JPH0864520A - レチクルの回転誤差測定用のレチクルおよび方法 - Google Patents
レチクルの回転誤差測定用のレチクルおよび方法Info
- Publication number
- JPH0864520A JPH0864520A JP7076520A JP7652095A JPH0864520A JP H0864520 A JPH0864520 A JP H0864520A JP 7076520 A JP7076520 A JP 7076520A JP 7652095 A JP7652095 A JP 7652095A JP H0864520 A JPH0864520 A JP H0864520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vernier
- reticle
- mother
- rotation error
- error
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の製造において、ステッパによる
露光時のレチクルの位置合せに際し、レンズの歪曲誤差
の影響を最小化して、レチクルの回転誤差を精密に測定
することのできるようにする。 【構成】 レチクルに、その回転ずれを測定するための
母バーニアパターンおよび子バーニアパターンを設ける
にあたり、母バーニア(7)をステッパに具備されたレ
ンズの中心部分に対応する位置に設け、子バーニア
(6、8、9、10)を母バーニアを通る水平線上に母
バーニアを中心として水平方向に所定の距離だけ離れた
両側の位置に少なくとも一つずつ設ける。一つの子バー
ニアと母バーニアで回転誤差を測定し、次いで他の子バ
ーニアと母バーニアで回転誤差を測定し、両回転誤差の
平均でもってレチクルの回転誤差とする。
露光時のレチクルの位置合せに際し、レンズの歪曲誤差
の影響を最小化して、レチクルの回転誤差を精密に測定
することのできるようにする。 【構成】 レチクルに、その回転ずれを測定するための
母バーニアパターンおよび子バーニアパターンを設ける
にあたり、母バーニア(7)をステッパに具備されたレ
ンズの中心部分に対応する位置に設け、子バーニア
(6、8、9、10)を母バーニアを通る水平線上に母
バーニアを中心として水平方向に所定の距離だけ離れた
両側の位置に少なくとも一つずつ設ける。一つの子バー
ニアと母バーニアで回転誤差を測定し、次いで他の子バ
ーニアと母バーニアで回転誤差を測定し、両回転誤差の
平均でもってレチクルの回転誤差とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子の製造に
おいて、ステッパによるホトマスクの投影パターンの位
置合せをする際の、ウエハ上のレチクルパターンの回転
誤差を測定するためのパターンを有するレチクル、およ
びこれを利用してレチクルの回転誤差を測定する方法に
関する。
おいて、ステッパによるホトマスクの投影パターンの位
置合せをする際の、ウエハ上のレチクルパターンの回転
誤差を測定するためのパターンを有するレチクル、およ
びこれを利用してレチクルの回転誤差を測定する方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、半導体素子の製造におけるホ
トリソグラフィ工程において、マスクパターンを半導体
ウエハの感光膜に露光する方法のうち、ホトマスクを感
光膜に直接重ね合わせる密着露光法では、接触転写(co
ntact printing)を行うため、数回の継続的使用後には
ホトマスクが毀損される欠点があった。この問題を避け
るために、投影転写(projection printing)を行う投
影露光法が主に用いられて来ており、この方法に用いる
マスク(またはレチクルと呼ばれる)は、試料と直接に
接触しないため、擦傷または摩擦熱による劣化現象がな
いので、反復的使用に適している。ここで、上記の投影
露光方法において、レチクルは個別的な回路配置を含む
場合もあるし、回路配置の一部分に対するものである場
合もあり、後者の場合、レチクルのパターンは縮小され
てウエハ上の小区域に順次焦点が合わせられて露光転写
され、精密なステップアンドリピート(step-and-repea
t)工程によってウエハ上に回路配置が形成される。
トリソグラフィ工程において、マスクパターンを半導体
ウエハの感光膜に露光する方法のうち、ホトマスクを感
光膜に直接重ね合わせる密着露光法では、接触転写(co
ntact printing)を行うため、数回の継続的使用後には
ホトマスクが毀損される欠点があった。この問題を避け
るために、投影転写(projection printing)を行う投
影露光法が主に用いられて来ており、この方法に用いる
マスク(またはレチクルと呼ばれる)は、試料と直接に
接触しないため、擦傷または摩擦熱による劣化現象がな
いので、反復的使用に適している。ここで、上記の投影
露光方法において、レチクルは個別的な回路配置を含む
場合もあるし、回路配置の一部分に対するものである場
合もあり、後者の場合、レチクルのパターンは縮小され
てウエハ上の小区域に順次焦点が合わせられて露光転写
され、精密なステップアンドリピート(step-and-repea
t)工程によってウエハ上に回路配置が形成される。
【0003】したがって、この縮小投影露光方法の場
合、ステッパにおけるレチクルの回転誤差は、高集積度
の素子を製造するに当たり非常に重要な事項であり、そ
のためレチクルの回転誤差を測定できるバーニアパター
ンがレチクル内に設けられる。
合、ステッパにおけるレチクルの回転誤差は、高集積度
の素子を製造するに当たり非常に重要な事項であり、そ
のためレチクルの回転誤差を測定できるバーニアパター
ンがレチクル内に設けられる。
【0004】図3は、従来のレチクルの回転誤差を測定
するためのバーニア(精度測定用微細パターン)を有す
るレチクルの平面図であって、これを参照して従来の技
術を考察する。従来のレチクル1は、大きい能動領域3
の周囲の3辺に沿って形成されたスクライブライン(sc
ribe line 切りしろ、スクライブレイン=scribe lane
とも呼ばれる)2の内の左右の2本のスクライブライン
領域の中に、正方形の母バーニア4および子バーニア5
を有している。この場合、母バーニア4および子バーニ
ア5は、同一水平線上に存在している。
するためのバーニア(精度測定用微細パターン)を有す
るレチクルの平面図であって、これを参照して従来の技
術を考察する。従来のレチクル1は、大きい能動領域3
の周囲の3辺に沿って形成されたスクライブライン(sc
ribe line 切りしろ、スクライブレイン=scribe lane
とも呼ばれる)2の内の左右の2本のスクライブライン
領域の中に、正方形の母バーニア4および子バーニア5
を有している。この場合、母バーニア4および子バーニ
ア5は、同一水平線上に存在している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、そのようなレ
チクル1では、母バーニア4および子バーニア5とも
に、レチクルの中心を外れた位置(つまり、露光の光軸
を成すステッパのレンズの中心軸の位置)にそれぞれ一
つずつ形成されているので、両バーニアがレンズの歪曲
誤差の小さい部位(レンズの中心)に重ね合せされなく
て、レンズの歪曲誤差の大きい部位(レンズの縁)に重
ね合せされることになり、レチクルの回転誤差を正確に
測定することができない問題がある。
チクル1では、母バーニア4および子バーニア5とも
に、レチクルの中心を外れた位置(つまり、露光の光軸
を成すステッパのレンズの中心軸の位置)にそれぞれ一
つずつ形成されているので、両バーニアがレンズの歪曲
誤差の小さい部位(レンズの中心)に重ね合せされなく
て、レンズの歪曲誤差の大きい部位(レンズの縁)に重
ね合せされることになり、レチクルの回転誤差を正確に
測定することができない問題がある。
【0006】したがって、前記問題点を解決するために
案出したこの発明は、母子バーニアを測定するのに、レ
ンズの中心部位(光軸付近)を介して測定できるよう
に、レチクル上にバーニアパターンを形成することによ
り、レンズの歪曲誤差を最小化してレチクルの回転誤差
を精密に測定することのできるレチクルを提供するこ
と、およびそのレチクルを利用した回転誤差の測定方法
を提供することを目的とする。
案出したこの発明は、母子バーニアを測定するのに、レ
ンズの中心部位(光軸付近)を介して測定できるよう
に、レチクル上にバーニアパターンを形成することによ
り、レンズの歪曲誤差を最小化してレチクルの回転誤差
を精密に測定することのできるレチクルを提供するこ
と、およびそのレチクルを利用した回転誤差の測定方法
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明によるレチクル
は、レチクルの回転ずれを測定するための母バーニアパ
ターンおよび子バーニアパターンを具備して成り、母バ
ーニアは、ステッパに具備されたレンズの中心部分に対
応する位置に設け、子バーニアは、母バーニア7を通る
水平線上に母バーニアを中心として水平方向に所定の距
離だけ離れた両側の位置に少なくとも一つずつ設けて、
構成するものである。
は、レチクルの回転ずれを測定するための母バーニアパ
ターンおよび子バーニアパターンを具備して成り、母バ
ーニアは、ステッパに具備されたレンズの中心部分に対
応する位置に設け、子バーニアは、母バーニア7を通る
水平線上に母バーニアを中心として水平方向に所定の距
離だけ離れた両側の位置に少なくとも一つずつ設けて、
構成するものである。
【0008】また、この発明によるレチクルの回転誤差
を測定する方法は、母バーニアがステッパに具備された
レンズの中心部分に対応するいちに具備され、子バーニ
アが前記母バーニアを中心として水平方向に所定の距離
だけ離れた両側の位置に少なくとも一つずつ具備された
レチクルを利用して行うもので、母バーニアおよび子バ
ーニアをそれぞれ重ね合わせてそれぞれの回転誤差を測
定するステップと、それぞれの回転誤差から平均値を求
め、その平均値を当該レチクルの回転誤差とするステッ
プを包含して、構成するものである。
を測定する方法は、母バーニアがステッパに具備された
レンズの中心部分に対応するいちに具備され、子バーニ
アが前記母バーニアを中心として水平方向に所定の距離
だけ離れた両側の位置に少なくとも一つずつ具備された
レチクルを利用して行うもので、母バーニアおよび子バ
ーニアをそれぞれ重ね合わせてそれぞれの回転誤差を測
定するステップと、それぞれの回転誤差から平均値を求
め、その平均値を当該レチクルの回転誤差とするステッ
プを包含して、構成するものである。
【0009】
【実施例】以下、添付した図面の図1〜2を参照しなが
ら、この発明の実施例を詳しく説明する。図1および2
は、それぞれこの発明によるレチクルの回転誤差を測定
するためのレチクルの平面図である。
ら、この発明の実施例を詳しく説明する。図1および2
は、それぞれこの発明によるレチクルの回転誤差を測定
するためのレチクルの平面図である。
【0010】この発明のレチクル11は、図2に示すよ
うに、スクライブライン2を能動領域3の外郭の3辺に
沿って形成するとともに、中心を通る水平線上にも形成
し、そのスクライブライン2の領域内で、レンズの歪曲
誤差が最も小さいレチクル11の中央領域、すなわちス
テッパのレンズ系の中心軸部分に対応する箇所に母バー
ニア7を設け、その母バーニア7を通る水平線上に母バ
ーニア7を中心として水平方向に所定の距離だけ離れた
両側の部位に子バーニア6、8を一つずつ設ける。
うに、スクライブライン2を能動領域3の外郭の3辺に
沿って形成するとともに、中心を通る水平線上にも形成
し、そのスクライブライン2の領域内で、レンズの歪曲
誤差が最も小さいレチクル11の中央領域、すなわちス
テッパのレンズ系の中心軸部分に対応する箇所に母バー
ニア7を設け、その母バーニア7を通る水平線上に母バ
ーニア7を中心として水平方向に所定の距離だけ離れた
両側の部位に子バーニア6、8を一つずつ設ける。
【0011】この場合、図1に示すように、スクライブ
ライン2内で母バーニア7から水平方向に最も遠く離れ
た位置に子バーニア6、8を形成することもできるが、
その代わりに、図2に示すように、スクライブライン2
を越えて母バーニア7から水平方向に離れた位置に子バ
ーニア9、10を形成して、より精密な測定を期すこと
もできる。
ライン2内で母バーニア7から水平方向に最も遠く離れ
た位置に子バーニア6、8を形成することもできるが、
その代わりに、図2に示すように、スクライブライン2
を越えて母バーニア7から水平方向に離れた位置に子バ
ーニア9、10を形成して、より精密な測定を期すこと
もできる。
【0012】なお、母バーニア7をレチクル11の中心
部に形成することができない場合は、なるべくレチクル
11の中心に近い位置で可能な所に形成する。
部に形成することができない場合は、なるべくレチクル
11の中心に近い位置で可能な所に形成する。
【0013】次に、以上の母子バーニア6、7、8、
9、10を備えたレチクル11を利用してレチクルの回
転誤差を測定する方法について説明する。
9、10を備えたレチクル11を利用してレチクルの回
転誤差を測定する方法について説明する。
【0014】この方法は、二つの子バーニア6、8また
は9、10のいずれか一つの子バーニアと母バーニア7
とを重ね合わせて、回転誤差(エラー1)を測定し、追
って残り一つの子バーニアと母バーニア7とを重ね合わ
せて、回転誤差(エラー2)を測定し、得られた二つの
回転誤差(エラー1、エラー2)の平均値を計算して全
てのレチクルの回転誤差とする。つまり、求めるレチク
ルの回転誤差は、次の式により表される。
は9、10のいずれか一つの子バーニアと母バーニア7
とを重ね合わせて、回転誤差(エラー1)を測定し、追
って残り一つの子バーニアと母バーニア7とを重ね合わ
せて、回転誤差(エラー2)を測定し、得られた二つの
回転誤差(エラー1、エラー2)の平均値を計算して全
てのレチクルの回転誤差とする。つまり、求めるレチク
ルの回転誤差は、次の式により表される。
【0015】
【数1】回転誤差 = (エラー1+エラー2)/2 となる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、投影レンズの歪曲による影響を最小化してレチクル
の回転誤差を精密に測定することができる。
ば、投影レンズの歪曲による影響を最小化してレチクル
の回転誤差を精密に測定することができる。
【図1】 この発明によるレチクルの回転誤差を測定す
るためのレチクルの一実施例の平面図である。
るためのレチクルの一実施例の平面図である。
【図2】 この発明によるレチクルの回転誤差を測定す
るためのレチクルの他の実施例の平面図である。
るためのレチクルの他の実施例の平面図である。
【図3】 従来のレチクルの回転誤差を測定するための
レチクルの平面図である。
レチクルの平面図である。
1、11…レチクル、2…スクライブライン、3…能動
領域、7…母バーニア、6、8、9、10…子バーニア
領域、7…母バーニア、6、8、9、10…子バーニア
Claims (4)
- 【請求項1】 レチクルの回転ずれを測定するための母
バーニアパターンおよび子バーニアパターンを具備して
成るレチクルであって、 前記母バーニアは、ステッパに具備されたレンズの中心
部分に対応する位置に具備され、 前記子バーニアは、前記母バーニア7を通る水平線上に
前記母バーニアを中心として水平方向に所定の距離だけ
離れた両側の位置に少なくとも一つずつ具備されたこと
を特徴とするもの。 - 【請求項2】 請求項1に記載のレチクルであって、 前記子バーニアは、スクライブラインの中に位置するこ
とを特徴とするもの。 - 【請求項3】 請求項1に記載のレチクルであって、 前記子バーニアは、スクライブラインを越えた部位に位
置することを特徴とするもの。 - 【請求項4】 母バーニアがステッパに具備されたレン
ズの中心部分に対応するいちに具備され、子バーニアが
前記母バーニアを中心として水平方向に所定の距離だけ
離れた両側の位置に少なくとも一つずつ具備されたレチ
クルを利用してレチクルの回転誤差を測定する方法にお
いて、 前記母バーニアおよび子バーニアをそれぞれ重ね合わせ
てそれぞれの回転誤差を測定するステップと、 前記それぞれの回転誤差から平均値を求め、その平均値
を当該レチクルの回転誤差とするステップとを包含する
ことを特徴とする測定方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1994-6961 | 1994-04-01 | ||
KR1019940006961A KR950029845A (ko) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 레티클 및 이를 이용한 레티클의 회전오차 측정방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0864520A true JPH0864520A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=19380354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7076520A Pending JPH0864520A (ja) | 1994-04-01 | 1995-03-31 | レチクルの回転誤差測定用のレチクルおよび方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5552251A (ja) |
JP (1) | JPH0864520A (ja) |
KR (1) | KR950029845A (ja) |
CN (1) | CN1115416A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW363208B (en) * | 1997-03-24 | 1999-07-01 | United Microelectronics Corp | Alignment method for mask pellicle |
US6484060B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-11-19 | Micron Technology, Inc. | Layout for measurement of overlay error |
US6552790B1 (en) * | 2001-02-20 | 2003-04-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for facilitating wafer alignment by mitigating effects of reticle rotation on overlay |
CN102591135A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-07-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种连续曝光时透镜受热引起图形变化的监控方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2666859B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
JPH0444307A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-04-01 KR KR1019940006961A patent/KR950029845A/ko not_active Application Discontinuation
-
1995
- 1995-03-31 US US08/414,110 patent/US5552251A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-31 JP JP7076520A patent/JPH0864520A/ja active Pending
- 1995-04-01 CN CN95104595A patent/CN1115416A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5552251A (en) | 1996-09-03 |
KR950029845A (ko) | 1995-11-24 |
CN1115416A (zh) | 1996-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02166717A (ja) | 露光方法 | |
JPH09199406A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JPH10284377A (ja) | 露光方法及び該方法を用いたデバイスの製造方法 | |
US5237393A (en) | Reticle for a reduced projection exposure apparatus | |
JPH0864520A (ja) | レチクルの回転誤差測定用のレチクルおよび方法 | |
JP4835921B2 (ja) | 計測方法、露光方法、デバイス製造方法、及びマスク | |
JP2001267206A (ja) | 位置合せ方法、露光装置、及び、半導体デバイス生産方法 | |
JP3259341B2 (ja) | 位置合わせ方法、及びその位置合わせ方法を用いた露光方法、及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 | |
JP2002015992A (ja) | リソグラフィ・プロセス及びリソグラフィ・システムの評価方法、基板処理装置の調整方法、リソグラフィ・システム、露光方法及び装置、並びに感光材料の状態の測定方法 | |
JP3828063B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH11135421A (ja) | 投影光学系の結像特性計測方法及び投影露光装置 | |
JPS5821740A (ja) | 投影露光用フオトマスク | |
KR960011463B1 (ko) | 노광기의 촛점 및 평행도 측정 방법 | |
KR100576518B1 (ko) | 노광장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 노광 방법 | |
JP2004014720A (ja) | 露光方法 | |
US6487711B1 (en) | Method of analyzing factor responsible for errors in wafer pattern, and apparatus for producing photolithographic mask | |
JPH10125589A (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
JPH0684752A (ja) | 露光装置とアライメント精度測定方法 | |
JP2004029372A (ja) | マスク、結像特性計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JPH06120115A (ja) | 露光位置精度の検査方法 | |
JPH08320572A (ja) | 露光方法 | |
JPH08286391A (ja) | ステッパの位置合せおよび解像度測定用バーニアを有するホトマスク | |
JP2000089483A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置並びに露光装置 | |
JPS6258139B2 (ja) | ||
JPH04121745A (ja) | レティクルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |