JPS59144125A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPS59144125A JPS59144125A JP58017339A JP1733983A JPS59144125A JP S59144125 A JPS59144125 A JP S59144125A JP 58017339 A JP58017339 A JP 58017339A JP 1733983 A JP1733983 A JP 1733983A JP S59144125 A JPS59144125 A JP S59144125A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- reticle
- scribe
- image
- area
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、縮小投影アライナにより微細パターンを得る
リソグラフィー技術に使用されるレチクルに係り、特に
、半導体装置の製造過程において集積回路や大規模集積
回路等の極微細回路パターンのステップアンドリピート
露光に利用して有効なレチクルに関するものである。
リソグラフィー技術に使用されるレチクルに係り、特に
、半導体装置の製造過程において集積回路や大規模集積
回路等の極微細回路パターンのステップアンドリピート
露光に利用して有効なレチクルに関するものである。
、−Ｃ−背景技術〕
一般に、半導体装置の製造過程において集積回路や大規
模集積回路等の極微細回路パターン（以下、回路パター
ンという。）をウェハ上に縮小投影露光装置を用いて転
写する場合、レチクル（拡大マスク）に形成された拡大
回路パターン（以下、パターンという。）が露光位置を
順次積にずらしながら繰り返し露光されて横に整列され
、さらにこれが多数段状に配された状態に転写される。
模集積回路等の極微細回路パターン（以下、回路パター
ンという。）をウェハ上に縮小投影露光装置を用いて転
写する場合、レチクル（拡大マスク）に形成された拡大
回路パターン（以下、パターンという。）が露光位置を
順次積にずらしながら繰り返し露光されて横に整列され
、さらにこれが多数段状に配された状態に転写される。
全ての回路パターンが完成した後、ウニ・・を各単位ご
とのベレットに分断するために、ウェハ上には各ペレッ
トの切断領域になるスクライプ領域が設けられる。この
スクライプ領域は前記レチクルに形成されたスクライプ
領域によってウェハ上に転写されて形成されることがめ
る。
とのベレットに分断するために、ウェハ上には各ペレッ
トの切断領域になるスクライプ領域が設けられる。この
スクライプ領域は前記レチクルに形成されたスクライプ
領域によってウェハ上に転写されて形成されることがめ
る。
一方、前記レチクルには、前記繰り返し露光および多層
回路パターンの重ね合せ露光を正確に実現するために、
ウェハ上の既転写パターン像とこれから重ね合せ露光し
ようとするレチクルパターンとのファインアライメント
（微細な位置合せ）をするためのターゲットパターンが
設けられる。
回路パターンの重ね合せ露光を正確に実現するために、
ウェハ上の既転写パターン像とこれから重ね合せ露光し
ようとするレチクルパターンとのファインアライメント
（微細な位置合せ）をするためのターゲットパターンが
設けられる。
このようなスクライプ領域とターゲットパターンが設け
られたレチクルとして、本発明者は、第１図に示すよう
なものを開発した。
られたレチクルとして、本発明者は、第１図に示すよう
なものを開発した。
すなわち、第１図において、はぼ正方形に形成されたレ
チクル１の基板２の表面上には、その下辺、左辺および
右辺に各スクライブ領域３，４゜５がそれぞれ形成され
ており、下辺のスクライプ領域にはターゲットパターン
６が設けられている。
チクル１の基板２の表面上には、その下辺、左辺および
右辺に各スクライブ領域３，４゜５がそれぞれ形成され
ており、下辺のスクライプ領域にはターゲットパターン
６が設けられている。
図示しないが、各スクライブ領域３，４．５および上辺
で囲まれた基板２０表面上には所要の拡大回路パターン
が形成されている′。
で囲まれた基板２０表面上には所要の拡大回路パターン
が形成されている′。
このレチクル１を用いた前記繰り返し露光が実施される
と、ウェハ７上には、第２図に示すように、レチクル１
を縮小投影して得られる像１′が繰り返えして多数段に
整列されて転写される。
と、ウェハ７上には、第２図に示すように、レチクル１
を縮小投影して得られる像１′が繰り返えして多数段に
整列されて転写される。
しかし、かかる技術においては、第２図に示すように、
第１段目に整列されたレチクル像１′の上辺にスクライ
プラインが形成されないため、ウェハ７を各ペレットに
分断する際、ダイシングソーにより、第１段目の各ペレ
ットにクラックが入る危険があるという問題点が生ずる
ということが本発明者によってろきらかにされた。
第１段目に整列されたレチクル像１′の上辺にスクライ
プラインが形成されないため、ウェハ７を各ペレットに
分断する際、ダイシングソーにより、第１段目の各ペレ
ットにクラックが入る危険があるという問題点が生ずる
ということが本発明者によってろきらかにされた。
このような問題点を解決するレチクルとしては、第３図
に示すように、ターゲット６が形成された領域３の他に
、上辺および下辺に新たに専用スクライプ領域８，９を
設けられてなるレチクルＩＮが提案され得る。
に示すように、ターゲット６が形成された領域３の他に
、上辺および下辺に新たに専用スクライプ領域８，９を
設けられてなるレチクルＩＮが提案され得る。
このレチクルＩＡによれば、たしかに第１段目のレチク
ル像にスクライプ領域が得られるが、レチクルＩＡにお
ける拡大回路パターン領域がその分小さくなるか、また
は、回路パターン領域面積を維持する場合には第４図に
示すように、第１段目のレチクル像Ｉ Ａ／においては
、上段の像ＩＮ下辺のスクライブ領域９′と下段の像Ｉ
Ａ′上辺上辺タスクライプ領域とが隣接することになっ
てスクライブ領域の幅が２８になるため、ウェハに設は
得るレチクル像の段数が減小してしまい、結果としてウ
ェハからのペレット取得数が減少してしまうことになる
。
ル像にスクライプ領域が得られるが、レチクルＩＡにお
ける拡大回路パターン領域がその分小さくなるか、また
は、回路パターン領域面積を維持する場合には第４図に
示すように、第１段目のレチクル像Ｉ Ａ／においては
、上段の像ＩＮ下辺のスクライブ領域９′と下段の像Ｉ
Ａ′上辺上辺タスクライプ領域とが隣接することになっ
てスクライブ領域の幅が２８になるため、ウェハに設は
得るレチクル像の段数が減小してしまい、結果としてウ
ェハからのペレット取得数が減少してしまうことになる
。
なお、説明の便宜上、レチクルの上下辺、左右辺は、第
４図に示すように、ウェハ７に対応してウェハ７のオリ
エンテーションフラット７ａ側に位置する辺を下辺とし
た状態において定められるものとする。以下の説明にお
いても、同様とする。
４図に示すように、ウェハ７に対応してウェハ７のオリ
エンテーションフラット７ａ側に位置する辺を下辺とし
た状態において定められるものとする。以下の説明にお
いても、同様とする。
本発明の目的は、パターン面積の減少を抑制しつつ、転
写像数（ペレット取得数に対応する。）を増加すること
ができ、かつ第１段目のレチクル像上辺においてもスク
ライブラインを形成させることができるレチクルを提供
するにるる。
写像数（ペレット取得数に対応する。）を増加すること
ができ、かつ第１段目のレチクル像上辺においてもスク
ライブラインを形成させることができるレチクルを提供
するにるる。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば次の通りである。
を簡単に説明すれば次の通りである。
例えば、レチクルの上下２辺にスクライプ領域を形成し
、一方のスクライブ領域にターゲットパターンを設け、
他方のスクライプ領域にターゲットパターン像を保護可
能な保護パターンを設ける。
、一方のスクライブ領域にターゲットパターンを設け、
他方のスクライプ領域にターゲットパターン像を保護可
能な保護パターンを設ける。
この保護パターンをスクライブ可能にすることにより、
第１段目のレチクル像においてスクライブ領域を確保す
ると同時に、上下辺のスクライプ領域を重合露光するこ
とにより転写像数の増加を達成し、かつ重合露光時に保
護パターンによりターゲットパターンを保護することに
よってターゲットパターン像を残し、もって前記目的を
達成するものである。
第１段目のレチクル像においてスクライブ領域を確保す
ると同時に、上下辺のスクライプ領域を重合露光するこ
とにより転写像数の増加を達成し、かつ重合露光時に保
護パターンによりターゲットパターンを保護することに
よってターゲットパターン像を残し、もって前記目的を
達成するものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第５図は本発明によるレチクルの一実施例を示す正面図
、第６図は転写原理を説明する解説図である。
、第６図は転写原理を説明する解説図である。
本実施例において、このレチクル１１の基板１２の表面
上における上下左右の各辺には、各スクライブ領域１３
，１４，１５．１６がそれぞれ形成されている。下辺の
スクライブ領域１４には、適当なターゲットパターン１
７が適当な位置に設けられており、上辺のスクライブ領
域１３には、ターゲットパターン１７を保護するための
保護パターントシテのマスキングパターン１８が前記タ
ーゲットパターン１７に対応して設けられている。
上における上下左右の各辺には、各スクライブ領域１３
，１４，１５．１６がそれぞれ形成されている。下辺の
スクライブ領域１４には、適当なターゲットパターン１
７が適当な位置に設けられており、上辺のスクライブ領
域１３には、ターゲットパターン１７を保護するための
保護パターントシテのマスキングパターン１８が前記タ
ーゲットパターン１７に対応して設けられている。
各スクライブ領域は、少なくとも、ウエノ・の分断時に
おいてダイシングソーにより各クラックが入ることを防
止できる幅を設定されている。さらに、上下辺のスクラ
イブ領域１３．１４は前記マスキングパターン１８およ
びターゲットパターン１７が設は得る幅を設定されてい
る。図示例おいて、上下辺のスクライブ領域１３．１４
の幅は、左右辺のスクライブ領域１５．１６の幅よりも
広くなっているが、これに限らず、マスキング、ターゲ
ットパターンが収まるならば、各スクライブ領域の幅は
、クラック発生防止可能な最小幅に揃えてもよい。
おいてダイシングソーにより各クラックが入ることを防
止できる幅を設定されている。さらに、上下辺のスクラ
イブ領域１３．１４は前記マスキングパターン１８およ
びターゲットパターン１７が設は得る幅を設定されてい
る。図示例おいて、上下辺のスクライブ領域１３．１４
の幅は、左右辺のスクライブ領域１５．１６の幅よりも
広くなっているが、これに限らず、マスキング、ターゲ
ットパターンが収まるならば、各スクライブ領域の幅は
、クラック発生防止可能な最小幅に揃えてもよい。
次に作用を説明する。
前記構成にかかるレチクルを使用して縮小投影露光アラ
イナによりウェハ上吟同−のレチクル像が繰り返えして
露光されていく場合、第６図に示すように、ウェハ７に
おける第１段目のレチクル像２１においては、上辺にマ
スキングパターン像２８を有する上辺スクライブ領域２
３が、および下辺にターゲットパターン像２７を有する
下辺スクライプ領域２４がそれぞれ形成される。
イナによりウェハ上吟同−のレチクル像が繰り返えして
露光されていく場合、第６図に示すように、ウェハ７に
おける第１段目のレチクル像２１においては、上辺にマ
スキングパターン像２８を有する上辺スクライブ領域２
３が、および下辺にターゲットパターン像２７を有する
下辺スクライプ領域２４がそれぞれ形成される。
続いて、同一のレチクル１１を用いて第２段目のレチク
ル像３１がウェハ７上に縮小投影露光されるとき、この
レチクル像３１はその上辺スクライプ領域３３を前記第
１段目のレチクル像２１における下辺スクライプ領域２
４に重ね合わされて露光転写される。この両領域３３と
２４との重ね合せ露光において、第１段目レチクル像２
１のターゲットパターン像２７はレチクル１１のマスキ
ングパターン１８により隠蔽されるので、感光されずに
第１回露光のままの転写状態を維持する。
ル像３１がウェハ７上に縮小投影露光されるとき、この
レチクル像３１はその上辺スクライプ領域３３を前記第
１段目のレチクル像２１における下辺スクライプ領域２
４に重ね合わされて露光転写される。この両領域３３と
２４との重ね合せ露光において、第１段目レチクル像２
１のターゲットパターン像２７はレチクル１１のマスキ
ングパターン１８により隠蔽されるので、感光されずに
第１回露光のままの転写状態を維持する。
このようにして、第２段目のレチクル像３１の下に第３
段目のレチクル像が転写されるときにも、ターゲットパ
ターン像３７とマスキングパターン１８によるマスキン
クが行なわれ、第２段目のターゲットパターン像３７も
同様にウェハ７上に残存する。以後、同様にして、すべ
てのレチクル像につきターゲットパターン像が形成され
る。
段目のレチクル像が転写されるときにも、ターゲットパ
ターン像３７とマスキングパターン１８によるマスキン
クが行なわれ、第２段目のターゲットパターン像３７も
同様にウェハ７上に残存する。以後、同様にして、すべ
てのレチクル像につきターゲットパターン像が形成され
る。
以上説明したように、第１段目のレジスト像の上辺にも
、マスキングパターンを有するスクライブ領域によるス
クライブラインが形成されるので、第１段目の各ペレッ
トの分断においても、ダイシングソーによるクラックの
発生は未然に防止される。
、マスキングパターンを有するスクライブ領域によるス
クライブラインが形成されるので、第１段目の各ペレッ
トの分断においても、ダイシングソーによるクラックの
発生は未然に防止される。
各段の間のスクライプラインは上段レジスト像の下辺ス
クライプ領域と下段スクライブ領域とが重なり合うこと
により面積を共用して形成されるので、第６図に示すよ
うに、その重合式したけウェハ７における有効面積が節
約され、当該スクライプ領域が多数采配されることによ
り、レチクルの転写像数、すなわちペレット取得数を増
加させることかできる。
クライプ領域と下段スクライブ領域とが重なり合うこと
により面積を共用して形成されるので、第６図に示すよ
うに、その重合式したけウェハ７における有効面積が節
約され、当該スクライプ領域が多数采配されることによ
り、レチクルの転写像数、すなわちペレット取得数を増
加させることかできる。
そしてターゲットパターンが形成されたスクライブ領域
に他のスクライブ領域が重ね合されても、ターゲットパ
ターンはマスキングパターンで保護されるので、２度目
の露光で消去されることなく残存し、したがって、この
ターゲットパターンにより繰り返し露光および重ね合せ
露光におけるファインアライメントには何らの支障も発
生しない。
に他のスクライブ領域が重ね合されても、ターゲットパ
ターンはマスキングパターンで保護されるので、２度目
の露光で消去されることなく残存し、したがって、この
ターゲットパターンにより繰り返し露光および重ね合せ
露光におけるファインアライメントには何らの支障も発
生しない。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、ターゲットパターンおよびマスキングパター
ンが設けられるスクライブ領域はレチクルの下辺および
上辺に配する場合に限らず、左辺および右辺に配しても
よいし、上下と左右とにそれぞれ一対ずつ配設してもよ
い。
ンが設けられるスクライブ領域はレチクルの下辺および
上辺に配する場合に限らず、左辺および右辺に配しても
よいし、上下と左右とにそれぞれ一対ずつ配設してもよ
い。
また、保護パターンはマスキングパターンに限らず、要
は一度露光されたターゲットパターン像を重ね合せによ
る２度目の露光から保護できるものであればよい。
は一度露光されたターゲットパターン像を重ね合せによ
る２度目の露光から保護できるものであればよい。
スクライプ領域に設けられるパターンはターゲットパタ
ーンに限定されるものではなく、任意であり、たとえば
、回路パターンの形成の良否をテストするために使用さ
れるテストパターン等であってもよく、また、ターゲッ
トパターンとテストパターン等のように複数種類のパタ
ーンを設けてもよい。
ーンに限定されるものではなく、任意であり、たとえば
、回路パターンの形成の良否をテストするために使用さ
れるテストパターン等であってもよく、また、ターゲッ
トパターンとテストパターン等のように複数種類のパタ
ーンを設けてもよい。
以上の説明では本発明者によってなされた発明をその背
景となった利用分野でるる半導体装置のウェハ上に回路
パターンを形成する技術に適用した場合につき説明した
が、それに限定されるものではなく、たとえば、１：１
ガラスマスクをレチクルで形成する場合等にも適用する
ことができる。
景となった利用分野でるる半導体装置のウェハ上に回路
パターンを形成する技術に適用した場合につき説明した
が、それに限定されるものではなく、たとえば、１：１
ガラスマスクをレチクルで形成する場合等にも適用する
ことができる。
第１図は従来例を示す正面図、
第２図はその使用例を示すウェハの正面図、第３図は他
の従来例を示す正面図、 第４図はその使用例を示す要部の正面図、第５図は本発
明の一実施例を示す正面図、第６図は転写原理を説明す
るための解説図である。 １１・・・レチクル、１２・・・基板、１３，１４゜１
５．１６・・・スクライプ領域、１７・・・任意のパタ
ーン（ターゲットパターン）、１８・・・保護パターン
（マスキングパターン）、２１．３１・・・レチクル像
、２７．３７・・・ターゲットパターン像。 第 １ 図 第 ３ 図 第 ５ 図 第 ２ 図 第 ４ 図 ／Ａ′ 第 ６ 図
の従来例を示す正面図、 第４図はその使用例を示す要部の正面図、第５図は本発
明の一実施例を示す正面図、第６図は転写原理を説明す
るための解説図である。 １１・・・レチクル、１２・・・基板、１３，１４゜１
５．１６・・・スクライプ領域、１７・・・任意のパタ
ーン（ターゲットパターン）、１８・・・保護パターン
（マスキングパターン）、２１．３１・・・レチクル像
、２７．３７・・・ターゲットパターン像。 第 １ 図 第 ３ 図 第 ５ 図 第 ２ 図 第 ４ 図 ／Ａ′ 第 ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スクライプ領域に任意のパターンを設けられるレチ
クルにおいて、前記スクライプ領域が少なくとも対向す
る２辺にそれぞれ形成され、一方のスクライプ領域には
前記任意のパターンが形成され、他方のスクライプ領域
には、前記任意のパターンで形成されるパターン像を保
護する保護パターンが形成されたことを特徴とするレチ
クル。 ２、任意のパターンが、合せターゲ１．７）パターンで
るることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレチ
クル。 ３、任意のパターンが、テストパターンであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のレチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017339A JPS59144125A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017339A JPS59144125A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144125A true JPS59144125A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11941290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017339A Pending JPS59144125A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135343A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Fujitsu Ltd | マスク |
| US11795876B2 (en) | 2019-09-13 | 2023-10-24 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Outlet seal, outlet seal set, and gas turbine |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58017339A patent/JPS59144125A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135343A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Fujitsu Ltd | マスク |
| US11795876B2 (en) | 2019-09-13 | 2023-10-24 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Outlet seal, outlet seal set, and gas turbine |
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