JP3728840B2 - 投影光学系の収差測定方法及び収差測定用のマスク - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は投影光学系の収差の測定に関し、特に半導体素子や液晶表示素子等の製造に用いられる投影型露光装置の投影光学系の収差の測定に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子等の回路パターンは集積度が上がるにつれて年々微細化が進み、このパターンを解像する投影型露光装置も微細化に対応する必要があり、露光波長も365nmから248nmと短波長化された露光装置が必要になってきた。それに伴いこれら露光装置の投影光学系の諸収差もかなり微少なものにすることが要求されるようになった。
【0003】
従来投影レンズの非対称収差(投影レンズのコマ収差と投影レンズの機械的な中心と光軸との偏心によるコマ収差とを含む)の測定は、投影レンズを投影露光装置に配置した状態で、レチクル上の光透過部に遮光パターンを設け、レジストを塗布した基板に転写し、転写されたパターンのレジスト像の非対称量を電子顕微鏡等を用いて検査するようになされていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、レジスト像の非対称量の検査には0.005μm程度の分解能を有する計測装置が必要であり、それに見合う能力を持つものは最新型の走査型電子顕微鏡(SEM)のみである。ろころが、SEMの分解能は電子光学系の光軸合わせや内部のガス圧力すなわち真空度等により変化し、作業者の個人差や装置の状態等により分解能に差が生じるという問題があり、それら分解能差により、計測される収差量に大きな影響を及ぼすことになる。
【0005】
したがって本発明は、複雑な顕微鏡を用いずに、高速、且つ高精度に投影光学系の収差量を計測することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載された収差測定方法は、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、所定の線幅からなる第1のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第1のパターンの線幅とは異なる線幅からなる第2のパターンとが形成されたマスクを該投影光学系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記第1のパターンと前記第2のパターンとを該投影光学系により該基板のレジスト上に投影露光する工程と、該露光された前記基板を現像する工程と、該現像する工程により前記基板上に形成された前記第1のパターンの像と前記第2のパターンの像との位置のずれの量を測定する工程とを備える。
【0009】
このようにすると、基板上に形成された第1のパターンの像と前記第2のパターンの像との位置のずれの量に基づいて、収差を測定することができる。
【0010】
また、請求項6に記載された収差測定方法は、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、所定の線幅からなる第1のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第1のパターンの線幅とは異なる線幅からなる第2のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第2のパターンと同じ線幅からなる第3のパターンとを施したマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記マスク上の各パターンを該投影光学系により該基板のレジスト上に投影露光する工程と、該露光された基板を現像する工程と、該現像する工程により前記基板上に形成された前記第1のパターンの像と前記第2または第3のパターンの像との間の位置のずれの量を、前記第2のパターンの像と第3のパターンの像との位置に基づき補正して、測定する工程とを備える。
【0011】
このように構成すると、第2と第3のパターンを基準にして、収差を知るために測定する像の位置ずれを補正できる。
【0013】
また、請求項8に記載された収差測定方法は、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、第1の線幅からなる第1のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第1の線幅とは異なる第2の線幅からなる第2のパターンとを施した第1のマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、第3の線幅からなる第3のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第2の線幅からなる第4のパターンとを施した第2のマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記第1のマスク上の前記第1のパターン及び前記第2のパターンと、前記第2のマスク上の前記第3のパターン及び前記第4のパターンとを該投影光学系で該基板のレジスト上にそれぞれ投影露光する工程と、該露光された前記基板を現像する工程と、該現像する工程により前記基板上に形成された前記第1のパターンの像と前記第3のパターンの像との間の位置のずれの量を、前記第2のパターンの像と前記第4のパターンの像との位置に基づき補正して、測定する工程とを備える。
【0014】
このように構成すると、第2と第4のパターンの像を、収差測定用の第1と第3のパターンの像の位置ズレ量の補正に用いることができる。
【0016】
また、請求項10に記載された収差測定方法は、第1仮想基準線と45度未満の角度αで交わる第1の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、第1の線幅で形成される第1のラインアンドスペースパターンと、前記第1仮想基準線と前記第1の仮想中央線とが交わる第1点から第1距離を隔てた前記第1仮想基準線上の第2点にて角度−αで交わる第2の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第1の線幅で形成される第2のラインアンドスペースパターンと、前記第2点から前記第1距離を隔てた前記第1仮想基準線上の第3点にて角度αで交わる第3の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第1の線幅で形成される第3のラインアンドスペースパターンとを含み、前記第1と第2と第3のラインアンドスペースパターンにより、ジグザグ模様を形成している第一のパターン群が施された一方のマスクを投影光学系の光路中に配置する工程と、第2仮想基準線と45度未満の角度−αで交わる第4の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第1の線幅とは異なる第2の線幅の第4のラインアンドスペースパターンと、前記第2仮想基準線と第4の仮想中央線とが交わる第4点から第2距離を隔てた前記第2仮想基準線上の第5点にて角度αで交わる第5の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第2の線幅で形成される第5のラインアンドスペースパターンと、前記第5点から前記第2距離を隔てた前記第2仮想基準線上の第6点にて角度−αで交わる第6の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第2の線幅で形成される第6のラインアンドスペースパターンとを含み、前記第4と第5と第6のラインアンドスペースパターンにより、ジグザグ模様を形成している第二のパターン群が施された他方のマスクを前記投影露光系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記一方のマスク上の前記第一のパターン群と前記他方のマスク上の前記第二のパターン群とを、該投影光学系で前記レジスト上に重ねて投影露光する工程と、該投影された基板を現像する工程と、該現像する工程により基板上に形成された前記第一のパターン群の像と前記第二のパターン群の像との位置のずれを、モアレマークを利用して測定する工程とを備える。
【0017】
このように構成すると、第1のパターン群の像と第2のパターン群の像とがジグザグパターンであるので、複雑な顕微鏡を用いることなく、モアレマークを利用して各像間の位置ずれを拡大して正確に測定できる。
【0021】
また、請求項13に記載された収差測定用のマスクは、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、所定の線幅からなる第1パターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第1パターンの線幅とは異なる線幅からなる第2パターンとを有し、前記投影光学系の光路中にマスクを配置し、レジストが塗布された基板上に前記第1パターンと前記第2パターンとを投影露光し、前記基板上に投影露光された前記第1パターンの像と前記第2パターンの像との位置ずれの量を測定し、当該位置ずれの量に基づいて、前記投影光学系の収差を測定する収差測定方法に用いられる。
【0022】
このように構成すると、投影光学系の収差量を測定する方法に用いることができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
図13〜図16を参照して、本発明の原理と本発明の実施に適する装置の説明をする。
【0030】
図13はフォトマスク上のパターン及びパターンの空間像強度分布の例を示す図である。この(a)は、レチクル(マスク)パターンとしてガラス基板(石英)等のレチクル上の光透過部に、ある幅のクロム線でなる遮光部を5本描いた暗線パターン(ポジパターンと呼ぶ)の平面図を示している。なおレチクルパターンとしては、ガラス基板上にクロム等で遮光部を形成し、ある幅でクロムを剥離したガラス線でなる光透過部を5本描いた明線パターン(ネガパターンと呼ぶ)も含みラインアンドスペースパターンと言う。
【0031】
ここで一般的に、ラインアンドスペースパターンとは、所定の線幅を有する遮光部分である、複数のお互いに平行な直線の線分(ライン)と、それらラインを所定の幅の非遮光部分である間隔(スペース)で隔てるパターン、と定義できる。通常は、ラインの幅と非遮光部分の間隔はほぼ同一に形成する。これはポジパターンであり、ネガパターンは前記ポジパターンの遮光部分と非遮光部分とを入れ替えたパターンをいう。単にラインアンドスペースパターンと言うときは、ポジとネガの両方を含むものとする。
【0032】
(b)は、例えばフォトマスク上で1.75μmの遮光パターンのフォトマスク上での強度分布であるとする。このパターンを投影レンズの開口数(NA)が0.60で、照明光学系のコヒーレンシー(σ値)が0.36である露光装置を用いて、波長365nm(i線)の光束で被転写物上に投影した場合の、理想的な空間像強度分布は図13の(c)のようになり、理想的な強度分布((b)に示した)と実際の強度分布を重ねて示している。これは収差がゼロの場合である。
【0033】
また、投影レンズに例えばコマ収差量がxμmあるとした場合には(d)のようになり、マスク上の強度分布に対して、被転写物上に投影した場合の空間像強度は位置ズレ(ΔX)を起こしていることが分かる。ここで図13は、実際の空間像強度分布の図ではなく、説明用の図である。
【0034】
図14の(a)は、投影レンズに例えばコマ収差量が0.6μmとした場合の、被転写物上のパターンサイズを変えたときの被転写物の結像位置を示した図である。この図から分かるように、同一コマ収差量でも被転写物のパターンサイズが変わると結像位置が異なることが分かる。
【0035】
図14の(b)は、投影レンズに例えば被転写物のパターンサイズを0.35μm(パターンA)と0.70μm(パターンB)でコマ収差量を変えたときの結像位置を示した図である。この図は、結像位置ズレ量を種々の既知のコマ収差について(例えば0.2、0.4、0.6、0.8のように)測定しプロットすれば得られる。例えば図14の(a)は収差0.6の場合の結像位置ズレ量を示す図であるが、これからパターン線幅が0.35と0.7の場合の結像位置ズレ量を読みとると、それぞれ0.12と0.07である。このようにして、各収差量について作成したパターン線幅−結像位置ズレ量図から読みとった結像位置ズレ量を、収差量−結像位置ズレ量図上にプロットすると図14(b)が得られる。
【0036】
この図から分かることは、コマ収差量が大きくなると、パターンAとパターンBの結像位置のズレ量がそれぞれ大きくなることが分かる。更にパターンAとパターンBの結像位置ズレ量の差が大きくなることが分かる。つまり各パターンのズレ量の絶対値が計測できなくても、パターンAとパターンBを組み合わせ、両者の結像位置のズレ量の差を計測することにより、コマ収差量を求めることができる。
【0037】
パターンAとBは同一線幅でも良いが、そのときはどちらかのパターンに、特公昭62−50811に詳細に説明されているような位相シフトパターンを設けると良い。
【0038】
本発明は、このような結像位置のズレ量、或いはラインの性質(幅、孤立線か複数線か)による結像位置のズレ量の差を利用して収差を測定する。
【0039】
本発明で用いる、マスク上に施すパターンの組み合わせの一例を後で説明する図1に示す。図1の(a)は図14のパターンA、(b)はパターンBに相当する。(c)はマスク上の(a)のパターンと(b)のパターンを、感光基板上に重ねて露光し現像した場合の像の例を示す。これはいわゆるモアレマークであり、後で説明するようにこれを利用すると、各パターンの像のズレ量の差が精度良く計測できる。
【0040】
図15は、モアレの原理を説明する図である。本図の(a)の実線で描かれた水平方向に延びるジグザグパターンはここでは主尺と呼び、主尺と水平方向の線に対して線対称の破線のジグザグパターンはここでは副尺と呼ぶことにする。これらのパターンは水平方向に対して45度より小さい角度γまたは−γで傾斜した一定の幅を持った3本の線分であるラインがその端部でシリーズに結合して1本のジグザグパターンを形成しているものである。本図は、1本のジグザグパターンであるから、孤立線パターンの場合を示している。
【0041】
これらの主尺と副尺を別々のマスクに施し、これらを感光基板上に重ねて投影露光して得たレジスト像が(b)あるいは(c)である。これらの図で、主尺と副尺のパターンにより遮光されたレジスト部分は菱形部分Rで示すようなレジスト像として残る。
【0042】
図15の(b)は、主尺と副尺が位置ずれ無しに理想的に重ね合わされた場合のレジスト像であり、(c)は主尺の像が副尺の像よりも僅かに下方にずれた場合の像である。(b)では、形成された3つの菱形像の水平方向の間隔、LaとLbが等しいが、(c)では主尺の僅かなずれがLaとLbの大きな差となって表れている。ジグザグの水平からの傾斜角γまたは−γが、ライン幅との関係で菱形を形成できる範囲で小さければ小さい程、同じ主尺のずれ量に対して、LaとLbの差は拡大される。
【0043】
図15では、主尺と副尺は同一の幅であるので、収差によるズレ量は同一であるはずであり、投影の際の位置決めを正確に行えば(b)のような像が得られるはずである。したがって、(c)のようなレジスト像のズレはそのまま主尺と副尺パターンの位置決め誤差と見ることができる。
【0044】
ここで、主尺と副尺の(b)に示すような理想的な位置からのズレ量を、(c)に示すようにyとすれば、y=((La−Lb)/4)tanγの式が成り立つ。このようにして、La、Lbが分かればyを求めることができる。
【0045】
図16は、本発明の収差測定方法を実施するのに適する露光装置の構成を示す概略図である。光源LPから照明光束は、詳細には図示しない光学部材を含む照明光学系ILによって所定の光束に整形され、マスクMS上に照射される。
【0046】
照明光学系ILの中には、水銀ランプLP、楕円鏡EM、ミラーM1、フライアイレンズFL、可変開口絞りS1、レンズ系L1、ミラーM2及びコンデンサーレンズCL、マスクMS、投影レンズOL、ウエハWFを載せるステージSTが、以上の順に投影レンズOLの光軸に沿って配置されている。
【0047】
ランプLPからの照明光(i線等)をほぼ均一な強度分布に形成すると共に、この均一な照明光を微細パターンを有するマスクに照射するように構成されている(水銀ランプの代わりにEX(KrF)レーザ等であってもよい)。
【0048】
可変開口絞りS1は、照明系IL中のマスクパターンに対するフーリエ変換面(以下照明系の瞳面と称す)、すなわちフライアイレンズFLの射出面(マスク側焦点面)近傍に配置されており、照明系ILの開口数を変化することが可能となっている。
【0049】
光軸に直交して配されているマスクMSを透過した光束は、投影レンズOLを介して、光軸に直交する平面上の2方向X、Y方向に、図示しないX、Y駆動用のモータによって移動可能なステージST上に載せられたウェハWF表面のレジスト上にマスクMS上のパターン像を投影露光する。ステージSTのX、Y方向の変位は図示しない干渉計により計測する。
【0050】
さらに、ウエハWF上に形成されたレジストの像を検出するために、投影レンズOLの光軸とは異なる光軸を有する画像処理方式の観察光学系F(例えば、明視野結像式のアライメント光学系)又は、投影レンズOL内を光が通過する観察光学系LX,LY(例えば、暗視野結像方式のアライメント光学系)が設けてある。
【0051】
観察光学系F及びLX,LYにはあらかじめ図示しない演算部を用意して、図14の(b)に示す様なパターンAとパターンBの非対称収差量に対する位置ズレ量の関係を求めて記憶させてある。パターンA及びパターンBを露光し両者の相対的な位置ズレ量を観察光学系F又はLX,LYで求め、相対的な位置ズレ量から投影レンズの非対称収差量を求める。この様な検査・計測は、投影視野内の複数箇所について行い、図示しないディスプレー等を用意し図示しないベクトルマップを表示させるとよい。
【0052】
計測用のパターン形状は、前記観察光学系F又はLX,LY用のみならず一般に市販されている重ね合わせ測定機で計測できるような形状でも構わない。
【0053】
図3に、パターン像の位置ずれの補正方法に用いる、基準パターンを含むマスクを概念的に示す。図3では、モアレマークを利用した場合を示しているが、これに限らず例えば後で説明するバーニヤを利用する場合であってもよい。
【0054】
図3において、100はマスク、101と104はマスク100上に施された2つのマーク群を示している。一方のマーク群101内には基準パターン102が上半分に、比較パターン103が下半分に並べて施されている。他方のマーク群104内には基準パターン105が上半分に、比較パターン106が下半分に並べて施されている。
【0055】
これらのマーク群101と104とが配置されたマスク100を、投影光学系に配置し、ステージ上に載置された感光基板に該投影光学系により、マーク群101と104とが重なり合うように重ねて投影露光する。この露光された基板を現像することにより、基板上に重なり合った部分のレジスト像が残る。基準パターンと比較パターンのレジスト像を測定することによりずれ量を求める。
【0056】
ここでは、2つのマーク群101と104を1枚のマスク100上に施したが、各々別々の2枚のマスクに形成してもよい。その場合は、それら2枚のマスクを収差を測定したい投影光学系に交互に配置し、ステージ上に載置された1枚の感光基板に該投影光学系により、マーク群101と104とが重なり合うように重ねて投影露光する。以下は1枚のマスク100を用いる場合と同様にそのレジスト像を観察し、図15または図16を参照して説明したように、比較パターンのずれ量から基準パターンのずれ量を差し引くことにより重ね合わせ時に生じたずれ量を補正でき、正確なずれ量が求められる。
【0057】
図4は、図3の本発明に係るマスク100に施すパターンの第1の実施の形態を示す。図4において、(a)と(c)は、基準パターン、(b)と(d)は、比較パターンを示す。
【0058】
先ず図4の(b)においては、水平に引いた仮想基準線LA0と45度未満の角度α(この図では30度)で交わる第1の仮想中央線LA1に対して、線幅WAの5本のラインで形成される第1のラインアンドスペースパターンLS1が、ラインアンドスペースパターンLS1の中央のラインの中心線が仮想中央線LA1に一致するように形成されている。ここでは、表示の便のため、ラインアンドスペースパターンLS1の左下部分は図示を省略してある。以下も同様に、ラインアンドスペースパターンは、一部または全てを省略して、その仮想中央線のみを示してある。
【0059】
次に、仮想基準線LA0と第1の仮想中央線LA1との交点XAから所定の距離LN1を隔てた仮想基準線LA0上の点YAにて角度−αで交わる第2の仮想中央線LA2に対して、線幅WAのラインで形成される第2のラインアンドスペースパターンLS2が、ラインアンドスペースパターンLS2の中央のラインの中心線が仮想中央線LA2に一致するように形成されている。
【0060】
ここで距離LN1は、ラインアンドスペースパターンLS1とLS2の一番下のラインの交差部が仮想基準線LA0よりも上にあるように決める。後で説明する距離LN2、LN3も同様に、2つのラインアンドスペースパターンを構成するライン同士の交差部が仮想基準線LB0、LC0、LD0の片側にあるように決める。
【0061】
同様にして、交点YAから交点XAとは反対の方向に距離LN1を隔てた仮想基準線A上の点ZAにて角度αで交わる第3の仮想中央線LA3に対して、線幅WAのラインで形成される第3のラインアンドスペースパターンLS3が、ラインアンドスペースパターンLS3の中央のラインの中心線が仮想中央線LA3に一致するように形成されている。このようにして、第1と第2と第3のラインアンドスペースパターン、LS1、LS2、LS3がジグザグ模様を形成しており、このジグザグ模様を、第一群のラインアンドスペースパターンと呼ぶ。このラインアンドスペースパターンが、図3のマーク群101内の比較パターン103に相当する。
【0062】
次に図4の(d)においては、第一群のラインアンドスペースパターンと同様なパターンである、図3のマーク群104内の比較パターン106に相当する第二群のラインアンドスペースパターンを示す。
【0063】
第一群のラインアンドスペースパターンと異なるのは、ライン幅がWAと異なるWBである点である。また、仮想基準線LA0に対応する仮想基準線はLB0、第1の仮想中央線LA1に対応するのは第4の仮想中央線LB1、線幅WAラインで形成される第1のラインアンドスペースパターンLS1に対応するのは線幅WBのラインで形成される第4のラインアンドスペースパターンLS4、同じくラインアンドスペースパターンLS2にLS5が、LS3にLS6が、点XAにXBが、YAにYBが、ZAにZBが、距離LN1にLN2が対応する。
【0064】
また、中央線LB1、LB2、LB3は基準線LB0と、それぞれ−α、α、−αの角度で交差している。
【0065】
LN1とLN2は、等しくするのが好ましいが異なってもよい。
【0066】
以上、図1のパターン103と106に相当する、像のズレ量の比較対象になるラインアンドスペースパターンを説明したが、次に基準のパターンを説明する。
【0067】
前記一方のマーク群内で、第一群のラインアンドスペースパターンとは別の位置に、基準のラインアンドスペースパターンである第三群のラインアンドスペースパターンをマスク上に施す。これはラインアンドスペースパターンLS7、LS8、LS9からなる。この第三群のラインアンドスペースパターンは、第一群のラインアンドスペースパターンと同様に形成する。ただし、ライン幅はWC、仮想基準線LA0に対応する仮想基準線はLC0、第1の仮想中央線LA1に対応するのは第7の仮想中央線LC1、第1のラインアンドスペースパターンLS1に対応するのは第7のラインアンドスペースパターンLS7、同じくラインアンドスペースパターンLS2にLS8が、LS3にLS9が、点XAにXCが、YAにYCが、ZAにZCが、距離LN1にLN3が対応する。
【0068】
第三群のラインアンドスペースパターンは、第一群または第二群のラインアンドスペースパターンと全く合同な形状であってもよい。
【0069】
次に、前記他方のマーク群内の基準パターンである第四群のラインアンドスペースパターンを説明する。
【0070】
先ず、前記仮想基準線LB0と平行で、距離LN12の位置に仮想基準線LD0をとる。そして、第三群のラインアンドスペースパターンと仮想基準線LC0に対して線対称な一群のラインアンドスペースパターンを仮想基準線LD0に仮想基準線LC0が一致するように施して、第四群のラインアンドスペースパターンとする。
【0071】
ここで、図4ではαとβは、正の角度で描いてあるが、それぞれ負の角度であってもよい。また、距離LN11とLN12とは等しくするのが好ましいが、異なってもよい。異なる場合は、パターン像のずれ差をLN11とLN12の差分だけ補正すればよい。
【0072】
このようにして、第一群のラインアンドスペースパターンを図3のパターン103、第三群のラインアンドスペースパターンをパターン102として施して、マーク群101を形成する。第二群のラインアンドスペースパターンを図3のパターン106、第四群のラインアンドスペースパターンをパターン105として施して、マーク群104を形成する。
【0073】
このように形成されたマスク上のパターンを、収差を測定したい投影光学系により、次のようにレジストを塗布した感光基板上に重ね合わせ投影し露光する。
【0074】
まず、距離LN11とLN12とが等しくなるように両マーク群を施して、マスクを製作する。これらのマーク群は、仮想基準線LC0とLD0とが平行又は同一線上に乗るように施される。
【0075】
2つのマーク群を重ね合わせて投影露光したとき、理想的に基準パターンの仮想基準線LC0とLD0が一致し、且つ点YCとYDが一致するように露光された場合は、比較すべきパターン、図4の(b)と(d)のパターン像のズレ量の差がそのまま、ラインの幅の違いによるズレ量の差となる。
【0076】
基準パターンの仮想基準線LC0とLD0がずれて露光された場合は、それら基準パターンのモアレマークが、図15の(c)のようにずれるので、マスク同士のズレ量が分かり、それにより比較すべきパターン、図4の(b)と(d)とのズレ量を補正すれば、ラインの幅の違いによるズレ量の差が求められる。
【0077】
基準パターンが複数例えば5本の暗線からなるラインアンドスペースパターンの場合は、両端のラインを除いた中央の例えば3本のラインの像を観察すれば正確な測定ができる。
【0078】
距離LN11とLN12が異なる場合は、その差分だけさらに補正してやればよい。
【0079】
また、仮想基準線LA0とLC0とを同一直線として、LB0とLD0とを同一直線として形成してもよい。その場合は図3において、基準パターン102と比較パターン103が横並びになり、基準パターン105と比較パターン106が横並びになることになる。このようにすると、距離LN11とLN12とは0で必ず等しくなり、都合がよい。
【0080】
図5〜図7は、図3を参照して説明した基準パターンあるいは比較パターンに好適なパターンの例をまとめて示すものである。
【0081】
図5には、同一ライン幅のラインからなるパターン同士の組み合わせを示す。(a)は、同一ライン幅を有する主尺のラインアンドスペースのジグザグパターン121と、それと同様なしかし線対称に形成された副尺のラインアンドスペースパターン122とを重ねた場合である。これは、図4を参照して説明した図4の(a)と(c)と同じものである。
【0082】
図5の(b)は、同一ライン幅を有する主尺の孤立ラインのジグザグパターン123と、それと同様なしかし線対称に形成された副尺の孤立ライン124とを重ねた場合である。これは、図4の(a)と(c)の仮想中央線に沿ったそれぞれの中央のラインを取り出したものに相当する。これら図5の(a)、(b)は、同一ライン幅であるので、図3の基準のパターン102、105として利用できる。
【0083】
図6には、お互いに異なったライン幅のラインからなるパターン同士の組み合わせを示す。(a)は、太いライン幅の主尺のラインアンドスペースのジグザグパターン125と、それと線対称に形成された細いライン幅の副尺のラインアンドスペースパターン126とを重ねた場合である。これは、太さの関係は逆になるが、図4の(b)と(d)に相当する。
【0084】
図6の(b)は、ラインの幅は同一であるが、ラインアンドスペースパターン127と、その中央のラインと線対称に形成された孤立ラインのジグザグパターン128とを重ねた場合である。これは、図4の(a)と、(c)の5本のラインのうち例えば仮想中央線に沿ったラインを取り出したものに相当する。
【0085】
図6の(c)は、太いライン幅を有する主尺の孤立ラインのジグザグパターン129と、それと同様なしかし線対称に形成された細いライン幅の副尺の孤立ライン130とを重ねた場合である。これは、太さの関係は逆になるが、図4の(b)と(d)の仮想中央線に沿った中央のラインを取り出したものに相当する。
【0086】
以上のように、図6の(a)、(b)、(c)は、ライン幅が異なるパターンの組み合わせであり、または孤立ラインとラインアンドスペースパターンとの組み合わせであるので、収差に対するレジスト像のずれ量が異なることから、収差の測定に用いることができる。
【0087】
図7は、本発明の第2の実施の形態であるバーニア法に用いるパターンを示している。先ず主尺151が5本の細いラインから形成され、副尺152が5本の太いラインから形成されている。この例では、副尺の太いライン4本分が5等分され細いラインの主尺を構成している。これは分かり易くするために、主尺と副尺の線幅を大きく違えて示したものであり、実際には主尺と副尺の線幅は僅かに違うだけである。例えば主尺を0.7μmのラインアンドスペースパターンとし、副尺を0.72μmのラインアンドスペースパターンとする。差を小さくすればそれだけ読みとりは細かくなるが精度は上がる。
【0088】
以上の主尺と副尺のパターンを各ラインが平行に重なるように重ね合わせて、形成したレジスト像のバーニアが153である。バーニアの一番太いレジストラインの位置を知れば、主尺と副尺のパターン像のずれが分かるのは、通常のバーニア法の場合と同様である。図7は、ずれのない場合であり、太いラインは中央にある。
【0089】
またラインアンドスペースパターンの両端部のラインのレジスト像は、幅が変化するので、中央のライン、例えば50本のラインからなるラインアンドスペースパターンを用意し、そのレジスト像の内中央付近の30〜40本を観察すれば、ライン幅(太さ)の変化の無いライン同士のズレが分かる。
【0090】
以上説明した主尺と副尺は、基準パターンとして利用できる。なぜなら、例えば線幅0.7μmのラインアンドスペースパターンと、線幅0.72μmのラインアンドスペースパターンのレジスト像の位置ズレの差は、図14を参照すれば分かるようにほとんどゼロである。したがって、バーニヤにより知ることのできる位置ずれは、主尺パターンと副尺パターンの設定位置のずれということになり、これを補正に用いることができる。
【0091】
次に、ほぼ同一ライン幅の主尺と副尺の一方に位相シフターを用いることによりライン幅差のあるパターンを重ね合わせるのと同一の効果が得られる。すなわち線幅0.72μmの副尺に位相シフターを用いると、空間像はライン線幅が0.7μmと0.31μmのラインアンドスペースパターンを重ね合わせたのと同様になり大きな位置ずれを生じ、一方レジスト像は元の僅かに線幅の異なる主尺と副尺の像となるので、やはりバーニヤ法によりレジスト像の位置ずれを知ることができる。
【0092】
また、一方に位相シフターを用いた主尺と副尺のパターン151、152を、図3のパターン103、106として用いて、基準パターン102、105として図5の(a)や(b)のようなパターンを、その仮想基準線が主尺と副尺のラインと平行になるように設定して用いてもよい。
【0093】
図8〜図12は、基準パターンを必要としない比較パターンの例を示す。
【0094】
図8は、本発明の第3の実施の形態である、1のマスク上に施したラインアンドスペースパターンを示す。先ず、所定の長さで太さ0.70μmの5本の暗線からなるラインアンドスペースパターンのブロックをラインの長さ方向に4つ並べて第1組のラインアンドスペースパターンとし、その第1組と同一のラインアンドスペースパターンのブロックの組である第2組のラインアンドスペースパターンをラインのピッチ方向に適当な間隔を開けて施し、次に第1組と第2組のラインアンドスペースパターンの前記間隔内に、第1組と第2組のラインアンドスペースパターンから等距離に、前記所定の長さと同じ長さで太さ0.35μmの5本の暗線からなるラインアンドスペースパターンのブロックを長さ方向に4つ並べて第3組のラインアンドスペースパターンとして施す。このような組のラインアンドスペースパターンをここではLSA(LASER Step Alignment)マークと呼ぶ。これは、暗視野結像式のアライメント光学系であり、ステッパー(縮小投影露光装置)に組み込まれているアライメントセンサーの1つである。また、LSA(AMS)マークは、通常は4μm角のパターンとする。
【0095】
このようなLSAマークの組み合わせを用いて、それらのレジスト像について、第1組と第3組、第2組と第3組、それぞれの間隔を測定すれば、太さ0.70μmと0.35μmのラインアンドスペースパターンの像の相対的な移動量の差を知ることができる。この場合、第1組と第3組の組み合わせだけ、あるいは第2組と第3組の組み合わせだけで、その間隔を測定して相対的な移動量の差を知ることもできるし、両方を測定して平均することによりさらに正確な値を求めることもできる。LSAマークの位置の測定は、以下図10と図11を参照して説明するようにして行うことができる。
【0096】
図10は、LSAマークと照射光の関係を示している。この実施例では、LSAマークのブロックの並び方向のピッチをP=8μm、同方向のマーク長さ4μm、ライン幅0.7μmの暗線5本からなるラインアンドスペースパターンのブロックが5個並んでいる。
【0097】
同じくライン幅0.35μmのラインアンドスペースパターンのブロックがラインのピッチ方向に20μm離して、0.75μmのラインアンドスペースパターンと平行にやはり5個施されている。ここで、図10の(a)は、マークの側面図であり、(b)は平面図である。
【0098】
これらのマークに波長λ(例えば632.8nm)の光を照射すると、回折光が発生する。その回折光が発生する方向の回折角θは、nを次数として、
Psinθ=nλ
の式を満たすことが知られている。さらに回折光の発生する方向は、図10においてブロックのピッチPの方向となる。図においては、左右に回折角θの方向の、+1次光201と−1次光202が発生する。この回折光を、図11を参照して以下説明するように受光し、ステッパーステージの干渉計から位置を求めることができる。
【0099】
即ち、隣同士のブロック間の回折光の回折効率により光の強度にピークが出る。ブロック中の真ん中のライン同士によるピークが高い。ピーク同士の距離を測定すれば、元の20μmの距離がどれだけずれたかが分かる。
【0100】
図11において、レチクル301の下方に配置された投影レンズ系302と、その結像位置にウエハ304を載置するステージ303が、投影露光装置の一部を構成している。ウエハ304上のレジストには、レチクル301に施されたLSAマークの像305が形成されている。投影レンズ系の横上方にはレーザー306が設けられ、レーザービームを投影レンズ系に向けて照射する。そのレーザービームは、ビームスプリッター307を透過してミラー308に入射し、投影レンズ系302に入射し、ここで屈折されLSAマーク305にほぼ垂直に照射される。図10を参照して説明したように、LSAマークで回折光が発生するが、その回折光は再び投影レンズ系302を通り、ミラー308を経てビームスプリッター308に到る。ここで反射された回折光は、その光路中に配された回折光受光部309に入射し検知される。ここで光電変換された信号は演算器310に送られ、またステージ干渉計受光部311で受光された干渉系同期信号は、やはり演算器310に送られ、両信号が合わせて演算処理され、その処理結果に基づき、LSAマークの像の位置が正確に測定される。
【0101】
LSAマークを構成するブロックは、図10では5個の場合を示しているが、2個以上であればよい。但し、7個以上が好ましい。回折効率が上がるからである。LSAマークを用いる場合は、太さの異なるラインアンドスペースパターン(図10では0.7μmと0.35μm)からなるブロックの距離(図10では20μm)が正確に把握できれば、基準になる同一ライン幅のパターンを準備する必要はない。
【0102】
図8に示すようなパターンを用いる場合は、以上詳述したものとは別のアライメントセンサーや測定器、例えば、FIA、重ね合わせ測定器等でも測定が可能である。
【0103】
図9には、図8のパターンの変形型を示す。これは、図8の各ブロックのラインが伸びて連続したラインアンドスペースパターンである。このパターンは特にFIAによる測定に適している。画像処理をする場合は回折効率は不要だからである。
【0104】
図12は、本発明の第4の実施の形態であるボックスパターンの例を示す。(a)は、5本の太い暗線のラインアンドスペースパターンを各辺に配した正方形の外枠と、これと同心に同様に配された5本の細い暗線のラインアンドスペースパターンからなる正方形の内枠とが各辺が平行に配置され構成された、いわゆるボックスパターンである。ラインの太さに差があるので、外枠と内枠のレジスト像の移動量が異なり、枠同士が偏心する。その偏心量を測定すればよい。また(b)は、1本の太い暗線の孤立線パターンを各辺とした正方形の外枠と、これと同心に同様に配された1本の細い暗線の孤立線パターンからなる正方形の内枠とが各辺が平行に配され構成された、これもボックスパターンである。ラインの太さに差があるので、外枠と内枠のレジスト像の移動量が異なり、枠同士が偏心する。その偏心量を測定すればよい。また太いラインのパターンを内枠としてもよい。
【0105】
この場合も、外枠と内枠とを正確に同心に形成するか、あるいは両者の位置関係を正確に把握すればよく、マスク上に形成した別々のパターンを重ね合わせて露光する必要がないので、基準パターンは不要である。外枠と内枠とが正確に同心に形成できなかった場合は、その偏心量を把握しておき、測定されたズレ量をそれにより補正すればよい。
【0106】
以上、図面にはポジパターンを示して説明したが、すべてネガパターンの場合にも当てはまる。
【0107】
計測用のパターンは、図に示すものに限らず所定の一定方向に延びたラインアンドスペースパターンであればよい。さらにラインの数は1本でも複数本でもかまわないが、特に3本以上の場合は、パターンのピッチ方向の両端のラインを除いた残りのライン位置を計測するのが望ましい。これは、照明光束の回り込みによる影響を排除するためである。
【0108】
以上の説明の中で、ラインアンドスペースパターンの場合、両端のラインではなく中央のライン1本または複数本のみについてズレ量を測定するのが好ましいと述べたが、実際の測定に当たっては、レジスト像から両端のラインの像を除去すればさらに測定がしやすい。図2はその方法を説明するものである。但し、この場合はラインアンドスペースパターンはポジパターンであるとする。
【0109】
図2の(a)は、図1の(a)の5本の暗線からなるラインアンドスペースパターンの中央の3本のラインを覆う遮光パターンを示しており、(b)は図1の(b)のラインアンドスペースパターンの中央の3本のラインを覆う遮光パターンを示している。
【0110】
図1の(c)のように、重ね合わせ露光された後に、図2の遮光パターン(a)、(b)をかぶせてそれぞれ重ね合わせ露光すると、図2の(c)のように各ラインアンドスペースパターンの両端のラインが感光して消えてしまい、中央の3本のラインによる像だけが残る。このようにして、ラインの位置ズレの測定が正確に行える。
【0111】
本発明の計測対象は、投影屈折光学系のみならず反射屈折光学系でもよい。又、露光装置内の構成を測定装置と共用する必要はなく、測定専用装置を用いてもよい。
【0112】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、投影光学系等の収差量を求める際に、第1パターンの像と第2パターンの像との位置ズレの量を測定するので、走査型電子顕微鏡等の複雑な顕微鏡を用いる必要がなくなり、装置設定等の煩わしさ等が解消でき、高速且つ高精度に投影光学系等の収差量を計測することが可能になる。また、線幅が異なるパターンの像の位置ずれ量を測定するので、像の絶対位置を知る必要が無く、複雑な顕微鏡を用いる必要がなく、高速且つ高精度に投影光学系等の収差量を計測することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に用いるジグザグパターン及びモアレマークを示す図である。
【図2】本発明の実施例に用いるモアレマークを明瞭に測定するために用いる遮光パターンの図である。
【図3】本発明の実施例に用いる比較パターンと基準パターンを施したマスクの概念図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態であるジグザグパターンを詳細に説明する図である。
【図5】本発明の実施例に用いる基準パターンの例を示す図である。
【図6】本発明の実施例に用いる比較パターンの例を示す図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態であるバーニア法に用いる比較パターンの例を示す図である。
【図8】本発明の第3の実施の形態であるLSAマークを用いる場合のパターンを示す図である。
【図9】図8のパターンの変形パターンの図である。
【図10】LSAマークと照射光との関係を示す図である。
【図11】LSAマークを用いて測定するのに用いる測定装置を説明する概略図である。
【図12】本発明の第4の実施の形態に用いるボックスパターンを示す図である。
【図13】マスク上のパターンの強度分布と空間像強度分布を説明する図である。
【図14】結像位置ずれ量と、パターン線幅、非対称収差量との関係を示すグラフである。
【図15】モアレの原理を説明する図である。
【図16】本発明の測定に適した装置の概略図である。
【符号の説明】
100 マスク
101、104 マーク群
102、105 基準パターン
103、106 比較パターン
LA0、LB0、LC0、LD0 仮想基準線
LA1、LB1、LC1、LD1 仮想中央線
LA2、LB2、LC2、LD2 仮想中央線
LA3、LB3、LC3、LD3 仮想中央線
LS1〜LS9 ラインアンドスペースパターン
Claims (16)
- 投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、所定の線幅からなる第1のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第1のパターンの線幅とは異なる線幅からなる第2のパターンとが形成されたマスクを該投影光学系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記第1のパターンと前記第2のパターンとを該投影光学系により該基板のレジスト上に投影露光する工程と、
該露光された前記基板を現像する工程と、
該現像する工程により前記基板上に形成された前記第1のパターンの像と前記第2のパターンの像との位置のずれの量を測定する工程とを備えることを特徴とする収差測定方法。 - 前記第1のパターンの像と前記第2のパターンの像との位置のずれの量に基づいて、前記投影光学系の非対称収差量を求める工程を有することを特徴とする請求項1に記載の収差測定方法。
- 前記マスクには、前記第1のパターンのラインと前記第2のパターンのラインとが互いに平行に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の収差測定方法。
- 前記マスクには、前記第1のパターンと前記第2のパターンとがそれぞれ枠状に形成され、かつ前記第1のパターンが前記第2のパターンの内側に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の収差測定方法。
- 前記マスクに形成された前記第1のパターンと前記第2のパターンとは、ジグザグ模様のパターンであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の収差測定方法。
- 投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、所定の線幅からなる第1のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第1のパターンの線幅とは異なる線幅からなる第2のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第2のパターンと同じ線幅からなる第3のパターンとを施したマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記マスク上の各パターンを該投影光学系により該基板のレジスト上に投影露光する工程と、
該露光された基板を現像する工程と、
該現像する工程により前記基板上に形成された前記第1のパターンの像と前記第2または第3のパターンの像との間の位置のずれの量を、前記第2のパターンの像と第3のパターンの像との位置に基づき補正して、測定する工程とを備えることを特徴とする収差測定方法。 - 前記マスクには、前記第1のパターンのラインと前記第2のパターンのラインと前記第3のパターンのラインとが互いに平行に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の収差測定方法。
- 投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、第1の線幅からなる第1のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第1の線幅とは異なる第2の線幅からなる第2のパターンとを施した第1のマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、
ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、第3の線幅からなる第3のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第2の線幅からなる第4のパターンとを施した第2のマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記第1のマスク上の前記第1のパターン及び前記第2のパターンと、前記第2のマスク上の前記第3のパターン及び前記第4のパターンとを該投影光学系で該基板のレジスト上にそれぞれ投影露光する工程と、
該露光された前記基板を現像する工程と、
該現像する工程により前記基板上に形成された前記第1のパターンの像と前記第3のパターンの像との間の位置のずれの量を、前記第2のパターンの像と前記第4のパターンの像との位置に基づき補正して、測定する工程とを備えることを特徴とする収差測定方法。 - 前記第1のマスクには、前記第1のパターンのラインと前記第2のパターンのラインとが互いに平行に形成され、
前記第2のマスクには、前記第3のパターンのラインと前記第4のパターンのラインとが互いに平行に形成され、
前記第1のマスクおよび前記第2のマスクは、前記第1マスクの各パターンと、前記第2マスクの各パターンとが互いに平行になるように、前記投影光学系の光路中に配置されることを特徴とする請求項8に記載の収差測定方法。 - 投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
第1仮想基準線と45度未満の角度αで交わる第1の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、第1の線幅で形成される第1のラインアンドスペースパターンと、前記第1仮想基準線と前記第1の仮想中央線とが交わる第1点から第1距離を隔てた前記第1仮想基準線上の第2点にて角度−αで交わる第2の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第1の線幅で形成される第2のラインアンドスペースパターンと、前記第2点から前記第1距離を隔てた前記第1仮想基準線上の第3点にて角度αで交わる第3の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第1の線幅で形成される第3のラインアンドスペースパターンとを含み、前記第1と第2と第3のラインアンドスペースパターンにより、ジグザグ模様を形成している第一のパターン群が施された一方のマスクを投影光学系の光路中に配置する工程と、
第2仮想基準線と45度未満の角度−αで交わる第4の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第1の線幅とは異なる第2の線幅の第4のラインアンドスペースパターンと、前記第2仮想基準線と第4の仮想中央線とが交わる第4点から第2距離を隔てた前記第2仮想基準線上の第5点にて角度αで交わる第5の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第2の線幅で形成される第5のラインアンドスペースパターンと、前記第5点から前記第2距離を隔てた前記第2仮想基準線上の第6点にて角度−αで交わる第6の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第2の線幅で形成される第6のラインアンドスペースパターンとを含み、前記第4と第5と第6のラインアンドスペースパターンにより、ジグザグ模様を形成している第二のパターン群が施された他方のマスクを前記投影露光系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記一方のマスク上の前記第一のパターン群と前記他方のマスク上の前記第二のパターン群とを、該投影光学系で前記レジスト上に重ねて投影露光する工程と、
該投影された基板を現像する工程と、
該現像する工程により基板上に形成された前記第一のパターン群の像と前記第二のパターン群の像との位置のずれを、モアレマークを利用して測定する工程とを備えることを特徴とする収差測定方法。 - さらに、前記一方のマスクは、前記第一のパターン群とは別の位置に、前記第1仮想基準線と平行で且つ所定の距離離れた位置にある第3仮想基準線と任意の角度βで交わる第7の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、第3の線幅で形成される第7のラインアンドスペースパターンと、前記第3仮想基準線と第7の仮想中央線とが交わる第7点から第3の距離を隔てた前記第3仮想基準線上の第8点にて角度−βで交わる第8の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第3の線幅で形成される第8のラインアンドスペースパターンと、前記第8点から前記第3の距離を隔てた前記第3仮想基準線上の第9点にて角度βで交わる第9の仮想中央線に対して各ラインが平行に配された、前記第3の線幅で形成される第9のラインアンドスペースパターンとを含み、前記第7と第8と第9のラインアンドスペースパターンにより、ジグザグ模様を形成している第三のパターン群を有し、
さらに、前記他方のマスクは、前記第2仮想基準線と平行で且つ所定の距離離れた位置にある第4仮想基準線に、前記第3仮想基準線に対して前記第三のパターン群を線対称にした際に形成される第四のパターン群を有し、
前記第一のパターン群の像と前記第二のパターン群の像との位置のずれを、モアレマークを利用して測定する工程が、前記第三のパターン群の像と前記第四のパターン群の像とのモアレマークで補正して測定する工程を含むことを特徴とする請求項8に記載の収差測定方法。 - 前記第1仮想基準線と前記第3仮想基準線との距離は、前記第2仮想基準線と前記第4仮想基準線との距離と等しく設定されていることを特徴とする請求項11に記載の収差測定方法。
- 投影光学系の収差を測定するための収差測定用のマスクにおいて、
ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、所定の線幅からなる第1のパターンと、ラインアンドスペースパターンと孤立線パターンのいずれかを含み、前記第1パターンの線幅とは異なる線幅からなる第2のパターンとを有し、
前記投影光学系の光路中にマスクを配置し、レジストが塗布された基板上に前記第1パターンと前記第2パターンとを投影露光し、前記基板上に投影露光された前記第1パターンの像と前記第2パターンの像との位置ずれの量を測定し、当該位置ずれの量に基づいて、前記投影光学系の収差を測定する収差測定方法に用いられることを特徴とする収差測定用のマスク。 - 前記第1のパターンと前記第2のパターンとは、互いに平行に配置されることを特徴とする請求項13に記載の収差測定用のマスク。
- 前記第1のパターンと前記第2のパターンとは、それぞれ枠状に形成され、かつ前記第1のパターンは、前記第2のパターンの内側に配置されることを特徴とする請求項13に記載の収差測定用のマスク。
- 前記第1のパターンと前記第2のパターンとは、ジグザグ模様のパターンであることを特徴とする請求項13に記載の収差測定用のマスク。
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