JPS5821740A - 投影露光用フオトマスク - Google Patents
投影露光用フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5821740A JPS5821740A JP56121146A JP12114681A JPS5821740A JP S5821740 A JPS5821740 A JP S5821740A JP 56121146 A JP56121146 A JP 56121146A JP 12114681 A JP12114681 A JP 12114681A JP S5821740 A JPS5821740 A JP S5821740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- wafer
- exposure
- transfer
- automatic positioning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本％明は半導体装置の製造工程中、写真食刻工程中に使
用さｎる露光転写用フォトマスクに係り。
用さｎる露光転写用フォトマスクに係り。
籍に投影−光用フォトマスクに関するものである。
半導体装置の製造工程中、写真＊刻工程では。
布し、プリベークした後、ウェハーとフォトマスク全位
置合せし％側光、現像するとフォトマスク上のパターン
に対応したフォトレジストのパターンがウェハー上に形
成さｒＬ、フォトマスクのパターンがウェハー上に転写
さ扛る。この後、ポストベークを行ない、下地の酸化族
や窒化膜等の絶縁層ｔ−湿式又は乾式エツチングし１次
に不要となったフォトレジスト全除去するとウェハー上
に酸化課−？輩化展等のパターンが形成さｒＬる。
置合せし％側光、現像するとフォトマスク上のパターン
に対応したフォトレジストのパターンがウェハー上に形
成さｒＬ、フォトマスクのパターンがウェハー上に転写
さ扛る。この後、ポストベークを行ない、下地の酸化族
や窒化膜等の絶縁層ｔ−湿式又は乾式エツチングし１次
に不要となったフォトレジスト全除去するとウェハー上
に酸化課−？輩化展等のパターンが形成さｒＬる。
従来、上記細光の工程では、ウェハーとフォトマスクｔ
＠看して絽光する方式、いわゆる＠ｍ篇元方式が広く採
用さｊしており、また、ウェハーとフォトマスクの位置
合せは自動的に処理する方式が広く採用さｎている。第
１図は、左に）１右（均に自動位置合せ用ターゲツト群
ｌ及び１′−２をもっフォトスマク２を示し、第２図は
フォトマスクに対た自励位置合せ用ターゲツト群ｌ及び
ｌ’ をもつウェハー３を示している。Ｍ３図は前記マ
スクとウェハーを自動位置合せし５重ね合せた伏線を不
−上の左右のターゲツト群のうちそｊＬぞｆｉ１対のタ
ーゲットが使用さ牡る。第４図は従来のマスク及びウェ
ハーの左右に配置さｎたターゲット％ｌ及び１’の拡大
図を示し、各々の番号（（１）〜（９））（（１″）〜
（９″））’ｔつけた領域内にターゲットが配置さｆし
ている。例えば第１回目の路光転写には（すと（１′）
の領域のターゲットが使用さｊＬ％第２回目の４光転写
には（２）と（２゛）の領域のターゲットが使用され、
第３回目以後は（３）と（３Ｉ）・・・（ｉ）。
＠看して絽光する方式、いわゆる＠ｍ篇元方式が広く採
用さｊしており、また、ウェハーとフォトマスクの位置
合せは自動的に処理する方式が広く採用さｎている。第
１図は、左に）１右（均に自動位置合せ用ターゲツト群
ｌ及び１′−２をもっフォトスマク２を示し、第２図は
フォトマスクに対た自励位置合せ用ターゲツト群ｌ及び
ｌ’ をもつウェハー３を示している。Ｍ３図は前記マ
スクとウェハーを自動位置合せし５重ね合せた伏線を不
−上の左右のターゲツト群のうちそｊＬぞｆｉ１対のタ
ーゲットが使用さ牡る。第４図は従来のマスク及びウェ
ハーの左右に配置さｎたターゲット％ｌ及び１’の拡大
図を示し、各々の番号（（１）〜（９））（（１″）〜
（９″））’ｔつけた領域内にターゲットが配置さｆし
ている。例えば第１回目の路光転写には（すと（１′）
の領域のターゲットが使用さｊＬ％第２回目の４光転写
には（２）と（２゛）の領域のターゲットが使用され、
第３回目以後は（３）と（３Ｉ）・・・（ｉ）。
（ｉ・）と次々に使用さ扛る。
ここで、従来の密Ｍ％光方式では左右のターゲットは第
４図に示すように通常は左右のターゲットは左右対称に
配置さｔしておらず、はぼランダムに配置さｎていた。
４図に示すように通常は左右のターゲットは左右対称に
配置さｔしておらず、はぼランダムに配置さｎていた。
前記奮瘤繍光に対して最近では、ウェハーとマスクを離
した状態で路光する。
した状態で路光する。
反射ミラー光学系ヲｆ：用した投影路光が普及している
０反射ミラー光学系を便用する投影路光ではウェハーと
フォトマスクは非接触なので、ポジ型フォトレジストと
の組合せが可能で、ポジ型フォトレジストの利点でおる
篩解像力を生かすことがテキる。またフォトマスクのｂ
４易が少ない１等のオリ点がある。こｎに対して、従来
の＠Ｎ繕元方式では、フォトマスクとウエノ＼−はＶｆ
ｊ＊するので。
０反射ミラー光学系を便用する投影路光ではウェハーと
フォトマスクは非接触なので、ポジ型フォトレジストと
の組合せが可能で、ポジ型フォトレジストの利点でおる
篩解像力を生かすことがテキる。またフォトマスクのｂ
４易が少ない１等のオリ点がある。こｎに対して、従来
の＠Ｎ繕元方式では、フォトマスクとウエノ＼−はＶｆ
ｊ＊するので。
フォトマスクにフォトレジストが付着しやすく。
欠陥発生の要因となる。符にポジ型レジストで−よネガ
型レジストに比べて、付着しヤす＜、４＃夫−Ｆ簀層蕗
光とポジ型レジストとの組合せは小口」能でおった。
型レジストに比べて、付着しヤす＜、４＃夫−Ｆ簀層蕗
光とポジ型レジストとの組合せは小口」能でおった。
投影露光方式は前述したように大きな利点かあるが、ウ
ェハーとフォトマスクの自動位置合せを行なう場合、第
４図に示すようなターゲット配置のフォトマスクは使用
できないという欠点がめった。すなわち、第５図は反射
ミラー光学系を使用する投影路光方式において、ウエノ
％３と７オトマスク２の自動位置合せが終了した状態ヲ
示してしる。反射ミラー光学系を使用する投影露光方式
では、ウェハーは１〜２ｍｍ巾のスリット４を通過する
紫外縁により走査露光さｎる。走査露光はウェハー３が
Ｙ方向に移動することにより行なわＩＬる。ウェハーと
フォトマスクの目動位ｔｌｔ曾せは。
ェハーとフォトマスクの自動位置合せを行なう場合、第
４図に示すようなターゲット配置のフォトマスクは使用
できないという欠点がめった。すなわち、第５図は反射
ミラー光学系を使用する投影路光方式において、ウエノ
％３と７オトマスク２の自動位置合せが終了した状態ヲ
示してしる。反射ミラー光学系を使用する投影露光方式
では、ウェハーは１〜２ｍｍ巾のスリット４を通過する
紫外縁により走査露光さｎる。走査露光はウェハー３が
Ｙ方向に移動することにより行なわＩＬる。ウェハーと
フォトマスクの目動位ｔｌｔ曾せは。
このスリット４會通過してくるウェハーからの反射光を
利用してなさｆＬる為、このスリット内にウェハーとフ
ォトマスク上のターゲツトｔ％出させる必要がある。第
４図に示す従来のターゲットの配置ではスリット巾が１
〜２ｍｍとせまいため。
利用してなさｆＬる為、このスリット内にウェハーとフ
ォトマスク上のターゲツトｔ％出させる必要がある。第
４図に示す従来のターゲットの配置ではスリット巾が１
〜２ｍｍとせまいため。
ウェハー３又キフオトマスク２をλ、Ｙ方同に移動させ
るだけでは左右いずｆＬかのターゲットはせまいスリッ
ト領域からはずＩしてしまう。また無理に１対の左右の
ターゲットをスリット領域内４に露出させるためにはθ
方向の回転移−が必資である。一方向の回転移動が多い
と従来の投影路光装置では自動位置合せ８度が着しく低
下するとｂう欠点がめった。また、個々のターゲット又
はターゲット領域が広くなるとｌｔま丁この傾向は強く
。
るだけでは左右いずｆＬかのターゲットはせまいスリッ
ト領域からはずＩしてしまう。また無理に１対の左右の
ターゲットをスリット領域内４に露出させるためにはθ
方向の回転移−が必資である。一方向の回転移動が多い
と従来の投影路光装置では自動位置合せ８度が着しく低
下するとｂう欠点がめった。また、個々のターゲット又
はターゲット領域が広くなるとｌｔま丁この傾向は強く
。
挙芙上自−位置合せは不＝ｆ能であった。こｒＬらの理
由により、ウェハーとフォトマスクの位置合せは手動に
頼らなくてはならず、能率が忌＜、又。
由により、ウェハーとフォトマスクの位置合せは手動に
頼らなくてはならず、能率が忌＜、又。
位置合せ精藏が思いという欠点があった。
本発明の目的は反射ミラー光学系を便用する投影路光に
おいてウェハーと７オトマスクの目動位置合せを可能に
するフォトマスクを提供することにある。
おいてウェハーと７オトマスクの目動位置合せを可能に
するフォトマスクを提供することにある。
すなわち１本発明は半導体装置製造に使用さｊＬる線光
転写用フォトマスクにおいて、該電光転写用フォトマス
クと半導体基板との自動位置合せのためのターゲット秤
會具備し、該ターゲツト群が左右対称に配置さｒＬ、か
つ１回の側光転写に使用δ才しる各々１対のターゲット
が左右対称に配置さｉしていることを特値とする投影線
光用フォトマスクに関するものである。
転写用フォトマスクにおいて、該電光転写用フォトマス
クと半導体基板との自動位置合せのためのターゲット秤
會具備し、該ターゲツト群が左右対称に配置さｒＬ、か
つ１回の側光転写に使用δ才しる各々１対のターゲット
が左右対称に配置さｉしていることを特値とする投影線
光用フォトマスクに関するものである。
本発明にエリ生産性は向上し、また１位置合せ軸度の向
上が期待できる。
上が期待できる。
以下に本発明の実施例を図を退って説明する。
第６図に本発明実施例による投影線光用フォトマスクの
ターゲラ）＄１．＞よびｉ’Ｑ）拡大図會示す。左右の
各々対會なすターゲットは（１）と（１’）＋（２）と
（２’）、・・・の様に左右対称に配置さ扛ている。
ターゲラ）＄１．＞よびｉ’Ｑ）拡大図會示す。左右の
各々対會なすターゲットは（１）と（１’）＋（２）と
（２’）、・・・の様に左右対称に配置さ扛ている。
第７図は本発明実施例によるフォトマスクを使用して１
反射ミラー光学系を使用する投影露光装置で自動位置合
せを終了した状態を示す。図かられかるように本実施例
によるフォトマスクでは各々対をなすターゲット（１）
と（１’ ） ＋ （２）と（２’）、・・・（ｉ）と
（ｉ″）はそ扛ぞｎ左右対称に配置さ扛ているので、ウ
ェハー３１およびフォトマスク２のターゲット全スリッ
ト領域４内に容易に露出できることがわかる。第７図の
例では（３）と（３・）のターゲットがスリット領域内
に露出していをＭ ｔ＝示している。他のターゲットを
露出する為には、ウニノ・−およびフォトマスクをＸ方
向、Ｙ方向へ移動するだけで街み、θ方向の回転移ｍは
心安ない。
反射ミラー光学系を使用する投影露光装置で自動位置合
せを終了した状態を示す。図かられかるように本実施例
によるフォトマスクでは各々対をなすターゲット（１）
と（１’ ） ＋ （２）と（２’）、・・・（ｉ）と
（ｉ″）はそ扛ぞｎ左右対称に配置さ扛ているので、ウ
ェハー３１およびフォトマスク２のターゲット全スリッ
ト領域４内に容易に露出できることがわかる。第７図の
例では（３）と（３・）のターゲットがスリット領域内
に露出していをＭ ｔ＝示している。他のターゲットを
露出する為には、ウニノ・−およびフォトマスクをＸ方
向、Ｙ方向へ移動するだけで街み、θ方向の回転移ｍは
心安ない。
このように各々左右のターゲットはＸ、Ｙ方向の操作の
みでスリット領域内に容易に露出できるので、前述した
理由により自動位置合せが容易になり自動位置合せの８
現性は者しく頃善さｒ鴫こ扛により生産性の向上１位置
合せ精度の同上が実現できる。
みでスリット領域内に容易に露出できるので、前述した
理由により自動位置合せが容易になり自動位置合せの８
現性は者しく頃善さｒ鴫こ扛により生産性の向上１位置
合せ精度の同上が実現できる。
第１図は自動位置合せ用ターゲットをもつフォトマスク
、第２図はウニノー−１紀３図は従来の密７に路光方式
によりフォトマスクとウェハーを位置会せした状態を、
そｎぞ扛示す半面図である。第４図は従来の自動位置合
せ用ターゲツト群の拡大図を示す平面図であり、第５図
は従来のフすトマスクを反射ミラー光字系を使用する投
影露光装置で、フォトマスクと、ウェハーの位置合せを
終了した状態を示す半面図である。第６図、８３７図は
本発明の実地例を下す平面図である。 なお１図中の記号は、ｌｅｌ’・・・・・・ターゲット
群、２・・・・・・フォトマスク、３・・・・・・ウニ
ノ’−Ｃ半４体基板）、４・・・・・・スリット、であ
る。 ≠ ７ 図 第 ３ 図 ｚ Ｚ ４ 図 Ｚ Ｒ 舅 ５ 図 第 ７圓
、第２図はウニノー−１紀３図は従来の密７に路光方式
によりフォトマスクとウェハーを位置会せした状態を、
そｎぞ扛示す半面図である。第４図は従来の自動位置合
せ用ターゲツト群の拡大図を示す平面図であり、第５図
は従来のフすトマスクを反射ミラー光字系を使用する投
影露光装置で、フォトマスクと、ウェハーの位置合せを
終了した状態を示す半面図である。第６図、８３７図は
本発明の実地例を下す平面図である。 なお１図中の記号は、ｌｅｌ’・・・・・・ターゲット
群、２・・・・・・フォトマスク、３・・・・・・ウニ
ノ’−Ｃ半４体基板）、４・・・・・・スリット、であ
る。 ≠ ７ 図 第 ３ 図 ｚ Ｚ ４ 図 Ｚ Ｒ 舅 ５ 図 第 ７圓
Claims (1)
- 半導体装置製造に使用さｒしる路光転写用フォトマスク
にお込て、販蕗光転写用フォトマスクと半導体基板との
自動位置合せのためのターゲツト群を具備し、戚ターゲ
ット群が左右対称に配置さｒｌかつ１（９）の勤先転写
に使用さ扛る各々１対のターゲットが左右対称に配置さ
扛ていることを＠倣とする投影−光用７オドマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121146A JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121146A JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821740A true JPS5821740A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS627538B2 JPS627538B2 (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=14803988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121146A Granted JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821740A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149130A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-06 | Hitachi Ltd | パターン検出方法およびそれに用いる反射防止膜用材料 |
| JPS636659A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Hitachi Ltd | 本人確認方式 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184929U (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | ||
| JPH0535116Y2 (ja) * | 1988-11-11 | 1993-09-06 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56109350A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Hitachi Ltd | Photomask |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56121146A patent/JPS5821740A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56109350A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Hitachi Ltd | Photomask |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149130A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-06 | Hitachi Ltd | パターン検出方法およびそれに用いる反射防止膜用材料 |
| JPS636659A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Hitachi Ltd | 本人確認方式 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS627538B2 (ja) | 1987-02-18 |
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