JP3117095B2 - 投影光学系の検査方法 - Google Patents
投影光学系の検査方法Info
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- JP3117095B2 JP3117095B2 JP03306764A JP30676491A JP3117095B2 JP 3117095 B2 JP3117095 B2 JP 3117095B2 JP 03306764 A JP03306764 A JP 03306764A JP 30676491 A JP30676491 A JP 30676491A JP 3117095 B2 JP3117095 B2 JP 3117095B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(図1〜図12) 作用(図1〜図12) 実施例 (1)投影光学系の検査原理(図1〜図3) (2)第1実施例(図4〜図6) (3)第2実施例(図7) (4)第3実施例(図8) (5)第4実施例(図9) (6)第5実施例(図10) (7)第6実施例(図11) (8)第7実施例(図12) (9)他の実施例(図13〜図15) 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は投影光学系の検査方法に
関し、特に半導体素子や液晶表示素子等の半導体装置を
製造するリソグラフイ工程で用いる投影露光装置の投影
光学系を検査する際に適用して好適なものである。
関し、特に半導体素子や液晶表示素子等の半導体装置を
製造するリソグラフイ工程で用いる投影露光装置の投影
光学系を検査する際に適用して好適なものである。
【0003】
【従来の技術】従来、半導体素子や液晶表示素子等を製
造するリソグラフイ工程では、投影露光装置でレチクル
やマスク上に描かれたパターンを、例えば1/5の縮小
投影レンズを介して投影し、この結果得られる投影像を
予めパターンが形成されたウエハに位置合わせして重ね
焼きすることにより、所望の半導体装置のリソグラフイ
を行うようになされている。
造するリソグラフイ工程では、投影露光装置でレチクル
やマスク上に描かれたパターンを、例えば1/5の縮小
投影レンズを介して投影し、この結果得られる投影像を
予めパターンが形成されたウエハに位置合わせして重ね
焼きすることにより、所望の半導体装置のリソグラフイ
を行うようになされている。
【0004】この際、投影レンズに収差が存在すると、
レチクルやマスク上のパターンの投影像がウエハ上に正
確に結像できなくなり、ウエハ上に歪みのあるパターン
が形成され、結局製造された半導体装置の特性が不十分
なものとなつたり、極端な場合には半導体装置そのもの
の動作が不能になる問題が生じる。
レチクルやマスク上のパターンの投影像がウエハ上に正
確に結像できなくなり、ウエハ上に歪みのあるパターン
が形成され、結局製造された半導体装置の特性が不十分
なものとなつたり、極端な場合には半導体装置そのもの
の動作が不能になる問題が生じる。
【0005】このような問題を解決するために、従来投
影レンズの非対称収差(投影レンズのコマ収差と投影レ
ンズの機械的な中心と光軸との偏心によるコマ収差とを
含む)に関する検査は、投影レンズを投影露光装置に配
置した状態で、レチクル上の光透過部に複数の遮光パタ
ーン(例えばラインアンドスペースパターン)を設け、
実際にウエハにこの遮光パターンを焼付け、そのレジス
ト像の非対称量を電子顕微鏡等を用いて検査するように
なされていた。
影レンズの非対称収差(投影レンズのコマ収差と投影レ
ンズの機械的な中心と光軸との偏心によるコマ収差とを
含む)に関する検査は、投影レンズを投影露光装置に配
置した状態で、レチクル上の光透過部に複数の遮光パタ
ーン(例えばラインアンドスペースパターン)を設け、
実際にウエハにこの遮光パターンを焼付け、そのレジス
ト像の非対称量を電子顕微鏡等を用いて検査するように
なされていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのように投
影レンズの非対称収差を検査する方法として、ウエハ上
に焼き付けられたレジスト像を電子顕微鏡を用いて検査
するような場合には、予め露光処理及び現像処理を行い
ウエハ上にレジスト像を作成する必要があり、結局投影
レンズの検査の準備に煩雑な工程が存在し、検査全体と
して長時間を必要とする問題があつた。
影レンズの非対称収差を検査する方法として、ウエハ上
に焼き付けられたレジスト像を電子顕微鏡を用いて検査
するような場合には、予め露光処理及び現像処理を行い
ウエハ上にレジスト像を作成する必要があり、結局投影
レンズの検査の準備に煩雑な工程が存在し、検査全体と
して長時間を必要とする問題があつた。
【0007】またレジスト像の検査には0.01〔μm〕程
度の分解能を有する計測装置が必要であり、それに見合
う能力を持つものは走査型電子顕微鏡(SEM)のみで
ある。しかしながら、SEMの分解能は電子光学系の光
軸合わせや内部のガス圧力すなわち真空度等によつて変
化し、作業者の個人差や装置の状態等により分解能に差
が生じるという問題があつた。
度の分解能を有する計測装置が必要であり、それに見合
う能力を持つものは走査型電子顕微鏡(SEM)のみで
ある。しかしながら、SEMの分解能は電子光学系の光
軸合わせや内部のガス圧力すなわち真空度等によつて変
化し、作業者の個人差や装置の状態等により分解能に差
が生じるという問題があつた。
【0008】さらにこのような検査方法では、ウエハ上
に形成したレジスト像の検査を行うため、レジスト(塗
布や現像)工程によつて誤差が生じた場合には、検査精
度が悪く特に検査再現性が低いという問題があつた。
に形成したレジスト像の検査を行うため、レジスト(塗
布や現像)工程によつて誤差が生じた場合には、検査精
度が悪く特に検査再現性が低いという問題があつた。
【0009】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、検査時間を短縮し得ると共に検査再現性を向上し得
る投影光学系の検査方法を提案しようとするものであ
る。
で、検査時間を短縮し得ると共に検査再現性を向上し得
る投影光学系の検査方法を提案しようとするものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第1の発明においては、所定のパターンを基板上に結
像投影するための投影光学系を検査する投影投影光学系
の検査方法において、光透過部に設けた単数又は複数の
遮光パターン16(PTN1、PTN10)の空間像1
6A、若しくは遮光部に設けた単数又は複数の光透過パ
ターン16(PTN2、PTN11)の空間像16Aを
検査対象の投影光学系17により形成し、遮光パターン
16の空間像16A又は光透過パターン16の空間像1
6Aを受光し、その遮光パターン16の空間像16A又
はその光透過パターン16の空間像16Aの両端の第1
及び第2の擬似ピークZP1、ZP2の強度をそれぞれ
計測し、その第1及び第2の擬似ピークZP1、ZP2
の強度差ΔIに基づいて投影光学系17の収差量を求め
るようにした。
め第1の発明においては、所定のパターンを基板上に結
像投影するための投影光学系を検査する投影投影光学系
の検査方法において、光透過部に設けた単数又は複数の
遮光パターン16(PTN1、PTN10)の空間像1
6A、若しくは遮光部に設けた単数又は複数の光透過パ
ターン16(PTN2、PTN11)の空間像16Aを
検査対象の投影光学系17により形成し、遮光パターン
16の空間像16A又は光透過パターン16の空間像1
6Aを受光し、その遮光パターン16の空間像16A又
はその光透過パターン16の空間像16Aの両端の第1
及び第2の擬似ピークZP1、ZP2の強度をそれぞれ
計測し、その第1及び第2の擬似ピークZP1、ZP2
の強度差ΔIに基づいて投影光学系17の収差量を求め
るようにした。
【0011】また第2発明においては、投影光学系17
はマスクのパターンの像を被露光基板上に投影露光する
投影露光装置10に設けられ、遮光パターン16、60
又は光透過パターンをマスク14又は被露光基板61を
載置するステージ18上に設け、透過照明を行うことに
より空間像16Aの計測を行うようにした。
はマスクのパターンの像を被露光基板上に投影露光する
投影露光装置10に設けられ、遮光パターン16、60
又は光透過パターンをマスク14又は被露光基板61を
載置するステージ18上に設け、透過照明を行うことに
より空間像16Aの計測を行うようにした。
【0012】さらに第3の発明においては、投影露光装
置10は、光源LPからの照明光をほぼ均一な強度分布
に成形すると共に、その均一な照明光をマスク14に照
射する照明光学系11を有し、空間像16Aの計測時に
照明光学系11の開口数をマスク14のパターンの通常
の投影露光時の開口数より小さくした。
置10は、光源LPからの照明光をほぼ均一な強度分布
に成形すると共に、その均一な照明光をマスク14に照
射する照明光学系11を有し、空間像16Aの計測時に
照明光学系11の開口数をマスク14のパターンの通常
の投影露光時の開口数より小さくした。
【0013】さらにまた第4の発明においては、遮光パ
ターン16又は光透過パターンと投影光学系17に関し
てほぼ共役な面上にスリツト19又はエツジ40を配置
し、スリツト19又はエツジ40の位置を計測しなが
ら、遮光パターン16又は光透過パターンとスリツト1
9又はエツジ40とを相対的に移動させ、そのスリツト
19を通過した又はエツジ40で散乱した遮光パターン
16の空間像16A又は光透過パターンの空間像の光量
を計測し、各相対位置での光量に基づいて、遮光パター
ン16の空間像16A又は光透過パターンの空間像の両
端の第1及び第2の擬似ピークZP1、ZP2の強度を
求めるようにした。
ターン16又は光透過パターンと投影光学系17に関し
てほぼ共役な面上にスリツト19又はエツジ40を配置
し、スリツト19又はエツジ40の位置を計測しなが
ら、遮光パターン16又は光透過パターンとスリツト1
9又はエツジ40とを相対的に移動させ、そのスリツト
19を通過した又はエツジ40で散乱した遮光パターン
16の空間像16A又は光透過パターンの空間像の光量
を計測し、各相対位置での光量に基づいて、遮光パター
ン16の空間像16A又は光透過パターンの空間像の両
端の第1及び第2の擬似ピークZP1、ZP2の強度を
求めるようにした。
【0014】また第5の発明においては、遮光パターン
16又は光透過パターンと投影光学系17に関してほぼ
共役な面に設けたスリツト19又はエツジ40の幅を、
遮光パターン16又は光透過パターンの共役面上での空
間像16Aのピツチより狭くした。
16又は光透過パターンと投影光学系17に関してほぼ
共役な面に設けたスリツト19又はエツジ40の幅を、
遮光パターン16又は光透過パターンの共役面上での空
間像16Aのピツチより狭くした。
【0015】さらに第6の発明においては、遮光パター
ン16又は光透過パターンと投影光学系に関してほぼ共
役な面に撮像部材35を設け、その撮像部材35の位置
出力に基づいて、撮像部材35の各セルが遮光パターン
16の空間像16A又は光透過パターン16の空間像1
6Aのどの位置に相当するかを求め、遮光パターン16
の空間像16A又は光透過パターンの空間像の両側の第
1及び第2の疑似ピークZP1、ZP2の強度を求める
ようにした。
ン16又は光透過パターンと投影光学系に関してほぼ共
役な面に撮像部材35を設け、その撮像部材35の位置
出力に基づいて、撮像部材35の各セルが遮光パターン
16の空間像16A又は光透過パターン16の空間像1
6Aのどの位置に相当するかを求め、遮光パターン16
の空間像16A又は光透過パターンの空間像の両側の第
1及び第2の疑似ピークZP1、ZP2の強度を求める
ようにした。
【0016】さらにまた第7の発明においては、投影光
学系17による遮光パターン16の空間像16A又は光
透過パターンの空間像を拡大光学系30により拡大し
て、第1及び第2の擬似ピークZP1、ZP2の強度を
計測するようにした。
学系17による遮光パターン16の空間像16A又は光
透過パターンの空間像を拡大光学系30により拡大し
て、第1及び第2の擬似ピークZP1、ZP2の強度を
計測するようにした。
【0017】
【作用】遮光パターン16の空間像16A又は光透過パ
ターンの空間像を、投影レンズ17に関してその遮光パ
ターン16又は光透過パターンとほぼ共役な面上に設け
たスリツト19又はエツジ40でスキヤン(相対走査)
する。若しくは撮像部材35によつて取り込み、遮光パ
ターン16の空間像16A又は光透過パターンの空間像
の両端の第1及び第2の擬似ピークZP1、ZP2の強
度差ΔIを計測するのみの簡易な手順で投影レンズ17
の非対称収差を検査することができ、かくして格段的に
短時間かつ高精度で投影レンズ17の非対称収差を検査
し得る。
ターンの空間像を、投影レンズ17に関してその遮光パ
ターン16又は光透過パターンとほぼ共役な面上に設け
たスリツト19又はエツジ40でスキヤン(相対走査)
する。若しくは撮像部材35によつて取り込み、遮光パ
ターン16の空間像16A又は光透過パターンの空間像
の両端の第1及び第2の擬似ピークZP1、ZP2の強
度差ΔIを計測するのみの簡易な手順で投影レンズ17
の非対称収差を検査することができ、かくして格段的に
短時間かつ高精度で投影レンズ17の非対称収差を検査
し得る。
【0018】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【0019】(1)投影光学系の検査原理 本発明においては、ウエハ上に焼き付けられたレジスト
像を観察する方法に代え、投影レンズを介して得られる
所望のレチクルパターンの空間像の強度分布を直接計測
するようになされている。 このレチクルパターンとし
ては、図1(A)又は図2(A)に示すように、投影レ
ンズの収差による影響を受け易く、かつ計測が容易な光
透過部中の暗線パターンPTN1又は遮光部中の明線パ
ターンPTN2を用いる。
像を観察する方法に代え、投影レンズを介して得られる
所望のレチクルパターンの空間像の強度分布を直接計測
するようになされている。 このレチクルパターンとし
ては、図1(A)又は図2(A)に示すように、投影レ
ンズの収差による影響を受け易く、かつ計測が容易な光
透過部中の暗線パターンPTN1又は遮光部中の明線パ
ターンPTN2を用いる。
【0020】実際上、投影レンズの非対称収差として例
えばコマ収差による像の非対称量はコマ収差が大きいほ
ど、さらに照明光学系のコヒーレンシ、いわゆるσ値
(照明光学系の開口数と投影光学系の開口数との比)が
高いほど大きいことが知られている。
えばコマ収差による像の非対称量はコマ収差が大きいほ
ど、さらに照明光学系のコヒーレンシ、いわゆるσ値
(照明光学系の開口数と投影光学系の開口数との比)が
高いほど大きいことが知られている。
【0021】例えば検査対象の投影レンズが、露光波長
365〔nm〕、NA(開口数)=0.45で照明光学系のコヒ
ーレンシσ=0.3 のとき、この投影レンズのコマ収差量
が図1の紙面内で右方向への横ズレ量として0〔μm 〕
及び 0.5〔μm 〕である場合、図1(A)に示すレチク
ルパターンを透過した 0.5〔μm 〕幅の5本暗線パター
ンの空間像を例えばフオトセンサ等で受光したとき左右
の擬似ピークZP1及びZP2の強度分布には、それぞ
れ図1(C)及び図1(D)に示すような差ΔI1 があ
る。なお図1(C)及び図1(D)は横ズレ量0〔μ
m〕及び 0.5〔μm 〕のときのレチクルパターンの空間
像の光強度分布を示している。
365〔nm〕、NA(開口数)=0.45で照明光学系のコヒ
ーレンシσ=0.3 のとき、この投影レンズのコマ収差量
が図1の紙面内で右方向への横ズレ量として0〔μm 〕
及び 0.5〔μm 〕である場合、図1(A)に示すレチク
ルパターンを透過した 0.5〔μm 〕幅の5本暗線パター
ンの空間像を例えばフオトセンサ等で受光したとき左右
の擬似ピークZP1及びZP2の強度分布には、それぞ
れ図1(C)及び図1(D)に示すような差ΔI1 があ
る。なお図1(C)及び図1(D)は横ズレ量0〔μ
m〕及び 0.5〔μm 〕のときのレチクルパターンの空間
像の光強度分布を示している。
【0022】ここで図1(A)はレチクルパターンとし
てガラス基板(石英)等のレチクル上の光透過部(基板
裸面部)に例えば 2.5〔μm 〕幅のクロム線でなる遮光
部(斜線部)を5本描いた暗線パターンPTN1の平面
図を示し、これが投影レンズを通じて1/5倍に縮小投
影され、投影レンズの結像面内で 0.5〔μm 〕幅の5本
暗線パターンの空間像となる。また図1(B)はこの暗
線パターンPTN1のレチクル上での理想的な光強度分
布を表す。
てガラス基板(石英)等のレチクル上の光透過部(基板
裸面部)に例えば 2.5〔μm 〕幅のクロム線でなる遮光
部(斜線部)を5本描いた暗線パターンPTN1の平面
図を示し、これが投影レンズを通じて1/5倍に縮小投
影され、投影レンズの結像面内で 0.5〔μm 〕幅の5本
暗線パターンの空間像となる。また図1(B)はこの暗
線パターンPTN1のレチクル上での理想的な光強度分
布を表す。
【0023】また図1(A)の5本暗線パターンPTN
1に対して、図2(A)に示すように同じ 0.5〔μm 〕
幅の5本明線パターンの空間像を例えばフオトセンサ等
で受光したとき左右の擬似ピークZP1、ZP2の強度
分布には、コマ収差量が0〔μm 〕及び 0.5〔μm 〕
で、それぞれ図2(C)及び図2(D)に示すような差
ΔI2 となる。
1に対して、図2(A)に示すように同じ 0.5〔μm 〕
幅の5本明線パターンの空間像を例えばフオトセンサ等
で受光したとき左右の擬似ピークZP1、ZP2の強度
分布には、コマ収差量が0〔μm 〕及び 0.5〔μm 〕
で、それぞれ図2(C)及び図2(D)に示すような差
ΔI2 となる。
【0024】なお図1と同様に図2(A)はレチクルパ
ターンとしてガラス基板上にクロム等で遮光部を形成
し、例えば 2.5〔μm 〕幅でクロムを剥離したガラス線
でなる光透過部を5本描いた明線パターンPTN2の平
面図を示し、これが投影レンズを通じて1/5倍に縮小
投影され 0.5〔μm 〕幅の5本明線パターンの空間像と
なる。また図2(B)はこの明線パターンPTN2のレ
チクル上での理想的な光強度分布を表す。
ターンとしてガラス基板上にクロム等で遮光部を形成
し、例えば 2.5〔μm 〕幅でクロムを剥離したガラス線
でなる光透過部を5本描いた明線パターンPTN2の平
面図を示し、これが投影レンズを通じて1/5倍に縮小
投影され 0.5〔μm 〕幅の5本明線パターンの空間像と
なる。また図2(B)はこの明線パターンPTN2のレ
チクル上での理想的な光強度分布を表す。
【0025】すなわち、図1(D)、図2(D)に示す
ように、同一コマ収差量でもパターンPTN1、PTN
2の空間像にうける影響は、暗線パターンPTN1の方
が左右の擬似ピークZP1、ZP2の高さの差ΔI1 と
して明らかなのに対し、明線パターンPTN2ではパタ
ーンの片側に小さな擬似ピークZP2が出現するだけ
で、暗線のほうが比較的明瞭なことがわかる。
ように、同一コマ収差量でもパターンPTN1、PTN
2の空間像にうける影響は、暗線パターンPTN1の方
が左右の擬似ピークZP1、ZP2の高さの差ΔI1 と
して明らかなのに対し、明線パターンPTN2ではパタ
ーンの片側に小さな擬似ピークZP2が出現するだけ
で、暗線のほうが比較的明瞭なことがわかる。
【0026】ここで図3には、5本暗線パターンPTN
1の両側にできる擬似ピークZP1、ZP2の強度差Δ
Iがコマ収差量に比例して大きくなることを示し、条件
は露光波長 365〔nm〕、NA=0.50である。まず図3
(A)は照明光学系のコヒーレンシσとコマ収差量Δy
〔μm 〕に対する左右の擬似ピークZP1、ZP2の高
さの差ΔIを示し、コヒーレンシσの値によつて比例係
数は異なるが、コマ収差量Δy〔μm 〕と左右の擬似ピ
ークZP1、ZP2の高さの差ΔIは比例し、Δy=c
×ΔIと表せ、比例係数cはコヒーレンシσの値が小さ
いほど大きいことがわかる。
1の両側にできる擬似ピークZP1、ZP2の強度差Δ
Iがコマ収差量に比例して大きくなることを示し、条件
は露光波長 365〔nm〕、NA=0.50である。まず図3
(A)は照明光学系のコヒーレンシσとコマ収差量Δy
〔μm 〕に対する左右の擬似ピークZP1、ZP2の高
さの差ΔIを示し、コヒーレンシσの値によつて比例係
数は異なるが、コマ収差量Δy〔μm 〕と左右の擬似ピ
ークZP1、ZP2の高さの差ΔIは比例し、Δy=c
×ΔIと表せ、比例係数cはコヒーレンシσの値が小さ
いほど大きいことがわかる。
【0027】従つて本発明においては、コヒーレンシσ
が小さい状態で、5本暗線パターンPTN1の左右の擬
似ピーク強度を計測し、各コマ収差量Δy〔μm 〕での
擬似ピークの高さの差を計算値と比較することにより、
短時間かつ高い再現性でコマ収差量を求めることができ
る。
が小さい状態で、5本暗線パターンPTN1の左右の擬
似ピーク強度を計測し、各コマ収差量Δy〔μm 〕での
擬似ピークの高さの差を計算値と比較することにより、
短時間かつ高い再現性でコマ収差量を求めることができ
る。
【0028】また上述の条件で、 0.4〔μm 〕幅の5本
暗線パターンを用い、コヒーレンシσ= 0.3のときに、
スリツト幅Wを0〜1〔μm 〕まで 0.2〔μm 〕ずつ変
化させると、5本暗線パターンPTN1の両側にできる
擬似ピークZP1、ZP2の強度差ΔIは、図3(B)
に示すように変化する。従つてスリツト幅Wが狭いほど
感度が高く、もとの5本暗線パターンPTN1のピツチ
と等しいとき、幅が0の感度の約1/3倍になることが
わかる。
暗線パターンを用い、コヒーレンシσ= 0.3のときに、
スリツト幅Wを0〜1〔μm 〕まで 0.2〔μm 〕ずつ変
化させると、5本暗線パターンPTN1の両側にできる
擬似ピークZP1、ZP2の強度差ΔIは、図3(B)
に示すように変化する。従つてスリツト幅Wが狭いほど
感度が高く、もとの5本暗線パターンPTN1のピツチ
と等しいとき、幅が0の感度の約1/3倍になることが
わかる。
【0029】(2)第1実施例 図4において、10は全体として本発明の第1実施例に
よる投影光学系の検査装置を示し、ここでは投影露光装
置を用いて投影レンズの検査を行うようになされてい
る。実際上、図4に示すように照明系11は、水銀ラン
プLP、だ円鏡EM、集光レンズGL、ミラーM1 、フ
ライアイレンズFL、可変開口絞り12、ミラーM2 及
びコンデンサーレンズCLから構成されており、ランプ
LPからの照明光(i線等)をほぼ均一な強度分布に形
成すると共に、この均一な照明光を微細パターンを有す
るマスク(レチクル)14に照射するようになされてい
る。
よる投影光学系の検査装置を示し、ここでは投影露光装
置を用いて投影レンズの検査を行うようになされてい
る。実際上、図4に示すように照明系11は、水銀ラン
プLP、だ円鏡EM、集光レンズGL、ミラーM1 、フ
ライアイレンズFL、可変開口絞り12、ミラーM2 及
びコンデンサーレンズCLから構成されており、ランプ
LPからの照明光(i線等)をほぼ均一な強度分布に形
成すると共に、この均一な照明光を微細パターンを有す
るマスク(レチクル)14に照射するようになされてい
る。
【0030】可変開口絞り12は照明系11中のマスク
パターンに対するフーリエ変換面(以下照明系の瞳面と
称す)、すなわちフライアイレンズFLの射出面(マス
ク側焦点面)近傍に配置されており、照明系11の開口
数を変化させることが可能となつている。
パターンに対するフーリエ変換面(以下照明系の瞳面と
称す)、すなわちフライアイレンズFLの射出面(マス
ク側焦点面)近傍に配置されており、照明系11の開口
数を変化させることが可能となつている。
【0031】さてこのマスク14を通過した照明光は投
影レンズ17に入射し、投影レンズ17はマスクパター
ンの像をモータ21A、21Bによつて2次元移動可能
なステージ18上に載置されたウエハ(図示せず)に結
像投影する。ステージ18の2次元的な位置は2組の干
渉計(測長ビームのみ図示)20A、20Bによつて常
時検出されており、ステージ18の端部には干渉計から
のレーザービームを反射する移動鏡MRA 、MRB が設
けられている。
影レンズ17に入射し、投影レンズ17はマスクパター
ンの像をモータ21A、21Bによつて2次元移動可能
なステージ18上に載置されたウエハ(図示せず)に結
像投影する。ステージ18の2次元的な位置は2組の干
渉計(測長ビームのみ図示)20A、20Bによつて常
時検出されており、ステージ18の端部には干渉計から
のレーザービームを反射する移動鏡MRA 、MRB が設
けられている。
【0032】また図4中にはウエハ又は基準部材PTの
表面を投影レンズ17の結像面とほぼ一致させるための
オートフオーカス系22A、22Bも設けられており、
このオートフオーカス系22A、22Bによつてマスク
パターンと基準部材PT(スリツト19)とを投影レン
ズ17に関してほば共役に配置し得るようになされてい
る。
表面を投影レンズ17の結像面とほぼ一致させるための
オートフオーカス系22A、22Bも設けられており、
このオートフオーカス系22A、22Bによつてマスク
パターンと基準部材PT(スリツト19)とを投影レン
ズ17に関してほば共役に配置し得るようになされてい
る。
【0033】そしてかかる構成の投影レンズ検査装置1
0では、照明系11中の開口絞り12が開口絞り駆動機
構13によつて可変に制御され、照明系11の開口数す
なわちコヒーレンシσの値を任意に設定し得るようにな
されている。このようにすることにより、一般的に用い
られている大きなコヒーレンシσの値(σ≒ 0.6程度)
のもとでの検査(又はマスクパターンの投影露光)と、
本発明による小さなコヒーレンシσのもとでの方が計測
感度が高くなる検査とを同じ光学系の構成で検査し得る
ようになされている。
0では、照明系11中の開口絞り12が開口絞り駆動機
構13によつて可変に制御され、照明系11の開口数す
なわちコヒーレンシσの値を任意に設定し得るようにな
されている。このようにすることにより、一般的に用い
られている大きなコヒーレンシσの値(σ≒ 0.6程度)
のもとでの検査(又はマスクパターンの投影露光)と、
本発明による小さなコヒーレンシσのもとでの方が計測
感度が高くなる検査とを同じ光学系の構成で検査し得る
ようになされている。
【0034】図4に示すように、ステージ18上にはス
リツト19が形成された基準部材PTと、基準部材PT
の下部に設けられスリツト19を介して、マスク14に
形成された検査用パターン16の投影像を光電検出する
受光器23とが設けられている。
リツト19が形成された基準部材PTと、基準部材PT
の下部に設けられスリツト19を介して、マスク14に
形成された検査用パターン16の投影像を光電検出する
受光器23とが設けられている。
【0035】なおステージ18上にウエハを保持するホ
ルダを設け、このホルダの近傍に基準部材PTと受光器
23とを配置しても良く、投影露光装置に後述の検査機
能を持たせることができ、実際に製造ラインで稼働中の
露光装置の投影レンズを検査したら、その場で直ちに所
定の補正機能によつて非対称収差(コマ収差)をより小
さい値に追い込むことが可能となる。
ルダを設け、このホルダの近傍に基準部材PTと受光器
23とを配置しても良く、投影露光装置に後述の検査機
能を持たせることができ、実際に製造ラインで稼働中の
露光装置の投影レンズを検査したら、その場で直ちに所
定の補正機能によつて非対称収差(コマ収差)をより小
さい値に追い込むことが可能となる。
【0036】補正機構としては、例えば投影レンズを構
成する少なくとも1つのレンズエレメントを移動する方
式、または2つのレンズエレメントに挟まれた空間を密
封し、この密封空間の圧力を制御する方式等がある。
成する少なくとも1つのレンズエレメントを移動する方
式、または2つのレンズエレメントに挟まれた空間を密
封し、この密封空間の圧力を制御する方式等がある。
【0037】この投影レンズ検査装置10では、マスク
アライメント顕微鏡15A、15B、15Cによつて、
マスク14の位置決めが行われ、このマスク14に設け
た5本暗線パターン16(図1(A)に示したラインア
ンドスペースパターンPTN1)の空間像16Aは検査
対象の投影レンズ17により、ステージ18上にあるパ
ターン16の投影面上に設けられたスリツト19上に結
ぶ。
アライメント顕微鏡15A、15B、15Cによつて、
マスク14の位置決めが行われ、このマスク14に設け
た5本暗線パターン16(図1(A)に示したラインア
ンドスペースパターンPTN1)の空間像16Aは検査
対象の投影レンズ17により、ステージ18上にあるパ
ターン16の投影面上に設けられたスリツト19上に結
ぶ。
【0038】ここでこの実施例においてスリツト19は
1本のスリツトパターンで構成され、スリツト19(基
準部材PT)を投影レンズ17の結像面内に配置した
後、パターン16の投影像(空間像16A)とスリツト
19とを空間像16Aのピツチ方向に相対走査すること
によつて、空間像16Aの光強度分布が求められること
になる。なお受光器23が例えば1次元ラインセンサ等
であれば、上記測定においてスリツト19を用いる必要
はない。
1本のスリツトパターンで構成され、スリツト19(基
準部材PT)を投影レンズ17の結像面内に配置した
後、パターン16の投影像(空間像16A)とスリツト
19とを空間像16Aのピツチ方向に相対走査すること
によつて、空間像16Aの光強度分布が求められること
になる。なお受光器23が例えば1次元ラインセンサ等
であれば、上記測定においてスリツト19を用いる必要
はない。
【0039】このスリツト19は空間像16Aの暗線方
向(ピツチ方向)と平行に設けられ、スリツト19の
X、Y方向の位置が干渉計20A、20B及びステージ
駆動系21A、21Bによつて制御され、さらスリツト
19のZ方向(光軸方向)の位置がオートフオーカス系
22A、22Bによつて制御される。
向(ピツチ方向)と平行に設けられ、スリツト19の
X、Y方向の位置が干渉計20A、20B及びステージ
駆動系21A、21Bによつて制御され、さらスリツト
19のZ方向(光軸方向)の位置がオートフオーカス系
22A、22Bによつて制御される。
【0040】ここで図5に示すようにステージコントロ
ーラ101は主制御装置100からの所定の指令値に従
い、干渉計20A、20Bからの位置信号及びオートフ
オーカス系22A、22Bからの高さ情報に基づいて、
駆動系21A、21Bに駆動指令を与え、パターン16
の投影像(空間像16A)とスリツト19とを所定の位
置関係に設定する。
ーラ101は主制御装置100からの所定の指令値に従
い、干渉計20A、20Bからの位置信号及びオートフ
オーカス系22A、22Bからの高さ情報に基づいて、
駆動系21A、21Bに駆動指令を与え、パターン16
の投影像(空間像16A)とスリツト19とを所定の位
置関係に設定する。
【0041】スリツト19の背後にはフオトセンサ等の
受光器23が設けられ、その出力信号は増幅回路(図示
せず)により増幅されて主制御装置100に入力され
る。主制御装置100には干渉計20A、20Bからの
位置信号も入力され、ここで干渉計20A、20Bによ
つて計測されたスリツト19の位置に対する光の強度が
検出されてメモリに記録される。実際上この投影レンズ
検査装置10においてマスク14、投影レンズ17、ス
リツト19及び受光器23は、図6に示すような光学的
配置で構成されている。
受光器23が設けられ、その出力信号は増幅回路(図示
せず)により増幅されて主制御装置100に入力され
る。主制御装置100には干渉計20A、20Bからの
位置信号も入力され、ここで干渉計20A、20Bによ
つて計測されたスリツト19の位置に対する光の強度が
検出されてメモリに記録される。実際上この投影レンズ
検査装置10においてマスク14、投影レンズ17、ス
リツト19及び受光器23は、図6に示すような光学的
配置で構成されている。
【0042】主制御装置100は受光器23からの出力
信号等に基づいて、空間像の両端での疑似ピークの強度
値を求める信号処理回路を含み、この強度値に基づいて
非対称収差量を算出する演算器及びメモリ等で構成され
ており、駆動機構13によつて可変開口絞り12を駆動
して照明系11のコヒーレンシーσを設定するほか装置
全体を統括制御する。
信号等に基づいて、空間像の両端での疑似ピークの強度
値を求める信号処理回路を含み、この強度値に基づいて
非対称収差量を算出する演算器及びメモリ等で構成され
ており、駆動機構13によつて可変開口絞り12を駆動
して照明系11のコヒーレンシーσを設定するほか装置
全体を統括制御する。
【0043】従つて、上記構成によりスリツト19と空
間像16Aとを相対移動させながらその光強度を計測す
ることにより、空間像強度分布を計測することができ、
これにより、パターン16(図1(A))中の光透過部
(ガラス部)での光強度と左右(両端)の擬似ピーク強
度を求め、この結果ガラス部での光強度を1としたとき
の左右擬似ピークでの相対強度差ΔIを求め、さらに予
め求めてある各コマ収差量における左右擬似ピーク強度
差の関係式(又はテーブルの形で記憶しておいても良
い)と照合することにより、投影レンズ17のイメージ
フイールド内での位置及びパターン(ピツチ)方向のコ
マ収差量を求めることができる。
間像16Aとを相対移動させながらその光強度を計測す
ることにより、空間像強度分布を計測することができ、
これにより、パターン16(図1(A))中の光透過部
(ガラス部)での光強度と左右(両端)の擬似ピーク強
度を求め、この結果ガラス部での光強度を1としたとき
の左右擬似ピークでの相対強度差ΔIを求め、さらに予
め求めてある各コマ収差量における左右擬似ピーク強度
差の関係式(又はテーブルの形で記憶しておいても良
い)と照合することにより、投影レンズ17のイメージ
フイールド内での位置及びパターン(ピツチ)方向のコ
マ収差量を求めることができる。
【0044】なお上記のような検査は投影レンズ17の
イメージフイールド(投影視野)内の複数箇所で行い、
コマ収差量のマツプを作成しておくことが望ましい。こ
れはマスク14に複数のパターン16を形成しておくだ
けで良く、このとき複数のパターン16の各々に対応し
て基準部材PT上に複数のスリツトパターンを形成する
と共に、各スリツトパターンを透過した光を独立に受光
可能に構成しておけば、1回の相対走査で計測を行うこ
とができる。
イメージフイールド(投影視野)内の複数箇所で行い、
コマ収差量のマツプを作成しておくことが望ましい。こ
れはマスク14に複数のパターン16を形成しておくだ
けで良く、このとき複数のパターン16の各々に対応し
て基準部材PT上に複数のスリツトパターンを形成する
と共に、各スリツトパターンを透過した光を独立に受光
可能に構成しておけば、1回の相対走査で計測を行うこ
とができる。
【0045】因に、実験においては、上述の投影レンズ
検査装置10で使用波長 365〔nm〕、NA=0.50、縮小
倍率1/5の投影レンズ17のコマ収差を検査する際
に、マスク14上に形成した5本暗線パターン16とし
て長さ 200〔μm 〕、ピツチ4〔μm 〕、幅2〔μm 〕
の5本のクロム線を使用し、スリツト19として長さ40
〔μm 〕、幅 0.4〔μm 〕のものを使用し、照明系11
としてコヒーレンシーσが 0.3となるように調整した。
検査装置10で使用波長 365〔nm〕、NA=0.50、縮小
倍率1/5の投影レンズ17のコマ収差を検査する際
に、マスク14上に形成した5本暗線パターン16とし
て長さ 200〔μm 〕、ピツチ4〔μm 〕、幅2〔μm 〕
の5本のクロム線を使用し、スリツト19として長さ40
〔μm 〕、幅 0.4〔μm 〕のものを使用し、照明系11
としてコヒーレンシーσが 0.3となるように調整した。
【0046】このような条件下では、Δyに対するΔI
の比例係数cが計算によつて、c=0.568と近似するこ
とができ、従つてΔIを求めることによりコマ収差量Δ
yを検出し得るようになされている。
の比例係数cが計算によつて、c=0.568と近似するこ
とができ、従つてΔIを求めることによりコマ収差量Δ
yを検出し得るようになされている。
【0047】以上の構成によれば、ステージ18上に設
けられたスリツト19をスキヤンして、検査対象の投影
レンズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パ
ターン16の空間像16Aを取り込むのみの簡易な手順
で、投影レンズ17のコマ収差を検査し得ることによ
り、電子顕微鏡を用いてレジスト像を観察する従来の検
査方法に比べて露光処理や現像処理の必要がなく、その
分格段的に短時間で投影レンズ17の非対称収差等を検
査し得る投影レンズの検査方法を実現できる。
けられたスリツト19をスキヤンして、検査対象の投影
レンズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パ
ターン16の空間像16Aを取り込むのみの簡易な手順
で、投影レンズ17のコマ収差を検査し得ることによ
り、電子顕微鏡を用いてレジスト像を観察する従来の検
査方法に比べて露光処理や現像処理の必要がなく、その
分格段的に短時間で投影レンズ17の非対称収差等を検
査し得る投影レンズの検査方法を実現できる。
【0048】さらに上述の構成によれば、レジスト像を
観察する従来の検査方法と比較して、レジスト像を用い
ないことにより、露光処理や現像処理等のレジストプロ
セスでの誤差の混入を未然に防止し得、かくして格段的
に高い精度で投影レンズ17を検査し得る投影レンズの
検査方法を実現できる。
観察する従来の検査方法と比較して、レジスト像を用い
ないことにより、露光処理や現像処理等のレジストプロ
セスでの誤差の混入を未然に防止し得、かくして格段的
に高い精度で投影レンズ17を検査し得る投影レンズの
検査方法を実現できる。
【0049】なお上述の構成ではマスク14のパターン
16の空間像16Aをスリツト19を介して受光器23
で検出するように構成したが、例えば図1(A)、図2
(B)に示したパターンPTN1、PTN2を基準部材
PTに形成すると共に、当該パターンを下部から露光波
長の照明光で照射(透過照明)するように構成し、かつ
その空間像(投影像)をマスク14に形成されたスリツ
トを介して受光するように構成しても、同様に高精度な
投影レンズ17の検査が可能である。
16の空間像16Aをスリツト19を介して受光器23
で検出するように構成したが、例えば図1(A)、図2
(B)に示したパターンPTN1、PTN2を基準部材
PTに形成すると共に、当該パターンを下部から露光波
長の照明光で照射(透過照明)するように構成し、かつ
その空間像(投影像)をマスク14に形成されたスリツ
トを介して受光するように構成しても、同様に高精度な
投影レンズ17の検査が可能である。
【0050】またX、Y方向に各々配列された2組のパ
ターン16を極接近させてマスク14又は基準部材PT
上に形成し、X、Y方向の非対称収差量(コマ収差量)
を計測するようにしても良い。さらに検査用パターン1
6(又はスリツト19)を形成すべきマスク14はテス
ト用であつてもデバイス用であつても構わない。また図
4中では投影光学系として屈折光学系を示したが、その
他に、例えば反射光学系あるいは屈折光学系と反射光学
系を組み合わせた光学系等を備えた投影露光装置に対し
ても本発明を適用して同様の効果を得ることができる。
ターン16を極接近させてマスク14又は基準部材PT
上に形成し、X、Y方向の非対称収差量(コマ収差量)
を計測するようにしても良い。さらに検査用パターン1
6(又はスリツト19)を形成すべきマスク14はテス
ト用であつてもデバイス用であつても構わない。また図
4中では投影光学系として屈折光学系を示したが、その
他に、例えば反射光学系あるいは屈折光学系と反射光学
系を組み合わせた光学系等を備えた投影露光装置に対し
ても本発明を適用して同様の効果を得ることができる。
【0051】(3)第2実施例 図6との対応部分に同一符号を付して示す図7は、本発
明の第2実施例による投影レンズ検査装置の光学系の構
成を示し、まず図7(A)においては検査対象の投影レ
ンズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パタ
ーン16の空間像16Aを拡大レンズ30によつて拡大
し、その拡大像16B上をスリツト19が移動するよう
になされている。なおスリツト19は投影レンズ17及
び拡大レンズ30に関してマスク14とほぼ共役に設定
されている。
明の第2実施例による投影レンズ検査装置の光学系の構
成を示し、まず図7(A)においては検査対象の投影レ
ンズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パタ
ーン16の空間像16Aを拡大レンズ30によつて拡大
し、その拡大像16B上をスリツト19が移動するよう
になされている。なおスリツト19は投影レンズ17及
び拡大レンズ30に関してマスク14とほぼ共役に設定
されている。
【0052】この拡大レンズ30の拡大倍率を10倍とす
れば、空間像16B上でスリツト19の幅が1〔μm 〕
のときに、空間像16A上の 0.1〔μm〕幅のスリツト
と等価となる。従つて第1実施例について上述した投影
レンズ17の計測条件では、このときにc= 0.768と近
似でき、ΔIを求めることによりコマ収差量Δyを求め
ることができる。実際上、第2実施例の比例係数c(=
0.768)の方が第1実施例の比例係数c(=0.568)よ
りも大きく、その分実効的なスリツトの幅を小さくで
き、これにより計測精度を一段と向上し得る。
れば、空間像16B上でスリツト19の幅が1〔μm 〕
のときに、空間像16A上の 0.1〔μm〕幅のスリツト
と等価となる。従つて第1実施例について上述した投影
レンズ17の計測条件では、このときにc= 0.768と近
似でき、ΔIを求めることによりコマ収差量Δyを求め
ることができる。実際上、第2実施例の比例係数c(=
0.768)の方が第1実施例の比例係数c(=0.568)よ
りも大きく、その分実効的なスリツトの幅を小さくで
き、これにより計測精度を一段と向上し得る。
【0053】ここでこの第2実施例の場合、拡大レンズ
30にはその光軸を軸として1/2回転するように制御
し得る回転機構31が設けられており、これにより拡大
レンズ30が本来の向きと反対側の向きとで2回計測
し、その平均を求めれば拡大レンズ30による収差の投
影レンズ17の非対称収差(コマ収差)に対する影響を
未然に防止し得る。
30にはその光軸を軸として1/2回転するように制御
し得る回転機構31が設けられており、これにより拡大
レンズ30が本来の向きと反対側の向きとで2回計測
し、その平均を求めれば拡大レンズ30による収差の投
影レンズ17の非対称収差(コマ収差)に対する影響を
未然に防止し得る。
【0054】なお光学系は図7(A)との対応部分に同
一符号を付した図7(B)に示すように、光路の途中に
反射鏡32を介挿して光軸を折り曲げるようにしても良
く、このようにすれば、光学系の全長を短縮し得る。
一符号を付した図7(B)に示すように、光路の途中に
反射鏡32を介挿して光軸を折り曲げるようにしても良
く、このようにすれば、光学系の全長を短縮し得る。
【0055】以上の構成によれば、検査対象の投影レン
ズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パター
ン16の空間像16Aを拡大レンズ30で拡大し、この
結果得られる拡大空間像16Bをステージ18上に設け
たスリツト19をスキヤンして取り込むようにしたこと
により、さらに一段と短時間かつ高い精度で投影レンズ
17を検査し得る投影レンズの検査方法を実現できる。
ズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パター
ン16の空間像16Aを拡大レンズ30で拡大し、この
結果得られる拡大空間像16Bをステージ18上に設け
たスリツト19をスキヤンして取り込むようにしたこと
により、さらに一段と短時間かつ高い精度で投影レンズ
17を検査し得る投影レンズの検査方法を実現できる。
【0056】(4)第3実施例 図7との対応部分に同一符号を付して示す図8は、本発
明の第3実施例による投影レンズ検査装置の光学系の構
成を示し、スリツト19及び受光器23に代えて、イメ
ージセンサ35を用いて画像処理をするようになされて
いる。
明の第3実施例による投影レンズ検査装置の光学系の構
成を示し、スリツト19及び受光器23に代えて、イメ
ージセンサ35を用いて画像処理をするようになされて
いる。
【0057】なお図示していないが、イメージセンサ3
5を用いる場合にも、第2実施例に上述したように拡大
レンズ回転機構31や、ミラー32を用いて光軸を折り
曲げても良く、さらにイメージセンサ35の解像度によ
つては、第1実施例と同様に像拡大を行わなくても良
い。
5を用いる場合にも、第2実施例に上述したように拡大
レンズ回転機構31や、ミラー32を用いて光軸を折り
曲げても良く、さらにイメージセンサ35の解像度によ
つては、第1実施例と同様に像拡大を行わなくても良
い。
【0058】以上の構成によれば、検査対象の投影レン
ズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パター
ン16の空間像16A又は当該空間像16Aを拡大レン
ズ30で拡大して得られる拡大空間像16Bを、ステー
ジ18上に設けたイメージセンサ35を用いて取り込む
ようにしたことにより、拡大空間像16Bとイメージセ
ンサ35との相対走査が不要となり、さらに一段と短時
間かつ高い精度で投影レンズ17を検査し得る投影レン
ズの検査方法を実現できる。
ズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パター
ン16の空間像16A又は当該空間像16Aを拡大レン
ズ30で拡大して得られる拡大空間像16Bを、ステー
ジ18上に設けたイメージセンサ35を用いて取り込む
ようにしたことにより、拡大空間像16Bとイメージセ
ンサ35との相対走査が不要となり、さらに一段と短時
間かつ高い精度で投影レンズ17を検査し得る投影レン
ズの検査方法を実現できる。
【0059】(5)第4実施例 図6との対応部分に同一符号を付して示す図9は、本発
明の第4実施例による投影レンズ検査装置の光学系の構
成を示し、ここではスリツト19による透過光の計測に
代え、基準部材PT上に凸部又は凹部あるいはクロム等
の遮光部により所定方向に伸びたエツジを有するパター
ンを形成しておき、空間像16Aと当該エツジ40を相
対走査(スキヤン)し、当該エツジ40で散乱して得ら
れる散乱光LSを受光器41A、41Bで受光し、それ
からの散乱光量を計測することにより、投影レンズ17
のコマ収差を検査するようになされている。
明の第4実施例による投影レンズ検査装置の光学系の構
成を示し、ここではスリツト19による透過光の計測に
代え、基準部材PT上に凸部又は凹部あるいはクロム等
の遮光部により所定方向に伸びたエツジを有するパター
ンを形成しておき、空間像16Aと当該エツジ40を相
対走査(スキヤン)し、当該エツジ40で散乱して得ら
れる散乱光LSを受光器41A、41Bで受光し、それ
からの散乱光量を計測することにより、投影レンズ17
のコマ収差を検査するようになされている。
【0060】以上の構成によれば、検査対象の投影レン
ズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パター
ン16の空間像16Aを、ステージ18上に設けたエツ
ジ40でスキヤンして取り込むようにしたことにより、
短時間かつ高い精度で投影レンズ17を検査し得る投影
レンズの検査方法を実現できる。
ズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パター
ン16の空間像16Aを、ステージ18上に設けたエツ
ジ40でスキヤンして取り込むようにしたことにより、
短時間かつ高い精度で投影レンズ17を検査し得る投影
レンズの検査方法を実現できる。
【0061】(6)第5実施例 図6との対応部分に同一符号を付して示す図10は、本
発明の第5実施例による投影レンズ検査装置の光学系の
構成を示し、ステージ18上には光の反射率が低い低反
射部50(例えば基準部材PTに反射防止コートを施し
たもの)と、その一部にマスク14の5本暗線パターン
16の空間像16Aに平行に配置され光の反射率が高い
高反射部51が形成されている。
発明の第5実施例による投影レンズ検査装置の光学系の
構成を示し、ステージ18上には光の反射率が低い低反
射部50(例えば基準部材PTに反射防止コートを施し
たもの)と、その一部にマスク14の5本暗線パターン
16の空間像16Aに平行に配置され光の反射率が高い
高反射部51が形成されている。
【0062】本実施例ではマスク14のパターン16の
像をステージ18(高反射部51)上に形成し、この高
反射部51によつて反射された反射光LHの一部が、投
影レンズ17を通じてビームスプリツタ52で折り曲げ
られ、集光レンズ53を通じて受光器54に導かれ、こ
の反射光量を計測するようになされている。なおこの場
合光は投影レンズを2回通るので、収差の光学像に対す
る影響の及ぼし方が上述の第1〜第4実施例とは異な
る。
像をステージ18(高反射部51)上に形成し、この高
反射部51によつて反射された反射光LHの一部が、投
影レンズ17を通じてビームスプリツタ52で折り曲げ
られ、集光レンズ53を通じて受光器54に導かれ、こ
の反射光量を計測するようになされている。なおこの場
合光は投影レンズを2回通るので、収差の光学像に対す
る影響の及ぼし方が上述の第1〜第4実施例とは異な
る。
【0063】以上の構成によれば、検査対象の投影レン
ズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パター
ン16の空間像16Aを、ステージ18上に形成した低
反射部50中の高反射部51でスキヤンして反射し、当
該反射光の光量を再度投影レンズ17を通じて取り込む
ようにしたことにより、短時間かつ高い精度で投影レン
ズ17を検査し得る投影レンズの検査方法を実現でき
る。
ズ17を通じて得られるマスク14上の5本暗線パター
ン16の空間像16Aを、ステージ18上に形成した低
反射部50中の高反射部51でスキヤンして反射し、当
該反射光の光量を再度投影レンズ17を通じて取り込む
ようにしたことにより、短時間かつ高い精度で投影レン
ズ17を検査し得る投影レンズの検査方法を実現でき
る。
【0064】(7)第6実施例 図6との対応部分に同一符号を付して示す図11は、本
発明の第6実施例による投影レンズ検査装置の光学系の
構成を示し、5本暗線パターン60を被露光基板側のス
テージ(又は基準部材)61上に設け、その下方により
パターン60を透過照明し、その空間像60Aをマスク
14上に設けたスリツト62上に投影するようにして5
本暗線パターン60を移動させることにより、その投影
レンズ17による空間像60Aをマスク14に設けたス
リツト62上をスキヤンさせて、そのスリツト62を通
過した光量を受光器63により計測するようになされて
いる。
発明の第6実施例による投影レンズ検査装置の光学系の
構成を示し、5本暗線パターン60を被露光基板側のス
テージ(又は基準部材)61上に設け、その下方により
パターン60を透過照明し、その空間像60Aをマスク
14上に設けたスリツト62上に投影するようにして5
本暗線パターン60を移動させることにより、その投影
レンズ17による空間像60Aをマスク14に設けたス
リツト62上をスキヤンさせて、そのスリツト62を通
過した光量を受光器63により計測するようになされて
いる。
【0065】以上の構成によれば、被露光基板側のステ
ージ61上に設けた5本暗線パターン60の空間像60
Aを、マスク14上に設けたスリツト62上に投影し、
当該投影レンズ17による空間像60Aをマスク14に
設けたスリツト62上をスキヤンさせて取り込むように
したことにより、短時間かつ高い精度で投影レンズ17
を検査し得る投影レンズの検査方法を実現できる。
ージ61上に設けた5本暗線パターン60の空間像60
Aを、マスク14上に設けたスリツト62上に投影し、
当該投影レンズ17による空間像60Aをマスク14に
設けたスリツト62上をスキヤンさせて取り込むように
したことにより、短時間かつ高い精度で投影レンズ17
を検査し得る投影レンズの検査方法を実現できる。
【0066】(8)第7実施例 図11との対応部分に同一符号を付して示す図12は、
本発明の第7実施例による投影レンズ検査装置の光学系
の構成を示し、図11のマスク14、スリツト62及び
受光器63に代えて、イメージセンサ70を用いるよう
になされ、その投影レンズ17による空間像60Aをイ
メージセンサ70で計測するようになされている。
本発明の第7実施例による投影レンズ検査装置の光学系
の構成を示し、図11のマスク14、スリツト62及び
受光器63に代えて、イメージセンサ70を用いるよう
になされ、その投影レンズ17による空間像60Aをイ
メージセンサ70で計測するようになされている。
【0067】以上の構成によれば、被露光基板側のステ
ージ61上に設けた5本暗線パターン60の空間像60
Aを、投影レンズ17を通じてイメージセンサ70に投
影し、当該投影レンズ17による空間像60Aをイメー
ジセンサ70で取り込むようにしたことにより、短時間
かつ高い精度で投影レンズ17を検査し得る投影レンズ
の検査方法を実現できる。
ージ61上に設けた5本暗線パターン60の空間像60
Aを、投影レンズ17を通じてイメージセンサ70に投
影し、当該投影レンズ17による空間像60Aをイメー
ジセンサ70で取り込むようにしたことにより、短時間
かつ高い精度で投影レンズ17を検査し得る投影レンズ
の検査方法を実現できる。
【0068】(9)他の実施例 (9−1)上述の実施例においては、マスク上又はステ
ージ上に形成した計測用のパターンとして5本暗線パタ
ーンを用いたが、これに代え、図2について上述したよ
うに5本明線パターンを用いるようにしても良く、さら
に例えば4×4〔μm 〕の光透過部中に遮光部があるパ
ターンPTN10(図13(A))やそれを明暗反転し
たパターンPTN11(図14(A))を用いるように
しても良い。
ージ上に形成した計測用のパターンとして5本暗線パタ
ーンを用いたが、これに代え、図2について上述したよ
うに5本明線パターンを用いるようにしても良く、さら
に例えば4×4〔μm 〕の光透過部中に遮光部があるパ
ターンPTN10(図13(A))やそれを明暗反転し
たパターンPTN11(図14(A))を用いるように
しても良い。
【0069】因に、このようなパターンPTN10(又
はPTN11)を使用波長 365〔nm〕、NA=0.45、コ
ヒーレンシσ= 0.3の投影レンズで露光したときの空間
像のマーク中心での断面図は、図13(B)及び(C)
(又は図14(B)及び(C))に示すようになる。
はPTN11)を使用波長 365〔nm〕、NA=0.45、コ
ヒーレンシσ= 0.3の投影レンズで露光したときの空間
像のマーク中心での断面図は、図13(B)及び(C)
(又は図14(B)及び(C))に示すようになる。
【0070】このうち図13(B)(又は図14
(B))はコマ収差がない場合であり、図13(C)
(又は図14(C))はコマ収差量が 0.3〔μm 〕の場
合であり、いずれのパターンでもコマ収差により空間像
の左右疑似ピーク強度ZP10、ZP20に非対称収差
が生じることがわかる。このようにパターンの幅や本数
は問わず種々のパターンを利用できる。ただし上述した
ようにパターン幅が微細なほど計測感度は高くなる。
(B))はコマ収差がない場合であり、図13(C)
(又は図14(C))はコマ収差量が 0.3〔μm 〕の場
合であり、いずれのパターンでもコマ収差により空間像
の左右疑似ピーク強度ZP10、ZP20に非対称収差
が生じることがわかる。このようにパターンの幅や本数
は問わず種々のパターンを利用できる。ただし上述した
ようにパターン幅が微細なほど計測感度は高くなる。
【0071】(9−2)上述の実施例においては、ステ
ージ上にスリツト19やエツジ40等を1本設けた場合
について述べたが、スリツトの本数は1本に限らず例え
ば図15に示すように、短手方向に複数本並べ、その本
数分だけその位置に応じて5本暗線パターン16C、1
6Dを設けるようにしても良い。
ージ上にスリツト19やエツジ40等を1本設けた場合
について述べたが、スリツトの本数は1本に限らず例え
ば図15に示すように、短手方向に複数本並べ、その本
数分だけその位置に応じて5本暗線パターン16C、1
6Dを設けるようにしても良い。
【0072】(9−3)上述の実施例においてはマスク
やステージ上に例えば5本暗線パターンを1つ設けた場
合について述べたが、これに限らず、マスクやステージ
上の異なる位置にそれぞれ様々な方向の5本暗線パター
ンを配置し、スリツトやエツジ等をそれぞれと平行なも
のを設けるようにしても良く、このようにすればマスク
やステージ上の各位置における各方向のコマ収差量を求
めることができる。
やステージ上に例えば5本暗線パターンを1つ設けた場
合について述べたが、これに限らず、マスクやステージ
上の異なる位置にそれぞれ様々な方向の5本暗線パター
ンを配置し、スリツトやエツジ等をそれぞれと平行なも
のを設けるようにしても良く、このようにすればマスク
やステージ上の各位置における各方向のコマ収差量を求
めることができる。
【0073】(9−4)上述の実施例においては、主に
投影レンズのコマ収差を検査する場合について述べた
が、これに加えて投影レンズの偏芯等も検査することも
でき、かくしてコマ収差に偏芯を加えた投影レンズの非
対称収差を検査するようにしても良い。
投影レンズのコマ収差を検査する場合について述べた
が、これに加えて投影レンズの偏芯等も検査することも
でき、かくしてコマ収差に偏芯を加えた投影レンズの非
対称収差を検査するようにしても良い。
【0074】(9−5)上述の第6及び第7実施例にお
いては、投影レンズを通過して得られる空間像をスリツ
トやイメージセンサを通じて取り込んだ場合について述
べたが、拡大レンズを介挿して空間像を拡大するように
しても良く、さらに第2実施例と同様にその拡大レンズ
を光軸を中心に回転できるようにしても良い。
いては、投影レンズを通過して得られる空間像をスリツ
トやイメージセンサを通じて取り込んだ場合について述
べたが、拡大レンズを介挿して空間像を拡大するように
しても良く、さらに第2実施例と同様にその拡大レンズ
を光軸を中心に回転できるようにしても良い。
【0075】(9−6)上述の実施例においては、計測
できる投影光学系を上述のように限定した場合について
述べたが、これに限らず、比例係数cは使用波長、N
A、コヒーレンシσの値、計測パターン等によつて異な
るがそれぞれ求めることができ、これにより種々の投影
光学系(反射光学系、反射屈折光学系等)を用いても上
述の実施例と同様の効果を実現できる。
できる投影光学系を上述のように限定した場合について
述べたが、これに限らず、比例係数cは使用波長、N
A、コヒーレンシσの値、計測パターン等によつて異な
るがそれぞれ求めることができ、これにより種々の投影
光学系(反射光学系、反射屈折光学系等)を用いても上
述の実施例と同様の効果を実現できる。
【0076】(9−7)上述の実施例においては、当然
ながら露光装置以外の装置に適用される投影光学系につ
いても、上述と同様にその非対称収差(コマ収差)を求
めることができる。さらに上述の各実施例では露光装置
内の構成をそのまま使つて検査装置として共用させてい
たが、検査専用の装置を用いても構わない。また検査用
パターン16を形成する基板はマスクやレチクルである
必要はなく、単なるガラス板であつても構わない。さら
に空間像とスリツト又はエツジとの相対走査において空
間像を移動するようにしても良い。
ながら露光装置以外の装置に適用される投影光学系につ
いても、上述と同様にその非対称収差(コマ収差)を求
めることができる。さらに上述の各実施例では露光装置
内の構成をそのまま使つて検査装置として共用させてい
たが、検査専用の装置を用いても構わない。また検査用
パターン16を形成する基板はマスクやレチクルである
必要はなく、単なるガラス板であつても構わない。さら
に空間像とスリツト又はエツジとの相対走査において空
間像を移動するようにしても良い。
【0077】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、露光処理
及び現像処理したレジスト像を電子顕微鏡等を用いて検
査する従来の方法に比べて、ステージ上に設けたスリツ
トのスキヤン又はイメージセンサによる空間像の取り込
みを行うだけの簡易な手順で投影光学系の非対称収差を
検査することができ、かくして格段的に短時間かつ高精
度で投影光学系の非対称収差を検査し得る投影光学系の
検査方法を実現できる。
及び現像処理したレジスト像を電子顕微鏡等を用いて検
査する従来の方法に比べて、ステージ上に設けたスリツ
トのスキヤン又はイメージセンサによる空間像の取り込
みを行うだけの簡易な手順で投影光学系の非対称収差を
検査することができ、かくして格段的に短時間かつ高精
度で投影光学系の非対称収差を検査し得る投影光学系の
検査方法を実現できる。
【図1】本発明の原理として投影レンズにより形成され
る空間像の強度分布の説明に供する略線図である。
る空間像の強度分布の説明に供する略線図である。
【図2】図1と同様に本発明の原理として投影レンズに
より形成される空間像の強度分布の説明に供する略線図
である。
より形成される空間像の強度分布の説明に供する略線図
である。
【図3】本発明の原理としてコマ収差量と形成される空
間像の左右の擬似ピーク高さの差との関係を示す特性図
である。
間像の左右の擬似ピーク高さの差との関係を示す特性図
である。
【図4】本発明の第1実施例による投影レンズ検査装置
の全体構成を示す略線的斜視図である。
の全体構成を示す略線的斜視図である。
【図5】その投影レンズ検査装置の制御系の説明に供す
るブロツク図である。
るブロツク図である。
【図6】その投影レンズ検査装置の光学系の配置の説明
に供する略線図である。
に供する略線図である。
【図7】本発明の第2実施例による投影レンズ検査装置
の光学系の配置の説明に供する略線図である。
の光学系の配置の説明に供する略線図である。
【図8】本発明の第3実施例による投影レンズ検査装置
の光学系の配置の説明に供する略線図である。
の光学系の配置の説明に供する略線図である。
【図9】本発明の第4実施例による投影レンズ検査装置
の光学系の配置の説明に供する略線図である。
の光学系の配置の説明に供する略線図である。
【図10】本発明の第5実施例による投影レンズ検査装
置の光学系の配置の説明に供する略線図である。
置の光学系の配置の説明に供する略線図である。
【図11】本発明の第6実施例による投影レンズ検査装
置の光学系の配置の説明に供する略線図である。
置の光学系の配置の説明に供する略線図である。
【図12】本発明の第7実施例による投影レンズ検査装
置の光学系の配置の説明に供する略線図である。
置の光学系の配置の説明に供する略線図である。
【図13】他の実施例による計測用パターンの説明に供
する略線図である。
する略線図である。
【図14】他の実施例による計測用パターンの説明に供
する略線図である。
する略線図である。
【図15】他の実施例としてスリツトを2本用いた構成
の説明に供する略線図である。
の説明に供する略線図である。
10……投影レンズ検査装置、11……照明系、12…
…照明系開口絞り、13……開口絞り駆動機構、14…
…マスク、15A〜15C……マスクアライメント顕微
鏡、16……5本暗線パターン、16A、B、C、D…
…5本暗線パターン空間像、17……投影レンズ、18
……ステージ、19、19A、19B……スリツト、2
0A、20B……干渉計ビーム、21A、21B……ス
テージ駆動系、22A、22B……オートフオーカス
系、23、41A、41B、54……受光器、30……
拡大レンズ、31……拡大レンズ回転機構、35、70
……イメージセンサ、40……エツジパターン、51…
…高反射部、52……ビームスプリツタ。
…照明系開口絞り、13……開口絞り駆動機構、14…
…マスク、15A〜15C……マスクアライメント顕微
鏡、16……5本暗線パターン、16A、B、C、D…
…5本暗線パターン空間像、17……投影レンズ、18
……ステージ、19、19A、19B……スリツト、2
0A、20B……干渉計ビーム、21A、21B……ス
テージ駆動系、22A、22B……オートフオーカス
系、23、41A、41B、54……受光器、30……
拡大レンズ、31……拡大レンズ回転機構、35、70
……イメージセンサ、40……エツジパターン、51…
…高反射部、52……ビームスプリツタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−1838(JP,A) 特開 平3−134527(JP,A) 特開 昭59−224537(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01M 11/00 - 11/02 G03F 7/20 - 7/24 G03F 9/00 - 9/02 実用ファイル(PATOLIS) 特許ファイル(PATOLIS)
Claims (7)
- 【請求項1】所定のパターンを基板上に結像投影するた
めの投影光学系を検査する投影投影光学系の検査方法に
おいて、 光透過部に設けた単数又は複数の遮光パターンの空間
像、若しくは遮光部に設けた単数又は複数の光透過パタ
ーンの空間像を検査対象の上記投影光学系により形成
し、 上記遮光パターンの空間像又は上記光透過パターンの空
間像を受光し、当該遮光パターンの空間像又は当該光透
過パターンの空間像の両端の第1及び第2の擬似ピーク
の強度をそれぞれ計測し、 当該第1及び第2の擬似ピークの強度差に基づいて上記
投影光学系の収差量を求めるようにしたことを特徴とす
る投影光学系の検査方法。 - 【請求項2】上記投影光学系はマスクのパターンの像を
被露光基板上に投影露光する投影露光装置に設けられ、
上記遮光パターン又は上記光透過パターンを上記マスク
又は上記被露光基板を載置するステージ上に設け、透過
照明を行うことにより上記空間像の計測を行うようにし
たことを特徴とする請求項1に記載の投影光学系の検査
方法。 - 【請求項3】上記投影露光装置は、光源からの照明光を
ほぼ均一な強度分布に成形すると共に、該均一な照明光
を上記マスクに照射する照明光学系を有し、上記空間像
の計測時に上記照明光学系の開口数を上記マスクのパタ
ーンの通常の投影露光時の開口数より小さくしたことを
特徴とする請求項2に記載の投影光学系の検査方法。 - 【請求項4】上記遮光パターン又は上記光透過パターン
と上記投影光学系に関してほぼ共役な面上にスリツト又
はエツジを配置し、上記スリツト又は上記エツジの位置
を計測しながら、上記遮光パターン又は上記光透過パタ
ーンと上記スリツト又は上記エツジとを相対的に移動さ
せ、 当該スリツトを通過した又は上記エツジで散乱した上記
遮光パターンの空間像又は上記光透過パターンの空間像
の光量を計測し、 各相対位置での上記光量に基づいて、上記遮光パターン
の空間像又は上記光透過パターンの空間像の両端の上記
第1及び第2の擬似ピークの強度を求めるようにしたこ
とを特徴とする請求項1に記載の投影光学系の検査方
法。 - 【請求項5】上記遮光パターン又は上記光透過パターン
と上記投影光学系に関してほぼ共役な面に設けた上記ス
リツト又は上記エツジの幅を、上記遮光パターン又は上
記光透過パターンの上記共役面上での空間像のピツチよ
り狭くしたことを特徴とする請求項4に記載の投影光学
系の検査方法。 - 【請求項6】上記遮光パターン又は上記光透過パターン
と上記投影光学系に関してほぼ共役な面に撮像部材を設
け、 当該撮像部材の位置出力に基づいて、上記撮像部材の各
セルが上記遮光パターンの空間像又は上記光透過パター
ンの空間像のどの位置に相当するかを求め、 上記遮光パターンの空間像又は上記光透過パターンの空
間像の両側の上記第1及び第2の疑似ピークの強度を求
めるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の投影
光学系の検査方法。 - 【請求項7】上記投影光学系による上記遮光パターンの
空間像又は上記光透過パターンの空間像を拡大光学系に
より拡大して、上記第1及び第2の擬似ピークの強度を
計測するようにしたことを特徴とする請求項3及び請求
項6に記載の投影光学系の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03306764A JP3117095B2 (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 投影光学系の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03306764A JP3117095B2 (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 投影光学系の検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05118957A JPH05118957A (ja) | 1993-05-14 |
JP3117095B2 true JP3117095B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=17961010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03306764A Expired - Fee Related JP3117095B2 (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 投影光学系の検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3117095B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3513842B2 (ja) * | 1994-12-15 | 2004-03-31 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5754299A (en) * | 1995-01-13 | 1998-05-19 | Nikon Corporation | Inspection apparatus and method for optical system, exposure apparatus provided with the inspection apparatus, and alignment apparatus and optical system thereof applicable to the exposure apparatus |
TW357262B (en) | 1996-12-19 | 1999-05-01 | Nikon Corp | Method for the measurement of aberration of optical projection system, a mask and a exposure device for optical project system |
JP3728840B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2005-12-21 | 株式会社ニコン | 投影光学系の収差測定方法及び収差測定用のマスク |
JPH11271213A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-05 | Toshiba Corp | マスク検査装置、露光装置及び照明方法 |
JP4497569B2 (ja) * | 1998-12-17 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 投影光学系のコマ収差の評価方法 |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP03306764A patent/JP3117095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05118957A (ja) | 1993-05-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |