JPS6045252A - 投影露光装置の照明系 - Google Patents
投影露光装置の照明系Info
- Publication number
- JPS6045252A JPS6045252A JP58152474A JP15247483A JPS6045252A JP S6045252 A JPS6045252 A JP S6045252A JP 58152474 A JP58152474 A JP 58152474A JP 15247483 A JP15247483 A JP 15247483A JP S6045252 A JPS6045252 A JP S6045252A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- light shielding
- light
- circuit pattern
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所謂ステッパ等の半導体製造用の投影露光装
置に関し、特に露光用照明系において、レチクル(又は
フォトマスク)面の照明範囲を規制する為の遮光に関す
る。
置に関し、特に露光用照明系において、レチクル(又は
フォトマスク)面の照明範囲を規制する為の遮光に関す
る。
近年、IC,LS1.VLSI等の半導体素子の回路パ
ターンの微細化と、高集積化の進歩はめざましく、パタ
ーンの線幅は1〜1.5μmの時代へ進みつつある。パ
ターンの微細化と高集積化を進めるに当って、1〜1.
5μmの微細パターンの焼料を可能とする焼付性能と、
複数工程に渡る各パターンを焼付線幅の数分の1の精度
で正確にアライメントするアライメント性能を持ち、か
つウェハに欠陥を発生させることの少ない露光装置が要
求されている。
ターンの微細化と、高集積化の進歩はめざましく、パタ
ーンの線幅は1〜1.5μmの時代へ進みつつある。パ
ターンの微細化と高集積化を進めるに当って、1〜1.
5μmの微細パターンの焼料を可能とする焼付性能と、
複数工程に渡る各パターンを焼付線幅の数分の1の精度
で正確にアライメントするアライメント性能を持ち、か
つウェハに欠陥を発生させることの少ない露光装置が要
求されている。
これらの要求に答えるべく、1〜数個のマスクパターン
を有するレチクルをある縮小率でウェハ上に投影し、そ
れをステップ アンド・リピート(繰り返し露光)して
全ウニ、ハ上にパターンを配列して焼付ける方式の投影
露光装置、所謂ステッパが開発されている。第1図、第
2図を参照して、従来のステッパでレチクル2を照明す
る場合を説明すると、遮光板1は、レチクル2に形成さ
れた回路パターン2aを損傷することを防ぐために、光
軸方向にa(第1図)、又はb(第2図)の距離をおい
て配置されており、また回路パターン2aを焼付けるの
に有効な照明光路の輪郭は、第1図、第2図に示す様に
、ある傾きを持っており、遮光板1の遮光板端1aによ
って有効光路がケラれるので、遮光板端1aは、回路パ
ターンの外縁からC(第1図)又はd(第2図)の距離
が置かれノ4ターン2aよりも大きい領域の光が、ウエ
ノ鴇5上に露光される構成になっている。なお図中の3
はレチクルステージ、4は投影レンズでアル。
を有するレチクルをある縮小率でウェハ上に投影し、そ
れをステップ アンド・リピート(繰り返し露光)して
全ウニ、ハ上にパターンを配列して焼付ける方式の投影
露光装置、所謂ステッパが開発されている。第1図、第
2図を参照して、従来のステッパでレチクル2を照明す
る場合を説明すると、遮光板1は、レチクル2に形成さ
れた回路パターン2aを損傷することを防ぐために、光
軸方向にa(第1図)、又はb(第2図)の距離をおい
て配置されており、また回路パターン2aを焼付けるの
に有効な照明光路の輪郭は、第1図、第2図に示す様に
、ある傾きを持っており、遮光板1の遮光板端1aによ
って有効光路がケラれるので、遮光板端1aは、回路パ
ターンの外縁からC(第1図)又はd(第2図)の距離
が置かれノ4ターン2aよりも大きい領域の光が、ウエ
ノ鴇5上に露光される構成になっている。なお図中の3
はレチクルステージ、4は投影レンズでアル。
一方、ステッパで使用するレブークルの回路・々ターン
部以外の領域は、クローム等の蒸着により、焼付光が透
過しない様な配慮がなされているが、蒸着面にピンホー
ル等の欠陥があったり、何らかの理由で蒸着面を損傷さ
せた状態で、ウエノ・を繰り返し焼付けを行うと、ピン
ホール又は損傷部から焼付光が漏れて、ウエノ・上で間
接して投影されるパターンに有害な露光を乃えでしまい
、焼付けだ回路パターンに重大な欠陥を生じるという欠
点がある。
部以外の領域は、クローム等の蒸着により、焼付光が透
過しない様な配慮がなされているが、蒸着面にピンホー
ル等の欠陥があったり、何らかの理由で蒸着面を損傷さ
せた状態で、ウエノ・を繰り返し焼付けを行うと、ピン
ホール又は損傷部から焼付光が漏れて、ウエノ・上で間
接して投影されるパターンに有害な露光を乃えでしまい
、焼付けだ回路パターンに重大な欠陥を生じるという欠
点がある。
本発明は、かかる従来方式の欠点を除去し、ピンホール
等からの漏光を完全に防ぐことが可能な投影露光装置の
照明系を提供することを目的とする。
等からの漏光を完全に防ぐことが可能な投影露光装置の
照明系を提供することを目的とする。
以下図面を参照して、本発明の一実施例を説明する。第
3図は、レチクル22の下面Bに形成された回路バタi
ン22aを照明するだめの照明系の構成図である。尚、
その下方には、縮小投影レンズとウェハが配置されるも
のとする。
3図は、レチクル22の下面Bに形成された回路バタi
ン22aを照明するだめの照明系の構成図である。尚、
その下方には、縮小投影レンズとウェハが配置されるも
のとする。
超高圧水銀灯などの光源11の近傍には光源]、1から
放射された光束を有効に集光するだめの楕円鏡12が配
置され、次いで順次に光路に沿って、赤外光の大部分を
透過し紫外光を反射するだめのコールドミラー13、光
束の配光特性を均一にするだめのインテグレータ14が
配置されている。更に反射鏡15、コンデンサレンズ1
6、反射鏡17、遮光装置18、コンデンサレンズ19
、反射鏡20、コンデンサレンズ21、レチクル22が
順次に光路に沿って配置されており、ここで反射鏡15
.1.7.20は、それぞれ光軸を直角に折曲げて照明
系を小型化するだめのものであり、コンデンサレンズ1
6は、光源1]からの光を集光して、後述する遮光装置
J8の面Aを均一に照明するだめのものでちる。
放射された光束を有効に集光するだめの楕円鏡12が配
置され、次いで順次に光路に沿って、赤外光の大部分を
透過し紫外光を反射するだめのコールドミラー13、光
束の配光特性を均一にするだめのインテグレータ14が
配置されている。更に反射鏡15、コンデンサレンズ1
6、反射鏡17、遮光装置18、コンデンサレンズ19
、反射鏡20、コンデンサレンズ21、レチクル22が
順次に光路に沿って配置されており、ここで反射鏡15
.1.7.20は、それぞれ光軸を直角に折曲げて照明
系を小型化するだめのものであり、コンデンサレンズ1
6は、光源1]からの光を集光して、後述する遮光装置
J8の面Aを均一に照明するだめのものでちる。
第6図は、本発明の一実施例に係る遮光装置18の斜視
図である。この遮光装置18&よ、第3図に示すごとく
コンデンサレンズ19.21により、その遮光する面A
がレチクル22のノくターン面Bと共役な関係になるよ
うに配置され、また不図示の遮光装置駆動機構により、
レチクル22の下方に配置されて露光を受けるウエノ・
(不図示)との回転方向位置合わせのために、レチンJ
し22の回転に連動して第4図の如くθ方向に倒動可能
であり、更にレチクル22を、そのガラス等の透明部の
厚さが異なるレチクルに取替え、屈折力が変化した場合
に、上記の共役な関係を維持するために、光軸方向に移
動可能である。
図である。この遮光装置18&よ、第3図に示すごとく
コンデンサレンズ19.21により、その遮光する面A
がレチクル22のノくターン面Bと共役な関係になるよ
うに配置され、また不図示の遮光装置駆動機構により、
レチクル22の下方に配置されて露光を受けるウエノ・
(不図示)との回転方向位置合わせのために、レチンJ
し22の回転に連動して第4図の如くθ方向に倒動可能
であり、更にレチクル22を、そのガラス等の透明部の
厚さが異なるレチクルに取替え、屈折力が変化した場合
に、上記の共役な関係を維持するために、光軸方向に移
動可能である。
第6図に戻って遮光装置18の構成を説明すると、基板
30上には、4つのモータ31、モータ31の回転軸に
それぞれ固定されて回転可能な4つの送りネジ部32、
モータ31及び送りネジ部32の回転により、一方向に
移動可能な4つの送りナツト部33、及び送りナツト部
33上に固定され、かつ鋭利な測縁部(エツジ)34a
を有する4つの遮光板34がそれぞれ4組配置され、4
個の測縁部34aにより矩形の開口部35を構成する。
30上には、4つのモータ31、モータ31の回転軸に
それぞれ固定されて回転可能な4つの送りネジ部32、
モータ31及び送りネジ部32の回転により、一方向に
移動可能な4つの送りナツト部33、及び送りナツト部
33上に固定され、かつ鋭利な測縁部(エツジ)34a
を有する4つの遮光板34がそれぞれ4組配置され、4
個の測縁部34aにより矩形の開口部35を構成する。
この開口部35aの面は、遮光装置18の遮光面Aと同
一面上にある・上記構成において、光源11より放射さ
れた光束は、光学素子12.13.14.15.16.
17の順に反射、屈折をし、遮光装置18の面Aを均一
に照明する。次いで遮光装置18の開口部35の外側に
照射した光束は、4つの遮光板34によシけられ、開1
コ部35を通過した光束は、第3図において点線で示ず
如く、レチクル22のパターン面Bを照明する。ことで
遮光装置18の開口部35の縁部は、第5図の点線で示
すようにパターン面B上に鮮明な輪郭で投影され、レチ
クル22の回路パターン部22aの外側の領域を完全に
遮光することができる。
一面上にある・上記構成において、光源11より放射さ
れた光束は、光学素子12.13.14.15.16.
17の順に反射、屈折をし、遮光装置18の面Aを均一
に照明する。次いで遮光装置18の開口部35の外側に
照射した光束は、4つの遮光板34によシけられ、開1
コ部35を通過した光束は、第3図において点線で示ず
如く、レチクル22のパターン面Bを照明する。ことで
遮光装置18の開口部35の縁部は、第5図の点線で示
すようにパターン面B上に鮮明な輪郭で投影され、レチ
クル22の回路パターン部22aの外側の領域を完全に
遮光することができる。
尚、遮光装置18は、レチクル22の回路パターン部2
2aとの回転方向の位置合オフ、せのために、θ方向(
第4図)に回動可能であり、またレチクル22が厚さの
異なるすなわち屈折力の異なるレチクルに変更した場合
に、前記共役の関係を維持するために光軸方向(第3図
)に移動可能である。更に、遮光装置18の開口部35
の領域及び位置は、この照明系が装備されるステッパの
電子処理部から、レチクルの大きさにより出される信号
によりモータ31が所定の回転をし、モータ31の軸に
連結されている送シネジ32により送りナツト33が一
方向に移動し、従って遮光板34が移動することにより
、光軸と直角方向に変化することができる。このように
4枚の遮光板34の移動、調整は同時に行うことが可能
であり、従ってレチクル22の回路パターン部22aの
領域に合致した照明が可能となる。
2aとの回転方向の位置合オフ、せのために、θ方向(
第4図)に回動可能であり、またレチクル22が厚さの
異なるすなわち屈折力の異なるレチクルに変更した場合
に、前記共役の関係を維持するために光軸方向(第3図
)に移動可能である。更に、遮光装置18の開口部35
の領域及び位置は、この照明系が装備されるステッパの
電子処理部から、レチクルの大きさにより出される信号
によりモータ31が所定の回転をし、モータ31の軸に
連結されている送シネジ32により送りナツト33が一
方向に移動し、従って遮光板34が移動することにより
、光軸と直角方向に変化することができる。このように
4枚の遮光板34の移動、調整は同時に行うことが可能
であり、従ってレチクル22の回路パターン部22aの
領域に合致した照明が可能となる。
本発明によれば、照明系の有効照射範囲内で、電気的処
理により、レチクルの遮光の寸法、形状、位置を無毅階
に選択することができ、また遮光装置18に凹形等の異
なる形状の遮光板(第7図(a)の34b)を取り付け
たり或いは上記4枚の遮光板に同様な遮光板(第7図(
b)の34C)を新たに附加すれば、矩形でないレチク
ルの回路パターンも投影露光することができる。またこ
の照明系を装備したステッパで焼付を行うに際し、レク
チル内に、回路パターンと、テストパターンを混在させ
、回路パターンの焼付を行う時は、テストパターン部を
遮光して焼付を行い、逆にテストパターンの焼付を行う
時には、回路パターン部を遮光して、テストパターン部
だけに照明光を与える事も可能となる。
理により、レチクルの遮光の寸法、形状、位置を無毅階
に選択することができ、また遮光装置18に凹形等の異
なる形状の遮光板(第7図(a)の34b)を取り付け
たり或いは上記4枚の遮光板に同様な遮光板(第7図(
b)の34C)を新たに附加すれば、矩形でないレチク
ルの回路パターンも投影露光することができる。またこ
の照明系を装備したステッパで焼付を行うに際し、レク
チル内に、回路パターンと、テストパターンを混在させ
、回路パターンの焼付を行う時は、テストパターン部を
遮光して焼付を行い、逆にテストパターンの焼付を行う
時には、回路パターン部を遮光して、テストパターン部
だけに照明光を与える事も可能となる。
以上説明したように、レチクルのパターン面と光学的に
共役な面に遮光板を配置し、遮光板の遮光端を照明系の
レンズを通してレチクルのパターン面上、に極めて鮮鋭
に投影することにより、レチクルのパターン以外の領域
の遮光&完全に行う事が可能になる。
共役な面に遮光板を配置し、遮光板の遮光端を照明系の
レンズを通してレチクルのパターン面上、に極めて鮮鋭
に投影することにより、レチクルのパターン以外の領域
の遮光&完全に行う事が可能になる。
第1図、第2図は従来の投影露光装置の照明系の構成図
、第3図は、本発明の一実施例の構成図、第4図は、第
3図の遮光装置の端面図、第5図は、つ3゜。v f
p /l/。、つ。、□6−1.3゜。 、]1..。 遮光装置の斜視図、第7図(aL (b)は、第6図の
遮光板を変形した端面図である。 18・・・・・・・・・・・・・遮光装置22・・・・
・・・・・・・・レチクル22a・・・・・・・・・・
・・・・・ レチクルの回路ノ々ターン34、34b、
34c・・・・・・・・・遮光板35、35a、’3
5b・・・・・・・・開口部A・・・・・・・・・・・
・・・・・・遮光面B ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ レチクルの回路ノシターン面第1図 す 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第 7図(CI) 第 7 図(b)
、第3図は、本発明の一実施例の構成図、第4図は、第
3図の遮光装置の端面図、第5図は、つ3゜。v f
p /l/。、つ。、□6−1.3゜。 、]1..。 遮光装置の斜視図、第7図(aL (b)は、第6図の
遮光板を変形した端面図である。 18・・・・・・・・・・・・・遮光装置22・・・・
・・・・・・・・レチクル22a・・・・・・・・・・
・・・・・ レチクルの回路ノ々ターン34、34b、
34c・・・・・・・・・遮光板35、35a、’3
5b・・・・・・・・開口部A・・・・・・・・・・・
・・・・・・遮光面B ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ レチクルの回路ノシターン面第1図 す 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第 7図(CI) 第 7 図(b)
Claims (3)
- (1) レチクルの回路パターン面と光学的に共役な面
に遮光手段を配置した投影露光装置の照明系。 - (2)前記遮光手段の遮光板は光軸と直角方向に移動可
能であシ、該遮光板を移動することにより前記レチクル
の回路パターン面の照明範囲を変化するようにした特許
請求の範囲第1項記載の照明系。 - (3)前記遮光手段は、少なくとも4の遮光板を有し、
前記遮光板はそれぞれ独立して移動可能な特許請求の範
囲第1項記載の照明系。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58152474A JPS6045252A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 投影露光装置の照明系 |
US06/640,611 US4589769A (en) | 1983-08-23 | 1984-08-14 | Exposure apparatus |
GB08420726A GB2147113B (en) | 1983-08-23 | 1984-08-15 | Exposure apparatus |
DE19843430752 DE3430752A1 (de) | 1983-08-23 | 1984-08-21 | Belichtungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58152474A JPS6045252A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 投影露光装置の照明系 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62088717A Division JPS6323318A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光装置 |
JP62088718A Division JPS6323319A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光方法 |
JP62088716A Division JPS6323317A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6045252A true JPS6045252A (ja) | 1985-03-11 |
JPH0429212B2 JPH0429212B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=15541302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58152474A Granted JPS6045252A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 投影露光装置の照明系 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4589769A (ja) |
JP (1) | JPS6045252A (ja) |
DE (1) | DE3430752A1 (ja) |
GB (1) | GB2147113B (ja) |
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