JP2008103692A - 光照射装置、結晶化装置、結晶化方法、およびデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 光変調素子を交換することなく被照射材料の特性に応じた適切なディップ強度を可変的に実現して、所望の大きさの結晶粒を安定的に形成する結晶化装置。
【解決手段】 １８０度と実質的に異なる位相差の位相段差の段差線を有し、入射光を位相変調する光変調素子（１）と、位相段差の段差線とほぼ直交する方向に傾いた照明光で光変調素子を照明する照明光学系（２）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を結晶化する所定面に形成する結像光学系（３）とを備えている。照明光学系は、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう第１方向に沿って光変調素子を照明する第１照明光と、位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう第２方向に沿って光変調素子を照明する第２照明光とで光変調素子を同時に照明し、第１照明光の光強度と第２照明光の光強度とを実質的に異なる値に設定するための光強度設定機構を有する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光照射装置、結晶化装置、結晶化方法、およびデバイスに関する。特に、本発明は、所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する技術に関するものである。

従来、たとえば液晶表示装置（Liquid-Crystal-Display:ＬＣＤ）の表示画素を選択するスイッチング素子などに用いられる薄膜トランジスタ（Thin-Film-Transistor：ＴＦＴ）は、非晶質シリコン（amorphous-Silicon）や多結晶シリコン（poly-Silicon）を用いて形成されている。

多結晶シリコンは、非晶質シリコンよりも電子または正孔の移動度が高い。したがって、多結晶シリコンを用いてトランジスタを形成した場合、非晶質シリコンを用いて形成する場合よりも、スイッチング速度が速くなり、ひいてはディスプレイの応答が速くなる。また、周辺ＬＳＩを薄膜トランジスタで構成することが可能になる。さらに、他の部品の設計マージンを減らせるなどの利点がある。また、ドライバ回路やＤＡＣなどの周辺回路をディスプレイに組み入れる場合に、それらの周辺回路をより高速に動作させることができる。

多結晶シリコンは結晶粒の集合からなるため、例えばＴＦＴトランジスタを形成した場合、チャネル領域に結晶粒界が形成され、この結晶粒界が障壁となり単結晶シリコンに比べると電子または正孔の移動度が低くなる。また、多結晶シリコンの基板に形成された多数の薄膜トランジスタは、チャネル部に形成される結晶粒界数が各薄膜トランジスタ間で異なり、これがバラツキとなって液晶表示装置であれば表示ムラの問題となる。そこで、最近、電子または正孔の移動度を向上させ且つチャネル部における結晶粒界数のバラツキを少なくするために、少なくとも１個のチャネル領域を形成できる大きさの大粒径の結晶化シリコンを生成する結晶化方法が提案されている。

従来、この種の結晶化方法として、位相シフター（光変調素子）にエキシマレーザ光を照射し、それによるフレネル回折像もしくは結像光学系による結像を非単結晶半導体膜（多結晶半導体膜または非単結晶半導体膜）に照射して結晶化半導体膜を生成する「位相制御ＥＬＡ（Excimer Laser Annealing）法」が知られている。位相制御ＥＬＡ法の詳細は、たとえば表面科学Vol.21, No.5, pp.278-287, 2000に開示されている。

位相制御ＥＬＡ法では、位相シフターの位相シフト部に対応する点において光強度が周辺よりも低い逆ピークパターン（中心において光強度が最も低く周囲に向かって光強度が急激に増大する、例えば、Ｖ字型のパターン）の光強度分布を発生させ、この逆ピーク状の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射する。その結果、被照射領域内において光強度分布に応じて溶融領域に温度勾配が生じ、光強度が最も低い点に対応して最初に凝固する部分もしくは溶融しない部分に結晶核が形成され、その結晶核から周囲に向かって結晶が横方向に成長（以降、「ラテラル成長」または「横方向成長」と呼ぶ）することにより大粒径の単結晶粒が生成される。

本出願人は、１８０度と実質的に異なる位相差の位相段差を有する光変調素子を用いる光照射装置において、位相段差の段差線とほぼ直交する方向に傾いた照明光で光変調素子を照明する方法（以下「斜め照明法」という）を提案している（たとえば特許文献１、特許文献２を参照）。斜め照明法では、例えば０度よりも実質的に大きく１８０度よりも実質的に小さい位相差の位相段差を有する光変調素子を、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう方向に沿う照明光で照明することにより、位相段差により生成される逆ピーク状の光強度分布が左右対称になり、且つデフォーカスによる光強度分布の変化が少なくなる。

特開２００６−８０４９０号公報 特開２００６−１００７７１号公報

位相制御ＥＬＡ法では、逆ピーク状の光強度分布（以下、「ディップ」と呼ぶ）において最も低い光強度（以下、「ディップ強度」という）が重要である。これは、ある所定の光強度以下の領域では多結晶シリコン（微結晶の状態）が生成され、所定の光強度以上の領域では横方向成長により大粒径の結晶が得られるからである。この所定の光強度を、「横方向成長開始強度」と呼ぶ。ディップ強度が横方向成長開始強度よりも大きい場合や、ディップ強度が横方向成長開始強度よりもかなり小さい場合には、結晶が分裂したり結晶粒が小さくなったりする。

横方向成長開始強度は概ね数百ｍＪ／ｃｍ²であり、これは、被照射材料の材料組成や膜構成により変化する。被照射材料は、例えば、基板、下層絶縁膜、半導体薄膜、および上層絶縁膜から構成される。特に半導体薄膜および上層絶縁膜は一般にＣＶＤやスパッタなどの方法で成膜されるが、その組成や膜厚はばらつくのが一般的である。その結果、横方向成長開始強度は、被照射材料の作製ロットごとに変化する。

従来、ディップ強度の異なる複数の光変調素子を作製し、かつ複数の光変調素子を準備し、被照射材料の各ロットに対して最適なディップ強度を実現する光変調素子を選択的に用いていた。この場合、複数の特性の光変調素子を作製するための工程が必要であった。また、ディップ強度を連続的に調整することができなかった。換言すると、ディップ強度をほぼ連続的に調整するには、数多くの光変調素子を準備する必要があった。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、複数の特性の異なる光変調素子を準備し、適宜交換することなく被照射材料の特性に応じた適切なディップ強度を可変的に実現して、所望の大きさの結晶粒を安定的に形成することのできる技術を提供することを目的とする。

前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、１８０度と実質的に異なる位相差の位相段差を有する光変調素子と、
前記位相段差の段差線とほぼ直交する方向に傾いた照明光で前記光変調素子を照明する照明光学系と、
前記光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成する結像光学系とを備え、
前記照明光学系は、前記位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう第１方向に沿って前記光変調素子を照明する第１照明光と、前記位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう第２方向に沿って前記光変調素子を照明する第２照明光とで前記光変調素子を同時に照明し、前記第１照明光の光強度と前記第２照明光の光強度とを実質的に異なる値に設定するための光強度設定機構を有する光照射装置を提供する。

本発明の第２形態では、第１形態の光照射装置と、前記所定面に非単結晶半導体膜を保持するためのステージとを備え、前記所定面に保持された非単結晶半導体膜に前記所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置を提供する。

本発明の第３形態では、第１形態の光照射装置を用いて、前記所定面に保持された非単結晶半導体膜に前記所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化方法を提供する。

本発明の第４形態では、第２形態の結晶化装置または第３形態の結晶化方法を用いて製造されたデバイスを提供する。

本発明の典型的な態様にしたがう結晶化装置では、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう第１方向に沿って光変調素子を照明する第１照明光の光強度と、位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう第２方向に沿って光変調素子を照明する第２照明光の光強度との比を変化させることにより、光変調素子を交換することなく被照射材料の特性に応じた適切なディップ強度を可変的に実現することができる。その結果、本発明では、被照射材料の特性に応じた適切なディップ強度に基づいて、所望の大きさの結晶粒を安定的に形成することができる。

本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる結晶化装置の構成を概略的に示す図である。図２は、図１の照明系の内部構成を概略的に示す図である。図１および図２を参照すると、本実施形態の結晶化装置は、入射光束を位相変調して所定の光強度分布を有する光束を形成するための光変調素子１と、光変調素子１を照明するための照明系２と、結像光学系３と、被処理基板４を保持するための基板ステージ５とを備えている。

光変調素子１の構成および作用については後述する。照明系２は、たとえば３０８ｎｍの波長を有するレーザ光を供給するＸｅＣｌエキシマレーザ光源２ａを備えている。光源２ａとして、連続発振するものでも、パルス発振するものでも良く、ＫｒＦエキシマレーザ光源やＹＡＧレーザ光源のように被処理基板４を溶融するエネルギー光線を出射する性能を有する他の適当な光源を用いることもできる。光源２ａから供給されたレーザ光は、ビームエキスパンダ２ｂを介して拡大された後、第１フライアイレンズ２ｃに入射する。

この結果、第１フライアイレンズ２ｃの後側焦点面には複数の小光源が形成され、これらの複数の小光源からの光束は第１コンデンサー光学系２ｄを介して、第２フライアイレンズ２ｅの入射面を重畳的に照明する。その結果、第２フライアイレンズ２ｅの後側焦点面には、第１フライアイレンズ２ｃの後側焦点面よりも多くの複数の小光源が形成される。第２フライアイレンズ２ｅの後側焦点面に形成された複数の小光源からの光束は、第２コンデンサー光学系２ｆを介して、光変調素子１を重畳的に照明する。

第１フライアイレンズ２ｃと第１コンデンサー光学系２ｄとで、第１ホモジナイザが構成されている。この第１ホモジナイザにより光源２ａから射出されたレーザ光について、光変調素子１上での入射角度に関する均一化が図られる。また、第２フライアイレンズ２ｅと第２コンデンサー光学系２ｆとで、第２ホモジナイザが構成されている。この第２ホモジナイザにより第１ホモジナイザからの入射角度が均一化されたレーザ光について、光変調素子１上での面内各位置での光強度に関する均一化が図られる。

第２フライアイレンズ２ｅの射出面の近傍、すなわち照明光学系２ｂ〜２ｆの射出瞳に対応する位置またはその近傍の位置には、開口絞り機構２ｇが設けられている。開口絞り機構２ｇの構成および作用については後述する。光変調素子１により位相変調されたレーザ光は、結像光学系３を介して、被処理基板４に入射する。ここで、結像光学系３は、光変調素子１の位相パターン面と被処理基板４とを光学的に共役に配置している。換言すれば、被処理基板４（厳密には被処理基板４の被照射面）は、光変調素子１の位相パターン面と光学的に共役な面（結像光学系３の像面）に設定されている。

結像光学系３は、正レンズ群３ａと、正レンズ群３ｂと、これらのレンズ群の間に配置された開口絞り３ｃとを備えている。開口絞り３ｃの開口部（光透過部）の大きさ（ひいては結像光学系３の像側開口数ＮＡ）は、被処理基板４の半導体膜上（被照射面）において所要の光強度分布を発生させるように設定されている。結像光学系３は、屈折型の光学系であってもよいし、反射型の光学系であってもよいし、屈折反射型の光学系であってもよい。

結晶化される被処理基板４は、非単結晶半導体膜だけでも良いし、半導体基板に形成された非単結晶半導体膜の領域であっても良いし、また、支持体にサポートされた非単結晶半導体膜でも良い。以下では、支持体にサポートされている場合について例示的に説明する。被処理基板４は、支持体すなわち基板上に、下層絶縁膜、半導体薄膜、上層絶縁膜の順に成膜することにより構成されている。さらに詳細には、本実施形態では、被処理基板４は、たとえば液晶ディスプレイ用板ガラスの上に、化学気相成長法（ＣＶＤ）により、下地絶縁膜、非単結晶膜例えば非晶質シリコン膜、およびキャップ膜が順次形成されたものである。下地絶縁膜およびキャップ膜は、絶縁膜、例えばＳｉＯ₂膜である。下地絶縁膜は、非晶質シリコン膜とガラス基板とが直接接触して、ガラス基板中のＮａなどの異物が非晶質シリコン膜に混入するのを防止し、非晶質シリコン膜の熱が直接ガラス基板に伝熱されるのを防止する。

非晶質シリコン膜は、結晶化される半導体膜（非単結晶半導体膜）である。キャップ膜は、非晶質シリコン膜に入射する光ビームの一部により加熱され、この加熱された温度を蓄熱する。この蓄熱効果は、光ビームの入射が遮断されたとき、非晶質シリコン膜の被照射面において高温部が相対的に急速に降温するが、この降温勾配を緩和させ、大粒径の横方向の結晶成長を促進させる。被処理基板４は、真空チャックや静電チャックなどにより基板ステージ５上において予め定められた所定の位置に位置決めされて保持されている。

以下、本実施形態の具体的な説明に先立って、位相制御ＥＬＡ法ではディップ強度が重要であることを説明する。図３（ａ）には、ディップ強度が横方向成長開始強度よりもわずかに低い場合に得られる結晶状態が示されている。この場合、まずディップ位置に、微結晶の集まりである多結晶シリコン領域３１が生成され、この多結晶シリコン領域３１の周辺の微結晶を成長開始点３２として、成長開始点３２から横方向成長して大粒径の結晶３３が得られる。

図３（ｂ）には、ディップ強度が横方向成長開始強度よりも大きい場合に得られる結晶状態が示されている。この場合、多結晶シリコンの領域が生成されないため、多数の成長開始点３４から結晶が横方向成長し、ひいては複数の分裂した結晶粒３５が形成される。また、ディップ強度が大きい分だけ、ディップにおける光強度勾配すなわち温度勾配が緩やかになるため、結晶３５の横方向成長が途中で終了しまい、大きい結晶粒が形成されない確率が高くなる。

図３（ｃ）には、ディップ強度が横方向成長開始強度よりもかなり小さい場合に得られる結晶状態が示されている。この場合、ディップ位置に生成される多結晶シリコン領域３６が、図３（ａ）に示す場合と比較して、大きくなりすぎて、多結晶シリコン領域３６の周辺の成長開始点３７から横方向成長して得られる結晶粒３８が小さくなってしまう。このように、所望の大きさの結晶の上にトランジスタを形成するには、図３（ａ）に示すように、ディップ強度を横方向成長開始強度よりもわずかに低く設定することが重要である。

一方、前述したように、被処理基板４における横方向成長開始強度は、その作製ロットごとに変化する。そこで、本発明者は、光変調素子を交換することなく被照射材料（被処理基板４）の特性に応じた適切なディップ強度を可変的に実現する手法、すなわち斜め照明法の特徴を利用して照明条件を変化させることにより、光変調素子を交換することなくディップ強度を可変にする手法を見出した。以下、本発明の手法の原理について述べる。

原理の説明を簡単にするために、幾何学的な段差構造からなる位相段差を有する光変調素子を斜め照明する例、具体的には位相段差の位相差（位相角）が４０度である光変調素子１Ａ（図５、図６を参照）を斜め照明する例について考える。まず、図４を参照して、本発明において用いる位相の定義を説明する。平面波が入射した光変調素子（位相シフター）１Ａの直後の波面を考え、光の進行方向にシフトしている場合その領域を「位相進み」側の領域とし、逆に光源側にシフトしている場合その領域を「位相遅れ」側の領域と定義する。

光変調素子１Ａのように位相段差が基板表面の凹凸形状により形成されている場合、その段差の両側において凸の側が位相遅れの側、凹の側が位相進みの側となる。凹凸形状以外の光変調素子に対してもこの定義を同様に適用することができる。また、用いる結像光学系の解像度以下の微細パターンで位相を制御する方法も考えられるが、その場合は像面に形成される位相分布に対して同様の定義を適用すればよい。また、光変調素子の説明において位相値を用いる場合に、その値は位相進みの方向を正とする。例えば、＋９０度は９０度の位相進みを、−９０度は９０度の位相遅れを意味する。

光変調素子１Ａは０度よりも実質的に大きく１８０度よりも実質的に小さい位相差の位相段差を有するので、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう方向に沿う照明（図５で矢印Ｄで示す）を「正方向斜め照明」と呼び、位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう方向に沿う照明（図６を参照）を「逆方向斜め照明」と呼ぶ。ちなみに、本明細書では、光変調素子が１８０度よりも実質的に大きく３６０度よりも実質的に小さい位相差の位相段差を有する場合、位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう方向に沿う照明を「正方向斜め照明」と称し、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう方向に沿う照明を「逆方向斜め照明」と称する。

光変調素子１Ａを斜め照明して得られる光強度分布の計算条件の一例は、以下の通りである。すなわち、光の波長は３０８ｎｍであり、結像光学系３の物体側開口数は０．１５であり、コヒーレンスファクター（照明σ値；照明系２の射出側開口数／結像光学系３の物体側開口数）は０．５であり、結像光学系３の結像倍率は１／５であり、斜め照明角は±０．７度（正の値は正方向斜め照明の角度、負の値は逆方向斜め照明の角度）である。

図５は、光変調素子１Ａを正方向斜め照明して得られる光強度分布の計算結果を示す図である。図６は、光変調素子１Ａを逆方向斜め照明して得られる光強度分布の計算結果を示す図である。図５および図６において、縦軸は無変調のときの強度を１に規格化したときの光強度を示し、横軸は被処理基板４上の位置を示している。この表記は、図１０、図１１、図１９、図２２、および図２３においても同様である。

図５を参照すると、光変調素子１Ａを正方向斜め照明することにより、被処理基板４上において位相段差に対応する位置に逆ピーク状（ピーク値が最小の強度）の光強度分布すなわちディップが生成される。特開２００６−８０４９０号公報に開示されているように、正方向斜め照明により生成される逆ピーク状の光強度分布は左右（位相遅れ方向と位相進み方向）対称であり、且つデフォーカスによる光強度分布の変化が少ない。一方、図６に示すように、光変調素子１Ａを逆方向斜め照明することにより、被処理基板４上において位相段差に対応する位置にピーク状（ピーク値が最大の強度）の光強度分布が生成される。逆方向斜め照明においても正方向斜め照明の場合と同様に、ピーク状の光強度分布は左右対称であり、且つデフォーカスによる光強度分布の変化が少ない。

以下、図７ないし図９を参照して正方向斜め照明において逆ピーク状の光強度分布が生成され、逆方向斜め照明においてピーク状の光強度分布が生成される理由を説明する。図７は、光変調素子１Ａを正方向斜め照明したときの位相段差の直後における光の位相分布を表すとともに、点像分布範囲内の代表点として参照符号Ａ、Ｂ、Ｃで示す点での複素振幅をベクトル表示した図である。図７を参照すると、正方向斜め照明により、位相段差の直後における光の位相分布では、位相段差に加えて一定の勾配が加わることがわかる。以下、点像分布範囲について説明する。

光変調素子１Ａ上の点Ｐ（不図示）に対応する被処理基板４上の点Ｐ’（不図示）に着目すると、点Ｐ’での光複素振幅分布Ｕ（Ｐ’）は、次の式（１）に示すように、結像光学系３により決定される点像振幅分布ＰＳＦ（ｘ，ｙ）と光変調素子１Ａの振幅透過率分布Ｔ（ｘ，ｙ）とのコンボリューションにより求められる（コヒーレント結像理論での近似）。ここで、（ｘ，ｙ）は、光変調素子１上での座標である。
Ｕ（Ｐ’）＝ＰＳＦ（ｘ，ｙ）＊Ｔ（ｘ，ｙ） （１）

点像振幅分布ＰＳＦ（ｘ，ｙ）を原点（分布の中心）に一番近い０点で打ち切り、その範囲内で値が一定であると近似し、この範囲を「点像分布範囲」と呼ぶ。すなわち、結像光学系３の点像分布範囲とは、点像分布関数において０となる、もしくは０とみなせる線で囲まれた範囲である。一般には、点像分布範囲は、結像光学系３の物体側開口数をＮＡとし、光の波長をλとした場合、像面上で半径０．６１λ／ＮＡの円で表され、光変調素子１上においては結像光学系３の倍率で割った値に比例する円になる。

図８は、光変調素子１Ａを正方向斜め照明したときの位相段差から離れた平坦部の直後における光の位相分布を表すとともに、点像分布範囲内の代表点として参照符号Ａ’、Ｂ’、Ｃ’で示す点での複素振幅をベクトル表示した図である。図７と図８とを比較すると、正方向斜め照明では、平坦部よりも位相段差の方が代表点の間での位相差が大きくなっている。従って、光変調素子１Ａを正方向斜め照明した場合、被処理基板４上において平坦部に対応する位置よりも位相段差に対応する位置の方が光強度は低くなり、図５に示すような逆ピーク状の光強度分布すなわちディップが生成される。

図９は、光変調素子１Ａを逆方向斜め照明したときの位相段差の直後における光の位相分布を表すとともに、点像分布範囲内の代表点として参照符号Ａ''、Ｂ''、Ｃ''で示す点での複素振幅をベクトル表示した図である。図９を参照すると、逆方向斜め照明により、位相段差の直後における光の位相分布では、位相段差を相殺するような一定の勾配が加わることがわかる。光変調素子１Ａを逆方向斜め照明したときの位相段差から離れた平坦部の直後における光の位相分布については図示を省略しているが、図８に示す位相分布を左右反転して得られる位相分布になる。従って、光変調素子１Ａを逆方向斜め照明した場合、被処理基板４上において位相段差に対応する位置よりも平坦部に対応する位置の方が光強度は低くなり、図６に示すようなピーク状の光強度分布が生成される。

次に、正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを同時に行い、正方向斜め照明の光強度と逆方向斜め照明の光強度との比または差を変化させることによりディップ強度を調整する本発明の手法について説明する。図１０は、正方向斜め照明（矢印Ｄ１で示す）と逆方向斜め照明（矢印Ｄ２で示す）とを５：１の光強度比で同時に行ったときに得られる光強度分布の計算結果を示す図である。この場合、両照明の入射角は、図に示すようにほぼ等しいことが好ましいが、異なっていても良い。図１１は、正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：２の光強度比で同時に行ったときに得られる光強度分布の計算結果を示す図である。

図１０および図１１に示す計算結果を得る際には、正方向斜め照明と逆方向斜め照明とは互いに非干渉であることを仮定し、光強度比に応じて加算した後に規格化することにより光強度分布を得ている。図５と図１０と図１１とを比較すると、正方向斜め照明の光強度と逆方向斜め照明の光強度との比を５：０から５：１を経て５：２へ変化させると、ディップ幅（光強度が最大値である位置でのディップの幅）およびディップの半値幅（光強度が最大値の半分の値である位置でのディップの幅）をほぼ一定に保ちつつ、ディップ強度が約０．８７から約０．９１を経て約０．９３へ増大することがわかる。

このように、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう方向に沿って光変調素子１Ａを照明（上述の説明では正方向斜め照明）する照明光の光強度と、位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう方向に沿って光変調素子１Ａを照明（上述の説明では逆方向斜め照明）する照明光の光強度との比を変化させることにより、被処理基板４の特性に応じた適切なディップ強度を可変的に実現することができる。その結果、被処理基板４の特性に応じた適切なディップ強度に基づいて、所望の大きさの結晶粒を安定的に形成することができる。

図１２は、本実施形態において正方向斜め照明の光強度と逆方向斜め照明の光強度との比を変化させるための第１の形態を説明する図である。図１２に示す第１の形態では、照明光学系２ｂ〜２ｆ（図１２では第２コンデンサー光学系２ｆのみを図示）の射出瞳に対応する位置またはその近傍の位置に、開口絞り２ｇａが配置されている。開口絞り２ｇａには、光軸との交点を通り光変調素子１Ａの位相段差の段差線に対応する方向の直線に関して対称な一対の所定の形状、例えば、矩形状の開口部、すなわち第１開口部２ｇａ１および第２開口部２ｇａ２が形成されている。また、第２開口部２ｇａ２の直後には、透過率変調フィルター２ｇｂが配置されている。開口絞り２ｇａと透過率変調フィルター２ｇｂとは、図２に示す開口絞り機構２ｇを構成している。透過率変調フィルター２ｇｂとして、余分な光を反射する反射型フィルター、余分な光を吸収する吸収型フィルターなどを用いることができる。

開口絞り２ｇａの第１開口部２ｇａ１を通過した光は、第２コンデンサー光学系２ｆを介して、光変調素子１Ａを正方向斜め照明する。一方、開口絞り２ｇａの第２開口部２ｇａ２を通過した光は、透過率変調フィルター２ｇｂの作用により光強度が低減された後、第２コンデンサー光学系２ｆを介して、光変調素子１Ａを逆方向斜め照明する。こうして、図１２に示す第１の形態では、透過率変調フィルター２ｇｂを交換または調整することにより、光変調素子１Ａを逆方向斜め照明する照明光の光強度だけを所望の値に低減することができ、ひいては光変調素子１Ａを正方向斜め照明する照明光の光強度と逆方向斜め照明する照明光の光強度との比を容易に調整する（変化させる）ことができる。
透過率変調フィルター２ｇｂを交換する場合には、透過率の異なる変調フィルター２ｇｂを複数用意しておいて、適宜、適当なものに交換する。この場合には、光変調素子を交換する場合に比べて、フィルターの方がはるかに製造が容易で安価である利点を有する。透過率変調フィルター２ｇｂを調整する場合には、１つのフィルターに透過度の異なる複数の領域を形成しておき、適宜使用する領域を、例えば、フィルターを移動させることにより、入射光に対応させれば良い。また、１つのフィルターに透過度が連続して変化する領域を形成しておき、この領域の一部を適宜選択して使用するようにしても良い。この実施の形態では、透過度が連続して変化する円環状のフィルター領域を有するフィルターを駆動機構２ｃにより、回動させて、必要な領域または部分を使用している。

上述の第１の形態では、第２開口部２ｇａ２の直後に透過率変調フィルター２ｇｂを配置しているが、可能な場合には第２開口部２ｇａ２の直前に透過率変調フィルター２ｇｂを配置しても良い。また、上述の第１の形態では、開口絞り２ｇａに矩形状の開口部２ｇａ１、２ｇａ２が形成されているが、これに限定されることなく、開口部２ｇａ１、２ｇａ２の形状および配置などについて様々な変形例が可能である。

また、上述の第１の形態では、一対の開口部２ｇａ１、２ｇａ２の形状および大きさが固定的であるが、これに限定されることなく、第１開口部２ｇａ１および第２開口部２ｇａ２のうちの少なくとも一方の大きさを公知の技術を使用して可変に構成することにより、正方向斜め照明する照明光の光強度と逆方向斜め照明する照明光の光強度との比を調整することができる。この場合、透過率変調フィルター２ｇｂの配置を省略することもできる。

図１３は、本実施形態において正方向斜め照明の光強度と逆方向斜め照明の光強度との比を変化させるための第２の形態を説明する図である。図１３に示す第２の形態では、光変調素子１Ａの直前にウォラストンプリズム２ｈが配置され、開口絞り２ｇ’（図１２の開口絞り２ｇａと同じ位置に配置された通常の開口絞り）の後側に光軸を中心として、駆動機構２０ａにより回転可能な１／２波長板２ｊが配置され、ビームエキスパンダ２ｂと第１フライアイレンズ２ｃとの間に直線偏光器２ｋが配置されている。ウォラストンプリズム２ｈは、入射光の偏光方向により異なる方向へ光を射出する偏光プリズムである。以下、図１４を参照して、ウォラストンプリズム２ｈの構成および作用について説明する。

図１４を参照すると、ウォラストンプリズム２ｈは、頂角がθの一対の直角プリズム２ｈａと２ｈｂとを平行平面状の形態に貼り合わせることにより構成されている。ウォラストンプリズム２ｈに対して光軸に沿って垂直入射した光線Ｌｉは、光軸に対して角度αをなす第１方向に沿って射出される正常光線Ｌｏと、光軸に対して角度αをなし且つ第１方向に対して角度２αをなす第２方向に沿って射出される異常光線Ｌｅとに分離される。ウォラストンプリズム２ｈの分離角αは、以下の式（２）で近似される。式（２）において、θは直角プリズムの頂角であり、ｎｅは異常光線の屈折率であり、ｎｏは正常光線の屈折率である。

矢印Ｆｅで示す方向に偏光する直線偏光の光がウォラストンプリズム２ｈに入射した場合、正常光線Ｌｏは発生することなく、異常光線Ｌｅだけが発生する。一方、矢印Ｆｅで示す方向と直交する方向、すなわち矢印Ｆｏで示す方向に偏光する直線偏光の光がウォラストンプリズム２ｈに入射した場合、異常光線Ｌｅは発生することなく、正常光線Ｌｏだけが発生する。一般に、矢印Ｆｅで示す方向に対して角度φをなす方向（参照符号Ｆｉで示す方向）に偏光する直線偏光の光がウォラストンプリズム２ｈに入射した場合、異常光線Ｌｅの光強度：正常光線Ｌｏの光強度は、cos²φ：sin²φとなる。

図１３に示す第２の形態では、光源２ａから射出された光が、ビームエキスパンダ２ｂを介して拡大された後、直線偏光器２ｋにより直線偏光の光に変換される。直線偏光器２ｋを経た直線偏光の光は、第１フライアイレンズ２ｃ、第１コンデンサー光学系２ｄ（不図示）、および第２フライアイレンズ２ｅ（不図示）を介して、開口絞り２ｇ’に入射する。開口絞り２ｇ’を通過した直線偏光の光は、光軸を中心として回転可能な１／２波長板２ｊにより所要の方向に偏光する直線偏光の光となり、第２コンデンサー光学系２ｆ（不図示）を介して、ウォラストンプリズム２ｈに入射する。

こうして、ウォラストンプリズム２ｈから射出された異常光線Ｌｅは光変調素子１Ａを正方向斜め照明し、ウォラストンプリズム２ｈから射出された正常光線Ｌｏは光変調素子１Ａを逆方向斜め照明する。このとき、正方向斜め照明と逆方向斜め照明とは光の偏光方向が互いに直交するため、干渉することなく互いに独立した光源と考えることができる。図１３に示す第２の形態では、１／２波長板２ｊを介してウォラストンプリズム２ｈに入射する光の偏光方向を変化させることにより、光変調素子１Ａを正方向斜め照明する照明光の光強度に対する逆方向斜め照明する照明光の光強度の比tan²φを容易に調整する（変化させる）ことができる。

［数値実施例］
数値実施例にしたがって、本実施形態の効果を検証する。数値実施例では、図１５に示す基本パターンを有する光変調素子１Ｂを用いている。光変調素子１Ｂの基本パターンにおいて、矩形状の位相値０度の領域１ａを挟んで上下に配置された矩形状の位相値＋４０度の領域１ｂと矩形状の位相値−４０度の領域１ｃとのＸ方向に沿った中心間距離は０．５μｍである。Ｘ１の行に並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂ、Ｘ２の行に並ぶ５つの−４０度の領域１ｃ、Ｘ３の行に並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂ、Ｘ４の行に並ぶ５つの−４０度の領域１ｃのＹ方向寸法は１μｍである。なお、ここに示す寸法は、結像光学系の倍率を考慮して像面に換算した値である。

Ｘ５の行に間隔を隔てて並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂ、Ｘ６の行に間隔を隔てて並ぶ５つの−４０度の領域１ｃ、Ｘ７の行に間隔を隔てて並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂ、Ｘ８の行に間隔を隔てて並ぶ５つの−４０度の領域１ｃ、Ｘ９の行に間隔を隔てて並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂ、Ｘ１０の行に間隔を隔てて並ぶ５つの−４０度の領域１ｃのＸ方向に沿った中心間距離はそれぞれ１μｍである。

具体的に、Ｘ１の行に並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂのＸ方向寸法Ｘ₊は、図中左側から順に、０．６μｍ、０．４５８μｍ、０．３５μｍ、０．２７６μｍ、０．２４μｍである。Ｘ２の行に並ぶ５つの−４０度の領域１ｃのＸ方向寸法Ｘ₊は、図中左側から順に、０．２２８μｍ、０．２６１μｍ、０．３１２μｍ、０．３８５μｍ、０．４７５μｍである。Ｘ３の行に並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂのＸ方向寸法Ｘ₊は、図中左側から順に、０．３５μｍ、０．３１２μｍ、０．２７４μｍ、０．２４５μｍ、０．２１６μｍである。

Ｘ４の行に並ぶ５つの−４０度の領域１ｃのＸ方向寸法Ｘ₊は、図中左側から順に、０．２０９μｍ、０．２２４μｍ、０．２３８μｍ、０．２５７μｍ、０．２７６μｍである。Ｘ５の行に間隔を隔てて並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂのＸ方向寸法Ｘ₊は０．２５３μｍであり、Ｙ方向寸法Ｙ₊は０．８μｍである。Ｘ６の行に間隔を隔てて並ぶ５つの−４０度の領域１ｃのＸ方向寸法Ｘ₊は０．２８μｍであり、Ｙ方向寸法Ｙ₊は０．６μｍである。

Ｘ７の行に間隔を隔てて並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂのＸ方向寸法Ｘ₊およびＹ方向寸法Ｙ₊はともに０．３６６μｍである。Ｘ８の行に間隔を隔てて並ぶ５つの−４０度の領域１ｃのＸ方向寸法Ｘ₊およびＹ方向寸法Ｙ₊はともに０．３１６μｍである。Ｘ９の行に間隔を隔てて並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂのＸ方向寸法Ｘ₊およびＹ方向寸法Ｙ₊はともに０．２５７μｍである。Ｘ１０の行に間隔を隔てて並ぶ５つの−４０度の領域１ｃのＸ方向寸法Ｘ₊およびＹ方向寸法Ｙ₊はともに０．１８２μｍである。

上述の説明ではＸ１の行に並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂよりも図中下側の位相変調領域に着目しているが、光変調素子１Ｂの基本パターンは、位相変調領域はＸ１の行に並ぶ５つの＋４０度の領域１ｂの中央をＹ方向に横断する中心線に関して対称な構成を有する。光変調素子１Ｂでは、図１５に示すような基本パターンが、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に、あるいはＹ方向に沿って一次元的に繰り返し多数形成されている。図１６では、紙面に限りがあるため、光変調素子１Ｂを構成する多数の基本パターンのうち、Ｙ方向に沿って一次元的に繰り返し形成された一対の基本パターンだけを示している。

図１６において、破線の楕円４１で示す領域は位相遅れの領域であり、破線の楕円４２で示す領域は位相進みの領域であり、位相遅れの領域４１と位相進みの領域４２との間でＸ方向に延びる破線の直線４３は位相段差の段差線である。光変調素子１Ｂを用いる場合、被処理基板４上において位相段差に対応する位置に逆ピーク状の光強度分布すなわちディップが生成され、ディップからＸ方向に沿って結晶成長のための光強度勾配が生成される。なお、光変調素子１Ｂのさらに詳細な構成については、特開２００６−１００７７１号公報を参照することができる。

このように、光変調素子１Ａの位相段差が幾何学的な段差構造により形成されているのに対し、光変調素子１Ｂの位相段差は結像光学系３の点像分布範囲での位相変調量のベクトル的平均値の差により形成されている。結像光学系３の点像分布範囲での位相変調量のベクトル的平均値すなわち平均位相値Ｐavは、次の式（３）で定義される。なお、式（３）において、argは位相値を得る関数であり、ｘ，ｙは光変調素子上の座標であり、θ（ｘ，ｙ）は光変調素子上の点（ｘ，ｙ）での位相であり、積分は点像分布範囲の内側で行われる。

数値実施例では、図１３に示す第２の形態にしたがって、光変調素子１Ｂを正方向斜め照明する照明光の光強度に対する逆方向斜め照明する照明光の光強度の比を調整している。また、数値実施例において、光の波長は３０８ｎｍであり、結像光学系３の物体側開口数は０．１５であり、コヒーレンスファクター（照明σ値；照明系２の射出側開口数／結像光学系３の物体側開口数）は０．５であり、結像光学系３の結像倍率は１／５であり、正方向斜め照明の角度は＋０．７１度であり、逆方向斜め照明の角度は−０．７１度である。

ちなみに、ウォラストンプリズム２ｈを水晶により形成する場合、斜め照明角α＝０．７１度を実現するには、水晶の屈折率ｎｅ＝１．６１２、ｎｏ＝１．６０２を式（２）に代入することにより、頂角θ＝３２°の直角プリズムを用いてウォラストンプリズム２ｈを形成すればよいことがわかる。また、光変調素子１Ｂにおいて、式（３）によって得られる位相遅れの領域４１の位相値は−１０度であり、位相進みの領域４２の位相値は＋１０度である。

図１７は、数値実施例において光変調素子１Ｂを正方向斜め照明して得られる光強度分布の計算結果を示す図である。図１８は、数値実施例において光変調素子１Ｂを逆方向斜め照明して得られる光強度分布の計算結果を示す図である。図１７および図１８では、無変調のときの強度を１に規格化したときの光強度の等高線で光強度分布を表している。この表記は、図２０および図２１においても同様である。また、図１９は、図１７の線Ａ−Ａに沿った光強度分布を示す図である。数値実施例では、ウォラストンプリズム２ｈに入射する光の偏光方向の角度φを０度に設定することにより正方向斜め照明を実現し、角度φを９０度に設定することにより逆方向斜め照明が実現している。

図２０は、数値実施例において正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：１の光強度比で同時に行ったときに得られる光強度分布の計算結果を示す図である。図２１は、数値実施例において正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：２の光強度比で同時に行ったときに得られる光強度分布の計算結果を示す図である。また、図２２は図２０の線Ｂ−Ｂに沿った光強度分布を示す図であり、図２３は図２１の線Ｃ−Ｃに沿った光強度分布を示す図である。

数値実施例では、ウォラストンプリズム２ｈに入射する光の偏光方向の角度φを２４．１度に設定することにより、正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：１（cos²φ=0.833：sin²φ=0.167）の光強度比に設定している。また、ウォラストンプリズム２ｈに入射する光の偏光方向の角度φを３２．３度に設定することにより、正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：２（cos²φ=0.715：sin²φ=0.285）の光強度比に設定している。

図１７、図１９、および図２０ないし図２３を参照すると、数値実施例において正方向斜め照明の光強度と逆方向斜め照明の光強度との比を５：０から５：１を経て５：２へ変化させても、ディップ幅（光強度が最大値である位置でのディップの幅）およびディップの半値幅（光強度が最大値の半分の値である位置でのディップの幅）をほぼ一定に保ちつつ、左右対称なディップ（逆ピーク状の光強度分布）がＹ方向に沿って間隔を隔てて形成されることが確認された。また、数値実施例において光強度比を変化させても、ディップからＸ方向に沿った結晶成長のための光強度勾配もほとんど変化しないことが確認された。

特に、図１９と図２２と図２３とを比較すると、数値実施例において正方向斜め照明の光強度と逆方向斜め照明の光強度との比を５：０から５：１を経て５：２へ変化させると、ディップ幅およびディップの半値幅をほぼ一定に保ちつつ、ディップ強度が約０．５８から約０．６１を経て約０．６３へ増大することがわかる。なお、図示を省略したが、結像光学系３のフォーカス位置から被処理基板４を±５μｍ程度デフォーカスさせても、光強度分布がほとんど変化しないことが確認された。

図２４は、本実施形態の結晶化装置を用いて結晶化された領域に電子デバイスを作製する工程を示す工程断面図である。図２４（ａ）に示すように、透明の絶縁基板８０（例えば、アルカリガラス、石英ガラス、プラスチック、ポリイミドなど）の上に、下地膜８１（例えば、膜厚５０ｎｍのＳｉＮおよび膜厚１００ｎｍのＳｉＯ₂積層膜など）および非晶質半導体膜８２（例えば、膜厚５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度のＳｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅなどの半導体の膜）および不図示のキャップ膜８２ａ（例えば、膜厚３０ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉＯ₂膜など）を、化学気相成長法やスパッタ法などを用いて成膜した被処理基板５を準備する。そして、本実施形態にしたがう結晶化装置を用いて、非晶質半導体膜８２の表面の予め定められた領域に、レーザ光８３（例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光やＸｅＣｌエキシマレーザ光など）を照射する。

こうして、図２４（ｂ）に示すように、大粒径の結晶を有する多結晶半導体膜または単結晶化半導体膜８４が生成される。次に、キャップ膜８２ａをエッチングにより半導体膜８４から除去した後、図２４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて多結晶半導体膜または単結晶化半導体膜８４を例えば薄膜トランジスタを形成するための領域となる島状の半導体膜８５に加工し、表面にゲート絶縁膜８６として膜厚２０ｎｍ〜１００ｎｍのＳｉＯ₂膜を化学気相成長法やスパッタ法などを用いて成膜する。さらに、図２４（ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜上にゲート電極８７（例えば、シリサイドやＭｏＷなど）を形成し、ゲート電極８７をマスクにして不純物イオン８８（Ｎチャネルトランジスタの場合にはリン、Ｐチャネルトランジスタの場合にはホウ素）をイオン注入する。その後、窒素雰囲気でアニール処理（例えば、４５０°Ｃで１時間）を行い、不純物を活性化して島状の半導体膜８５にソース領域９１、ドレイン領域９２を形成する。次に、図２４（ｅ）に示すように、層間絶縁膜８９を成膜してコンタクト穴をあけ、チャネル９０でつながるソース９１およびドレイン９２に接続するソース電極９３およびドレイン電極９４を形成する。

以上の工程において、図２４（ａ）および（ｂ）に示す工程で生成された多結晶半導体膜または単結晶化半導体膜８４の大粒径結晶の位置に合わせて、即ち、結晶粒内にチャネル９０を形成する。以上の工程により、多結晶トランジスタまたは単結晶化半導体に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することができる。こうして製造された多結晶トランジスタまたは単結晶化トランジスタは、液晶表示装置（ディスプレイ）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイなどの駆動回路や、メモリ（ＳＲＡＭやＤＲＡＭ）やＣＰＵなどの集積回路などに適用可能である。

上述の説明では、非単結晶半導体膜に所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置および結晶化方法に本発明を適用している。しかしながら、これに限定されることなく、一般的に結像光学系を介して所定の光強度分布を所定面に形成する光照射装置に対して本発明を適用することができる。

本発明の実施形態にかかる結晶化装置の構成を概略的に示す図である。 図１の結晶化装置の照明系の内部構成を概略的に示す図である。 （ａ）はディップ強度が横方向成長開始強度よりもわずかに低い場合に得られる結晶状態を、（ｂ）はディップ強度が横方向成長開始強度よりも大きい場合に得られる結晶状態を、（ｃ）はディップ強度が横方向成長開始強度よりもかなり小さい場合に得られる結晶状態を夫々示す図である。 本発明において用いる位相の定義を説明する図である。 図１の結晶化装置の光変調素子と、この光変調素子を正方向斜め照明して得られる光強度分布の計算結果を示す図である。 光変調素子と、この光変調素子を逆方向斜め照明して得られる光強度分布の計算結果を示す図である。 光変調素子と、この光変調素子を正方向斜め照明したときの位相段差の直後における光の位相分布を表すとともに、点像分布範囲内の代表点として参照符号Ａ、Ｂ、Ｃで示す点での複素振幅をベクトル表示した図である。 光変調素子と、この光変調素子を正方向斜め照明したときの位相段差から離れた平坦部の直後における光の位相分布を表すとともに、点像分布範囲内の代表点として参照符号Ａ’、Ｂ’、Ｃ’で示す点での複素振幅をベクトル表示した図である。 光変調素子と、この光変調素子を逆方向斜め照明したときの位相段差の直後における光の位相分布を表すとともに、点像分布範囲内の代表点として参照符号Ａ''、Ｂ''、Ｃ''で示す点での複素振幅をベクトル表示した図である。 正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：１の光強度比で同時に行ったときに得られる光強度分布の計算結果を示す図である。 正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：２の光強度比で同時に行ったときに得られる光強度分布の計算結果を示す図である。 本実施形態において正方向斜め照明の光強度と逆方向斜め照明の光強度との比を変化させるための第１の形態を説明する図である。 本実施形態において正方向斜め照明の光強度と逆方向斜め照明の光強度との比を変化させるための第２の形態を説明する図である。 図１３に示す装置で使用されているウォラストンプリズムの構成および作用を説明する図である。 本発明の装置並びに方法で使用され得る、数値実施例で用いられた光変調素子の基本パターンを概略的に示す図である。 図１５に示す光変調素子において一対の基本パターンがＹ方向に並んで形成されている様子を示す図である。 図１５に示す光変調素子を正方向斜め照明して得られる光強度分布の計算結果を示す図である。 図１５に示す光変調素子を逆方向斜め照明して得られる光強度分布の計算結果を示す図である。 図１７の線Ａ−Ａに沿った光強度分布を示す図である。 数値実施例において正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：１の光強度比で同時に行ったときに得られる光強度分布の計算結果を示す図である。 数値実施例において正方向斜め照明と逆方向斜め照明とを５：２の光強度比で同時に行ったときに得られる光強度分布の計算結果を示す図である。 図２０の線Ｂ−Ｂに沿った光強度分布を示す図である。 図２１の線Ｃ−Ｃに沿った光強度分布を示す図である。 （ａ）乃至（ｅ）は、本実施形態の結晶化装置を用いて電子デバイスを作製する工程を示す工程断面図である。

符号の説明

１，１Ａ，１Ｂ 光変調素子
２ 照明系
２ａ 光源
２ｂ ビームエキスパンダ
２ｃ，２ｅ フライアイレンズ
２ｄ，２ｆ コンデンサー光学系
２ｇ 開口絞り機構
２ｇａ，２ｇ’ 開口絞り
２ｇｂ 透過率変調フィルター
２ｈ ウォラストンプリズム
２ｊ １／２波長板
２ｋ 直線偏光器
３ 結像光学系
３ｃ 開口絞り
４ 被処理基板
５ 基板ステージ

Claims (16)

1. １８０度と実質的に異なる位相差の位相段差の段差線を有し、入射光を位相変調する光変調素子と、
   前記位相段差の段差線とほぼ直交する方向に傾いた照明光で前記光変調素子を照明する照明光学系と、
   前記光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を結晶化する所定面に形成する結像光学系とを備え、
   前記照明光学系は、前記位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう第１方向に沿って前記光変調素子を照明する第１照明光と、前記位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう第２方向に沿って前記光変調素子を照明する第２照明光とで前記光変調素子を同時に照明し、前記第１照明光の光強度と前記第２照明光の光強度とを実質的に異なる値に設定するための光強度設定機構を有する光照射装置。
2. 前記光強度設定機構は、前記第１照明光の光強度と前記第２照明光の光強度との比を可変的に設定するための光強度比可変ユニットを有する請求項１に記載の光照射装置。
3. 前記光強度比可変ユニットは、前記光変調素子の近傍に配置されて入射光の偏光方向により異なる方向へ光を射出する偏光プリズムと、該偏光プリズムよりも光源側に設けられて前記偏光プリズムへの入射光の偏光方向を調整するための偏光調整部材とを有する請求項２に記載の光照射装置。
4. 前記偏光プリズムは、ウォラストンプリズムである請求項３に記載の光照射装置。
5. 前記偏光調整部材は、前記照明光学系の光軸を中心として回転可能な波長板を有する請求項３または４に記載の光照射装置。
6. 前記光強度比可変ユニットは、前記照明光学系の射出瞳に対応する位置またはその近傍の位置に設けられて、前記第１照明光の光強度および前記第２照明光の光強度のうちの少なくとも一方の光強度を調整する光強度変調部材を有する請求項２に記載の光照射装置。
7. 前記光強度変調部材は、前記第１照明光を通過させるための第１開口部と、前記第２照明光を通過させるための第２開口部と、前記第１開口部および前記第２開口部のうちの少なくとも一方の前側または後側に配置された透過率変調部材とを有する請求項６に記載の光照射装置。
8. 前記光強度変調部材は、前記第１照明光を通過させるための第１開口部と、前記第２照明光を通過させるための第２開口部とを有し、前記第１開口部および前記第２開口部のうちの少なくとも一方の大きさが可変に構成されている請求項６に記載の光照射装置。
9. 前記光変調素子は、０度よりも実質的に大きく１８０度よりも実質的に小さい位相差の位相段差を有し、
   前記光強度設定機構は、前記第１照明光の光強度を前記第２照明光の光強度よりも実質的に大きく設定する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光照射装置。
10. 前記光変調素子は、１８０度よりも実質的に大きく３６０度よりも実質的に小さい位相差の位相段差を有し、
    前記光強度設定機構は、前記第２照明光の光強度を前記第１照明光の光強度よりも実質的に大きく設定する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光照射装置。
11. 前記光変調素子は、前記位相段差の段差線の方向に沿って強度が変化する光強度分布を形成するための位相変調パターンを有する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光照射装置。
12. 前記位相段差は、前記結像光学系の点像分布範囲での位相変調量のベクトル的平均値の差により形成されている請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光照射装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光照射装置と、前記所定面に非単結晶半導体膜を保持するためのステージとを備え、前記所定面に保持された非単結晶半導体膜に前記所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。
14. 請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光照射装置を用いて、前記所定面に保持された非単結晶半導体膜に前記所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化方法。
15. 請求項１３に記載の結晶化装置を用いて製造されたデバイス。
16. 請求項１４に記載の結晶化方法を用いて製造されたデバイス。

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