JPH0812416B2 - マスク - Google Patents
マスクInfo
- Publication number
- JPH0812416B2 JPH0812416B2 JP29091888A JP29091888A JPH0812416B2 JP H0812416 B2 JPH0812416 B2 JP H0812416B2 JP 29091888 A JP29091888 A JP 29091888A JP 29091888 A JP29091888 A JP 29091888A JP H0812416 B2 JPH0812416 B2 JP H0812416B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribe line
- mask
- cover
- light
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造方法において汎く使用されるフォト
リソグラフィー法において必須な露光用マスク（尚、こ
こで言うマスクとは、いわゆるレチクルも含むものであ
る）の改良に関し、 ２重露光によってスクライブライン領域に形成される
補助パターンが破壊されるという欠点をともなうことな
く、メインパターンと位置合わせマークとを同時に露光
することを可能にするマスクを提供することを目的と
し、 メインパターン領域を囲むスクライブライン領域を有
し、このスクライブライン領域を囲むカバーを有し、前
記のスクライブライン領域の少なくとも１辺には補助パ
ターンを有し、残余のスクライブライン領域は遮光され
てなるマスクにおいて、前記のカバーの外側には、少な
くとも１個のマークを有し、このマークに対向するスク
ライブライン領域と直接隣接する２本のスクライブライ
ン領域の延長上には、補助遮光膜を有するように構成す
る。
リソグラフィー法において必須な露光用マスク（尚、こ
こで言うマスクとは、いわゆるレチクルも含むものであ
る）の改良に関し、 ２重露光によってスクライブライン領域に形成される
補助パターンが破壊されるという欠点をともなうことな
く、メインパターンと位置合わせマークとを同時に露光
することを可能にするマスクを提供することを目的と
し、 メインパターン領域を囲むスクライブライン領域を有
し、このスクライブライン領域を囲むカバーを有し、前
記のスクライブライン領域の少なくとも１辺には補助パ
ターンを有し、残余のスクライブライン領域は遮光され
てなるマスクにおいて、前記のカバーの外側には、少な
くとも１個のマークを有し、このマークに対向するスク
ライブライン領域と直接隣接する２本のスクライブライ
ン領域の延長上には、補助遮光膜を有するように構成す
る。
本発明は、半導体装置の製造方法において汎く使用さ
れるフォトリソグラフィー法において必須な露光用マス
クの改良に関する。
れるフォトリソグラフィー法において必須な露光用マス
クの改良に関する。
第３図参照 フォトリソグラフィー法において使用される露光用マ
スクの一種であるレチクルマスクは、その１例を第３図
に示すように、転写画像の寸法の５〜10倍の寸法を有す
るガラス板等の基板７上に、その中心部にメインパター
ン１が形成され、その周囲にスクライブライン領域２が
形成され、さらにその周囲に遮光性のレチクルカバー３
が形成され、スクライブライン領域２の１辺または２辺
には多数の補助パターン４が形成され、残りのスクライ
ブライン領域２は遮光されている。
スクの一種であるレチクルマスクは、その１例を第３図
に示すように、転写画像の寸法の５〜10倍の寸法を有す
るガラス板等の基板７上に、その中心部にメインパター
ン１が形成され、その周囲にスクライブライン領域２が
形成され、さらにその周囲に遮光性のレチクルカバー３
が形成され、スクライブライン領域２の１辺または２辺
には多数の補助パターン４が形成され、残りのスクライ
ブライン領域２は遮光されている。
これを使用して半導体ウェーハ上に多数のメインパタ
ーンを転写するには、例えば、ステッパを使用して各チ
ップサイズ毎に、隣接するメインパターン１の外周部に
設けられたスクライブライン領域２が相互に重なるよう
に、逐次左右、上下に移動して露光をなしていた。スク
ライブライン領域２の１辺または２辺には補助パターン
が設けられているが、残余のスクライブライン領域２は
遮光されているので、スクライブライン領域２は２重露
光されず、補助パターン４の形成は可能である。ところ
で、メインパターンを有するレチクルマスクは種類の異
なる複数枚を順次使用することが一般的であるから、半
導体ウェーハには何らかの位置合わせマークを設ける必
要があり、この位置合わせマークを形成するための位置
合わせ専用のレチクルマスクが使用されていた。
ーンを転写するには、例えば、ステッパを使用して各チ
ップサイズ毎に、隣接するメインパターン１の外周部に
設けられたスクライブライン領域２が相互に重なるよう
に、逐次左右、上下に移動して露光をなしていた。スク
ライブライン領域２の１辺または２辺には補助パターン
が設けられているが、残余のスクライブライン領域２は
遮光されているので、スクライブライン領域２は２重露
光されず、補助パターン４の形成は可能である。ところ
で、メインパターンを有するレチクルマスクは種類の異
なる複数枚を順次使用することが一般的であるから、半
導体ウェーハには何らかの位置合わせマークを設ける必
要があり、この位置合わせマークを形成するための位置
合わせ専用のレチクルマスクが使用されていた。
第４図参照 この位置合わせ専用のレチクルマスクの使用を省略す
る改良として、第４図に示すようなレチクルマスクが発
想された。これは、レチクルマスクのレチクルカバー３
の外側に位置合わせマーク５を形成したものである。
る改良として、第４図に示すようなレチクルマスクが発
想された。これは、レチクルマスクのレチクルカバー３
の外側に位置合わせマーク５を形成したものである。
第５図同時参照 メインパターン１を転写する場合にはレチクルカバー
３に囲まれた領域にみを露光し、位置合わせマーク５を
転写する場合には、ステッパブレードを調節して露光範
囲を拡げ、レチクルカバー３に囲まれた領域とマーク５
とを同時に露光転写するという発想である。なお、メイ
ンパターン１の左側にあるマーク５をメインパターン１
と同時に露光転写する場合には、ステッパ位置を一つ先
送りしてから露光し、右側にあるマーク５を同時に露光
転写する場合には、転写後ステッパ位置を一つ先送りし
てから次のメインパターン１を露光することになる。
３に囲まれた領域にみを露光し、位置合わせマーク５を
転写する場合には、ステッパブレードを調節して露光範
囲を拡げ、レチクルカバー３に囲まれた領域とマーク５
とを同時に露光転写するという発想である。なお、メイ
ンパターン１の左側にあるマーク５をメインパターン１
と同時に露光転写する場合には、ステッパ位置を一つ先
送りしてから露光し、右側にあるマーク５を同時に露光
転写する場合には、転写後ステッパ位置を一つ先送りし
てから次のメインパターン１を露光することになる。
本発明は、この第４図に示すようなレチクルマスクの
着想を具体化するための発明である。
着想を具体化するための発明である。
ウェーハ上に、ステッパを使用してマスクのメインパ
ターン１を左右、上下に逐次露光する場合には、隣接す
るメインパターン１の外周に設けられたスクライブライ
ン領域２が相互に重なるようにして露光転写する。スク
ライブライン領域２の１辺または２辺には補助パターン
４が形成されているが、補助パターン４が形成されない
スクライブライン領域２は遮光されているので、スクラ
イブライン領域２は２重露光されず、補助パターン４の
形成は可能である。
ターン１を左右、上下に逐次露光する場合には、隣接す
るメインパターン１の外周に設けられたスクライブライ
ン領域２が相互に重なるようにして露光転写する。スク
ライブライン領域２の１辺または２辺には補助パターン
４が形成されているが、補助パターン４が形成されない
スクライブライン領域２は遮光されているので、スクラ
イブライン領域２は２重露光されず、補助パターン４の
形成は可能である。
第６図参照 第６図は第５図のＡ部を拡大した図である。
ところが、ステッパブレードを広げてメインパターン
１と位置合わせマーク５とを同時に露光すると、露光範
囲は第６図に斜線をもって示したようになり、スクライ
ブライン領域２の一部領域Ｂが２重露光され、そこに形
成される補助パターンが破壊されてしまうという欠点が
あり、この着想をたゞちに具体化することはできない。
なお、メインパターン１とマーク５との間が露光されな
いのは、カバー３によって遮光されるためである。
１と位置合わせマーク５とを同時に露光すると、露光範
囲は第６図に斜線をもって示したようになり、スクライ
ブライン領域２の一部領域Ｂが２重露光され、そこに形
成される補助パターンが破壊されてしまうという欠点が
あり、この着想をたゞちに具体化することはできない。
なお、メインパターン１とマーク５との間が露光されな
いのは、カバー３によって遮光されるためである。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、２
重露光によってスクライブライン領域に形成される補助
パターンが破壊されるという欠点をともなうことなく、
メインパターンと位置合わせマークとを同時に露光する
ことを可能にするマスクを提供することにある。
重露光によってスクライブライン領域に形成される補助
パターンが破壊されるという欠点をともなうことなく、
メインパターンと位置合わせマークとを同時に露光する
ことを可能にするマスクを提供することにある。
上記の目的は、メインパターン領域（１）を囲むスク
ライブライン領域（２）を有し、このスクライブライン
領域（２）を囲むカバー（３）を有し、前記スクライブ
ライン領域（２）の少なくとも１辺には補助パターンを
有し、残余のスクライブライン領域（２）は遮光されて
なるマスクであって、前記カバー（３）の外側におい
て、対向する平行な１組の前記のスクライブラインの延
長上のみに形成された複数の補助遮光膜（６）と、前記
のカバー（３）の外側で、前記の複数の補助遮光膜
（６）の間に形成された少なくとも１個のマーク（５）
を有するマスクによって達成される。
ライブライン領域（２）を有し、このスクライブライン
領域（２）を囲むカバー（３）を有し、前記スクライブ
ライン領域（２）の少なくとも１辺には補助パターンを
有し、残余のスクライブライン領域（２）は遮光されて
なるマスクであって、前記カバー（３）の外側におい
て、対向する平行な１組の前記のスクライブラインの延
長上のみに形成された複数の補助遮光膜（６）と、前記
のカバー（３）の外側で、前記の複数の補助遮光膜
（６）の間に形成された少なくとも１個のマーク（５）
を有するマスクによって達成される。
本発明に係るマスクにおいては、マーク５に対向する
スクライブライン領域２と直接隣接する２本のスクライ
ブライン領域２の延長上には、補助遮光膜６が形成され
ているので、ステッパブレードを拡げてメインパターン
１とマーク５とを同時に露光転写してもスクライブライ
ン領域２が２重露光されることがなく、したがって、ス
クライブライン領域２に形成される補助パターン４は破
壊されることがない。
スクライブライン領域２と直接隣接する２本のスクライ
ブライン領域２の延長上には、補助遮光膜６が形成され
ているので、ステッパブレードを拡げてメインパターン
１とマーク５とを同時に露光転写してもスクライブライ
ン領域２が２重露光されることがなく、したがって、ス
クライブライン領域２に形成される補助パターン４は破
壊されることがない。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に係るレ
チクルマスクについて説明する。
チクルマスクについて説明する。
第１図参照 ガラス等の透明基板７上にクロム等の遮光メタル層を
形成し、フォトリソグラフィー法を使用してこれをパタ
ーニングし、メインパターンが形成されたメインパター
ン領域１と、その周囲にスクライブライン領域２とを形
成する。スクライブライン領域２の周辺にクロム等の遮
光メタル層を残留してレチクルカバー３を形成し、レチ
クルカバー３の外側に位置合わせマーク５を少なくとも
１個形成し、このマーク５に対向するスクライブライン
領域２と直接隣接する２本のスクライブライン領域２の
延長上にクロム等の遮光メタル層を残留して補助遮光膜
６を形成する。スクライブライン領域２の少なくとも１
辺には補助パターン４を形成し、残余のスクライブライ
ン領域２にはクロム等の遮光メタル層を残留して遮光領
域とする。
形成し、フォトリソグラフィー法を使用してこれをパタ
ーニングし、メインパターンが形成されたメインパター
ン領域１と、その周囲にスクライブライン領域２とを形
成する。スクライブライン領域２の周辺にクロム等の遮
光メタル層を残留してレチクルカバー３を形成し、レチ
クルカバー３の外側に位置合わせマーク５を少なくとも
１個形成し、このマーク５に対向するスクライブライン
領域２と直接隣接する２本のスクライブライン領域２の
延長上にクロム等の遮光メタル層を残留して補助遮光膜
６を形成する。スクライブライン領域２の少なくとも１
辺には補助パターン４を形成し、残余のスクライブライ
ン領域２にはクロム等の遮光メタル層を残留して遮光領
域とする。
第２図参照 上記のレチクルマスクを使用して、メインパターン領
域１と位置合わせマーク５とを同時に露光すると、露光
領域は第２図に斜線をもって示すようになり、マーク５
の露光にともなってスクライブライン領域２の一部領域
が不所望に露光されることがなくなり、スクライブライ
ン領域２の２重露光は防止される。
域１と位置合わせマーク５とを同時に露光すると、露光
領域は第２図に斜線をもって示すようになり、マーク５
の露光にともなってスクライブライン領域２の一部領域
が不所望に露光されることがなくなり、スクライブライ
ン領域２の２重露光は防止される。
以上の説明は、１例としてレチクルマスクについてな
されているが、これは１例であり、ステッパを使用する
マスクであれば、いづれのマスクであってもよい。
されているが、これは１例であり、ステッパを使用する
マスクであれば、いづれのマスクであってもよい。
以上説明せるとおり、本発明に係るマスクにおいて
は、マスクのカバーの外側に少なくとも１個の位置合わ
せマークが形成され、このマークに対向するスクライブ
ライン領域と直接隣接する２本のスクライブライン領域
の延長上には、補助遮光膜が形成されているので、マー
クを露光転写するときに、スクライブライン領域の一部
が２重露光されることがなく、したがってスクライブラ
イン領域に形成される補助パターンが破壊されることは
ない。
は、マスクのカバーの外側に少なくとも１個の位置合わ
せマークが形成され、このマークに対向するスクライブ
ライン領域と直接隣接する２本のスクライブライン領域
の延長上には、補助遮光膜が形成されているので、マー
クを露光転写するときに、スクライブライン領域の一部
が２重露光されることがなく、したがってスクライブラ
イン領域に形成される補助パターンが破壊されることは
ない。
第１図は、本発明の一実施例に係るレチクルマスクの構
成図である。 第２図は、マーク転写時の露光領域を示す図である。 第３図は、従来技術に係るレチクルマスクの構成図であ
る。 第４図は、本発明に係るレチクルマスクの着想図であ
る。 第５図は、３種類の転写時の露光範囲を示す図である。 第６図は、第５図のＡ部の拡大図である。 １……メインパターン領域、２……スクライブライン領
域、３……カバー、レチクルカバー、４……補助パター
ン、５……位置合わせマーク、６……補助遮光膜、７…
…ガラス等の透明基板。
成図である。 第２図は、マーク転写時の露光領域を示す図である。 第３図は、従来技術に係るレチクルマスクの構成図であ
る。 第４図は、本発明に係るレチクルマスクの着想図であ
る。 第５図は、３種類の転写時の露光範囲を示す図である。 第６図は、第５図のＡ部の拡大図である。 １……メインパターン領域、２……スクライブライン領
域、３……カバー、レチクルカバー、４……補助パター
ン、５……位置合わせマーク、６……補助遮光膜、７…
…ガラス等の透明基板。
Claims (1)
- 【請求項１】メインパターン領域（１）を囲むスクライ
ブライン領域（２）を有し、該スクライブライン領域
（２）を囲むカバー（３）を有し、前記スクライブライ
ン領域（２）の少なくとも１辺には補助パターンを有
し、残余のスクライブライン領域（２）は遮光されてな
るマスクであって、 前記カバー（３）の外側において、対向する平行な１組
の前記スクライブラインの延長上のみに形成された複数
の補助遮光膜（６）と、 前記カバー（３）の外側で、前記複数の補助遮光膜
（６）の間に形成された少なくとも１個のマーク（５）
を有する ことを特徴とするマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29091888A JPH0812416B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29091888A JPH0812416B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135343A JPH02135343A (ja) | 1990-05-24 |
| JPH0812416B2 true JPH0812416B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17762196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29091888A Expired - Lifetime JPH0812416B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812416B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009258420A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2011191307A (ja) * | 2011-03-25 | 2011-09-29 | Sony Corp | 補正用治具 |
| JP6248401B2 (ja) | 2013-03-19 | 2017-12-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる露光マスク |
| JP6999233B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-01-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59144125A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-18 | Hitachi Ltd | レチクル |
| JPH0616476B2 (ja) * | 1984-05-11 | 1994-03-02 | 株式会社ニコン | パターン露光方法 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP29091888A patent/JPH0812416B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02135343A (ja) | 1990-05-24 |
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