JP3339051B2 - 投影光学系の球面収差測定方法 - Google Patents
投影光学系の球面収差測定方法Info
- Publication number
- JP3339051B2 JP3339051B2 JP11098299A JP11098299A JP3339051B2 JP 3339051 B2 JP3339051 B2 JP 3339051B2 JP 11098299 A JP11098299 A JP 11098299A JP 11098299 A JP11098299 A JP 11098299A JP 3339051 B2 JP3339051 B2 JP 3339051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spherical aberration
- mask
- optical system
- projection optical
- best focus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
- G01M11/0257—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested
- G01M11/0264—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested by using targets or reference patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造用投影
露光装置において、異なる寸法のレベンソン型マスクパ
ターンを用いて、投影光学系の球面収差を精度よく測定
する方法に関する。
露光装置において、異なる寸法のレベンソン型マスクパ
ターンを用いて、投影光学系の球面収差を精度よく測定
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、投影光学系の球面収差を制御する
方法は、たとえば、特許公報第２７１２５２９号公報
（「投影露光装置及びそれを用いた露光方法」）に開示
されている。この公報には、投影光学系の縦の球面収差
を最適に補正する方法が開示されている。具体的には、
投影光学系の１０割の開口に相当縦球面収差Δ１０を
２．５×λ／ＮＡ2より小さくするとともに、７割の開
口に相当する球面収差をΔ７０とする時にΔ１０をマイ
ナス０．５×Δ７０デルタより大きくし、１．５×Δ７
０より小さくしている。投影光学系によって形成される
光学像は感光体である厚みを持つレジスト内部での多重
反射の結果生ずるレジスト像として観察されるため、無
収差光学系による光学像が必ずしも最良のレジスト像を
形成するとは限らない。そこで、この発明は、投影光学
系の縦球面収差を所定の範囲に補正することによって、
解像度をさほど低下させることなしに実質的な焦点深度
を深くしている。
方法は、たとえば、特許公報第２７１２５２９号公報
（「投影露光装置及びそれを用いた露光方法」）に開示
されている。この公報には、投影光学系の縦の球面収差
を最適に補正する方法が開示されている。具体的には、
投影光学系の１０割の開口に相当縦球面収差Δ１０を
２．５×λ／ＮＡ2より小さくするとともに、７割の開
口に相当する球面収差をΔ７０とする時にΔ１０をマイ
ナス０．５×Δ７０デルタより大きくし、１．５×Δ７
０より小さくしている。投影光学系によって形成される
光学像は感光体である厚みを持つレジスト内部での多重
反射の結果生ずるレジスト像として観察されるため、無
収差光学系による光学像が必ずしも最良のレジスト像を
形成するとは限らない。そこで、この発明は、投影光学
系の縦球面収差を所定の範囲に補正することによって、
解像度をさほど低下させることなしに実質的な焦点深度
を深くしている。
【０００３】又、特開平１０−１４８９２６（「ハーフ
トーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマ
スクを用いた収差測定方法」）には、ハーフトーン位相
シフトマスクによるパターンを縮小投影することによっ
て、投影光学系の光軸上での合焦点位置と光軸以外の点
での合焦点位置を、感光板平面に一致させる方法が開示
されている。具体的には、上記ハーフトーン位相シフト
マスクにおいては、透明部と半透明部を持ち、透明部の
厚さを光軸からの像高に応じて異ならせる。すなわち、
所定のシフト量を持つハーフトーン位相シフトマスクを
まず用意して、このマスクを用いて、感光板を露光現像
する。そして、現像結果から、像高と合焦点位置との関
係を測定して球面収差を決定し、合焦点位置を感光板平
面に一致させるような位相シフト量すなわち透明部の厚
さを見積もる。この発明では、球面収差をパラメータと
して、位相シフト量と合焦点位置をグラフ化して、最適
なハーフトーン位相シフトマスクを作成している。
トーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマ
スクを用いた収差測定方法」）には、ハーフトーン位相
シフトマスクによるパターンを縮小投影することによっ
て、投影光学系の光軸上での合焦点位置と光軸以外の点
での合焦点位置を、感光板平面に一致させる方法が開示
されている。具体的には、上記ハーフトーン位相シフト
マスクにおいては、透明部と半透明部を持ち、透明部の
厚さを光軸からの像高に応じて異ならせる。すなわち、
所定のシフト量を持つハーフトーン位相シフトマスクを
まず用意して、このマスクを用いて、感光板を露光現像
する。そして、現像結果から、像高と合焦点位置との関
係を測定して球面収差を決定し、合焦点位置を感光板平
面に一致させるような位相シフト量すなわち透明部の厚
さを見積もる。この発明では、球面収差をパラメータと
して、位相シフト量と合焦点位置をグラフ化して、最適
なハーフトーン位相シフトマスクを作成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示す
ように、ＬＳＩ等のマスクにおいては、一つのマスク内
にライン（Ｌ）幅やスペース（Ｓ）幅が異なるパター
ン、すなわち図４（ａ）の大寸法Ｌ＆Ｓと、図４（ｂ）
の小寸法Ｌ＆Ｓ等が混在する。
ように、ＬＳＩ等のマスクにおいては、一つのマスク内
にライン（Ｌ）幅やスペース（Ｓ）幅が異なるパター
ン、すなわち図４（ａ）の大寸法Ｌ＆Ｓと、図４（ｂ）
の小寸法Ｌ＆Ｓ等が混在する。
【０００５】図５は、大寸法Ｌ＆Ｓ及び小寸法Ｌ＆Ｓの
ベストフォーカス位置を模式的に示したグラフである。
このようなベストフォーカス差は投影光学系の球面収差
によるものであり、ベストフォーカス差を指標に用いて
投影レンズの球面収差の追い込みを行う必要がある。
ベストフォーカス位置を模式的に示したグラフである。
このようなベストフォーカス差は投影光学系の球面収差
によるものであり、ベストフォーカス差を指標に用いて
投影レンズの球面収差の追い込みを行う必要がある。
【０００６】たとえば、ＫｒＦエキシマレーザーを光源
とする投影装置では、波長に近い寸法（たとえば〜０．
２４μｍＬ＆Ｓ）とそれよりかなり太い寸法（たとえば
０．４０μｍＬ＆Ｓ）とのベストフォーカス差をもとに
その差が小さくなるように調整している。
とする投影装置では、波長に近い寸法（たとえば〜０．
２４μｍＬ＆Ｓ）とそれよりかなり太い寸法（たとえば
０．４０μｍＬ＆Ｓ）とのベストフォーカス差をもとに
その差が小さくなるように調整している。
【０００７】しかし、ベストフォーカスの測定誤差は大
きい。すなわち、Ｌ＆Ｓパターンのベストフォーカスを
知るためには分離・非分離、寸法の他にパターン膜減り
も考慮しなければならず、その判定が難しい。これに起
因するベストフォーカス位置の誤差は０．１μｍ近くに
達する。
きい。すなわち、Ｌ＆Ｓパターンのベストフォーカスを
知るためには分離・非分離、寸法の他にパターン膜減り
も考慮しなければならず、その判定が難しい。これに起
因するベストフォーカス位置の誤差は０．１μｍ近くに
達する。
【０００８】更に、球面収差量に対応するベストフォー
カス差は十分大きいとはいえない。すなわち、調整途上
の露光装置において現実的に考えられる球面収差量は
０．１λ（λは波長）程度であり、これに対応するベス
トフォーカス差は、通常マスクを用いた場合には０．１
５μｍ程度である。
カス差は十分大きいとはいえない。すなわち、調整途上
の露光装置において現実的に考えられる球面収差量は
０．１λ（λは波長）程度であり、これに対応するベス
トフォーカス差は、通常マスクを用いた場合には０．１
５μｍ程度である。
【０００９】図６は、瞳面と回折光の位置関係を示すが
概念図である。元来、球面収差は、回折光の瞳面中心か
らの距離に依存して光路差が存在するために生じる。１
次回折光は瞳面中心からの距離が異なるため、１次回折
光により形成されるパターンの結像性能は球面収差に関
する情報を与える。しかし従来の方法では、両者に共通
する０次回折光、および大寸法Ｌ＆Ｓでの２次以上の高
次回折光も存在し、それらの影響が１次回折光の情報を
打ち消してしまう。そのためベストフォーカス差の値が
小さくなると考えられる。
概念図である。元来、球面収差は、回折光の瞳面中心か
らの距離に依存して光路差が存在するために生じる。１
次回折光は瞳面中心からの距離が異なるため、１次回折
光により形成されるパターンの結像性能は球面収差に関
する情報を与える。しかし従来の方法では、両者に共通
する０次回折光、および大寸法Ｌ＆Ｓでの２次以上の高
次回折光も存在し、それらの影響が１次回折光の情報を
打ち消してしまう。そのためベストフォーカス差の値が
小さくなると考えられる。
【００１０】そこで、本発明は、大寸法Ｌ＆Ｓ及び小寸
法Ｌ＆Ｓのベストフォーカス位置の差を高精度で測定す
る投影光学系の球面収差測定方法を提供することを課題
としている。
法Ｌ＆Ｓのベストフォーカス位置の差を高精度で測定す
る投影光学系の球面収差測定方法を提供することを課題
としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明は、波長λの照明光でマスクパターンを縮小
投影させる投影光学系の球面収差測定方法であって、前
記λの周期を持つラインアンドスペースの第１マスクパ
ターン、及び前記λの半分の周期を持つラインアンドス
ペースの第２マスクパターンとを縮小投影する投影工程
と、感光板に、前記第１及び第２マスクパターンをそれ
ぞれ露光して現像する現像工程と、前記第１及び第２マ
スクパターンのそれぞれのライン幅を、最小値に結像さ
せる前記感光板の位置をそれぞれ第１及び第２ベストフ
ォーカス位置として求める測定工程とを含み、前記マス
クパターンは、前記照明光を透過させる部分及び遮蔽す
る部分とを持ち、前記ライン部を透過した後の照明光の
位相を、前記マスクパターンのスペース部を透過した後
の照明光の位相と１８０度異ならせ、前記第１及び第２
ベストフォーカス位置に基づいて球面収差を測定する。
めの本発明は、波長λの照明光でマスクパターンを縮小
投影させる投影光学系の球面収差測定方法であって、前
記λの周期を持つラインアンドスペースの第１マスクパ
ターン、及び前記λの半分の周期を持つラインアンドス
ペースの第２マスクパターンとを縮小投影する投影工程
と、感光板に、前記第１及び第２マスクパターンをそれ
ぞれ露光して現像する現像工程と、前記第１及び第２マ
スクパターンのそれぞれのライン幅を、最小値に結像さ
せる前記感光板の位置をそれぞれ第１及び第２ベストフ
ォーカス位置として求める測定工程とを含み、前記マス
クパターンは、前記照明光を透過させる部分及び遮蔽す
る部分とを持ち、前記ライン部を透過した後の照明光の
位相を、前記マスクパターンのスペース部を透過した後
の照明光の位相と１８０度異ならせ、前記第１及び第２
ベストフォーカス位置に基づいて球面収差を測定する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１３】図１に示すように異なる寸法のＬ＆Ｓパタ
ーンを考える。一方の寸法は露光波長程度、他方の寸法
は露光波長の１／２程度とする。また両者とも、光を遮
蔽する不透過部分１０を有するとともに、光を透過させ
る透過部２０、３０の位相を交互に反転させたレベンソ
ン構造を持つとする。
ーンを考える。一方の寸法は露光波長程度、他方の寸法
は露光波長の１／２程度とする。また両者とも、光を遮
蔽する不透過部分１０を有するとともに、光を透過させ
る透過部２０、３０の位相を交互に反転させたレベンソ
ン構造を持つとする。
【００１４】図２は、ベストフォーカス差とマスクの種
類との関係の一例を示すグラフである。図２に示す例に
おいて、光源はＫｒＦエキシマレーザーの２４８ｎｍの
光であり、投影光学系のＮＡは０．６である。又、レベ
ンソンマスク型マスクのパターン寸法は０．２０μｍ及
び０．１２μｍ周期のＬ＆Ｓである。又、透過部と不透
過部を持つ通常のマスクのパターン寸法は０．４０μｍ
及び０．２４μｍ周期のＬ＆Ｓである。
類との関係の一例を示すグラフである。図２に示す例に
おいて、光源はＫｒＦエキシマレーザーの２４８ｎｍの
光であり、投影光学系のＮＡは０．６である。又、レベ
ンソンマスク型マスクのパターン寸法は０．２０μｍ及
び０．１２μｍ周期のＬ＆Ｓである。又、透過部と不透
過部を持つ通常のマスクのパターン寸法は０．４０μｍ
及び０．２４μｍ周期のＬ＆Ｓである。
【００１５】Ｌ＆Ｓパターンの寸法とベストフォーカス
差を求めるためには、ほぼ波長λの周期を持つラインア
ンドスペースの第１マスクパターンと、λのほぼ半分の
周期を持つラインアンドスペースの第２マスクパターン
とを縮小投影し、レジストを塗布した感光板を配置し、
マスクパターンを露光して現像する。そして、現像結果
から第１パターンと第２パターンのそれぞれのベストフ
ォーカス位置を求める。
差を求めるためには、ほぼ波長λの周期を持つラインア
ンドスペースの第１マスクパターンと、λのほぼ半分の
周期を持つラインアンドスペースの第２マスクパターン
とを縮小投影し、レジストを塗布した感光板を配置し、
マスクパターンを露光して現像する。そして、現像結果
から第１パターンと第２パターンのそれぞれのベストフ
ォーカス位置を求める。
【００１６】ここで、ベストフォーカス位置は、たとえ
ば、投影光学系の光軸上において、第１及び第２マスク
パターンのそれぞれをのライン幅を、最小に結像させる
感光板の位置として求めてもよい。
ば、投影光学系の光軸上において、第１及び第２マスク
パターンのそれぞれをのライン幅を、最小に結像させる
感光板の位置として求めてもよい。
【００１７】図２に示すように、第１パターンと第２パ
ターンのそれぞれのベストフォーカス位置の差であるベ
ストフォーカス差は、レベンソン型マスクによるものの
方が、通常のマスクによるものより、２倍乃至３倍大き
くなる。このベストフォーカス差は、球面収差によるも
のであり、ベストフォーカス差を、レジスト像から求め
ることによって、投影光学系の球面収差を測定する精度
が改善されている。
ターンのそれぞれのベストフォーカス位置の差であるベ
ストフォーカス差は、レベンソン型マスクによるものの
方が、通常のマスクによるものより、２倍乃至３倍大き
くなる。このベストフォーカス差は、球面収差によるも
のであり、ベストフォーカス差を、レジスト像から求め
ることによって、投影光学系の球面収差を測定する精度
が改善されている。
【００１８】図３は、投影レンズの瞳５０における回折
光４０の概念図である。Ｌ＆Ｓの寸法を従来法の１／２
にした場合、１次の回折光は、従来法での１次光と同じ
位置を通過する。また従来法で０次光及び２次以上の高
次光の位置には、本手法では回折光は通過しない。した
がって本手法では、２種類のパターンの回折の違いは瞳
面中心からの距離が異なるだけであり、球面収差の影響
がより大きく反映される。
光４０の概念図である。Ｌ＆Ｓの寸法を従来法の１／２
にした場合、１次の回折光は、従来法での１次光と同じ
位置を通過する。また従来法で０次光及び２次以上の高
次光の位置には、本手法では回折光は通過しない。した
がって本手法では、２種類のパターンの回折の違いは瞳
面中心からの距離が異なるだけであり、球面収差の影響
がより大きく反映される。
【００１９】以上、２種類の異なる寸法のＬ＆Ｓパター
ンのベストフォーカス差の測定についてについて説明し
たが、本発明はこれに限らず、３種類以上の異なる寸法
のＬ＆Ｓパターンについても適用することができる。
ンのベストフォーカス差の測定についてについて説明し
たが、本発明はこれに限らず、３種類以上の異なる寸法
のＬ＆Ｓパターンについても適用することができる。
【００２０】又、これらのパターンの方向を変化させる
ことにより、瞳面全面について球面収差を求めることが
できる。
ことにより、瞳面全面について球面収差を求めることが
できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、大寸法Ｌ
＆Ｓ及び小寸法Ｌ＆Ｓのベストフォーカス位置の差を高
精度で測定で来るので、投影光学系の球面収差を正確に
測定することができる。
＆Ｓ及び小寸法Ｌ＆Ｓのベストフォーカス位置の差を高
精度で測定で来るので、投影光学系の球面収差を正確に
測定することができる。
【図１】本発明に用いるレベンソン型マスクの一例の概
念図
念図
【図２】異なる寸法のパターン同士のベストフォーカス
差と球面収差との関係のグラフ
差と球面収差との関係のグラフ
【図３】本発明の原理を説明する図
【図４】従来のマスクパターンの一例を示す概念図
【図５】レジストパターン寸法とベストフォーカス位置
との関係を示すグラフ
との関係を示すグラフ
【図６】マスクパターンからの回折光と投影光学系の瞳
との関係を示す概念図
との関係を示す概念図
１０ 不透過部 ２０ １８０度位相シフト透過部 ３０ 透過部 ４０ 回折光 ５０ 瞳
Claims (1)
- 【請求項１】 波長λの照明光でマスクパターンを縮小
投影させる投影光学系の球面収差測定方法であって、 前記λの周期を持つラインアンドスペースの第１マスク
パターン、及び前記λの半分の周期を持つラインアンド
スペースの第２マスクパターンとをそれぞれ縮小投影す
る投影工程と、 感光板に、前記第１及び第２マスクパターンをそれぞれ
露光して現像する現像工程と、 前記第１及び第２マスクパターンのそれぞれのライン幅
を最小値に結像させる前記感光板の位置をそれぞれ第１
及び第２ベストフォーカス位置として求める測定工程と
を含み、 前記マスクパターンは、前記照明光を透過させる部分及
び遮蔽する部分とを持ち、 前記ライン部を透過した後の照明光の位相を、前記マス
クパターンのスペース部を透過した後の照明光の位相と
１８０度異ならせ、 前記第１及び第２ベストフォーカス位置に基づいて球面
収差を測定することを特徴とする投影光学系の球面収差
測定方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11098299A JP3339051B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 投影光学系の球面収差測定方法 |
| US09/552,306 US6310684B1 (en) | 1999-04-19 | 2000-04-19 | Method of measuring spherical aberration in projection system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11098299A JP3339051B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 投影光学系の球面収差測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306800A JP2000306800A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3339051B2 true JP3339051B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=14549413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11098299A Expired - Fee Related JP3339051B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 投影光学系の球面収差測定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6310684B1 (ja) |
| JP (1) | JP3339051B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002156738A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Nec Corp | パターン形成方法 |
| US20050048412A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-03 | Pary Baluswamy | Methods for reducing spherical aberration effects in photolithography |
| JP5518124B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | 収差計測方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| CN110806297B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-10-01 | 北京工业大学 | 一种用于测量结构在地震作用下层间位移的便携式测试系统 |
| CN113204167B (zh) * | 2021-04-21 | 2023-12-05 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 球差测试掩膜版及光刻机台的球差检测方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424552A (en) * | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
| JPH10148926A (ja) | 1996-11-18 | 1998-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクを用いた収差測定方法 |
| JP3728840B2 (ja) | 1996-12-19 | 2005-12-21 | 株式会社ニコン | 投影光学系の収差測定方法及び収差測定用のマスク |
| JPH10232185A (ja) | 1996-12-19 | 1998-09-02 | Nikon Corp | 投影光学系の収差測定方法 |
| JP3080024B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2000-08-21 | 日本電気株式会社 | 露光方法および球面収差量の測定方法 |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11098299A patent/JP3339051B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-19 US US09/552,306 patent/US6310684B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6310684B1 (en) | 2001-10-30 |
| JP2000306800A (ja) | 2000-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0969327B1 (en) | Multiple exposure apparatus and method | |
| KR100306415B1 (ko) | 투영노광장치용으로사용된포토마스크 | |
| JP3368265B2 (ja) | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP2001297976A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH11143085A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP3123548B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH11307449A (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| US6632574B1 (en) | Mask having pattern areas whose transmission factors are different from each other | |
| JP3339051B2 (ja) | 投影光学系の球面収差測定方法 | |
| JP2000021720A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPH07297110A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3296296B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| KR100361665B1 (ko) | 투영 시스템의 구면수차 측정방법 | |
| JP3984710B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP4194200B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH06120116A (ja) | ベストフォーカス計測方法 | |
| JP2003318090A (ja) | 投影光学系の敏感度計測方法、及びそれを有する投影露光装置 | |
| JP2000021761A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2004348050A (ja) | フォトマスク、検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2876616B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH06124870A (ja) | 投影露光装置及び露光方法 | |
| JPH06289590A (ja) | フォトマスク及び露光方法 | |
| JP4182277B2 (ja) | マスク、有効光路の測定方法、及び露光装置 | |
| JP3337983B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH10281934A (ja) | 投影光学系の結像特性計測方法、及び該方法を使用する投影露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070816 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130816 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |