JPH02135343A - マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造方法において汎く使用されるフォトリ
ソグラフィー法において必須な露光用マスク（尚、ここ
で言うマスクとは、いわゆるレチクルも含むものである
）の改良に関し、２重露光によってスクライブライン領
域に形成される補助パターンが破壊されるという欠点を
ともなうことなく、メインパターンと位置合わせマーク
とを同時に露光することを可能にするマスクを提供する
ことを目的とし、 メインパターン領域を囲むスクライブライン領域を有し
、このスクライブライン領域を囲むカバーを有し、前記
のスクライブライン領域の少な（とも１辺には補助パタ
ーンを有し、残余のスクライブライン領域は遮光されて
なるマスクにおいて、前記のカバーの外側には、少なく
とも１個のマークを有し、このマークに対、向するスク
ライブライン領域と直接隣接する２本のスクライブライ
ン領域の延長上には、補助遮光膜を有するように構成す
る。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置の製造方法において汎（使用され
るフォトリソグラフィー法において必須な露光用マスク
の改良に関する。

〔従来の技術〕

第３図参照 フォトリソグラフィー法において使用される露光用マス
クの一種であるレチクルマスクは、その１例を第３図に
示すように、転写画像の寸法の５〜１０倍の寸法を有す
るガラス板等の基板７上に、その中心部にメインパター
ン１が形成され、その周囲にスクライブライン領域２が
形成され、さらにその周囲に遮光性のレチクルカバー３
が形成され、スクライブライン領域２の１辺または２辺
には多数の補助パターン４が形成され、残りのスクライ
ブライン領域２は遮光されている。

これを使用して半導体ウェーハ上に多数のメインパター
ンを転写するには、例えば、ステッパを使用して各チッ
プサイズ毎に、隣接するメインパターン１の外周部に設
けられたスクライブライン領域２が相互に重なるように
、逐次左右、上下に移動して露光をなしていた。スクラ
イブライン領域２の１辺または２辺には補助パターンが
設けられているが、残余のスクライブライン領域２は遮
光されているので、スクライブライン領域２は２重ｎ光
されず、補助パターン４の形成は可能である。ところで
、メインパターンを有するレチクルマスクは種類の異な
る複数枚を順次使用することが一般的であるから、半導
体ウェー八には何らかの位置合わせマークを設ける必要
があり、この位置合わセマークを形成するための位置合
わせ専用のレチクルマスクが使用されていた。

第４圀参照 この位置合わせ専用のレチクルマスクの使用を省略する
改良として、第４図に示すようなレチクルマスクが発想
された。これは、レチクルマスクのレチクルカバー３の
外側に位置合わせマーク５を形成したものである。

第５図同時参照 メインパターン１を転写する場合にはレチクルカバー３
に囲まれた領域のみを露光し、位置合わせマーク５を転
写する場合には、ステッパブレードを調節して露光範囲
を拡げ、レチクルカバー３に囲まれた領域とマーク５と
を同時に露光転写するという発想である。なお、メイン
パターン１の左側にあるマーク５をメインパターン１と
同時に露光転写する場合には、ステッパ位置を一つ先送
りしてから露光し、右側にあるマーク５を同時に露光転
写する場合には、転写後ステッパ位置を一つ先送りして
から次のメインパターン１を露光することになる。

本発明は、この第４図に示すようなレチクルマスクの着
想を具体化するための発明である。

〔発明が解決しようとする課題〕

ウェーハ上に、ステッパを使用してマスクのメインパタ
ーン１を左右、上下に逐次露光する場合には、隣接する
メインパターンｌの外周に設けられたスクライブライン
領域２が相互に重なるようにして露光転写する。スクラ
イブライン領域２の１辺または２辺には補助パターン４
が形成されているが、補助パターン４が形成されないス
クライブライン領域２は遮光されているので、スクライ
ブライン領域２は２重露光されず、補助パターン４の形
成は可能である。

第６図参照 第６図は第５図のＡ部を拡大した図である。

ところが、ステッパブレードを広げてメインパターン１
と位置合わせマーク５とを同時に露光すると、露光範囲
は第６図に斜線をもって示したようになり、スクライブ
ライン領域２の一部領域Ｂが２重露光され、そこに形成
される補助パターンが破壊されてしまうという欠点があ
り、この着想をた譬ちに具体化することはできない。な
お、メインパターン１とマーク５との間が露光されない
のは、カバー３によって遮光されるためである。

本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、２重
露光によってスクライブライン領域に形成される補助パ
ターンが破壊されるという欠点をともなうことなく、メ
インパターンと位置合わせマークとを同時に露光するこ
とを可能にするマスクを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は、メインパターン領域（１）を囲むスクラ
イブライン領域（２）を有し、このスクライブライン領
域（２）を囲むカバー（３）を有し、前記のスクライブ
ライン領域（２）の少なくとも１辺には補助パターン（
４）を有し、残余のスクライブライン領域（２）は遮光
されてなるマスクにおいて、前記のカバー（３）の外側
には、少なくとも１個のマーク（５）を有し、このマー
ク（５）に対向するスクライブライン領域（２）と直接
隣接する２本のスクライブライン領域（２）の延長上に
は、補助遮光膜（６）を有するマスクによって達成され
る。

〔作用〕

本発明に係るマスクにおいては、マーク５に対向するス
クライブライン領域２と直接隣接する２本のスクライブ
ライン領域２の延長上には、補助遮光膜６が形成されて
いるので、ステ・ツバブレードを拡げてメインパターン
１とマーク５とを同時に露光転写してもスクライブライ
ン領域２が２重露光されることがな（、したがって、ス
クライブライン領域２に形成される補助パターン４は破
壊されることがない。

〔実施例〕

以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係るレチ
クルマスクについて説明する。

第１図参照 ガラス等の透明基板７上にクロム等の遮光メタル層を形
成し、フォトリソグラフィー法を使用してこれをバター
ニングし、メインパターンが形成されたメインパターン
領域ｌと、その周囲にスクライブライン領域２とを形成
する。スクライブライン領域２の周辺ににクロム等の遮
光メタル層を残留してレチクルカバー３を形成し、レチ
クルカバー３の外側に位置合わせマーク５を少な（とも
１個形成し、このマーク５に対向するスクライブライン
領域２と直接隣接する２本のスクライブライン領域２の
延長上にクロム等の遮光メタル層を残留して補助遮光膜
６を形成する。スクライブライン領域２の少なくとも１
辺には補助パターン４を形成し、残余のスクライブライ
ン領域２にはクロム等の遮光メタル層を残留して遮光領
域とする・第２図参照 上記のレチクルマスクを使用して、メインパターン領域
１と位置合わせマーク５とを同時に露光すると、露光領
域は第２図に斜線をもって示すようになり、マーク５の
露光にともなってスクライブライン領域２の一部領域が
不所望に露光されることがなくなり、スクライブライン
領域２の２重露光は防止される。

以上の説明は、１例としてレチクルマスクについてなさ
れているが、これは１例であり、ステッパを使用するマ
スクであれば、いづれのマスクであってもよい。

（発明の効果〕 以上説明せるとおり、本発明に係るマスクにおいては、
マスクのカバーの外側に少なくとも１個の位置合わせマ
ークが形成され、このマークに対向するスクライブライ
ン領域と直接隣接する２本のスクライブライン領域の延
長上には、補助遮光膜が形成されているので、マークを
露光転写するときに、スクライブライン領域の一部が２
重露光されることがなく、したがってスクライブライン
領域に形成される補助パターンが破壊されることはない
。

【図面の簡単な説明】

ｍ１図は、本発明の一実施例に係るレチクルマスクの構
成図である。 第２図は、マーク転写時の露光領域を示す図である。 第３図は、従来技術に係るレチクルマスクの構成図であ
る。 第４図は、本発明に係るレチクルマスクの着想図である
。 第５図は、３種類の転写時の露光範囲を示す図である。 第６図は、第５図のＡ部の拡大図である。 メインパターン令員域、 スクライブライン領域、 カバー、レチクルカバー 補助パターン、 位置合わせマーク、 補助遮光膜、 ガラス等の透明基板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 メインパターン領域（１）を囲むスクライブライン領域
   （２）を有し、該スクライブライン領域（２）を囲むカ
   バー（３）を有し、前記スクライブライン領域（２）の
   少なくとも１辺には補助パターン（４）を有し、残余の
   スクライブライン領域（２）は遮光されてなるマスクに
   おいて、前記カバー（３）の外側には、少なくとも１個
   のマーク（５）を有し、 該マーク（５）に対向するスクライブライン領域（２）
   と直接隣接する２本のスクライブライン領域（２）の延
   長上には、補助遮光膜（６）を有する ことを特徴とするマスク。