JP2007281442A - 光照射装置、光照射方法、結晶化装置、結晶化方法、および半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 入射光を光変調するための光変調素子(1)と、光変調素子を照明するための照明系(2)と、光変調素子と被照射面との間に配置されて、被照射面上に所定の光強度分布を形成するための結像光学系(3)とを備えている。照明系の射出瞳の形状を、光変調素子からの一次回折光が結像光学系の瞳面の開口を実質的に通過しない円形状以外の形状に設定する。
【選択図】 図1
Description
基本並進ベクトル(a1,a2)で表される周期構造の光変調パターンを有する光変調素子と、
前記光変調素子を光で照明するための照明系と、
前記光変調素子と前記被照射面との間に配置されて、前記被照射面上に前記光変調パターンにより得られる前記所定の光強度分布を形成するための結像光学系とを具備し、
前記照明系の射出瞳の形状は、前記基本並進ベクトル(a1,a2)から下式で得られる基本逆格子ベクトル(b1,b2)のウィグナー・サイツ・セルと相似形である光照射装置を提供する。
b1=2π(a2×a3)/(a1・(a2×a3))
b2=2π(a3×a1)/(a1・(a2×a3))
ただし、上式において、a3は前記光変調素子の光変調パターンの平面の法線方向の任意の大きさのベクトルであり、「・」はベクトルの内積を、「×」は外積を表している。
基本並進ベクトル(a1,a2)で表される周期構造の光変調パターンを有する光変調素子と、
前記光変調素子を照明するための照明系と、
前記光変調素子と前記被照射面との間に配置されて、前記被照射面上に前記光変調パターンに対応した前記所定の光強度分布を形成するための結像光学系とを備え、
前記照明系の射出瞳の形状は、前記基本並進ベクトル(a1,a2)から下式で得られる基本逆格子ベクトル(b1,b2)の方向に対して凸の形状ではない光照射装置を提供する。
b1=2π(a2×a3)/(a1・(a2×a3))
b2=2π(a3×a1)/(a1・(a2×a3))
ただし、上式において、a3は前記光変調素子の光変調パターン面の法線方向の任意の大きさのベクトルであり、「・」はベクトルの内積を、「×」は外積を表している。
入射光を光変調して変調光を射出するための光変調素子と、
前記光変調素子を照明するための照明系と、
前記光変調素子と前記被照射面との間に配置されて、前記被照射面上に、前記変調光に対応した前記所定の光強度分布を形成するための結像光学系と、
前記照明系の射出瞳の形状を、前記光変調素子からの0次回折光を通過させ、一次回折光が前記結像光学系の瞳面の開口を実質的に通過しない円形状以外の形状に設定するための射出瞳形状設定部とを備えている光照射装置を提供する。
前記光変調素子を照明する照明系の射出瞳の形状を、前記光変調素子からの光の一次回折光成分が前記結像光学系の瞳面の開口を実質的に通過しない円形状以外の形状に設定する光照射方法を提供する。
I=|U|2=(2−2cosθ)D2−(2−2cosθ)D+1 (1)
g(q)eiqr=g(q)eiq(r+R) (3)
g(q)=g(q)eiqR (4)
qR=2nπ(nは整数) (5)
I1(r)=eik1r (6)
I2(r)=I1(r)eiqr=ei(k1+q)r (7)
k2xy=k1xy+q (8)
a1=(1.0,0.0,0.0)μm (9a)
a2=(0.0,1.0,0.0)μm (9b)
b1=2π(a2×a3)/(a1・(a2×a3)) (10a)
b2=2π(a3×a1)/(a1・(a2×a3)) (10b)
b1=2π(1.0,0.0,0.0)μm-1 (11a)
b2=2π(0.0,1.0,0.0)μm-1 (11b)
b1’=(1/k)×b1=(0.0,308,0.0) (11a)
b2’=(1/k)×b2=(0.0,0.0,308) (11b)
2 照明系
2a 光源
2b ビームエキスパンダ
2c,2e フライアイレンズ
2d,2f コンデンサー光学系
2g 開口絞り
3 結像光学系
4 被処理基板
5 基板ステージ
Claims (8)
- 所定の光強度分布を有する光を被照射面に照射する光照射装置であって、
基本並進ベクトル(a1,a2)で表される周期構造の光変調パターンを有する光変調素子と、
前記光変調素子を光で照明するための照明系と、
前記光変調素子と前記被照射面との間に配置されて、前記被照射面上に前記光変調パターンにより得られる前記所定の光強度分布を形成するための結像光学系とを具備し、
前記照明系の射出瞳の形状は、前記基本並進ベクトル(a1,a2)から下式で得られる基本逆格子ベクトル(b1,b2)のウィグナー・サイツ・セルと相似形である光照射装置。
b1=2π(a2×a3)/(a1・(a2×a3))
b2=2π(a3×a1)/(a1・(a2×a3))
ただし、上式において、a3は前記光変調素子の光変調パターンの平面の法線方向の任意の大きさのベクトルであり、「・」はベクトルの内積を、「×」は外積を表している。 - 所定の光強度分布を有する光を被照射面に照射する光照射装置において、
基本並進ベクトル(a1,a2)で表される周期構造の光変調パターンを有する光変調素子と、
前記光変調素子を照明するための照明系と、
前記光変調素子と前記被照射面との間に配置されて、前記被照射面上に前記光変調パターンに対応した前記所定の光強度分布を形成するための結像光学系とを備え、
前記照明系の射出瞳の形状は、前記基本並進ベクトル(a1,a2)から下式で得られる基本逆格子ベクトル(b1,b2)の方向に対して凸の形状ではない光照射装置。
b1=2π(a2×a3)/(a1・(a2×a3))
b2=2π(a3×a1)/(a1・(a2×a3))
ただし、上式において、a3は前記光変調素子の光変調パターン面の法線方向の任意の大きさのベクトルであり、「・」はベクトルの内積を、「×」は外積を表している。 - 前記基本並進ベクトルa1とa2とは互いに直交している請求項1または2に記載の光照射装置。
- 所定の光強度分布を有する光を被照射面に照射する光照射装置であって、
入射光を光変調して変調光を射出するための光変調素子と、
前記光変調素子を照明するための照明系と、
前記光変調素子と前記被照射面との間に配置されて、前記被照射面上に、前記変調光に対応した前記所定の光強度分布を形成するための結像光学系と、
前記照明系の射出瞳の形状を、前記光変調素子からの0次回折光を通過させ、一次回折光が前記結像光学系の瞳面の開口を実質的に通過しない円形状以外の形状に設定するための射出瞳形状設定部とを備えている光照射装置。 - 入射光を光変調する光変調素子と、該光変調素子と被照射面との間に配置された結像光学系とを用いて、所定の光強度分布を有する光を前記被照射面に照射する光照射方法であって、
前記光変調素子を照明する照明系の射出瞳の形状を、前記光変調素子からの光の一次回折光成分が前記結像光学系の瞳面の開口を実質的に通過しない円形状以外の形状に設定する光照射方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光照射装置と、前記被照射面に非単結晶半導体膜を保持するためのステージとを備え、前記被照射面に保持された非単結晶半導体膜の少なくとも一部に前記所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜にする結晶化装置。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光照射装置または請求項5に記載の光照射方法を用いて、前記被照射面に保持された非単結晶半導体膜の少なくとも一部に前記所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜にする結晶化方法。
- 請求項6に記載の結晶化装置を用いて製造された半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007064254A JP5145532B2 (ja) | 2006-03-17 | 2007-03-14 | 光照射装置、光照射方法、結晶化装置、および結晶化方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006073970 | 2006-03-17 | ||
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JP2007064254A JP5145532B2 (ja) | 2006-03-17 | 2007-03-14 | 光照射装置、光照射方法、結晶化装置、および結晶化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281442A true JP2007281442A (ja) | 2007-10-25 |
JP5145532B2 JP5145532B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=38682533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007064254A Expired - Fee Related JP5145532B2 (ja) | 2006-03-17 | 2007-03-14 | 光照射装置、光照射方法、結晶化装置、および結晶化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5145532B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8963124B2 (en) | 2008-03-18 | 2015-02-24 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Semiconductor device including a plurality of different functional elements and method of manufacturing the same |
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