JPS63151948A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS63151948A JPS63151948A JP61299229A JP29922986A JPS63151948A JP S63151948 A JPS63151948 A JP S63151948A JP 61299229 A JP61299229 A JP 61299229A JP 29922986 A JP29922986 A JP 29922986A JP S63151948 A JPS63151948 A JP S63151948A
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- JP
- Japan
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- mask
- pattern
- forming area
- area
- exposure
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は露光用マスクに関し、特に半導体装置製造の写
真蝕刻工程における露光装置に用いる露光用マスクに関
する。
真蝕刻工程における露光装置に用いる露光用マスクに関
する。
従来、半導体装置の製造工程において、露光装置が原因
となる重ね合せずれ、特に露光用マスクの回転方向ずれ
やレンズの歪によるずれの検出方法は、チェック用パタ
ーンの設けられたテストマスクを用いて補正値を検出し
、半導体素子製造用マスクで露光を行う場合に、このテ
ストマスクで検出した補正値を入力し補正を行い、重ね
合せ精度を向上させていた。
となる重ね合せずれ、特に露光用マスクの回転方向ずれ
やレンズの歪によるずれの検出方法は、チェック用パタ
ーンの設けられたテストマスクを用いて補正値を検出し
、半導体素子製造用マスクで露光を行う場合に、このテ
ストマスクで検出した補正値を入力し補正を行い、重ね
合せ精度を向上させていた。
上述した従来の露光装置が原因となる重ね合せずれ、す
なわちマスクの回転方向ずれやレンズの歪によるずれの
テストマスクによる補正値の検出は、テストマスクと半
導体素子製造用マスクの製造誤差や露光装置に露光用マ
スクをセットする時の誤差が存在する為、テストマスク
で検出したずれの補正値を使用しても完全には補正でき
ないという欠点がある。
なわちマスクの回転方向ずれやレンズの歪によるずれの
テストマスクによる補正値の検出は、テストマスクと半
導体素子製造用マスクの製造誤差や露光装置に露光用マ
スクをセットする時の誤差が存在する為、テストマスク
で検出したずれの補正値を使用しても完全には補正でき
ないという欠点がある。
本発明の目的は、テストマスクを用いることなく露光装
置による重ね合せずれを直接検出することのできる露光
用マスクを提供することにある。
置による重ね合せずれを直接検出することのできる露光
用マスクを提供することにある。
本発明の露光用マスクは、半導体素子のパターン形成領
域と、このパターン形成領域の周囲に設けられたスクラ
イブ線形成領域とを有する露光用マスクであって、前記
スクライブ線形成領域には、露光装置による重ね合せず
れを検出するためのチェック用パターンが設けられてい
るものである。
域と、このパターン形成領域の周囲に設けられたスクラ
イブ線形成領域とを有する露光用マスクであって、前記
スクライブ線形成領域には、露光装置による重ね合せず
れを検出するためのチェック用パターンが設けられてい
るものである。
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図である。
第１図において、露光用マクク１にはしゃへい用クロム
層領域２と、その内側にスクライブ線形性領域４が素子
パターン形成領域５を囲んで設けられている。そして特
に、このスクライブ線形成領域４内には、露光装置によ
る重ね合せずれを検出するためのチェック用パターン３
ａ〜３ｄが設けられている。
層領域２と、その内側にスクライブ線形性領域４が素子
パターン形成領域５を囲んで設けられている。そして特
に、このスクライブ線形成領域４内には、露光装置によ
る重ね合せずれを検出するためのチェック用パターン３
ａ〜３ｄが設けられている。
このように構成された第１の実施例の露光用マ、スフを
用いて、ステップアンドリピート法により露光を行うと
、半導体基板上には第３図に示す様に、半導体素子パタ
ーンが形成された素子形成領域５Ａがスクライブ線４Ａ
に囲まれて連続して形成される。そして、第３図のＡ部
のスクライブ線４Ａ内のチェック用パターンは、第４図
（ａ）。
用いて、ステップアンドリピート法により露光を行うと
、半導体基板上には第３図に示す様に、半導体素子パタ
ーンが形成された素子形成領域５Ａがスクライブ線４Ａ
に囲まれて連続して形成される。そして、第３図のＡ部
のスクライブ線４Ａ内のチェック用パターンは、第４図
（ａ）。
（ｂ）に示すように、隣り合うパターンで形成されるス
クライブ線４Ａ内の中心線６に接して、チェック用パタ
ーン３ｂと３ｄとが重なり合うように形成される。
クライブ線４Ａ内の中心線６に接して、チェック用パタ
ーン３ｂと３ｄとが重なり合うように形成される。
この時、露光用マスクの回転方向ずれがなければ第４図
（ａ）に示した様に、チェック用パターン３ｂと３ｄは
スクライブ線の中心線６に対して線対称になる。一方、
露光用マスクの回転方向ずれが存在すれば、第４図（ｂ
）に示した様にチェック用パターン３ｂと３ｄとはスク
ライブ線の中心線６に対して線対称にならない。
（ａ）に示した様に、チェック用パターン３ｂと３ｄは
スクライブ線の中心線６に対して線対称になる。一方、
露光用マスクの回転方向ずれが存在すれば、第４図（ｂ
）に示した様にチェック用パターン３ｂと３ｄとはスク
ライブ線の中心線６に対して線対称にならない。
従って、第１の実施例に示した露光用マスクを用いるこ
とにより、露光用マスクの回転方向ずれを容易に検出す
ることができる。このため、露光用マスクの回転方向ず
れが検出された場合は、この回転方向を修正することに
より直ちに回転方向ずれをなくすことができる。
とにより、露光用マスクの回転方向ずれを容易に検出す
ることができる。このため、露光用マスクの回転方向ず
れが検出された場合は、この回転方向を修正することに
より直ちに回転方向ずれをなくすことができる。
第２図は、本発明の第２の実施例の平面図であり、第１
図に示した第１の実施例と異なる所はスクライブ線形成
領域４の４つの角にレンズの歪によるずれを検出するた
めのチェック用パターン３ｅ〜３ｈを設けたことである
。
図に示した第１の実施例と異なる所はスクライブ線形成
領域４の４つの角にレンズの歪によるずれを検出するた
めのチェック用パターン３ｅ〜３ｈを設けたことである
。
この第２の実施例の露光用マスクＩＡを用いてステップ
アンドリピート法で露光を行うと、半導体基板上には、
第３図に示したようにスクライブ線４Ａと素子形成領域
５Ａが形成される。そして、第３図Ｂ部のスクライブ線
４Ａ内のチェック用パターンは、第５図（ａ＞、（ｂ）
に示すように、隣り合う４つのパターンのスクライブ線
の中心線６．６Ａにチェック用パターン３ｅ〜３ｈが重
なり合う様に形成される。
アンドリピート法で露光を行うと、半導体基板上には、
第３図に示したようにスクライブ線４Ａと素子形成領域
５Ａが形成される。そして、第３図Ｂ部のスクライブ線
４Ａ内のチェック用パターンは、第５図（ａ＞、（ｂ）
に示すように、隣り合う４つのパターンのスクライブ線
の中心線６．６Ａにチェック用パターン３ｅ〜３ｈが重
なり合う様に形成される。
この時、レンズの歪によるずれがなければ第５図（ａ＞
に示した様にチェック用パターン３ｅ〜３ｈがスクライ
ブ線の中心線６，６Ａの交点に対して点対称となる。し
かし、レンズの歪によるずれが存在すれば第５図（ｂ）
に示した様に、チェック用パターン３ｅ〜３ｈはスクラ
イブ線の中心線６．６Ａの交点に対して線対称にはなら
ない。
に示した様にチェック用パターン３ｅ〜３ｈがスクライ
ブ線の中心線６，６Ａの交点に対して点対称となる。し
かし、レンズの歪によるずれが存在すれば第５図（ｂ）
に示した様に、チェック用パターン３ｅ〜３ｈはスクラ
イブ線の中心線６．６Ａの交点に対して線対称にはなら
ない。
従って、第２図の実施例に示した露光用マスクを用いる
ことによりレンズの歪によるずれは容易に検出できるの
で、直ちに、そのずれを修正することができる。
ことによりレンズの歪によるずれは容易に検出できるの
で、直ちに、そのずれを修正することができる。
以上説明したように本発明は、露光用マスクの半導体素
子のパターン形成領域の周囲に設けられたスクライブ線
形成領域内に、露光装置が原因となる重ね合せずれを検
出するためのチェック用パターンを設けることにより、
テストマスクを使用する等の間接的な検出でなく、半導
体素子のパターンを形成すると同時に直接的にずれを検
出することができる効果がある。
子のパターン形成領域の周囲に設けられたスクライブ線
形成領域内に、露光装置が原因となる重ね合せずれを検
出するためのチェック用パターンを設けることにより、
テストマスクを使用する等の間接的な検出でなく、半導
体素子のパターンを形成すると同時に直接的にずれを検
出することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実絶倒の平
面図、第３図は第１図又は第２図のマスクを用いてステ
ップアンドリピート法で半導体基板上に露光した時の平
面図、第４図及び第５図は、３図のＡ部及びＢ部の拡大
平面図である。 １、ＩＡ・・・露光用マスク、２・・・しやへい用クロ
ム層領域１．３ａ〜３ｈ・・・チェック用パターン、４
・・・スクライブ線形成領域、５・・・素子パターン形
成領域、６，６Ａ・・・スクライブ線の中心線。 ７、ｉｔ用７スク ２二 しゃハい用り已Ｓ作Ｊ入゛ ３ａ〜３ｄ、 ニ チェ・γりＦＦｉノマクーン４：
スタフ４デ禮形Ａ洞ｌ戊゛ 計素写バグーシ消人願域゛ ￥ｆ２回 （ａ）
ＣＩ：））箭４図 荀Ｓ図
面図、第３図は第１図又は第２図のマスクを用いてステ
ップアンドリピート法で半導体基板上に露光した時の平
面図、第４図及び第５図は、３図のＡ部及びＢ部の拡大
平面図である。 １、ＩＡ・・・露光用マスク、２・・・しやへい用クロ
ム層領域１．３ａ〜３ｈ・・・チェック用パターン、４
・・・スクライブ線形成領域、５・・・素子パターン形
成領域、６，６Ａ・・・スクライブ線の中心線。 ７、ｉｔ用７スク ２二 しゃハい用り已Ｓ作Ｊ入゛ ３ａ〜３ｄ、 ニ チェ・γりＦＦｉノマクーン４：
スタフ４デ禮形Ａ洞ｌ戊゛ 計素写バグーシ消人願域゛ ￥ｆ２回 （ａ）
ＣＩ：））箭４図 荀Ｓ図
Claims (1)
- 半導体素子のパターン形成領域と、該パターン形成領
域の周囲に設けられたスクライブ線形成領域とを有する
露光用マスクにおいて、前記スクライブ線形成領域には
、露光装置による重ね合せずれを検出するためのチェッ
ク用パターンが設けられていることを特徴とする露光用
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299229A JPS63151948A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299229A JPS63151948A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151948A true JPS63151948A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17869813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299229A Pending JPS63151948A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151948A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02293748A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-04 | Matsushita Electron Corp | マスクならびにマスクとウエーハとの位置合わせ方法 |
| EP0459737A2 (en) * | 1990-05-28 | 1991-12-04 | Nec Corporation | Reticle for a reduced projection exposure apparatus |
| JPH04218047A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-08-07 | Nec Corp | 縮小投影露光装置用レティクル |
| JPH06324475A (ja) * | 1993-05-15 | 1994-11-25 | Nec Corp | レチクル |
| JPH09127680A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | 露光用マスク |
| US5800951A (en) * | 1995-11-22 | 1998-09-01 | Nec Corporation | Exposure method and exposure mask with monitoring patterns |
| JP2007178538A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスク、ショット重ね合わせ精度測定方法、及び半導体装置の製造方法 |
| CN100382250C (zh) * | 2005-01-03 | 2008-04-16 | 阿尔卡特公司 | 通过对半导体基板进行等离子蚀刻来制作掩模的装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5463680A (en) * | 1977-10-29 | 1979-05-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of mask for integrated circuit |
| JPS5883853A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
| JPS60179745A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-13 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | パターン転写方法、及び転写装置 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61299229A patent/JPS63151948A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5463680A (en) * | 1977-10-29 | 1979-05-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of mask for integrated circuit |
| JPS5883853A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
| JPS60179745A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-13 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | パターン転写方法、及び転写装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02293748A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-04 | Matsushita Electron Corp | マスクならびにマスクとウエーハとの位置合わせ方法 |
| EP0459737A2 (en) * | 1990-05-28 | 1991-12-04 | Nec Corporation | Reticle for a reduced projection exposure apparatus |
| JPH04218047A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-08-07 | Nec Corp | 縮小投影露光装置用レティクル |
| JPH06324475A (ja) * | 1993-05-15 | 1994-11-25 | Nec Corp | レチクル |
| JPH09127680A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | 露光用マスク |
| US5800951A (en) * | 1995-11-22 | 1998-09-01 | Nec Corporation | Exposure method and exposure mask with monitoring patterns |
| CN100382250C (zh) * | 2005-01-03 | 2008-04-16 | 阿尔卡特公司 | 通过对半导体基板进行等离子蚀刻来制作掩模的装置 |
| JP2007178538A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フォトマスク、ショット重ね合わせ精度測定方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP4634929B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | フォトマスク、ショット重ね合わせ精度測定方法、及び半導体装置の製造方法 |
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