JPS5883853A - 投影光学系のディストーシヨン検査方法 - Google Patents
投影光学系のディストーシヨン検査方法Info
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- JPS5883853A JPS5883853A JP56180978A JP18097881A JPS5883853A JP S5883853 A JPS5883853 A JP S5883853A JP 56180978 A JP56180978 A JP 56180978A JP 18097881 A JP18097881 A JP 18097881A JP S5883853 A JPS5883853 A JP S5883853A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩＯ投影露光装置などの投影光学系の歪曲、
倍率鯖差勢の光学特性を検査するための検査用マスク基
板に関し、特に露光゛装置の投影光学系の光学特性を、
マスク上のマークを対象切上に焼き付けて測定するため
に用ｉられる検査用マスク基板に関する。
倍率鯖差勢の光学特性を検査するための検査用マスク基
板に関し、特に露光゛装置の投影光学系の光学特性を、
マスク上のマークを対象切上に焼き付けて測定するため
に用ｉられる検査用マスク基板に関する。
従来のむの種の検査用マスク基板（以下、単にレティク
ルという）にりいて説明する。
ルという）にりいて説明する。
矛１図（ａ） Ｆｉ従来のレティクルの図であｐ、レテ
ィクル１上には上下、左ｔｓｏｍｏ中央部に、それぞれ
、マーク２．Ｉｓ、４．Ｓが配置されて−る。各マーク
２〜！Ｓは、才１図（ｂ）に示すような格子縞パターン
を有し、主尺としてのマーク、２．ｓと、一尺〜として
のマークＳ、４とでバーニアを構威すゐ、主尺と一尺の
パターンを、例えはウェハ上に重ね合わせて―電封ける
ことによルバーニアが形ＩＩＬされそのずれ量を測定す
ゐことによりて投影光学系の光学特性が検査される。
ィクル１上には上下、左ｔｓｏｍｏ中央部に、それぞれ
、マーク２．Ｉｓ、４．Ｓが配置されて−る。各マーク
２〜！Ｓは、才１図（ｂ）に示すような格子縞パターン
を有し、主尺としてのマーク、２．ｓと、一尺〜として
のマークＳ、４とでバーニアを構威すゐ、主尺と一尺の
パターンを、例えはウェハ上に重ね合わせて―電封ける
ことによルバーニアが形ＩＩＬされそのずれ量を測定す
ゐことによりて投影光学系の光学特性が検査される。
この模様を才Ｉ Ｅ （Ｃ）を用ｉて鋭−する。
尚、才１図（暑）にお−でレティクル１上の上と下に配
置されたパターン２．ｌはｙ方向Ｏずれ量、左と右に配
置されたパターン４．１はＸ方向のずれ量を測定するも
のであ）、今これらのパターン２と６．４とＳＯ間隔を
例えばｓｏｎとする。まえ、これらのレティクル１上Ｏ
パターン２〜５を１７１０縮小投影露光装置でウニへ上
に―電封けて、１／１０纏小投影レンズ系の光学＊＊を
測定するものとする。
置されたパターン２．ｌはｙ方向Ｏずれ量、左と右に配
置されたパターン４．１はＸ方向のずれ量を測定するも
のであ）、今これらのパターン２と６．４とＳＯ間隔を
例えばｓｏｎとする。まえ、これらのレティクル１上Ｏ
パターン２〜５を１７１０縮小投影露光装置でウニへ上
に―電封けて、１／１０纏小投影レンズ系の光学＊＊を
測定するものとする。
ウェハ載置台上のウェハに先ずパターン・チップ６を焼
電封け、ここでウェハ載置台に備えられた４７１００
μｍ揚度以下の−１ＩＩＩＩｔで測長可能なレーザー干
渉計測長器などの測定値に基づいて、ウェハ載置台（ス
テージ）を駆動し、ウェハをＸ方向、Ｘ方向にそれぞれ
８暉正確に移動させる。そして再びそれぞれレティクル
１上のパターン２．Ｉ、４．５をウェハ上に焼き付ける
と１，１１図（Ｃ）のようにチップ６の主尺パターン５
の主バーニアとチップ７の一尺パターン４の副バーニア
が重なりてバーニア８を形成し、チップ６０副尺パター
ン６の副バーニアとチップ９の主尺パターン２の主バー
ニアが重なりてバーニア１０を形成する。このとき、も
し投影レンズ系に歪曲、倍率Ｘ＊などが全くな一場會、
各バーニア８．１０の主バーニアと副バーニアのずれ量
は共にゼロとなる。しかし、投影レンズ系に歪曲、倍率
誤差などがある場合は一バーニア８筐たは１０の格子縞
（いわゆる目盛）にずれを生じる。このず６量を測定す
る仁とによって、投影レンズ系によ〕作られる第１図（
−）のｐティクル上のパターン２〜ｓＯバーニア−の存
在する位置（すなわちパターン２〜５に対応するウェハ
上のレティクル、像の位置）、投影レンズ系の歪量中倍
率ＷＡ差を測っている。
電封け、ここでウェハ載置台に備えられた４７１００
μｍ揚度以下の−１ＩＩＩＩｔで測長可能なレーザー干
渉計測長器などの測定値に基づいて、ウェハ載置台（ス
テージ）を駆動し、ウェハをＸ方向、Ｘ方向にそれぞれ
８暉正確に移動させる。そして再びそれぞれレティクル
１上のパターン２．Ｉ、４．５をウェハ上に焼き付ける
と１，１１図（Ｃ）のようにチップ６の主尺パターン５
の主バーニアとチップ７の一尺パターン４の副バーニア
が重なりてバーニア８を形成し、チップ６０副尺パター
ン６の副バーニアとチップ９の主尺パターン２の主バー
ニアが重なりてバーニア１０を形成する。このとき、も
し投影レンズ系に歪曲、倍率Ｘ＊などが全くな一場會、
各バーニア８．１０の主バーニアと副バーニアのずれ量
は共にゼロとなる。しかし、投影レンズ系に歪曲、倍率
誤差などがある場合は一バーニア８筐たは１０の格子縞
（いわゆる目盛）にずれを生じる。このず６量を測定す
る仁とによって、投影レンズ系によ〕作られる第１図（
−）のｐティクル上のパターン２〜ｓＯバーニア−の存
在する位置（すなわちパターン２〜５に対応するウェハ
上のレティクル、像の位置）、投影レンズ系の歪量中倍
率ＷＡ差を測っている。
しかし１以上の従来のものにおいては、投影レンズ系の
歪曲、倍率誤差などの相対量しかわからないという欠点
がある。このことｔ第２図を用いてｍ明する。第２ｍは
、投影レンズ系の歪曲、倍率誤ＩＩｉなどが塩層的に零
の一トキ、ウェハ上に投影される領域１１と、投影レン
ズ系に！る歪−等によってｔ’形したウェハ上の投影像
の領域１２とｔ＃！わし、更に本図において投影像の中
心１６は投影光学系の光軸に一散している。この図示Ｉ
ＰＩ＃ｃおいて領゛城１２（ＤｘＸ方向右側が左側よ〕
１大龜（変形しているが、従来の方法では左右の変形量
の違いを検出できず、Ｘ方向の長さが領域１１のそ゛れ
よりも短かい（または長い）ことがわかるだけである。
歪曲、倍率誤差などの相対量しかわからないという欠点
がある。このことｔ第２図を用いてｍ明する。第２ｍは
、投影レンズ系の歪曲、倍率誤ＩＩｉなどが塩層的に零
の一トキ、ウェハ上に投影される領域１１と、投影レン
ズ系に！る歪−等によってｔ’形したウェハ上の投影像
の領域１２とｔ＃！わし、更に本図において投影像の中
心１６は投影光学系の光軸に一散している。この図示Ｉ
ＰＩ＃ｃおいて領゛城１２（ＤｘＸ方向右側が左側よ〕
１大龜（変形しているが、従来の方法では左右の変形量
の違いを検出できず、Ｘ方向の長さが領域１１のそ゛れ
よりも短かい（または長い）ことがわかるだけである。
ナなわち、上記の従来のものにおいては１例プえば領域
１２の買方同左右側が共に内側に変形している場合、レ
ティクル１上のパターン２，６に対応した投影像中のパ
ターンの距離Ｉは、本来の距膿よりも短かくなってしま
う６ このため、第１図（ａ）で示したバーニア８で投
影像のＸ方向のずれ量ｔ−測っても、それは単に領域１
２の真方向が領域１１のそれニジも短かいことがわかる
だけである。さらに、領域１２の左右側が例えば右側が
外＠に、左ｌＩＩが内側に同程度に変形していると、バ
ーニア８の格子縞のずれは相殺さｎて、歪曲等がないも
のとして測定されてし筐う。従りて中心１６からの絶対
的な歪み菫は求める仁とができない。
１２の買方同左右側が共に内側に変形している場合、レ
ティクル１上のパターン２，６に対応した投影像中のパ
ターンの距離Ｉは、本来の距膿よりも短かくなってしま
う６ このため、第１図（ａ）で示したバーニア８で投
影像のＸ方向のずれ量ｔ−測っても、それは単に領域１
２の真方向が領域１１のそれニジも短かいことがわかる
だけである。さらに、領域１２の左右側が例えば右側が
外＠に、左ｌＩＩが内側に同程度に変形していると、バ
ーニア８の格子縞のずれは相殺さｎて、歪曲等がないも
のとして測定されてし筐う。従りて中心１６からの絶対
的な歪み菫は求める仁とができない。
本発明はこの欠点を解決して、投影光学系の光学特性を
正確に測定するための検査用マスク基板倉与えることを
目的とするものである。
正確に測定するための検査用マスク基板倉与えることを
目的とするものである。
以下、オ６図以降ｏｗｉｍｔ用いて本Ｍ羽の夾趨例ｔｉ
ｌ！臂す′る。
ｌ！臂す′る。
オ１ｆｆ（ａ）Ｋ図示の第１擲細例では、レティクル・
１４の中央部、すなわちレティクル１４を露光装置にセ
ットし６際、投影レンズ、系の光軸が通る部分に主尺パ
ターン１５が設けられ、このパターン１５からｙ方向に
例えば±４ΩＭｇｎ＆位置に＠尺パターン１６ｍ、１４
ｂ、すしてＸ方向＃ｃ例えば−Ｊ：４ＤＭ１鐘ａＸ位置
に副尺パターン１６ｃｍ、１６−が配されている。
１４の中央部、すなわちレティクル１４を露光装置にセ
ットし６際、投影レンズ、系の光軸が通る部分に主尺パ
ターン１５が設けられ、このパターン１５からｙ方向に
例えば±４ΩＭｇｎ＆位置に＠尺パターン１６ｍ、１４
ｂ、すしてＸ方向＃ｃ例えば−Ｊ：４ＤＭ１鐘ａＸ位置
に副尺パターン１６ｃｍ、１６−が配されている。
本夷麹例を用いで、例えばＩＡＯ縮小投影レンズ系の光
学特性を検査するたＪ６＃Ｃは、オＳ ｉｌＪ （ｂ）
ＶＣ示すＪ：５ Ｋ、 先ｆ３．尺ｉ＜９−ン１６を
＆影しンズ系の光軸が通る１５にレティクル１４ ｔｊ
ｌ光装ｆｌｌｔｃｔ ットＬ、＊ｉ＜、ａｇ。
学特性を検査するたＪ６＃Ｃは、オＳ ｉｌＪ （ｂ）
ＶＣ示すＪ：５ Ｋ、 先ｆ３．尺ｉ＜９−ン１６を
＆影しンズ系の光軸が通る１５にレティクル１４ ｔｊ
ｌ光装ｆｌｌｔｃｔ ットＬ、＊ｉ＜、ａｇ。
よ５にレティクル１４の像をウェハ等の７ｔトレジスト
を塗布した転写対象物Ｋｍｌｌ付ける。
を塗布した転写対象物Ｋｍｌｌ付ける。
次に・レーザー干渉計ＩＪＡ器等の測走値−に基づいて
、ウニへステージをｙ方向Ｋ −４ａｓ送ｐレティクル
１４０像を＃１付けると、焼付＄２１．１）ｊで龜、こ
のと１１最初に鉤き付けた副尺パターン１６ａａｌｌで
ある副パー＝７と２回目Ｋｍｌ付けた主尺パターン１５
０像である主バーニアが重なり次バー二７ムが形成され
る。
、ウニへステージをｙ方向Ｋ −４ａｓ送ｐレティクル
１４０像を＃１付けると、焼付＄２１．１）ｊで龜、こ
のと１１最初に鉤き付けた副尺パターン１６ａａｌｌで
ある副パー＝７と２回目Ｋｍｌ付けた主尺パターン１５
０像である主バーニアが重なり次バー二７ムが形成され
る。
次いで１回目の焼き付は位置からウニ八ステージをＸ方
向に−４１１１送）レティクル１４０像１ｍｍ付けると
、今度は焼付像２２ができそれによル１１回目鉤付けに
よる副尺パターン１４ｃＯ副バーニアと８回目０焼付け
による主尺パターン１ｓＯ主バーニアが重なり九バーニ
アＢが形成される。
向に−４１１１送）レティクル１４０像１ｍｍ付けると
、今度は焼付像２２ができそれによル１１回目鉤付けに
よる副尺パターン１４ｃＯ副バーニアと８回目０焼付け
による主尺パターン１ｓＯ主バーニアが重なり九バーニ
アＢが形成される。
以下ＪＩＪ様ａｍ作で鋳付＃ｚｊ＊２４を転写し、主尺
パターン１ａ＃ｃよゐ主パー＝７と副尺パターン１４ｂ
Ｋ・よる副バーニア０重なったバーニア０、お１び主尺
パターン１５による主バーニアと副尺パターン１４４に
よる副バーニア０重なったバーニアＤ＆形成する。
パターン１ａ＃ｃよゐ主パー＝７と副尺パターン１４ｂ
Ｋ・よる副バーニア０重なったバーニア０、お１び主尺
パターン１５による主バーニアと副尺パターン１４４に
よる副バーニア０重なったバーニアＤ＆形成する。
ζうして形成さｎ次バーニアム〜Ｄを顕微＠＊で観察す
る。このと１１％、投影レンズ系の光軸の通る主尺パタ
ーン１８の像である主バーニアは焼付、像の中心にある
ため、一般に歪ｊ１１％倍率誤差などｔｌｌるｓｏａ拳
となる・そのため投影レンズ系の光軸を基準として、各
バー二１人へＤの格子縞のずれ量を読みＭＲｈだ情でＩ
ＮＦ方向の絶対的ａ歪−などが求まる。即ち、従来例で
は投＊＊ｏｉｑ縁の相互の相対的な位置しか１１ＩＩｌ
定で歯なかつたが（換言すれば歪曲があっても絶対的な
量としてＩｌ電で１１律かった）、ＩＩＩ！Ｊ１１例で
は、光軸を通るよ５に！拳となる主尺パターンｔＳｔ設
けたのｆ、各バーニアＯ目盛ｔｍｇ＊するだけで光軸ｔ
ａ準とした投影レンズ系の絶対的な歪量。
る。このと１１％、投影レンズ系の光軸の通る主尺パタ
ーン１８の像である主バーニアは焼付、像の中心にある
ため、一般に歪ｊ１１％倍率誤差などｔｌｌるｓｏａ拳
となる・そのため投影レンズ系の光軸を基準として、各
バー二１人へＤの格子縞のずれ量を読みＭＲｈだ情でＩ
ＮＦ方向の絶対的ａ歪−などが求まる。即ち、従来例で
は投＊＊ｏｉｑ縁の相互の相対的な位置しか１１ＩＩｌ
定で歯なかつたが（換言すれば歪曲があっても絶対的な
量としてＩｌ電で１１律かった）、ＩＩＩ！Ｊ１１例で
は、光軸を通るよ５に！拳となる主尺パターンｔＳｔ設
けたのｆ、各バーニアＯ目盛ｔｍｇ＊するだけで光軸ｔ
ａ準とした投影レンズ系の絶対的な歪量。
倍率１１１％差等が測定で龜る。尚、パー２フＯ月盛七
しての格子縞およびそＯ読み方について靜しくは後述す
る。
しての格子縞およびそＯ読み方について靜しくは後述す
る。
次に、第４図に第２夾施例を示す。本夷膣例では副尺パ
ターン１６ａ〜１６４がレティクル雪４の４隅に設けら
れていて、各副尺パターン１４ａ〜１４ｄは主尺パター
ン１ｓから例え鑓等距離に奉る。１回目の焼付像が点線
で示され、以下１回目のｍ＊付は位置からウェハステー
ジｔ−買方向に４１１１．Ｆ方向に−４■送りて焼付像
２５、Ｘ方向に一４閣、ｙ方向に−４■送りて焼付ｇＩ
Ｉ２６％−’１方向忙−４編、ν方向に４■送り＼焼付
像２７１ｗ方向に４−１ｙ方向に４−送りて―対像２６
が形成されている。そして、主尺パターン１ｓによる主
バーニアと副尺パターン１６蟲による副バーニア、副尺
パターン１４ｂＫ！る副バーニア、ＩＩ大パターン１６
＠による副／ｆ゛−二７、副尺パターン１６ａＦＣよゐ
剛バーニア。
ターン１６ａ〜１６４がレティクル雪４の４隅に設けら
れていて、各副尺パターン１４ａ〜１４ｄは主尺パター
ン１ｓから例え鑓等距離に奉る。１回目の焼付像が点線
で示され、以下１回目のｍ＊付は位置からウェハステー
ジｔ−買方向に４１１１．Ｆ方向に−４■送りて焼付像
２５、Ｘ方向に一４閣、ｙ方向に−４■送りて焼付ｇＩ
Ｉ２６％−’１方向忙−４編、ν方向に４■送り＼焼付
像２７１ｗ方向に４−１ｙ方向に４−送りて―対像２６
が形成されている。そして、主尺パターン１ｓによる主
バーニアと副尺パターン１６蟲による副バーニア、副尺
パターン１４ｂＫ！る副バーニア、ＩＩ大パターン１６
＠による副／ｆ゛−二７、副尺パターン１６ａＦＣよゐ
剛バーニア。
副尺パターン１６６による副バー−７とでそれぞれバー
ニアＡ、Ｂ、Ｏ，Ｄｔ−形成している。
ニアＡ、Ｂ、Ｏ，Ｄｔ−形成している。
第１夾施例では投影儂の中心から４−の上丁左右の位置
での歪−なと【測定したが、オ２爽膣例では投影像の４
隅でＯ歪−などを測定しうる。即ち、本発ＩＲＫよ九ば
縮尺パターンはレティクルめ任意の位ｆＫ配置で自、そ
れによｐ投影像のどＯ位°置＃ＣおいてもＪ８対的ｅ歪
劇、倍５１１１Ｍ＆、！’４１１１ｔＦＬｊ！。
での歪−なと【測定したが、オ２爽膣例では投影像の４
隅でＯ歪−などを測定しうる。即ち、本発ＩＲＫよ九ば
縮尺パターンはレティクルめ任意の位ｆＫ配置で自、そ
れによｐ投影像のどＯ位°置＃ＣおいてもＪ８対的ｅ歪
劇、倍５１１１Ｍ＆、！’４１１１ｔＦＬｊ！。
と仁ろでオδ図％オ４図で主、Ｎ大パターンは逆Ｔ手形
をしているが、こｔＬ線Ｘ方方向ｙ方向に伸びる２つの
格子縞パターン１２いに直交さ゛ぜて設けであるからで
ある。矛５ＩＮにζＯ主尺パターン０−ｑを拡大して示
し。
をしているが、こｔＬ線Ｘ方方向ｙ方向に伸びる２つの
格子縞パターン１２いに直交さ゛ぜて設けであるからで
ある。矛５ＩＮにζＯ主尺パターン０−ｑを拡大して示
し。
第４ｇｅｃｅｏＩＩ尺ｉｔ５！−ンＯ−ｆｇｔ ｔｔ大
Ｌし示す。
Ｌし示す。
オｌ＄ｌＩにおいて、格子縞パターン１２０−はレティ
クル１４上＃Ｃ冨方向に電電ピッチで設けられ、格子縞
パターン１２０ｂはパターン１２０ａと同様ＫＦ方向に
沿って設けられる。各格子縞パターン１ｊｌＯａ、？２
０ｂＫは、パターンの中央１ｏとし正と負の方向に２．
４，６．６と醐安と゛なる一芋が打たれている。格子縞
パターンＢｏａ、ＳＯｂは格子縞パターン１２０ｍ、１
２０ｂｔ）補助として設けらｆＬ虎もので、荒いパー＝
７２して＃（。
クル１４上＃Ｃ冨方向に電電ピッチで設けられ、格子縞
パターン１２０ｂはパターン１２０ａと同様ＫＦ方向に
沿って設けられる。各格子縞パターン１ｊｌＯａ、？２
０ｂＫは、パターンの中央１ｏとし正と負の方向に２．
４，６．６と醐安と゛なる一芋が打たれている。格子縞
パターンＢｏａ、ＳＯｂは格子縞パターン１２０ｍ、１
２０ｂｔ）補助として設けらｆＬ虎もので、荒いパー＝
７２して＃（。
オ６ｒｉ！Ｊｏ＃尺パターンにおｈて、これは主尺パタ
ーンの格子１４ｉｔターン１２０ｍ、１２０ｂのピッチ
よｐ４わずかに大きｈ（を次は小さい）ピッチで設けら
れ次格子縞パターン１８０ａ ＊ ｆ ５０ ｂ を有
Ｌ−１／１９−ン１ ａ Ｏｍ 、１６０ｂの各格子は
それヤれ格子縞パターン１２０ａ、１２０ｂの格子間に
はさｔゐようく形状決めさ°れている。荒いバーニアと
して鋤く格子縞パターン５１ ｍ、、 ５ ｌ ｂ Ｋ
りｈ”Ｃ４ＦｊＮＩＩ忙、主尺パターンの格子縞パター
ン５０ｍ。
ーンの格子１４ｉｔターン１２０ｍ、１２０ｂのピッチ
よｐ４わずかに大きｈ（を次は小さい）ピッチで設けら
れ次格子縞パターン１８０ａ ＊ ｆ ５０ ｂ を有
Ｌ−１／１９−ン１ ａ Ｏｍ 、１６０ｂの各格子は
それヤれ格子縞パターン１２０ａ、１２０ｂの格子間に
はさｔゐようく形状決めさ°れている。荒いバーニアと
して鋤く格子縞パターン５１ ｍ、、 ５ ｌ ｂ Ｋ
りｈ”Ｃ４ＦｊＮＩＩ忙、主尺パターンの格子縞パター
ン５０ｍ。
５０ｂのピッチよりもわずかに大きい（を次は小さい）
ピッチで設けられ、パターン６１ｍ１５１ｂの各格子は
そ九ぞれパターン５０ａ ＊ ｓｏ ｂの格子間にはさ
鵞るように形状決めされている。
ピッチで設けられ、パターン６１ｍ１５１ｂの各格子は
そ九ぞれパターン５０ａ ＊ ｓｏ ｂの格子間にはさ
鵞るように形状決めされている。
生バー−７と副バーニアｔＪｉねてｉｓｔ＊付けたとき
、格子縞パターン１２０ ａ ０００７５ＦＫ対応する
主バーニア０部分にパターン１８，０−の中央部の格子
ｘ、に対応する主パー＝７の格子ｔａがはさまれ、格子
縞パターン１２゜ｂｏｏの所ＫＮＥｈする主バーニア０
部分にパターン１６０にの中央部０格子１．＃Ｃ対応す
る副バ４ニアの格子像がはきｔｒＬると、仁のと１１焼
付像は十の重ね合わせた位置においてｘ、ｙ方向と電歪
−１倍率誤差が零となる。
、格子縞パターン１２０ ａ ０００７５ＦＫ対応する
主バーニア０部分にパターン１８，０−の中央部の格子
ｘ、に対応する主パー＝７の格子ｔａがはさまれ、格子
縞パターン１２゜ｂｏｏの所ＫＮＥｈする主バーニア０
部分にパターン１６０にの中央部０格子１．＃Ｃ対応す
る副バ４ニアの格子像がはきｔｒＬると、仁のと１１焼
付像は十の重ね合わせた位置においてｘ、ｙ方向と電歪
−１倍率誤差が零となる。
オｙｗａは２６図と第４１１０格子縞パターン１２０＠
ｓ１ｇＧｍ（＞格子の一例の更＃Ｃ＃しｉ拡大図であル
、オフ図（−）はパターン１２０ａＯ７Ｏ格子を、オ”
ｌ ａｌｌ （ｂ）はパター ＩＪＩＯａＯ方の格子を
示す拳 オフ１１（ａ）Ｋ示す如く、主尺パターン側の格子縞パ
ターン１２０ａＯ各格十には階段部１００とテーパ部１
０１が中心軸ｊＫ対して対称Ｋｔ＆けられ、格子間１０
ピツチｐＭＳｔ例えば１００μｍ１に定められている。
ｓ１ｇＧｍ（＞格子の一例の更＃Ｃ＃しｉ拡大図であル
、オフ図（−）はパターン１２０ａＯ７Ｏ格子を、オ”
ｌ ａｌｌ （ｂ）はパター ＩＪＩＯａＯ方の格子を
示す拳 オフ１１（ａ）Ｋ示す如く、主尺パターン側の格子縞パ
ターン１２０ａＯ各格十には階段部１００とテーパ部１
０１が中心軸ｊＫ対して対称Ｋｔ＆けられ、格子間１０
ピツチｐＭＳｔ例えば１００μｍ１に定められている。
ｔたオフ図（ｂ） Ｋ示す如く、副尺パター・ンｏ７Ｆ
ｏ各格子は幅ｔミ尺ｚ？ターンの格子間間隔ｄと勢しく
し、ピッチ？、を例え−１０１１諺として−る。主大パ
ターンのこれら格子の＃ＲｆｊＩＪとチー７１部は、バ
ーニアを読み取〕品くするためのもので、従って主尺パ
ターン、ｉａ＋尺パターンのいずれか−の匈の格子に設
けれによい。
ｏ各格子は幅ｔミ尺ｚ？ターンの格子間間隔ｄと勢しく
し、ピッチ？、を例え−１０１１諺として−る。主大パ
ターンのこれら格子の＃ＲｆｊＩＪとチー７１部は、バ
ーニアを読み取〕品くするためのもので、従って主尺パ
ターン、ｉａ＋尺パターンのいずれか−の匈の格子に設
けれによい。
第８図は、オフ図（ａ） ｓ （ｂ）の格子縞パターン
１１／１０に縮小して重ねｔＩａ龜したときの様子を示
し、副バーニア０成る格子８．が主パー＝７の格子間に
完＊に挾み込まれている。
１１／１０に縮小して重ねｔＩａ龜したときの様子を示
し、副バーニア０成る格子８．が主パー＝７の格子間に
完＊に挾み込まれている。
ζＯ判定は格子８． Ｋ接する上下の階段部とテーパ部
を卑ることによ）容易に行われる。
を卑ることによ）容易に行われる。
この格子８． Ｋ着目すれば、格子８１，１つ上方の格
子８２．２つ上方の格子８．０各位１ｍ ＢＨｔ Ｅｚ
ｅ Ｅｘ において、ずれが例見ｌばそれそｎＤ、
＋０．１−、＋０．２−と判定ｆｉｌ、０．１μｍ以上
の精度で重なり具合（ずれ量）を測定てきる。
子８２．２つ上方の格子８．０各位１ｍ ＢＨｔ Ｅｚ
ｅ Ｅｘ において、ずれが例見ｌばそれそｎＤ、
＋０．１−、＋０．２−と判定ｆｉｌ、０．１μｍ以上
の精度で重なり具合（ずれ量）を測定てきる。
＊際には第５図、２６図の主、副バーニアを重ねｍ＊し
たと自、格子縞パターン１２０暑、１２０ｂｅ）像Ｏ゛
中のどこが位置Ｂ、 Ｋなりてｈるかを数字でもとめる
。ｇｐａえば、格子縞パターン１２０ａ’ＯＪｌ：儒の
６の像のとζろで格子縞パターン１６０ｍ０１りＯ格子
像が完全にはさみ込★れているとするなら、音方向０＊
み量は＋０．６−と求まる。このと自問時に格子縞パタ
ーン１２０ｈの負側０．２０像のとζろで格子縞パター
ン１５０ｂＯ１りの格子像が完全にはさみ込まれている
なら％１方向の歪み量は−（Ｌ２μ翼と求まる。
たと自、格子縞パターン１２０暑、１２０ｂｅ）像Ｏ゛
中のどこが位置Ｂ、 Ｋなりてｈるかを数字でもとめる
。ｇｐａえば、格子縞パターン１２０ａ’ＯＪｌ：儒の
６の像のとζろで格子縞パターン１６０ｍ０１りＯ格子
像が完全にはさみ込★れているとするなら、音方向０＊
み量は＋０．６−と求まる。このと自問時に格子縞パタ
ーン１２０ｈの負側０．２０像のとζろで格子縞パター
ン１５０ｂＯ１りの格子像が完全にはさみ込まれている
なら％１方向の歪み量は−（Ｌ２μ翼と求まる。
以ａｆｔＣよ）、ウェハ上の主と−バー二７を重ね合わ
せた位置における投影レンズの歪み量は音方向で＋（Ｌ
６ Ｊ１１％ ｙ方向で−０，２声ＩＩＯ成分ｔｔク
ベクトル量として摺電さｎる。
せた位置における投影レンズの歪み量は音方向で＋（Ｌ
６ Ｊ１１％ ｙ方向で−０，２声ＩＩＯ成分ｔｔク
ベクトル量として摺電さｎる。
とζろで以上において主バーニアと副バーニア等におけ
る主とｇｏ用い方は会〈相対的なもＯ′？、いずれを）
：あるいは爾と名付けてもよい・ 筐た。上記夾麹例ではバーニアを用いてずれ量ｉ掬定し
たが、バーニアではなく１例えば長さ等が１４なる２種
類０矩形パターン等を用意してお龜、その一方ＯＳ＊Ｏ
矩廖パターンをレティクルの中心に、他Ｏ＠＠ｔ）矩形
パターンをレティクル上の測定したい位置とに配置して
これらをウェハ上に重ね焼き付けしてずれ量ｔ−測測定
てもよい・ 以上の如（本発明によれば、レティクル上の複ａのマー
クのうち１つを投影光学系の光軸が通る位置に設けたの
で、焼付像の任意の位置の絶対的なずれ量が測定できて
投影光学系の光学特性を正確に＃Ｊりうるつ
る主とｇｏ用い方は会〈相対的なもＯ′？、いずれを）
：あるいは爾と名付けてもよい・ 筐た。上記夾麹例ではバーニアを用いてずれ量ｉ掬定し
たが、バーニアではなく１例えば長さ等が１４なる２種
類０矩形パターン等を用意してお龜、その一方ＯＳ＊Ｏ
矩廖パターンをレティクルの中心に、他Ｏ＠＠ｔ）矩形
パターンをレティクル上の測定したい位置とに配置して
これらをウェハ上に重ね焼き付けしてずれ量ｔ−測測定
てもよい・ 以上の如（本発明によれば、レティクル上の複ａのマー
クのうち１つを投影光学系の光軸が通る位置に設けたの
で、焼付像の任意の位置の絶対的なずれ量が測定できて
投影光学系の光学特性を正確に＃Ｊりうるつ
第１ｓは従来例を説明するための図１
、？２ｍは焼付像のずれから投影光学系の光学４ｆｌ性
を測定することｔ′説明するための図、オ６図は本発、
１ｇ４ｏ第１夾施例を説明するための図。 第４ｍは２２夷膣例を説明するための図、第５ｒｉＡ＆
を主尺パターンの一例を示す拡大図。 オ６図は副尺パターンの一例を示す拡大Ｂ。 オフ図は主尺および副尺パターンの各格子の形状の一例
を示す拡大図、 オａｇはオフ１ｉｌＫＪＩＩす格子を重ね焼電封けした
と自０＠子を示す明である。 〔ミ要部分の符号Ｏ説嘴〕 マスクｉＩＩ板 −−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−１４マークー−−
−−−−−−−−−−−−Ｉｓ 、 １４ｍ ＝ １６
４． Ｂｏｍ 、 ！Ｓｏｂ。 ５１ＪＩ 、５１ｂ 、１２０ｍ 、 １２０ｂ、１ａ
ｖａ、 １ａＤｉｓ階段部 −−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−１００テーパ部−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−１０１；
′ｉ、３区 、＋乙区 第５図 ８６４２０２４６Ｂ＋ １３０各＝＝；− ＝＝＝
を測定することｔ′説明するための図、オ６図は本発、
１ｇ４ｏ第１夾施例を説明するための図。 第４ｍは２２夷膣例を説明するための図、第５ｒｉＡ＆
を主尺パターンの一例を示す拡大図。 オ６図は副尺パターンの一例を示す拡大Ｂ。 オフ図は主尺および副尺パターンの各格子の形状の一例
を示す拡大図、 オａｇはオフ１ｉｌＫＪＩＩす格子を重ね焼電封けした
と自０＠子を示す明である。 〔ミ要部分の符号Ｏ説嘴〕 マスクｉＩＩ板 −−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−１４マークー−−
−−−−−−−−−−−−Ｉｓ 、 １４ｍ ＝ １６
４． Ｂｏｍ 、 ！Ｓｏｂ。 ５１ＪＩ 、５１ｂ 、１２０ｍ 、 １２０ｂ、１ａ
ｖａ、 １ａＤｉｓ階段部 −−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−１００テーパ部−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−１０１；
′ｉ、３区 、＋乙区 第５図 ８６４２０２４６Ｂ＋ １３０各＝＝；− ＝＝＝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ マスク基板に設けられた複数のマークを投影光学系
を介１して対象切上に順次重ね転写し、転写されたマー
クのずれ量に基づｉて前記投影光学系の光学特性を検査
するために前記値数のマークのうち１りのマーりを前記
投影光学系の光軸が通る位置に設けたことを特徴とする
検査用マス〉基板。 Ｌ 前記複数のマーりＯそれぞれは、亙いに直交する方
向に延びた２りＯ格子縞パターンを有することを特徴と
する特許請求の範囲才１１１４記載の検査用マスク基板
。 １ｍ記複数のマーり０うちの前記１つのマークおよびそ
れ以外のマークの−ずれかＯ各格子に′階段部を設けた
ことを゛善黴とすゐ譬ｆｆ＃１１求ｏｍｉｍ才２項記載
の検査用マスク基板。 ４ ＃ｉ起債数のマークのうちの前記１９のマークおよ
びそれ以外のマークｏｈずれかの各格子にテーパ部を設
は九ことを特徴とする特許請求の範囲才２項記載の検査
用マスク基板。 ＆ 前記複数のマークのうちのＩＩｊ岬１りのマークを
マスク基板の中央部に設け、それ昇外のマークを、この
１つのマークのＩｍｈに配したことを特徴とする特許請
求の範Ｓ才１項記載の検査用マスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180978A JPS5883853A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180978A JPS5883853A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883853A true JPS5883853A (ja) | 1983-05-19 |
| JPS6338697B2 JPS6338697B2 (ja) | 1988-08-01 |
Family
ID=16092600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180978A Granted JPS5883853A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883853A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095435A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光用マスク |
| JPS6370418A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| JPS63151948A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-24 | Nec Corp | 露光用マスク |
| EP0272853A2 (en) * | 1986-12-22 | 1988-06-29 | AT&T Corp. | Method and apparatus for automated reading of vernier patterns |
| JPS63281439A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 焼き付けずれチェック方法 |
| JPS647043A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Nec Corp | Photomask |
| JPH02143544A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Nec Corp | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
| US6947119B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Distortion measurement method and exposure apparatus |
| JP2014154738A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Toshiba Information Systems (Japan) Corp | 半導体装置、積層ズレ測定装置及び積層ズレ測定方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3728840B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2005-12-21 | 株式会社ニコン | 投影光学系の収差測定方法及び収差測定用のマスク |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56180978A patent/JPS5883853A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095435A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光用マスク |
| JPS6370418A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| JPS63151948A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-24 | Nec Corp | 露光用マスク |
| EP0272853A2 (en) * | 1986-12-22 | 1988-06-29 | AT&T Corp. | Method and apparatus for automated reading of vernier patterns |
| JPS63281439A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 焼き付けずれチェック方法 |
| JPS647043A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Nec Corp | Photomask |
| JPH0545948B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1993-07-12 | Nippon Electric Co | |
| JPH02143544A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Nec Corp | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
| US6947119B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Distortion measurement method and exposure apparatus |
| JP2014154738A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Toshiba Information Systems (Japan) Corp | 半導体装置、積層ズレ測定装置及び積層ズレ測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6338697B2 (ja) | 1988-08-01 |
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