JPH0536585A - 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法Info
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- JPH0536585A JPH0536585A JP3194113A JP19411391A JPH0536585A JP H0536585 A JPH0536585 A JP H0536585A JP 3194113 A JP3194113 A JP 3194113A JP 19411391 A JP19411391 A JP 19411391A JP H0536585 A JPH0536585 A JP H0536585A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 投影光学系で微細縦横パタ−ンを結像する際
の焦点深度を拡大すること。 【構成】 照明光学系３０に矩形の環状開口を備える絞
り３０Ａを配置し、この絞りの作用で、投影光学系５０
の瞳５０Ａに矩形環状有効光源を形成するせしめる矩形
の環状２次光源を形成する。この２次光源からの光で、
レチクルＭの前記有効光源の輪郭に沿った方向に延びる
縦横パタ−ンを照明し、この縦横パタ−ンで生じる多数
の０次及び１次回折光を、瞳５０Ａに、瞳中心を中心と
して矩形の輪郭を形作るよう分布するように入射させ、
これらの回折光により縦横パタ−ンを結像する。
の焦点深度を拡大すること。 【構成】 照明光学系３０に矩形の環状開口を備える絞
り３０Ａを配置し、この絞りの作用で、投影光学系５０
の瞳５０Ａに矩形環状有効光源を形成するせしめる矩形
の環状２次光源を形成する。この２次光源からの光で、
レチクルＭの前記有効光源の輪郭に沿った方向に延びる
縦横パタ−ンを照明し、この縦横パタ−ンで生じる多数
の０次及び１次回折光を、瞳５０Ａに、瞳中心を中心と
して矩形の輪郭を形作るよう分布するように入射させ、
これらの回折光により縦横パタ−ンを結像する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は像投影方法及び該方法を
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に０．５μ
ｍ以下の線幅の回路パタ−ンをウエハ−に形成する際に
好適な、改良された像投影方法及び半導体デバイスの製
造方法に関する。
用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に０．５μ
ｍ以下の線幅の回路パタ−ンをウエハ−に形成する際に
好適な、改良された像投影方法及び半導体デバイスの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスの高集
積化は益々加速度を増しており、これに伴って微細加工
技術も著しい進展を見せている。特に、半導体デバイス
の製造過程における加工技術の中心を成す露光技術は、
１メガＤＲＡＭを境にサブミクロンの領域に踏み込ん
だ。この露光用の装置として代表的なものが、所謂ステ
ッパ−と呼ばれる縮小投影露光装置であり、この装置の
解像力が半導体デバイスの将来を担っていると言っても
過言ではない。
積化は益々加速度を増しており、これに伴って微細加工
技術も著しい進展を見せている。特に、半導体デバイス
の製造過程における加工技術の中心を成す露光技術は、
１メガＤＲＡＭを境にサブミクロンの領域に踏み込ん
だ。この露光用の装置として代表的なものが、所謂ステ
ッパ−と呼ばれる縮小投影露光装置であり、この装置の
解像力が半導体デバイスの将来を担っていると言っても
過言ではない。
【０００３】従来、この装置の解像力を向上させる為に
用いられてきた手法は、主として投影光学系（縮小レン
ズ系）の開口数ＮＡを大きくしていく手法であった。し
かしながら、投影光学系の焦点深度はＮＡの２乗に反比
例する為、ＮＡを大きくすると焦点深度が小さく成り、
ウエハ−上にコントラストの良い像を形成するのが難し
くなるといった問題が生じる。従って、最近は、露光に
使用する光をｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎ
ｍ）或はＫｒＦエキシマレ−ザ−光（２４８ｎｍ）に代
えるといった、露光光の短波長化による解像力の向上が
図られている。これは、光学系が許容できる焦点深度を
一定とすると解像力が波長の平方根（√λ）反比例して
大きくなる効果を狙ったものである。
用いられてきた手法は、主として投影光学系（縮小レン
ズ系）の開口数ＮＡを大きくしていく手法であった。し
かしながら、投影光学系の焦点深度はＮＡの２乗に反比
例する為、ＮＡを大きくすると焦点深度が小さく成り、
ウエハ−上にコントラストの良い像を形成するのが難し
くなるといった問題が生じる。従って、最近は、露光に
使用する光をｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎ
ｍ）或はＫｒＦエキシマレ−ザ−光（２４８ｎｍ）に代
えるといった、露光光の短波長化による解像力の向上が
図られている。これは、光学系が許容できる焦点深度を
一定とすると解像力が波長の平方根（√λ）反比例して
大きくなる効果を狙ったものである。
【０００４】一方、投影光学系のＮＡを大きくしたり露
光光の波長を短くしたりする方法とは別に、レチクルに
対する照明法を代えることにより装置の解像力を上げる
方法がある。この方法は、投影光学系の瞳に円環状の有
効光源（０次光が形成する仮想光源）を形成する光でレ
チクルを照明するものであり、レチクルの微細な回路パ
タ−ンで生じる回折光（０次光と１次光）を投影光学系
の瞳に入射させることが可能である。尚、円環状の有効
光源を形成する光は、装置の照明系中の投影光学系の瞳
と共役な位置に円環状の２次光源を形成することにより
供給される。
光光の波長を短くしたりする方法とは別に、レチクルに
対する照明法を代えることにより装置の解像力を上げる
方法がある。この方法は、投影光学系の瞳に円環状の有
効光源（０次光が形成する仮想光源）を形成する光でレ
チクルを照明するものであり、レチクルの微細な回路パ
タ−ンで生じる回折光（０次光と１次光）を投影光学系
の瞳に入射させることが可能である。尚、円環状の有効
光源を形成する光は、装置の照明系中の投影光学系の瞳
と共役な位置に円環状の２次光源を形成することにより
供給される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この照
明法では投影光学系の焦点深度が余り改善されないの
で、この照明法を投影露光装置に適用してもコントラス
トの良い像を得ることは難しい。
明法では投影光学系の焦点深度が余り改善されないの
で、この照明法を投影露光装置に適用してもコントラス
トの良い像を得ることは難しい。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】本発明は、縦横パタ−ンを
備える微細パタ−ンを照明し、該微細パタ−ンで生じる
回折光を投影光学系の瞳に入射させて該微細パタ−ンの
像を投影する方法において、前記瞳に前記縦横パタ−ン
の各方向に延びる辺を備えた環状の有効光源を形成する
光で前記微細パタ−ンを照明することにより、投影光学
系の焦点深度を向上させる。
備える微細パタ−ンを照明し、該微細パタ−ンで生じる
回折光を投影光学系の瞳に入射させて該微細パタ−ンの
像を投影する方法において、前記瞳に前記縦横パタ−ン
の各方向に延びる辺を備えた環状の有効光源を形成する
光で前記微細パタ−ンを照明することにより、投影光学
系の焦点深度を向上させる。
【０００７】又、本発明は、回路パタ−ンを照明し、該
回路パタ−ンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射さ
せて該回路パタ−ンの像をウエハ−上に投影し、該ウエ
ハ−に該回路パタ−ン像を転写することにより半導体デ
バイスを製造する方法において、前記瞳に前記回路パタ
−ンを構成する縦横パタ−ンの各方向に延びる辺を備え
た環状の有効光源を形成する光で前記微細パタ−ンを照
明することにより、投影光学系の焦点深度を向上させ
る。
回路パタ−ンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射さ
せて該回路パタ−ンの像をウエハ−上に投影し、該ウエ
ハ−に該回路パタ−ン像を転写することにより半導体デ
バイスを製造する方法において、前記瞳に前記回路パタ
−ンを構成する縦横パタ−ンの各方向に延びる辺を備え
た環状の有効光源を形成する光で前記微細パタ−ンを照
明することにより、投影光学系の焦点深度を向上させ
る。
【０００８】前記有効光源の辺とは、有効光源の基本的
な輪郭を定める辺のことであり、微視的に見て直線の繋
がりより成るものは勿論のこと、後で実施例に示す通
り、微視的に見て曲線の繋がりより成るが、巨視的に見
ると繋がりが予め決めた直線に沿ったものも含む。
な輪郭を定める辺のことであり、微視的に見て直線の繋
がりより成るものは勿論のこと、後で実施例に示す通
り、微視的に見て曲線の繋がりより成るが、巨視的に見
ると繋がりが予め決めた直線に沿ったものも含む。
【０００９】本発明の好ましい形態は、前記環状有効光
源の内側の輪郭が主として前記各方向に延びる辺で構成
され、該内側の輪郭の辺が前記瞳の中心を通る前記横パ
タ−ンの方向に平行な軸に関して対称な第１の一対の辺
と前記瞳の中心を通る前記縦パタ−ンの方向に平行な軸
に関して対称な第２の一対の辺とを有すること、及び、
前記環状有効光源の外側の輪郭が主として前記各方向に
延びる辺で構成され、該外側の輪郭の辺が前記瞳の中心
を通る前記横パタ−ンの方向に平行な軸に関して対称な
第３の一対の辺と前記瞳の中心を通る前記縦パタ−ンの
方向に平行な軸に関して対称な第４の一対の辺とを有す
ること、の少なくとも一方を満たすものである。
源の内側の輪郭が主として前記各方向に延びる辺で構成
され、該内側の輪郭の辺が前記瞳の中心を通る前記横パ
タ−ンの方向に平行な軸に関して対称な第１の一対の辺
と前記瞳の中心を通る前記縦パタ−ンの方向に平行な軸
に関して対称な第２の一対の辺とを有すること、及び、
前記環状有効光源の外側の輪郭が主として前記各方向に
延びる辺で構成され、該外側の輪郭の辺が前記瞳の中心
を通る前記横パタ−ンの方向に平行な軸に関して対称な
第３の一対の辺と前記瞳の中心を通る前記縦パタ−ンの
方向に平行な軸に関して対称な第４の一対の辺とを有す
ること、の少なくとも一方を満たすものである。
【００１０】従って、本発明では、前記環状有効光源の
内側及び外側の輪郭がほぼ矩形を成すもの、前記環状有
効光源の外側の輪郭がほぼ矩形を成し、前記環状有効光
源の内側の輪郭がほぼ円形を成すもの、前記環状有効光
源の内側の輪郭がほぼ矩形を成し、前記環状有効光源の
外側の輪郭がほぼ円形を成すもの等、各種形態の有効光
源を形成する光による照明を選択できる。
内側及び外側の輪郭がほぼ矩形を成すもの、前記環状有
効光源の外側の輪郭がほぼ矩形を成し、前記環状有効光
源の内側の輪郭がほぼ円形を成すもの、前記環状有効光
源の内側の輪郭がほぼ矩形を成し、前記環状有効光源の
外側の輪郭がほぼ円形を成すもの等、各種形態の有効光
源を形成する光による照明を選択できる。
【００１１】本発明では、前記有効光源を形成する光で
照明を行う為、従来の円環状有効光源を形成する光によ
る照明よりも、縦横パタ−ンに対する投影光学系の焦点
深度を向上させることが可能になる。
照明を行う為、従来の円環状有効光源を形成する光によ
る照明よりも、縦横パタ−ンに対する投影光学系の焦点
深度を向上させることが可能になる。
【００１２】尚、本発明において上記環状有効光源を形
成する光は、投影光学系の瞳と共役な位置に上記環状有
効光源と相似形の１次光源や２次光源を形成することに
より供給される。
成する光は、投影光学系の瞳と共役な位置に上記環状有
効光源と相似形の１次光源や２次光源を形成することに
より供給される。
【００１３】又、本発明では、回路パタ−ンを照明し、
該回路パタ−ンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射
させて該回路パタ−ンの像をウエハ−上に投影し、該ウ
エハ−に該回路パタ−ン像を転写することにより半導体
デバイスを製造する方法において、前記回路パタ−ンを
構成する縦横パタ−ンで生じる０次及び１次回折光が前
記瞳の中心を中心としたほぼ矩形の輪郭に沿って分布す
るように、所定形状の２次光源からの光で前記回路パタ
−ンを照明することにより、上記課題を解決する。
該回路パタ−ンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射
させて該回路パタ−ンの像をウエハ−上に投影し、該ウ
エハ−に該回路パタ−ン像を転写することにより半導体
デバイスを製造する方法において、前記回路パタ−ンを
構成する縦横パタ−ンで生じる０次及び１次回折光が前
記瞳の中心を中心としたほぼ矩形の輪郭に沿って分布す
るように、所定形状の２次光源からの光で前記回路パタ
−ンを照明することにより、上記課題を解決する。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の方法により半導体デバイス
を製造する為の投影露光装置を示す図である。
を製造する為の投影露光装置を示す図である。
【００１５】図１において、Ｍはレチクルであり、レチ
クルＭには回路パタ−ンが形成されている。Ｗはウエハ
−であり、ウエハ−Ｗにはレジストが塗布してある。１
０は装置の光軸、２０は光源（１次光源）、３０は光源
２０からの光をレチクルＭに向ける照明光学系、３０Ａ
は照明光学系３０の開口絞りであり、絞り３０Ａは、照
明光学系３０の不図示の光学式インテグレ−タ−（フラ
イアイレンズ）の光射出面近傍に置かれ、光学式インテ
グレ−タ−と共にその開口に環状の２次光源を形成す
る。４０はレチクルＭを保持するレチクルステ−ジ、５
０は照明光学系３０の環状の２次光源からの光束で均一
照明されたレチクルＭの回路パタ−ンの縮小像を投影す
る投影レンズ系、５０Ａは投影レンズ系５０の開口絞り
であり、この絞り５０Ａが投影レンズ系５０の瞳を定め
る。ここでは、絞り５０Ａの開口の位置を瞳位置として
説明を行う。６０はウエハ−Ｗを保持するウエハ−ステ
−ジであり、ステ−ジ６０はウエハ−Ｗ上の表面が投影
レンズ系５０によるレチクルＭの回路パタ−ンの結像面
に一致するようウエハ−Ｗを保持する。
クルＭには回路パタ−ンが形成されている。Ｗはウエハ
−であり、ウエハ−Ｗにはレジストが塗布してある。１
０は装置の光軸、２０は光源（１次光源）、３０は光源
２０からの光をレチクルＭに向ける照明光学系、３０Ａ
は照明光学系３０の開口絞りであり、絞り３０Ａは、照
明光学系３０の不図示の光学式インテグレ−タ−（フラ
イアイレンズ）の光射出面近傍に置かれ、光学式インテ
グレ−タ−と共にその開口に環状の２次光源を形成す
る。４０はレチクルＭを保持するレチクルステ−ジ、５
０は照明光学系３０の環状の２次光源からの光束で均一
照明されたレチクルＭの回路パタ−ンの縮小像を投影す
る投影レンズ系、５０Ａは投影レンズ系５０の開口絞り
であり、この絞り５０Ａが投影レンズ系５０の瞳を定め
る。ここでは、絞り５０Ａの開口の位置を瞳位置として
説明を行う。６０はウエハ−Ｗを保持するウエハ−ステ
−ジであり、ステ−ジ６０はウエハ−Ｗ上の表面が投影
レンズ系５０によるレチクルＭの回路パタ−ンの結像面
に一致するようウエハ−Ｗを保持する。
【００１６】以上の構成で、光源２０と照明光学系３０
とを用いてレチクルＭを照明すると、レチクルＭの回路
パタ−ン（主として縦横パタ−ンの集合より成る。）で
生じる回折光が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開口に
捕らえられ、投影レンズ系５０が、これらの回折光によ
りレチクルＭの回路パタ−ンの像をウエハ−Ｗ上に投影
し、回路パタ−ン像をウエハ−Ｗのレジストに転写す
る。このような露光−転写の工程を経てウエハ−Ｗから
半導体チップが製造される。
とを用いてレチクルＭを照明すると、レチクルＭの回路
パタ−ン（主として縦横パタ−ンの集合より成る。）で
生じる回折光が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開口に
捕らえられ、投影レンズ系５０が、これらの回折光によ
りレチクルＭの回路パタ−ンの像をウエハ−Ｗ上に投影
し、回路パタ−ン像をウエハ−Ｗのレジストに転写す
る。このような露光−転写の工程を経てウエハ−Ｗから
半導体チップが製造される。
【００１７】図１の装置では、照明光学系３０の絞り３
０Ａの位置と投影レンズ系５０の絞り５０Ａの位置とが
互いに共役な位置に設定されており、絞り３０Ａの開口
（２次光源）の像が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開
口中に投影される。従って、絞り３０Ａの開口の形状や
大きさ（２次光源の形状や大きさ）を適宜定めることに
より、絞り５０Ａの開口即ち瞳に形成する絞り３０Ａの
開口像即ち有効光源の形状と大きさが決まる。尚、絞り
５０Ａの開口は円形である。
０Ａの位置と投影レンズ系５０の絞り５０Ａの位置とが
互いに共役な位置に設定されており、絞り３０Ａの開口
（２次光源）の像が投影レンズ系５０の絞り５０Ａの開
口中に投影される。従って、絞り３０Ａの開口の形状や
大きさ（２次光源の形状や大きさ）を適宜定めることに
より、絞り５０Ａの開口即ち瞳に形成する絞り３０Ａの
開口像即ち有効光源の形状と大きさが決まる。尚、絞り
５０Ａの開口は円形である。
【００１８】図２に、図１の装置の投影レンズ系５０の
瞳（以下、『瞳５０Ａ』と記す。）に形成される有効光
源の模式図を、図３に、図１の装置の照明光学系３０の
絞り３０Ａの正面図を示す。尚、図２では、投影レンズ
系５０の瞳５０Ａの中心を原点にしたｘｙ座標系に瞳５
０Ａと有効光源を図示している。このｘｙ座標系のｘ軸
はレチクルＭの横パタ−ン（『横』方向に伸びる線状パ
タ−ン）の長手方向に、このｘｙ座標系のｙ軸はレチク
ルＭの縦パタ−ン（『縦』方向に伸びる線状パタ−ン）
の長手方向に対応している。尚、図１の装置の光学式イ
ンテグレ−タ−は、図７の断面図に示すようなレンズエ
レメントの集合体より成るフライアイレンズを使用して
いるので、瞳５０Ａで実際に観察される有効光源は図８
に示すようになり、有効光源は内側及び外側のレンズエ
レメント像の個々の外形を繋げた曲線で形づけられる
が、ここでは有効光源の輪郭を、内側及び外側のレンズ
エレメント像の配列に沿った線で形づけられるものとし
て取り扱う。
瞳（以下、『瞳５０Ａ』と記す。）に形成される有効光
源の模式図を、図３に、図１の装置の照明光学系３０の
絞り３０Ａの正面図を示す。尚、図２では、投影レンズ
系５０の瞳５０Ａの中心を原点にしたｘｙ座標系に瞳５
０Ａと有効光源を図示している。このｘｙ座標系のｘ軸
はレチクルＭの横パタ−ン（『横』方向に伸びる線状パ
タ−ン）の長手方向に、このｘｙ座標系のｙ軸はレチク
ルＭの縦パタ−ン（『縦』方向に伸びる線状パタ−ン）
の長手方向に対応している。尚、図１の装置の光学式イ
ンテグレ−タ−は、図７の断面図に示すようなレンズエ
レメントの集合体より成るフライアイレンズを使用して
いるので、瞳５０Ａで実際に観察される有効光源は図８
に示すようになり、有効光源は内側及び外側のレンズエ
レメント像の個々の外形を繋げた曲線で形づけられる
が、ここでは有効光源の輪郭を、内側及び外側のレンズ
エレメント像の配列に沿った線で形づけられるものとし
て取り扱う。
【００１９】図２に斜線で示す通り、図１の装置では、
瞳５０Ａに、レチクルＭの縦横パタ−ンの各方向に延び
る辺を備えた環状の有効光源を形成しており、この有効
光源は内側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の環状有効光
源より成る。
瞳５０Ａに、レチクルＭの縦横パタ−ンの各方向に延び
る辺を備えた環状の有効光源を形成しており、この有効
光源は内側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の環状有効光
源より成る。
【００２０】図２に極座標（ｒ、θ）を設定すると（ｘ
＝ｒｃｏｓθ、ｙ＝ｒｓｉｎθ）、瞳５０Ａのｘ軸から
の角度θを成す半径方向に伸びる有効光源の各部分の強
度Ｉ（ｒ、θ）の重心位置（Ｒｍ（θ）、θ）のＲｍ
（θ）は、瞳５０Ａの中心をｒ＝０、瞳５０Ａの半径を
ｒ＝１とする時、
＝ｒｃｏｓθ、ｙ＝ｒｓｉｎθ）、瞳５０Ａのｘ軸から
の角度θを成す半径方向に伸びる有効光源の各部分の強
度Ｉ（ｒ、θ）の重心位置（Ｒｍ（θ）、θ）のＲｍ
（θ）は、瞳５０Ａの中心をｒ＝０、瞳５０Ａの半径を
ｒ＝１とする時、
【００２１】
【外１】
で表すことができる。図２に破線で示した線は、θ＝０
0 〜３６０0 に関して重心位置（Ｒｍ（θ）、θ）を結
んだ線であり、本実施例の有効光源は、放射方向（ｒ方
向）に関する重心をθ＝０0 〜３６０0 の範囲で結ぶ線
の殆どがｘ軸やｙ軸に平行な線の集まりより成るほぼ矩
形の形態を取り、有効光源がｘ軸及びｙ軸の夫々に関し
て線対称であることが特徴である。又、この有効光源
は、レチクルＭの回路パタ−ンの内の最小線幅を持つ縦
及び／又は横パタ−ンで生じる０次回折光と１次回折光
が瞳５０Ａでｘ軸やｙ軸に関して互いに対称な位置に分
布するよう設定される。
0 〜３６０0 に関して重心位置（Ｒｍ（θ）、θ）を結
んだ線であり、本実施例の有効光源は、放射方向（ｒ方
向）に関する重心をθ＝０0 〜３６０0 の範囲で結ぶ線
の殆どがｘ軸やｙ軸に平行な線の集まりより成るほぼ矩
形の形態を取り、有効光源がｘ軸及びｙ軸の夫々に関し
て線対称であることが特徴である。又、この有効光源
は、レチクルＭの回路パタ−ンの内の最小線幅を持つ縦
及び／又は横パタ−ンで生じる０次回折光と１次回折光
が瞳５０Ａでｘ軸やｙ軸に関して互いに対称な位置に分
布するよう設定される。
【００２２】図３に示す通り、図１の装置の絞り３０Ａ
は、瞳５０Ａに図２に示す有効光源を形成する為に、内
側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の環状の開口３０２を
遮光部３０１で定めた絞りで構成される。従って、照明
光学系３０には、内側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の
環状の２次光源が形成される。図３にはｘｙ座標を示し
てはいないが、原点が開口３０２の中心（光軸）、図の
左右方向がこの原点を通るｘ軸の方向に、図の上下方向
がこの原点を通るｙ軸の方向に対応することが、図２と
の比較から明らかであろう。
は、瞳５０Ａに図２に示す有効光源を形成する為に、内
側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の環状の開口３０２を
遮光部３０１で定めた絞りで構成される。従って、照明
光学系３０には、内側と外側の輪郭が双方共ほぼ矩形の
環状の２次光源が形成される。図３にはｘｙ座標を示し
てはいないが、原点が開口３０２の中心（光軸）、図の
左右方向がこの原点を通るｘ軸の方向に、図の上下方向
がこの原点を通るｙ軸の方向に対応することが、図２と
の比較から明らかであろう。
【００２３】図１の装置では、図３に示す絞り３０Ａの
開口像を投影レンズ系５０の瞳５０Ａに投影するようレ
チクルＭを照明して、ほぼ矩形の環状有効光源を瞳５０
Ａに形成しながら、レチクルＭの回路パタ−ンの像をウ
エハ−Ｗ上に投影するので、円環状の有効光源を投影レ
ンズ系の瞳に投影する方法に比べて、レチクルＭの回路
パタ−ンの縦横パタ−ンの結像に関する投影レンズ系の
焦点深度を向上させることができる。従って、レチクル
Ｍの回路パタ−ンの微細縦横パタ−ンの像を、安定し
て、高コントラストで、ウエハ−Ｗ上に投影できる。こ
の理由を以下に説明する。
開口像を投影レンズ系５０の瞳５０Ａに投影するようレ
チクルＭを照明して、ほぼ矩形の環状有効光源を瞳５０
Ａに形成しながら、レチクルＭの回路パタ−ンの像をウ
エハ−Ｗ上に投影するので、円環状の有効光源を投影レ
ンズ系の瞳に投影する方法に比べて、レチクルＭの回路
パタ−ンの縦横パタ−ンの結像に関する投影レンズ系の
焦点深度を向上させることができる。従って、レチクル
Ｍの回路パタ−ンの微細縦横パタ−ンの像を、安定し
て、高コントラストで、ウエハ−Ｗ上に投影できる。こ
の理由を以下に説明する。
【００２４】出願人が検討したところ、環状２次光源か
らの光束の如く軸外からの光で微細縦横パタ−ンを斜め
照明し、微細縦横パタ−ンで生じる回折光により微細縦
横パタ−ンを結像する場合、投影光学系の瞳において０
次回折光と１次回折光が瞳のｘｙ座標系（図２参照）で
ｘ軸或はｙ軸に関して互いに対称な位置に分布する時
が、デフォ−カスによる像質の劣化（像の歪み等）が最
も小さくなることが分かった。これは、この時が０次回
折光と１次回折光の波面収差の差が最も小さく成るから
である。この為、線幅が細かくなって焦点深度が問題と
なるようなパタ−ンに対し、０次光と１次光がｘ軸或は
ｙ軸に関して対称となるように構成できれば、細かい線
幅のパタ−ンの結像における焦点深度は改善される。
らの光束の如く軸外からの光で微細縦横パタ−ンを斜め
照明し、微細縦横パタ−ンで生じる回折光により微細縦
横パタ−ンを結像する場合、投影光学系の瞳において０
次回折光と１次回折光が瞳のｘｙ座標系（図２参照）で
ｘ軸或はｙ軸に関して互いに対称な位置に分布する時
が、デフォ−カスによる像質の劣化（像の歪み等）が最
も小さくなることが分かった。これは、この時が０次回
折光と１次回折光の波面収差の差が最も小さく成るから
である。この為、線幅が細かくなって焦点深度が問題と
なるようなパタ−ンに対し、０次光と１次光がｘ軸或は
ｙ軸に関して対称となるように構成できれば、細かい線
幅のパタ−ンの結像における焦点深度は改善される。
【００２５】例えば、図４（Ａ）に示すような縦パタ−
ンＭ1 、横パタ−ンＭ2 を結像する場合、図４（Ｂ）に
示すように回折光を分布させることが好ましいというこ
とである。図４（Ｂ）において、◎、△、○、×は０次
回折光及び１次回折光を示しており、◎と○がＭ1 で生
じる回折光の対を示し◎が０次光の時○が１次光で○が
０次光の時◎が１次光であり、△と×が横パタ−ンＭ2
生じる回折光の対を示し△が０次光の時×が１次光で×
が０次光の時△が１次光であり、瞳５０Ａにおいて矩形
の輪郭を作るように各回折光が分布している。このよう
な回折光の分布は図４（Ｃ）に示す内側と外側の輪郭が
双方共正方形の瞳の中心（光軸）を中心とした環状有効
光源を瞳５０Ａに形成することで達成される。円環状有
効光源を瞳に形成する場合には、瞳のｘｙ座標系でｘ軸
或はｙ軸に関して互いに対称でない回折光の対が生じ、
この回折光の対による微細縦横パタ−ンの結像はデフォ
−カスによる像質の劣化が大きい。
ンＭ1 、横パタ−ンＭ2 を結像する場合、図４（Ｂ）に
示すように回折光を分布させることが好ましいというこ
とである。図４（Ｂ）において、◎、△、○、×は０次
回折光及び１次回折光を示しており、◎と○がＭ1 で生
じる回折光の対を示し◎が０次光の時○が１次光で○が
０次光の時◎が１次光であり、△と×が横パタ−ンＭ2
生じる回折光の対を示し△が０次光の時×が１次光で×
が０次光の時△が１次光であり、瞳５０Ａにおいて矩形
の輪郭を作るように各回折光が分布している。このよう
な回折光の分布は図４（Ｃ）に示す内側と外側の輪郭が
双方共正方形の瞳の中心（光軸）を中心とした環状有効
光源を瞳５０Ａに形成することで達成される。円環状有
効光源を瞳に形成する場合には、瞳のｘｙ座標系でｘ軸
或はｙ軸に関して互いに対称でない回折光の対が生じ、
この回折光の対による微細縦横パタ−ンの結像はデフォ
−カスによる像質の劣化が大きい。
【００２６】従って、本発明では、瞳で図４（Ｂ）に示
すような瞳の中心を中心とした矩形の輪郭又はこれに近
い輪郭を形成するよう各回折光を分布させる為に、瞳の
中心を中心とした正方形や長方形或はこれらの形を変形
した輪郭を内側及び外側の少なくとも一方に有する有効
光源を形成するようにした。
すような瞳の中心を中心とした矩形の輪郭又はこれに近
い輪郭を形成するよう各回折光を分布させる為に、瞳の
中心を中心とした正方形や長方形或はこれらの形を変形
した輪郭を内側及び外側の少なくとも一方に有する有効
光源を形成するようにした。
【００２７】図４（Ｃ）に示す矩形の環状有効光源を形
成する像投影法と円環状有効光源を形成する像投影法に
よる結像特性を計算機でシュミレ−ションを行った比較
結果を図５に示す。このシュミレ−ションでは、開口数
ＮＡ＝０．５２の投影レンズ系により、５本のラインよ
り成る１次元ライン＆スペ−スのバ−チャ−トを、ｉ線
（波長３６５ｎｍ）で結像した時の、バ−チャ−ト像の
線幅とコントラスト７０％における焦点深度の関係を求
めた。図５において、は瞳中心の強度が最も大きいガ
ウシアン形の強度分布を示す有効光源を形成する場合の
縦横パタ−ンの特性、は円環状有効光源を形成する場
合の縦横パタ−ンの特性、は矩形環状有効光源を形成
する場合の縦横パタ−ンの特性、は矩形環状有効光源
を形成する場合の斜め４５0 パタ−ンの特性を示してい
る。尚、の場合の円環状有効光源の大きさは、瞳の半
径を１とした時に円環の内側の輪郭の半径が０．４、外
側の輪郭の半径が０．８に設定したもので、及びの
場合の矩形環状有効光源の大きさは、図４（Ｃ）におい
て（瞳の半径は１）、Ｒ1 ＝０．４、Ｒ2 ＝０．６５に
設定したものである。
成する像投影法と円環状有効光源を形成する像投影法に
よる結像特性を計算機でシュミレ−ションを行った比較
結果を図５に示す。このシュミレ−ションでは、開口数
ＮＡ＝０．５２の投影レンズ系により、５本のラインよ
り成る１次元ライン＆スペ−スのバ−チャ−トを、ｉ線
（波長３６５ｎｍ）で結像した時の、バ−チャ−ト像の
線幅とコントラスト７０％における焦点深度の関係を求
めた。図５において、は瞳中心の強度が最も大きいガ
ウシアン形の強度分布を示す有効光源を形成する場合の
縦横パタ−ンの特性、は円環状有効光源を形成する場
合の縦横パタ−ンの特性、は矩形環状有効光源を形成
する場合の縦横パタ−ンの特性、は矩形環状有効光源
を形成する場合の斜め４５0 パタ−ンの特性を示してい
る。尚、の場合の円環状有効光源の大きさは、瞳の半
径を１とした時に円環の内側の輪郭の半径が０．４、外
側の輪郭の半径が０．８に設定したもので、及びの
場合の矩形環状有効光源の大きさは、図４（Ｃ）におい
て（瞳の半径は１）、Ｒ1 ＝０．４、Ｒ2 ＝０．６５に
設定したものである。
【００２８】図５から理解できるように、矩形環状有効
光源を形成する場合の斜め４５0 パタ−ンの結像特性と
円環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの結像特
性がほぼ同じであり、矩形環状有効光源を形成する場合
の縦横パタ−ンの結像特性は、ガウシアン型の強度分布
を示す有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの特性や
円環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの結像特
性に比べて良好であり、縦横パタ−ンに対する焦点深度
が飛躍的に向上している。図１に示す装置の如き半導体
製造用露光装置（ステッパ−）の許容可能な焦点深度を
１．５μｍとすると、円環状有効光源を形成する場合の
縦横パタ−ンの限界解像力は０．４４μｍであるのに対
し、矩形環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの
限界解像力は０．３７μｍであり、矩形環状有効光源を
形成する像投影法の使用により、縦横パタ−ンの限界解
像力を向上させることが可能になる。回路パタ−ンは主
として縦横パタ−ンにより構成されるから、回路パタ−
ンを投影する場合に、縦横パタ−ンに関する焦点深度や
限界解像力を向上させることは効果がある。
光源を形成する場合の斜め４５0 パタ−ンの結像特性と
円環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの結像特
性がほぼ同じであり、矩形環状有効光源を形成する場合
の縦横パタ−ンの結像特性は、ガウシアン型の強度分布
を示す有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの特性や
円環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの結像特
性に比べて良好であり、縦横パタ−ンに対する焦点深度
が飛躍的に向上している。図１に示す装置の如き半導体
製造用露光装置（ステッパ−）の許容可能な焦点深度を
１．５μｍとすると、円環状有効光源を形成する場合の
縦横パタ−ンの限界解像力は０．４４μｍであるのに対
し、矩形環状有効光源を形成する場合の縦横パタ−ンの
限界解像力は０．３７μｍであり、矩形環状有効光源を
形成する像投影法の使用により、縦横パタ−ンの限界解
像力を向上させることが可能になる。回路パタ−ンは主
として縦横パタ−ンにより構成されるから、回路パタ−
ンを投影する場合に、縦横パタ−ンに関する焦点深度や
限界解像力を向上させることは効果がある。
【００２９】出願人の検討によれば、本発明の矩形の環
状有効光源として好ましいものは、図４（Ｃ）の形状或
はこの形状に近い形状で、瞳の半径を１として規格化し
た場合に、有効光源の内外の輪郭を、０．１≦Ｒ1 ≦
０．６５、０．２５≦Ｒ2 ≦０．７１ の大きさに設定
したものである。
状有効光源として好ましいものは、図４（Ｃ）の形状或
はこの形状に近い形状で、瞳の半径を１として規格化し
た場合に、有効光源の内外の輪郭を、０．１≦Ｒ1 ≦
０．６５、０．２５≦Ｒ2 ≦０．７１ の大きさに設定
したものである。
【００３０】図１の装置では、図３に示す絞り３０Ａを
用いて内側及び外側の輪郭が正方形に近い形の２次光源
を形成し、この２次光源と相似形の有効光源を瞳５０Ａ
に形成しているが、本発明は、このような形状以外の２
次光源や有効光源を形成して像を投影するものも含み、
例えば、図６（Ａ）〜（Ｏ）に斜線で示す各種形状の有
効光源を形成する場合も含む。図６（Ａ）〜（Ｏ）に示
す各種形状の有効光源は、何れも、内側及び外側の輪郭
の少なくとも一方に縦横パタ−ンの各方向に延びる辺を
備えており、これらの有効光源も、図２に破線で示した
如き放射方向に関する重心を結ぶ線がほぼ矩形の形態を
取り、縦横パタ−ンの結像に関して円環状有効光源より
大きな焦点深度を得ることが可能である。尚、図６
（Ａ）〜（Ｏ）に示す各種形状の有効光源を形成する為
には、図１の装置の照明光学系に、絞り３０Ａの代わり
に、図６の斜線部を開口とした図６（Ａ）〜（Ｏ）に図
示される何れかの形状の開口を備える絞りを用いればい
い。
用いて内側及び外側の輪郭が正方形に近い形の２次光源
を形成し、この２次光源と相似形の有効光源を瞳５０Ａ
に形成しているが、本発明は、このような形状以外の２
次光源や有効光源を形成して像を投影するものも含み、
例えば、図６（Ａ）〜（Ｏ）に斜線で示す各種形状の有
効光源を形成する場合も含む。図６（Ａ）〜（Ｏ）に示
す各種形状の有効光源は、何れも、内側及び外側の輪郭
の少なくとも一方に縦横パタ−ンの各方向に延びる辺を
備えており、これらの有効光源も、図２に破線で示した
如き放射方向に関する重心を結ぶ線がほぼ矩形の形態を
取り、縦横パタ−ンの結像に関して円環状有効光源より
大きな焦点深度を得ることが可能である。尚、図６
（Ａ）〜（Ｏ）に示す各種形状の有効光源を形成する為
には、図１の装置の照明光学系に、絞り３０Ａの代わり
に、図６の斜線部を開口とした図６（Ａ）〜（Ｏ）に図
示される何れかの形状の開口を備える絞りを用いればい
い。
【００３１】又、図３に示す絞り３０Ａは、開口３０２
以外の領域（遮光部３０１）を完全に遮光した例を示し
ているが、これらの領域を光が若干通過するような形の
絞りの使用も可能である。要は、開口３０２を通過する
光が他の領域を通過する光よりも十分に強度が強く、開
口３０２の像を瞳５０Ａに形成した場合、瞳５０Ａに内
側及び外側の輪郭の少なくとも一方に縦横パタ−ンの各
方向に延びる辺を備える有効光源が実質的に現れればい
い。
以外の領域（遮光部３０１）を完全に遮光した例を示し
ているが、これらの領域を光が若干通過するような形の
絞りの使用も可能である。要は、開口３０２を通過する
光が他の領域を通過する光よりも十分に強度が強く、開
口３０２の像を瞳５０Ａに形成した場合、瞳５０Ａに内
側及び外側の輪郭の少なくとも一方に縦横パタ−ンの各
方向に延びる辺を備える有効光源が実質的に現れればい
い。
【００３２】又、２次光源や有効光源内の強度分布は均
一な方が好ましいが、これに限定されるものではない。
一な方が好ましいが、これに限定されるものではない。
【００３３】又、図１の装置では、図７で示した通り断
面が円形のレンズエレメントを使用したフライアイレン
ズを示しているが、断面が四角形や六角形のレンズエレ
エメントの集光体より成るフライアイレンズを使用して
もいい。
面が円形のレンズエレメントを使用したフライアイレン
ズを示しているが、断面が四角形や六角形のレンズエレ
エメントの集光体より成るフライアイレンズを使用して
もいい。
【００３４】又、図１の装置では、絞り３０Ａを照明光
学系３０の光学式インテグレ−タ−の光射出面近傍に置
いていたが、絞り３０Ａを光学式インテグレ−タ−の光
入射面近傍に置いてもいい。この場合には、光学式イン
テグレ−タ−の光入射面に形成される矩形の環状２次光
源の像が投影レンズ系５０の瞳５０Ａに投影される。
又、図１の装置では光学式インテグレ−タ−の真ん中付
近のレンズエレメントは環状２次光源の形成に寄与しな
いから、この真ん中付近のレンズエレメントを除いた光
学式インテグレ−タ−の使用も可能であり、或は遮光膜
等で真ん中付近のレンズエレメントの光入斜面を覆った
光学式インテグレ−タ−の使用も可能である。又、照明
光学系３０の形態は、周知の様々な形態が採れる。又、
光源２０も、超高圧水銀灯やエキシマレ−ザ−等種々の
装置を適用できる。
学系３０の光学式インテグレ−タ−の光射出面近傍に置
いていたが、絞り３０Ａを光学式インテグレ−タ−の光
入射面近傍に置いてもいい。この場合には、光学式イン
テグレ−タ−の光入射面に形成される矩形の環状２次光
源の像が投影レンズ系５０の瞳５０Ａに投影される。
又、図１の装置では光学式インテグレ−タ−の真ん中付
近のレンズエレメントは環状２次光源の形成に寄与しな
いから、この真ん中付近のレンズエレメントを除いた光
学式インテグレ−タ−の使用も可能であり、或は遮光膜
等で真ん中付近のレンズエレメントの光入斜面を覆った
光学式インテグレ−タ−の使用も可能である。又、照明
光学系３０の形態は、周知の様々な形態が採れる。又、
光源２０も、超高圧水銀灯やエキシマレ−ザ−等種々の
装置を適用できる。
【００３５】又、図１の装置は投影レンズ系によりレチ
クルＭのパタ−ン像の投影を行うものであったが、本発
明は、投影ミラ−系によりパタ−ン像の投影を行う装置
にも適用できる。更に、本発明は、回路パタ−ン像を投
影するだけに限定されず、微細な格子パタ−ン像等を投
影してデバイスを作る他のリソグラフィ−技術にも適用
できる。
クルＭのパタ−ン像の投影を行うものであったが、本発
明は、投影ミラ−系によりパタ−ン像の投影を行う装置
にも適用できる。更に、本発明は、回路パタ−ン像を投
影するだけに限定されず、微細な格子パタ−ン像等を投
影してデバイスを作る他のリソグラフィ−技術にも適用
できる。
【００３６】
【発明の効果】以上、本発明では、縦横パタ−ンを備え
る微細パタ−ンの像を投影する際、投影光学系の瞳に縦
横パタ−ンの各方向に延びる辺を備えた環状の有効光源
を形成する光で微細パタ−ンを照明して微細パタ−ンの
像を投影するので、投影光学系の焦点深度を向上させる
ことが可能になる。従って、この方法を露光装置に適用
すれば、装置の限界解像力を上げることも可能である。
る微細パタ−ンの像を投影する際、投影光学系の瞳に縦
横パタ−ンの各方向に延びる辺を備えた環状の有効光源
を形成する光で微細パタ−ンを照明して微細パタ−ンの
像を投影するので、投影光学系の焦点深度を向上させる
ことが可能になる。従って、この方法を露光装置に適用
すれば、装置の限界解像力を上げることも可能である。
【図１】本発明の方法を適用した投影露光装置を示す
図。
図。
【図２】図１の装置の瞳における有効光源を示す図。
【図３】図１の装置の照明光学系の開口絞りを示す図。
【図４】図１の装置に適用された有効光源の利点を説明
する為の説明図であり、（Ａ）は縦横パタ−ンを示す
図、（Ｂ）は瞳における回折光の好ましい分布を示す
図、（Ｃ）は（Ｂ）の回折光分布を生じさせる有効光源
の基本的な形を示す図。
する為の説明図であり、（Ａ）は縦横パタ−ンを示す
図、（Ｂ）は瞳における回折光の好ましい分布を示す
図、（Ｃ）は（Ｂ）の回折光分布を生じさせる有効光源
の基本的な形を示す図。
【図５】図４（Ｃ）に示す矩形の環状有効光源を形成す
る像投影法と円環状有効光源を形成する像投影法による
結像特性を計算機でシュミレ−ションを行った結果を示
す、バ−チャ−ト像の線幅と投影レンズ系の焦点深度の
関係を示すグラフ図。
る像投影法と円環状有効光源を形成する像投影法による
結像特性を計算機でシュミレ−ションを行った結果を示
す、バ−チャ−ト像の線幅と投影レンズ系の焦点深度の
関係を示すグラフ図。
【図６】本発明の有効光源の各種形態を示す図。
【図７】図１の装置の光学式インテグレ−タ−の断面
図。
図。
【図８】図１の装置の瞳の有効光源を実際に見た時の様
子を示す模式図。
子を示す模式図。
１０ 光軸
２０ 光源
３０ 照明光学系
３０Ａ 照明光学系の開口絞り
４０ レチクルステ−ジ
５０ 投影レンズ系
５０Ａ 投影レンズ系の開口絞り（瞳）
６０ ウエハ−ステ−ジ
Ｍ マスク
Ｗ ウエハ−
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ 7818−2Ｈ
Claims (13)
- 【請求項１】 縦横パタ−ンを備える微細パタ−ンを照
明し、該微細パタ−ンで生じる回折光を投影光学系の瞳
に入射させて該微細パタ−ンの像を投影する方法におい
て、前記瞳に前記縦横パタ−ンの各方向に延びる辺を備
えた環状の有効光源を形成する光で前記微細パタ−ンを
照明することを特徴とする像投影方法。 - 【請求項２】 前記環状有効光源の内側の輪郭が主とし
て前記各方向に延びる辺で構成され、該内側の輪郭の辺
は、前記瞳の中心を通る前記横パタ−ンの方向に平行な
軸に関して対称な第１の一対の辺と、前記瞳の中心を通
る前記縦パタ−ンの方向に平行な軸に関して対称な第２
の一対の辺と、を有することを特徴とする請求項１の像
投影方法。 - 【請求項３】 前記環状有効光源の外側の輪郭が主とし
て前記各方向に延びる辺で構成され、該外側の輪郭の辺
は、前記瞳の中心を通る前記横パタ−ンの方向に平行な
軸に関して対称な第３の一対の辺と、前記瞳の中心を通
る前記縦パタ−ンの方向に平行な軸に関して対称な第４
の一対の辺と、を有することを特徴とする請求項１、２
の像投影方法。 - 【請求項４】 前記環状有効光源の内側及び外側の輪郭
が主として前記各方向に延びる辺で構成され、該内側及
び外側の輪郭がほぼ矩形を成すことを特徴とする請求項
１の像投影方法。 - 【請求項５】 前記環状有効光源の外側の輪郭がほぼ矩
形を成し、前記環状有効光源の内側の輪郭がほぼ円形を
成すことを特徴とする請求項１の像投影方法。 - 【請求項６】 前記環状有効光源の内側の輪郭がほぼ矩
形を成し、前記環状有効光源の外側の輪郭がほぼ円形を
成すことを特徴とする請求項１の像投影方法。 - 【請求項７】 回路パタ−ンを照明し、該回路パタ−ン
で生じる回折光を投影光学系の瞳に入射させて該回路パ
タ−ンの像をウエハ−上に投影し、該ウエハ−に該回路
パタ−ン像を転写することにより半導体デバイスを製造
する方法において、前記瞳に前記回路パタ−ンを構成す
る縦横パタ−ンの各方向に延びる辺を備えた環状の有効
光源を形成する光で前記微細パタ−ンを照明することを
特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項８】 前記環状有効光源の内側の輪郭が主とし
て前記各方向に延びる辺で構成され、該内側の輪郭の辺
は、前記瞳の中心を通る前記横パタ−ンの方向に平行な
軸に関して対称な第１の一対の辺と、前記瞳の中心を通
る前記縦パタ−ンの方向に平行な軸に関して対称な第２
の一対の辺と、を有することを特徴とする請求項７の半
導体デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 前記環状有効光源の外側の輪郭が主とし
て前記各方向に延びる辺で構成され、該外側の輪郭の辺
は、前記瞳の中心を通る前記横パタ−ンの方向に平行な
軸に関して対称な第３の一対の辺と、前記瞳の中心を通
る前記縦パタ−ンの方向に平行な軸に関して対称な第４
の一対の辺と、を有することを特徴とする請求項７、８
の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】 前記環状有効光源の内側及び外側の輪
郭が主として前記各方向に延びる辺で構成され、該内側
及び外側の輪郭がほぼ矩形を成すことを特徴とする請求
項７の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１１】 前記環状有効光源の外側の輪郭がほぼ
矩形を成し、前記環状有効光源の内側の輪郭がほぼ円形
を成すことを特徴とする請求項７の半導体デバイスの製
造方法。 - 【請求項１２】 前記環状有効光源の内側の輪郭がほぼ
矩形を成し、前記環状有効光源の外側の輪郭がほぼ円形
を成すことを特徴とする請求項７の半導体デバイスの製
造方法。 - 【請求項１３】 回路パタ−ンを照明し、該回路パタ−
ンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射させて該回路
パタ−ンの像をウエハ−上に投影し、該ウエハ−に該回
路パタ−ン像を転写することにより半導体デバイスを製
造する方法において、前記回路パタ−ンを構成する縦横
パタ−ンで生じる０次及び１次回折光が前記瞳の中心を
中心としたほぼ矩形の輪郭に沿って分布するように、所
定形状の２次光源からの光で前記回路パタ−ンを照明す
ることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19411391A JP3165711B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
| US08/177,186 US5367404A (en) | 1991-08-02 | 1994-01-03 | Image projection method and semiconductor device manufacturing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19411391A JP3165711B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536585A true JPH0536585A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3165711B2 JP3165711B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=16319141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19411391A Expired - Fee Related JP3165711B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5367404A (ja) |
| JP (1) | JP3165711B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786142A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Nec Corp | 投影露光装置 |
| JP2000150373A (ja) * | 1992-03-05 | 2000-05-30 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法並びに半導体素子の製造方法 |
| JP2001028335A (ja) * | 2000-01-01 | 2001-01-30 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法、並びに回路の製造方法 |
| US7217503B2 (en) | 2001-04-24 | 2007-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JP2007281442A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 光照射装置、光照射方法、結晶化装置、結晶化方法、および半導体デバイス |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078380A (en) * | 1991-10-08 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure |
| USRE39662E1 (en) * | 1991-12-25 | 2007-05-29 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US5530518A (en) * | 1991-12-25 | 1996-06-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP3194155B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 |
| JP3210123B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | 結像方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
| JP3275575B2 (ja) * | 1993-10-27 | 2002-04-15 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
| US6368763B2 (en) | 1998-11-23 | 2002-04-09 | U.S. Philips Corporation | Method of detecting aberrations of an optical imaging system |
| US6248486B1 (en) * | 1998-11-23 | 2001-06-19 | U.S. Philips Corporation | Method of detecting aberrations of an optical imaging system |
| JP3955815B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | シェブロン照明を使ってフォトマスクを照明する方法 |
| AU2003299606A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Bruce W. Smith | Method for aberration detection and measurement |
| WO2007008265A2 (en) * | 2005-04-11 | 2007-01-18 | Zetetic Institute | Apparatus and method for in situ and ex situ measurement of spatial impulse response of an optical system using phase-shifting point-diffraction interferometry |
| US7428058B2 (en) * | 2005-05-18 | 2008-09-23 | Zetetic Institute | Apparatus and method for in situ and ex situ measurements of optical system flare |
| KR20070094470A (ko) * | 2006-03-17 | 2007-09-20 | 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타 | 광조사장치, 광조사방법, 결정화장치, 결정화방법, 및반도체디바이스 |
| JP2009071125A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Canon Inc | 露光条件を決定する方法及びプログラム |
| JP5330205B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2013-10-30 | 株式会社東芝 | 露光方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59149317A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置のアライメント光学系 |
| JPS6045252A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 投影露光装置の照明系 |
| US5059013A (en) * | 1988-08-29 | 1991-10-22 | Kantilal Jain | Illumination system to produce self-luminous light beam of selected cross-section, uniform intensity and selected numerical aperture |
| US5305054A (en) * | 1991-02-22 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
| JPH0536586A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Canon Inc | 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP19411391A patent/JP3165711B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-03 US US08/177,186 patent/US5367404A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2000150373A (ja) * | 1992-03-05 | 2000-05-30 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法並びに半導体素子の製造方法 |
| JPH0786142A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Nec Corp | 投影露光装置 |
| JP2001028335A (ja) * | 2000-01-01 | 2001-01-30 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法、並びに回路の製造方法 |
| US7217503B2 (en) | 2001-04-24 | 2007-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JP2007281442A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 光照射装置、光照射方法、結晶化装置、結晶化方法、および半導体デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3165711B2 (ja) | 2001-05-14 |
| US5367404A (en) | 1994-11-22 |
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