JPS6370418A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
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- JPS6370418A JPS6370418A JP61212748A JP21274886A JPS6370418A JP S6370418 A JPS6370418 A JP S6370418A JP 61212748 A JP61212748 A JP 61212748A JP 21274886 A JP21274886 A JP 21274886A JP S6370418 A JPS6370418 A JP S6370418A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体回路素子
製造用の投影形露光装置に関する。
製造用の投影形露光装置に関する。
［従来の技術］
投影形の半導体露光装置において、集積度の増加に伴い
投影光学系のディストーションが問題となり、投影像の
中心部に対する周辺部での像の歪曲の程度を計測する有
効な手法が要望されている。
投影光学系のディストーションが問題となり、投影像の
中心部に対する周辺部での像の歪曲の程度を計測する有
効な手法が要望されている。
そのようなディストーションの計測の一手法として、投
影光学系の有効露光範囲全域を使用して焼付けた任意の
レチクルパターンの上に、同一露光装置の一回のウェハ
作成工程において同一の投影光学系で、露光範囲中央部
のみに限定した同一パターンの中央部区画をステップア
ンドリピート方式で配列状に重ね焼きし、焼付はパター
ンの周辺部での重ね焼きパターンの重なり具合をディス
トーション測定器で光学測定することが考えられたが、
従来の露光装置では一回のウニ八作成工程でウェハの８
動様式と露光範囲を変えることができないので、前記の
ような重ね焼きパターンによる投影光学系のディストー
ション測定を実現することができなかった。
影光学系の有効露光範囲全域を使用して焼付けた任意の
レチクルパターンの上に、同一露光装置の一回のウェハ
作成工程において同一の投影光学系で、露光範囲中央部
のみに限定した同一パターンの中央部区画をステップア
ンドリピート方式で配列状に重ね焼きし、焼付はパター
ンの周辺部での重ね焼きパターンの重なり具合をディス
トーション測定器で光学測定することが考えられたが、
従来の露光装置では一回のウニ八作成工程でウェハの８
動様式と露光範囲を変えることができないので、前記の
ような重ね焼きパターンによる投影光学系のディストー
ション測定を実現することができなかった。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の課題は、前述の従来技術に鑑みて、−回のウニ
八作成工程において同一の投影光学系で同一レチクルパ
ターンについて異なる露光範囲の重ね焼きが可能な、投
影光学系のディストーション測定用テストウェハ作成機
能を備えた半導体露光装置を提供することである。
八作成工程において同一の投影光学系で同一レチクルパ
ターンについて異なる露光範囲の重ね焼きが可能な、投
影光学系のディストーション測定用テストウェハ作成機
能を備えた半導体露光装置を提供することである。
［問題点の解決手段］
本発明の半導体露光装置は、前述の課題を達成するため
に、照明されたレチクルの任意のパターンを投影光学系
を介してクエへ表面上に焼付けるものにおいて、ウェハ
を焼付は平面内で８勤させる手段と、前記パターンの焼
付は範囲を制御する手段と、前記ウニへのび勤様式と前
記パターンの焼付は範囲とを制御するためのパラメータ
群を複数種類記憶する手段と、投影光学系のディストー
ションの測定のために前記記憶されたパラメータ群の情
報に従って同一パターンについて焼付は範囲とウニへ穆
動様式を切り換えて重ね焼付けするように前記ウェハ移
動手段と前記焼付は範囲制御手段を制御する手段とを備
えている。
に、照明されたレチクルの任意のパターンを投影光学系
を介してクエへ表面上に焼付けるものにおいて、ウェハ
を焼付は平面内で８勤させる手段と、前記パターンの焼
付は範囲を制御する手段と、前記ウニへのび勤様式と前
記パターンの焼付は範囲とを制御するためのパラメータ
群を複数種類記憶する手段と、投影光学系のディストー
ションの測定のために前記記憶されたパラメータ群の情
報に従って同一パターンについて焼付は範囲とウニへ穆
動様式を切り換えて重ね焼付けするように前記ウェハ移
動手段と前記焼付は範囲制御手段を制御する手段とを備
えている。
本発明において、好ましい実施態様では前記焼付は範囲
制御手段がレチクルの前記パターンに対する照明範囲を
変化させる手段を含み、その具体的な例においては、前
記照明範囲変化手段は、前記パターンをその周辺部を含
め゛て広く照明する状態とパターン中央部の限定された
部分を狭く照明する状態とに変化可能に構成されたマス
キング装置を含んでいる。
制御手段がレチクルの前記パターンに対する照明範囲を
変化させる手段を含み、その具体的な例においては、前
記照明範囲変化手段は、前記パターンをその周辺部を含
め゛て広く照明する状態とパターン中央部の限定された
部分を狭く照明する状態とに変化可能に構成されたマス
キング装置を含んでいる。
［作用コ
本発明の半導体露光装置では、前記ウェハ移動手段は前
記記憶手段に記憶された制御パラメータに従って前記制
御手段によりそのｇ！Ｉ１１様式を切り換え制御され、
また前記焼付は範囲制御手段も前記記憶手段に記憶され
た制御パラメータに従って前記制御手段によりその焼付
は範囲を切り換え制御される。
記記憶手段に記憶された制御パラメータに従って前記制
御手段によりそのｇ！Ｉ１１様式を切り換え制御され、
また前記焼付は範囲制御手段も前記記憶手段に記憶され
た制御パラメータに従って前記制御手段によりその焼付
は範囲を切り換え制御される。
例えば成る制御パラメータに従ってウェハ上に焼付けら
れたレチクルのパターン全体像の上に、別の制御パラメ
ータに従って前記パターン中央部の限定範囲のパターン
像が前記パターン全体像を前記限定範囲で連なって区画
するように基盤目配列状に重ねて焼付けられる。この場
合、前記別の制御パラメータは、前記焼付は範囲制御手
段に対して前記パターンの焼付は範囲を前記パターン中
央部の限定範囲に切り換えさせるための指令情報を含み
、且つ前記ウェハ移動手段に対してその８勤様式を前記
限定範囲に対応したストロークのステップアンドリピー
トモードに切り換えさせるための指令情報を含んでいる
。これらの情報を含む制御パラメータは予め前記記憶手
段に記憶されており、前記制御手段は所定のプログラム
に従ってこれらのパラメータを読み出して各装置を制御
する。
れたレチクルのパターン全体像の上に、別の制御パラメ
ータに従って前記パターン中央部の限定範囲のパターン
像が前記パターン全体像を前記限定範囲で連なって区画
するように基盤目配列状に重ねて焼付けられる。この場
合、前記別の制御パラメータは、前記焼付は範囲制御手
段に対して前記パターンの焼付は範囲を前記パターン中
央部の限定範囲に切り換えさせるための指令情報を含み
、且つ前記ウェハ移動手段に対してその８勤様式を前記
限定範囲に対応したストロークのステップアンドリピー
トモードに切り換えさせるための指令情報を含んでいる
。これらの情報を含む制御パラメータは予め前記記憶手
段に記憶されており、前記制御手段は所定のプログラム
に従ってこれらのパラメータを読み出して各装置を制御
する。
本発明の半導体露光装置によってウェハ上には一回のウ
ニ八作成工程にて同一の投影レンズで同一レチクルパタ
ーンについて異なる露光範囲の重ね焼きが形成され、か
くて投影レンズのディストーション測定用テストウェハ
を作成することが可能となるものである。
ニ八作成工程にて同一の投影レンズで同一レチクルパタ
ーンについて異なる露光範囲の重ね焼きが形成され、か
くて投影レンズのディストーション測定用テストウェハ
を作成することが可能となるものである。
本発明の好ましい実施例について図面と共に説明すれば
以下の通りである。
以下の通りである。
［実施例コ
第１図に本発明の実施例に係る半導体露光装置の概略の
構成を示す。
構成を示す。
第１図において、この露光装置は、光跡とシャッタとを
含む照明装置１と、照明装置１による照明範囲の広さを
制御するマスキングブレード２と、回路パターン５の描
かれたレチクル４を載せるためのレチクルステージ３と
、焼付は用の投影光学系となる結像レンズ６と、焼付は
対象のウエ八８を載せて焼付は平面内でＸ、Ｙ直交二方
向に移動させるＸＹステージ７と、マスキングブレード
駆動用パルスモータ９と、ＸＹステージ駆動用パルスモ
ータ１０と、ＣＰＵ等の制御ユニットと記憶装置が格納
されたコントロールボックス１１と、モニタディスプレ
イ１２およびキーボード１３かうなるコンソールとを備
えている。
含む照明装置１と、照明装置１による照明範囲の広さを
制御するマスキングブレード２と、回路パターン５の描
かれたレチクル４を載せるためのレチクルステージ３と
、焼付は用の投影光学系となる結像レンズ６と、焼付は
対象のウエ八８を載せて焼付は平面内でＸ、Ｙ直交二方
向に移動させるＸＹステージ７と、マスキングブレード
駆動用パルスモータ９と、ＸＹステージ駆動用パルスモ
ータ１０と、ＣＰＵ等の制御ユニットと記憶装置が格納
されたコントロールボックス１１と、モニタディスプレ
イ１２およびキーボード１３かうなるコンソールとを備
えている。
第２図にはこの半導体露光装置の動作シーケンスがフロ
ーチャートで示されている。
ーチャートで示されている。
第２図（ａ）は全体動作の流れ、第２図（ｂ）はその内
の一度目のパターン焼付は工程（以下これをＪＯＢＩで
表す）の流れ、第２図（ｅ）は同じく二度目のパターン
焼付は工程（以下これをＪＯＢ２で表す）の流れを各々
示す。
の一度目のパターン焼付は工程（以下これをＪＯＢＩで
表す）の流れ、第２図（ｅ）は同じく二度目のパターン
焼付は工程（以下これをＪＯＢ２で表す）の流れを各々
示す。
シーケンスの開始後、第２図（ａ）に示すステップＳ１
で、ｉｔｉ′ＩＪｇＩＪに必要な各パラメータをコンソ
ールのキーボード１３から人力する。ここではＪＯＢｌ
およびＪＯＢ２に必要な二種類のパラメータ群を入力し
てコントロールボックス１１内の図示しない記憶装置に
格納しておく。
で、ｉｔｉ′ＩＪｇＩＪに必要な各パラメータをコンソ
ールのキーボード１３から人力する。ここではＪＯＢｌ
およびＪＯＢ２に必要な二種類のパラメータ群を入力し
てコントロールボックス１１内の図示しない記憶装置に
格納しておく。
即ち、先ず、ＪＯＢ １におけるディストーション計測
用の任意の焼付はショットレイアウト（以下これをパラ
メータＳＬＩで表す）を例えば第３図のように指定する
。尚、この第３図では、ウニ八８上に５箇所のショット
領域ＳＡＩを指定している。次にＪＯＢ２における任意
のショットレイアウト（以下これをパラメータＳＬ２で
表す）を例えば第４図のように指定する。つまり第４図
に示した５つのＪＯＢＩにおけるショット領域ＳＡ１の
うちの中央のものに図示したように、このパラメータＳ
Ｌ２ではＪＯＢＩのショット領域ＳＡｌ内においてＪＯ
Ｂ２のショットをどのように行うかを指定するものであ
り、ここではＳＡＩ内を基盤目状にＪＯＢ２のショット
小領域ＳＡ２で区画するようにしている。さらにその後
、ＪＯＢＩおよびＪＯＢ２におけるマスキングブレード
２の位置（以下これを各々パラメータＭＰＩ、ＭＰ２で
表す）を前記ショット領域ＳＡＩ、ＳＡ２に対応して指
定する。ここで例えばレチクル４のマスキングパターン
５が第５図に示すように一辺１５ｍｍの正方形の中に１
０Ｘ １０個の特定小区画パターン（説明の便宜上中央
のものを符号Ｂで、その他のものを符号Ａで示す）が形
成されているものであるとすると、前記ＭＰＩは一辺１
５＋ｎｍの正方形の範囲で露光が行なわれるように指定
し、前記ＭＰ２は中央の小区画Ｂのみが露光されるよう
に指定する。
用の任意の焼付はショットレイアウト（以下これをパラ
メータＳＬＩで表す）を例えば第３図のように指定する
。尚、この第３図では、ウニ八８上に５箇所のショット
領域ＳＡＩを指定している。次にＪＯＢ２における任意
のショットレイアウト（以下これをパラメータＳＬ２で
表す）を例えば第４図のように指定する。つまり第４図
に示した５つのＪＯＢＩにおけるショット領域ＳＡ１の
うちの中央のものに図示したように、このパラメータＳ
Ｌ２ではＪＯＢＩのショット領域ＳＡｌ内においてＪＯ
Ｂ２のショットをどのように行うかを指定するものであ
り、ここではＳＡＩ内を基盤目状にＪＯＢ２のショット
小領域ＳＡ２で区画するようにしている。さらにその後
、ＪＯＢＩおよびＪＯＢ２におけるマスキングブレード
２の位置（以下これを各々パラメータＭＰＩ、ＭＰ２で
表す）を前記ショット領域ＳＡＩ、ＳＡ２に対応して指
定する。ここで例えばレチクル４のマスキングパターン
５が第５図に示すように一辺１５ｍｍの正方形の中に１
０Ｘ １０個の特定小区画パターン（説明の便宜上中央
のものを符号Ｂで、その他のものを符号Ａで示す）が形
成されているものであるとすると、前記ＭＰＩは一辺１
５＋ｎｍの正方形の範囲で露光が行なわれるように指定
し、前記ＭＰ２は中央の小区画Ｂのみが露光されるよう
に指定する。
次にステップＳ２においてコンソールよりシーケンスを
スタートさせる。
スタートさせる。
ステップＳ３ではレチクル４をレチクルステージ３にセ
ットするが、この場合、セットされるレチクルは、第５
図に示したようなＡ、Ｂ二ｆｉｔ 順の形状をもつ小パ
ターンのマークが、中心部に一個のマークＢ１その周辺
部に残りのマークＡとなるように基盤目状に配列された
投影レンズディストーション計測用の特殊なテストパタ
ーンを有するものである。
ットするが、この場合、セットされるレチクルは、第５
図に示したようなＡ、Ｂ二ｆｉｔ 順の形状をもつ小パ
ターンのマークが、中心部に一個のマークＢ１その周辺
部に残りのマークＡとなるように基盤目状に配列された
投影レンズディストーション計測用の特殊なテストパタ
ーンを有するものである。
ステップＳ４では、ウェハ８をＸＹステージ７上に搬入
する。
する。
次にステップＳ５に進み、ＪＯＢＩにおけるシーケンス
を第２図（ｂ）に従って実行する。ここで前述の如く一
度目のパターン焼付けが行なわれる。
を第２図（ｂ）に従って実行する。ここで前述の如く一
度目のパターン焼付けが行なわれる。
ステップ５１で、予め第５図の１５ｍｍ四方のパターン
全体の範囲で露光が行われるようにセットされたパラメ
ータＭ Ｐ １に従い、マスキングブレード２の位置を
パルスモータ９を介してセットする。
全体の範囲で露光が行われるようにセットされたパラメ
ータＭ Ｐ １に従い、マスキングブレード２の位置を
パルスモータ９を介してセットする。
ステップ５２では、パラメータＳＬＩに従った位置にＸ
Ｙステージ７を８動する。
Ｙステージ７を８動する。
次にステップ５３で露光を行い、ステップ５４で、パラ
メータＳＬＩで指定された全部の焼付けが終了している
かをチェックし、もし終了していなけわばステップ５２
へ戻り、新たな焼付けを行う。全部終了後、ＪＯＢＩは
終了してステップ６へ入る。尚、この時点では第３図に
示した５箇所の領域ＳＡＩの総てに第５図のパターンが
焼付けられていることになる。
メータＳＬＩで指定された全部の焼付けが終了している
かをチェックし、もし終了していなけわばステップ５２
へ戻り、新たな焼付けを行う。全部終了後、ＪＯＢＩは
終了してステップ６へ入る。尚、この時点では第３図に
示した５箇所の領域ＳＡＩの総てに第５図のパターンが
焼付けられていることになる。
さてステップ６ではＪＯＢＩからＪＯＢ２への切り換え
が行われる。ここでＪＯＢｌ用のパラメータＭＰＩ、Ｓ
ＬＩをＪＯＢ２用のパラメータＭｐ２．ＳＬ２へ切り換
える。ただし、ＪＯＢ２の実行に際しても、ＪＯＢ １
でどこにパターン焼付けを行ったのかについての情報が
必要なので、パラメータＳＬＩについての情報は別に保
持させておく。
が行われる。ここでＪＯＢｌ用のパラメータＭＰＩ、Ｓ
ＬＩをＪＯＢ２用のパラメータＭｐ２．ＳＬ２へ切り換
える。ただし、ＪＯＢ２の実行に際しても、ＪＯＢ １
でどこにパターン焼付けを行ったのかについての情報が
必要なので、パラメータＳＬＩについての情報は別に保
持させておく。
次にＪＯＢ２におけるシーケンスを実行する。
前述の通り、ここで２度目のパターン焼付けを行う。Ｊ
ＯＢ２のシーケンスの流れは第２図（Ｃ）に示されてお
り、先ずステップ７１でパラメータＭＰ２に従ってマス
キングブレード２の位置を第５図の中央のマークＢの小
区画のみが露光できるような位置にセットする。
ＯＢ２のシーケンスの流れは第２図（Ｃ）に示されてお
り、先ずステップ７１でパラメータＭＰ２に従ってマス
キングブレード２の位置を第５図の中央のマークＢの小
区画のみが露光できるような位置にセットする。
次いでステップ７２で、パラメータＳＬＩ、ＳＬ２の二
つの情報から、前述のようにマスキングブレード２で限
定照明されたマークＢの小区画の投影像が前記ＪＯＢＩ
ですでにウェハ上に焼付けられている５つのパターンの
うちの第３図最上部の領域ＳＡＩのパターン内に形成さ
れるように、ステージ８を移動させ位置決めする。
つの情報から、前述のようにマスキングブレード２で限
定照明されたマークＢの小区画の投影像が前記ＪＯＢＩ
ですでにウェハ上に焼付けられている５つのパターンの
うちの第３図最上部の領域ＳＡＩのパターン内に形成さ
れるように、ステージ８を移動させ位置決めする。
次にステップ７３では、前記マークＢの小区画投影像が
前記最上部の領域内の左上隅、つまり第５刃で左上隅の
小区画のマークＡと重なるように、パラメータＳＬ２に
従ってステージ７をセットする。ここで前記マークＢの
小区画の投影像のショット領域は第４図の小領域ＳＡ２
に対応している。
前記最上部の領域内の左上隅、つまり第５刃で左上隅の
小区画のマークＡと重なるように、パラメータＳＬ２に
従ってステージ７をセットする。ここで前記マークＢの
小区画の投影像のショット領域は第４図の小領域ＳＡ２
に対応している。
次いでステップ７４でマークＢのみの限定区画の露光を
行う。
行う。
ステップ７５では、この限定区画の露光がＪＯＢｌにお
ける１ショット分、つまり第５図のマーク配列例ではＩ
ＯＸ １０＝ １００回だけ行われたかどうかをチェッ
クし、もし終了していなければステップ７３に戻り、マ
ークＢの限定区画の新たな焼付けを前回の焼付は小領域
の次の小領域に行うようステージを移動させ、ステップ
７４で焼付けを繰り返す。尚、第６図はこの過程の途中
の焼付はパターンを示しているが、第６図で最上部の列
の右から４番目までの小領域にはマークＡとマークＢと
が前述のＪＯＢＩ、ＪＯＢ２によって重ねて焼付けられ
ている。
ける１ショット分、つまり第５図のマーク配列例ではＩ
ＯＸ １０＝ １００回だけ行われたかどうかをチェッ
クし、もし終了していなければステップ７３に戻り、マ
ークＢの限定区画の新たな焼付けを前回の焼付は小領域
の次の小領域に行うようステージを移動させ、ステップ
７４で焼付けを繰り返す。尚、第６図はこの過程の途中
の焼付はパターンを示しているが、第６図で最上部の列
の右から４番目までの小領域にはマークＡとマークＢと
が前述のＪＯＢＩ、ＪＯＢ２によって重ねて焼付けられ
ている。
このようにしてＪＯＢｌの一つのショット領域ＳＡ１に
ついてマークＢの限定区画の重ね焼きが終了すると、ス
テップ７６でＪＯＢＩのショット数総てについてこの重
ね焼きが終了したかどうかがチェックされ、もし終了し
ていなければ、ステップ７２に戻り、ＪＯＢＩにおける
次のショット位置にＸＹステージを移動し、再びマーク
Ｂの重ね焼きを行う。全数終了後、ＪＯＢ２が終了する
とステップ８に移り、ウェハの搬出が行われてシーケン
スが終了する。
ついてマークＢの限定区画の重ね焼きが終了すると、ス
テップ７６でＪＯＢＩのショット数総てについてこの重
ね焼きが終了したかどうかがチェックされ、もし終了し
ていなければ、ステップ７２に戻り、ＪＯＢＩにおける
次のショット位置にＸＹステージを移動し、再びマーク
Ｂの重ね焼きを行う。全数終了後、ＪＯＢ２が終了する
とステップ８に移り、ウェハの搬出が行われてシーケン
スが終了する。
以上の露光シーケンスにより、第６図で総ての小区画に
ついてマークの重ね焼きが施されたパターンがウェハ上
に形成される。この場合、パターン周辺部においてマー
クＡは投影レンズ６の周辺部で焼付けられたものである
が、そこに重ねて焼付けられたマークＢは同一投影レン
ズの中央部により焼付けられたものである。つまりマー
クＡは投影レンズの庄標に対応して焼付けられたパター
ンであるが、マークＢはレンズ中心部に対応したパター
ンであり、従って投影レンズの中心部を基準とすれば、
重ね焼きされたマークＡとＢとの位置ずれを各小区画に
おいて計測することにより、当該投影レンズの中心部を
基準としたディストーションを計測することが可能であ
る。
ついてマークの重ね焼きが施されたパターンがウェハ上
に形成される。この場合、パターン周辺部においてマー
クＡは投影レンズ６の周辺部で焼付けられたものである
が、そこに重ねて焼付けられたマークＢは同一投影レン
ズの中央部により焼付けられたものである。つまりマー
クＡは投影レンズの庄標に対応して焼付けられたパター
ンであるが、マークＢはレンズ中心部に対応したパター
ンであり、従って投影レンズの中心部を基準とすれば、
重ね焼きされたマークＡとＢとの位置ずれを各小区画に
おいて計測することにより、当該投影レンズの中心部を
基準としたディストーションを計測することが可能であ
る。
［発明の効果］
以上に述べたように、本発明によれば、１回のウニ八作
成工程においてウェハのび動様式と露光範囲とを変更切
り換えできるようにしたので、装置の投影光学系のディ
ストーションを計測するためのテストウェハの作成が可
能となるものである。
成工程においてウェハのび動様式と露光範囲とを変更切
り換えできるようにしたので、装置の投影光学系のディ
ストーションを計測するためのテストウェハの作成が可
能となるものである。
第１図は本発明の実施例に係る半導体露光装はの概要を
示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ） （ｃ）は本発
明の実施例装置の露光動作シーケンスを示す流れ図、第
３図は１度目のパターン焼付は工程におけるショット傾
城のウェハ上の配置例を示す平面図、第４図は２度目の
パターン焼付は工程におけるショット小領域のウェハ上
の配置例を示す平面図、第５図はレチクル上のパターン
の例を示す説明図、第６図は２度目のパターン焼付は工
程中における焼付はパターンの途中経過の様子を示す説
明図である。 １：照明装置、２：マスキングブレード、３ニレチクル
ステージ、４ニレチクル、５：マスキングパターン、６
：投影レンズ、７：ＸＹステージ、８：ウニハ、９，１
０：パルスモータ、１１：コントロールボックス、１２
：モニタディスプレイ、１３：キーボード。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 （Ｏ） 第２図 （Ｃ’） 第 ４ 図 第６図
示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ） （ｃ）は本発
明の実施例装置の露光動作シーケンスを示す流れ図、第
３図は１度目のパターン焼付は工程におけるショット傾
城のウェハ上の配置例を示す平面図、第４図は２度目の
パターン焼付は工程におけるショット小領域のウェハ上
の配置例を示す平面図、第５図はレチクル上のパターン
の例を示す説明図、第６図は２度目のパターン焼付は工
程中における焼付はパターンの途中経過の様子を示す説
明図である。 １：照明装置、２：マスキングブレード、３ニレチクル
ステージ、４ニレチクル、５：マスキングパターン、６
：投影レンズ、７：ＸＹステージ、８：ウニハ、９，１
０：パルスモータ、１１：コントロールボックス、１２
：モニタディスプレイ、１３：キーボード。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 （Ｏ） 第２図 （Ｃ’） 第 ４ 図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、照明されたレチクルの任意のパターンをウェハ表面
上に投影する光学系と、ウェハを焼付け平面内で移動さ
せる手段と、前記パターンの焼付け範囲を制御する手段
と、前記ウェハの移動様式と前記パターンの焼付け範囲
とを制御するためのパラメータ群を複数種類記憶する手
段と、投影光学系のディストーションの測定のために前
記記憶されたパラメータ群の情報に従って同一パターン
について焼付け範囲とウェハ移動様式を切り換えて重ね
焼付けするように前記ウェハ移動手段と前記焼付け範囲
制御手段を制御する手段とを備えたことを特徴とする半
導体露光装置。 ２、前記焼付け範囲制御手段がレチクルの前記パターン
に対する照明範囲を変化させる手段を含む特許請求の範
囲第１項に記載の半導体露光装置。 ３、前記照明範囲変化手段が、前記パターンをその周辺
部を含めて広く照明する状態とパターン中央部の限定さ
れた部分を狭く照明する状態とに変化可能に構成された
マスキング装置を含む特許請求の範囲第２項に記載の半
導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212748A JP2611760B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212748A JP2611760B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370418A true JPS6370418A (ja) | 1988-03-30 |
| JP2611760B2 JP2611760B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=16627767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212748A Expired - Lifetime JP2611760B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611760B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328004B1 (ko) * | 1993-04-06 | 2002-03-09 | 시마무라 테루오 | 주사노광방법, 주사형 노광장치 및 소자제조방법 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129333A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Hitachi Ltd | Scale-down projection aligner and mask used for this |
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5783032A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of photo mask for semiconductor manufacture |
| JPS57183032A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Method for wafer exposure and device thereof |
| JPS5883853A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
| JPS58193545A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-11 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
| JPS6045252A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 投影露光装置の照明系 |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61212748A patent/JP2611760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129333A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Hitachi Ltd | Scale-down projection aligner and mask used for this |
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| JPS5783032A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of photo mask for semiconductor manufacture |
| JPS57183032A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Method for wafer exposure and device thereof |
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| JPS58193545A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-11 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
| JPS6045252A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 投影露光装置の照明系 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328004B1 (ko) * | 1993-04-06 | 2002-03-09 | 시마무라 테루오 | 주사노광방법, 주사형 노광장치 및 소자제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611760B2 (ja) | 1997-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |