに投影される。
又、図１の装置では光学式インテグレ−タ−の真ん中付
近のレンズエレメントは環状２次光源の形成に寄与しな
いから、この真ん中付近のレンズエレメントを除いた光
学式インテグレ−タ−の使用も可能であり、或は遮光膜
等で真ん中付近のレンズエレメントの光入斜面を覆った
光学式インテグレ−タ−の使用も可能である。又、照明
光学系３０の形態は、周知の様々な形態が採れる。又、
光源２０も、超高圧水銀灯やエキシマレ−ザ−等種々の
装置を適用できる。
学系３０の光学式インテグレ−タ−の光射出面近傍に置
いていたが、絞り３０Ａを光学式インテグレ−タ−の光
入射面近傍に置いてもいい。この場合には、光学式イン
テグレ−タ−の光入射面に形成される矩形の環状２次光
源の像が投影レンズ系５０の瞳５０Ａに投影される。
又、図１の装置では光学式インテグレ−タ−の真ん中付
近のレンズエレメントは環状２次光源の形成に寄与しな
いから、この真ん中付近のレンズエレメントを除いた光
学式インテグレ−タ−の使用も可能であり、或は遮光膜
等で真ん中付近のレンズエレメントの光入斜面を覆った
光学式インテグレ−タ−の使用も可能である。又、照明
光学系３０の形態は、周知の様々な形態が採れる。又、
光源２０も、超高圧水銀灯やエキシマレ−ザ−等種々の
装置を適用できる。
【００３５】又、図１の装置は投影レンズ系によりレチ
クルＭのパタ−ン像の投影を行うものであったが、本発
明は、投影ミラ−系によりパタ−ン像の投影を行う装置
にも適用できる。更に、本発明は、回路パタ−ン像を投
影するだけに限定されず、微細な格子パタ−ン像等を投
影してデバイスを作る他のリソグラフィ−技術にも適用
できる。
クルＭのパタ−ン像の投影を行うものであったが、本発
明は、投影ミラ−系によりパタ−ン像の投影を行う装置
にも適用できる。更に、本発明は、回路パタ−ン像を投
影するだけに限定されず、微細な格子パタ−ン像等を投
影してデバイスを作る他のリソグラフィ−技術にも適用
できる。
【００３６】
【発明の効果】以上、本発明では、縦と横のパターンを
備える微細パターンを投影する際、縦パターンに平行な
辺と横パターンに平行な辺を持つ輪郭を有する環状の光
源からの光により微細パターンを照明して微細パターン
の像を投影するので、投影光学系の焦点深度を向上させ
ることが可能になる。従って、この方法を露光装置に適
用すれば、装置の限界解像力を上げることも可能であ
る。
備える微細パターンを投影する際、縦パターンに平行な
辺と横パターンに平行な辺を持つ輪郭を有する環状の光
源からの光により微細パターンを照明して微細パターン
の像を投影するので、投影光学系の焦点深度を向上させ
ることが可能になる。従って、この方法を露光装置に適
用すれば、装置の限界解像力を上げることも可能であ
る。
【図１】本発明の方法を適用した投影露光装置を示す
図。
図。
【図２】図１の装置の瞳における有効光源を示す図。
【図３】図１の装置の照明光学系の開口絞りを示す図。
【図４】図１の装置に適用された有効光源の利点を説明
する為の説明図であり、（Ａ）は縦横パタ−ンを示す
図、（Ｂ）は瞳における回折光の好ましい分布を示す
図、（Ｃ）は（Ｂ）の回折光分布を生じさせる有効光源
の基本的な形を示す図。
する為の説明図であり、（Ａ）は縦横パタ−ンを示す
図、（Ｂ）は瞳における回折光の好ましい分布を示す
図、（Ｃ）は（Ｂ）の回折光分布を生じさせる有効光源
の基本的な形を示す図。
【図５】図４（Ｃ）に示す矩形の環状有効光源を形成す
る像投影法と円環状有効光源を形成する像投影法による
結像特性を計算機でシュミレ−ションを行った結果を示
す、バ−チャ−ト像の線幅と投影レンズ系の焦点深度の
関係を示すグラフ図。
る像投影法と円環状有効光源を形成する像投影法による
結像特性を計算機でシュミレ−ションを行った結果を示
す、バ−チャ−ト像の線幅と投影レンズ系の焦点深度の
関係を示すグラフ図。
【図６】本発明の有効光源の各種形態を示す図。
【図７】図１の装置の光学式インテグレ−タ−の断面
図。
図。
【図８】図１の装置の瞳の有効光源を実際に見た時の様
子を示す模式図。
子を示す模式図。
１０ 光軸 ２０ 光源 ３０ 照明光学系 ３０Ａ 照明光学系の開口絞り ４０ レチクルステ−ジ ５０ 投影レンズ系 ５０Ａ 投影レンズ系の開口絞り（瞳） ６０ ウエハ−ステ−ジ Ｍ マスク Ｗ ウエハ−
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G02B 27/42 G03B 27/32
Claims (16)
- 【請求項１】 縦と横のパターンを備える微細パターン
を照明し、該微細パターンの像を投影光学系で投影する
像投影方法において、前記縦パターンに平行な辺と前記
横パターンに平行な辺を持つ輪郭を有する環状の光源を
前記投影光学系の瞳と共役な位置に形成し、該光源から
の光により前記微細パターンを照明する際、前記瞳の半
径を１として規格化した場合に、前記瞳の中心から前記
瞳に形成される前記光源の像の内側の輪郭までの距離Ｒ
1 を０．１≦Ｒ 1 ≦０．６５、外側の輪郭までの距離Ｒ 2
を０．２５≦Ｒ 2 ≦０．７１の大きさに設定したことを
特徴とする像投影方法。 - 【請求項２】 前記光源の内側の輪郭が前記縦パターン
に平行な辺と前記横パターンに平行な辺を有することを
特徴とする請求項１の像投影方法。 - 【請求項３】 前記光源の外側の輪郭が前記縦パターン
に平行な辺と前記横パターンに平行な辺を有することを
特徴とする請求項１、２の像投影方法。 - 【請求項４】 前記光源の内側及び外側の輪郭がほぼ矩
形を成すことを特徴とする請求項１の像投影方法。 - 【請求項５】 前記光源の外側の輪郭がほぼ矩形を成
し、前記光源の内側の輪郭がほぼ円形を成すことを特徴
とする請求項１の像投影方法。 - 【請求項６】 前記光源の内側の輪郭がほぼ矩形を成
し、前記光源の外側の輪郭がほぼ円形を成すことを特徴
とする請求項１の像投影方法。 - 【請求項７】 縦と横のパターンを備える回路パターン
を照明し、該回路パターンで生じる回折光を投影光学系
の瞳に入射させて該回路パターンの像をウエハー上に投
影し、該ウエハーに該回路パターンを転写することによ
り半導体デバイスを製造する方法において、前記縦パタ
ーンに平行な辺と前記横パターンに平行な辺を持つ輪郭
を有する環状の光源を前記投影光学系の瞳と共役な位置
に形成し、該光源からの光により前記回路パターンを照
明する際、前記瞳の半径を１として規格化した場合に、
前記瞳の中心から前記瞳に形成される前記光源の像の内
側の輪郭までの距離Ｒ 1 を０．１≦Ｒ 1 ≦０．６５、外側
の輪郭までの距離Ｒ 2 を０．２５≦Ｒ 2 ≦０．７１の大き
さに設定したことを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。 - 【請求項８】 前記光源の内側の輪郭が前記縦パターン
に平行な辺と前記横パターンに平行な辺を有することを
特徴とする請求項７の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 前記光源の外側の輪郭が前記縦パターン
に平行な辺と前記横パターンに平行な辺を有することを
特徴とする請求項７、８の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】 前記光源の内側及び外側の輪郭がほぼ
矩形を成すことを特徴とする請求項７の半導体デバイス
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記光源の外側の輪郭がほぼ矩形を成
し、前記光源の内側の輪郭がほぼ円形を成すことを特徴
とする請求項７の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１２】 前記光源の内側の輪郭がほぼ矩形を成
し、前記光源の外側の輪郭がほぼ円形を成すことを特徴
とする請求項７の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１３】 縦と横のパターンを備える微細パター
ンを照明光学系で照明し、該微細パターンの像を投影光
学系で投影する像投影方法において、前記照明光学系中
の光学式インテグレータの入射面近傍に設けられた絞り
を用いて前記縦パターンに平行な辺と前記横パターンに
平行な辺を持つ輪郭を有する環状の光源を前記投影光学
系の瞳と共役な位置に形成し、該光源からの光により前
記微細パターンを照明することを特徴とする像投影方
法。 - 【請求項１４】 前記投影光学系の瞳の半径を１として
規格化した場合に、前記瞳の中心から前記瞳に形成され
る前記光源の像の内側の輪郭までの距離Ｒ1を０．１≦
Ｒ1≦０．６５、外側の輪郭までの距離Ｒ2を０．２５≦
Ｒ2≦０．７１の大きさに設定したことを特徴とする請
求項１４の像投影方法。 - 【請求項１５】 縦と横のパターンを備える回路パター
ンを照明し、該回路パターンで生じる回折光を投影光学
系の瞳に入射させて該回路パターンの像をウエハー上に
投影し、該ウエハーに該回路パターンを転写することに
より半導体デバイスを製造する方法において、前記照明
光学系中の光学式インテグレータの入射面近傍に設けら
れた絞りを用いて前記縦パターンに平行な辺と前記横パ
ターンに平行な辺を持つ輪郭を有する環状の光源を前記
投影光学系の瞳と共役な位置に形成し、該光源からの光
により前記回路パターンを照明することを特徴とする半
導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１６】 前記投影光学系の瞳の半径を１として
規格化した場合に、前記瞳の中心から前記瞳に形成され
る前記光源の像の内側の輪郭までの距離Ｒ1を０．１≦
Ｒ1≦０．６５、外側の輪郭までの距離Ｒ2を０．２５≦
Ｒ2≦０．７１の大きさに設定したことを特徴とする請
求項１６の半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19411391A JP3165711B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
| US08/177,186 US5367404A (en) | 1991-08-02 | 1994-01-03 | Image projection method and semiconductor device manufacturing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19411391A JP3165711B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536585A JPH0536585A (ja) | 1993-02-12 |
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Family
ID=16319141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19411391A Expired - Fee Related JP3165711B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
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