KR900004051B1 - 투영노광법 및 그 장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

투영노광법 및 그 장치

제 1 도는 본 발명의 일 실시예에 따른 투영노광장치의 개략구성도.

제 2 도는 웨이퍼상에 형성시킬 패턴 및 제 1위치설정 표시부를 나타내는 평면도.

제 3 도는 표시부를 이용하여 위치를 설정하는 원리를 설명하기 위한 모식도.

제 4 도 내지 7 도는 각각 배열검출광학장치와 마스크 표시부와의 관계를 설명하기위한 모식도.

제 8 도는 웨이퍼상에 마스크를 형성시키는 방법을 설명하기 위한 모식도.

제 9 도 및 10 도는 각각 본 발명의 변경실시예를 나타내는 모식도.

제 11 도는 종래의 투영노광장치를 나타내는 개략구성도.

제 12 도는 광 구성 노광법을 설명하기위한 모식도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 조명광학장치 20 : 마스크

21, 41 : 표시부군 30 : 렌즈

40 : 웨이퍼 42 : 소자칩

50 : 스테이지 61 : 배열검출광학장치

71 : 구동장치 72 : 레이저측정장치

본 발명은 투영광학장치를 통하여 마스크(또는 레티클(reticle)의 패턴을 웨이퍼상에 전사하는 방법에 관한 것으로, 특히 다수의 마스크패턴을 노광시켜 주면서 그 주변을 연결하여 맞추어줌으로써 칩패턴 (Chip Pattern)을 형성시켜 주도록 된 광 구성(Photo Composed) 방식의 투영노광 방법 및 그 방법을 실현하기 위한 투영노광장치에 관한 것이다.

최근들어 LSI등 반도체 소자의 회로패턴이 미세화되어져감에 따라, 패턴전사수단으로서 제 1 도에 도시된 바와 같은 고해상성능을 갖는 광학적 축소투영노광장치가 널리 사용되게 되었다. 도면중 부호 10은 노광용조명광학장치이고, 20은 마스크, 30은 축소투영 렌즈, 40은 반도체웨이퍼인데, 마스크(20)에는 위치 정합용표시부(21a,21b) 가 형성되어 있다. 또 부호 50은 웨이퍼스테이지이고, 61a와 61b는 배열검출광학장치 이며, 71a,71b는 구동장치 계통이고, 72a, 72b는 레이저길이 측정장치계통이다.

이 장치의 해상성능은 탑재된 투영렌즈(30)의 해상도 R로 대략결정되고, 릴레의 이론등으로부터 해상도 R은 다음 식으로 나타내진다.

R = K (λ/NA)

여기서 R은 해상도 (μm), λ는 파장(μm), NA는 렌즈의 구멍수(numerical aperture)인데 NA=n sinα로 나타내지며, 또 α는 웨이퍼(40)에 대해 입사하는 빛의 열림각도(광속각도)이고, n은 매질의 굴절율이며, K는 비례정수로서, 렌즈(30)의 수차(收差)가 없는 경우에는 이론상으로 K=0.61이 되지만, 실제로 연구실수준에서는 K=0.65 정도가 되고, 양산조건하에서는 K=0.8 정도가 된다고 한다. 상기 식으로부터 알수있는 바와같이, 해상도를 높여주려면 노광파장을 짧게 한다든가 렌즈(30)의 구멍수(NA)를 많아지게 하는것이 효과적인데, 종래에는 이런 종류의 노광장치에 쓰여지고있는 노광파장으로서는 수은스펙트럼중의 g선(436nm)이 주류를 이루었고, 최근에 와서야 겨우 i선 (365nm)용 투영렌즈가 나오기 시작한 단계여서, 그 이상의 단파장용에 대해서는 렌즈자체의 흡수율증가에 수반되고 있는 제반문제등으로 실용화되고 있지못하고 있다. 따라서 현재로는 렌즈의 구멍수(NA)를 많게 해주는 것이 해상도를 향상시켜 주기위한 가장 중요한 요인으로 되고 있다.

그런데, 렌즈설계상 렌즈의 개구수(NA)와 노광영역은 어떤 상관관계를 가지고 있어, 개구수(NA)가 큰 렌즈는 일반적으로 큰 노광영역을 확보하기가 어렵게 되는 바, 예컨대 0.35클라스의 NA에 대해서는 15mm□(20mmψ)정도의 노광영역을 확보할 수는 있으나, 0.42클라스의 NA에 대해서는 10mm□(14mmψ)정도의 노광영역밖에 확보할 수가 없게 된다.

한편 반도체소자의 최근동향으로서 패턴의 미세화에도 불구하고 고집적화의 요구때문에 회로소자의 칩사이즈가 커져가고 있는바, 특히 1M비트다이나믹 RAM 이상의초 LSI 등에서는 10mm□이상의 칩사이즈가 필요하게 되고 있다. 그러나 앞서 언급한 바와같이 광학식 투영노광장치에 있어서는 개구수(NA)를 많아지게 하면서 노광영역도 아울러 만족시켜 주는 것이 매우 곤란하게 되어, 이런점이 커다란 문제로 되고 있다.

그런데 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 방법의 하나로서, 광구성(photo composed)노광법이 제안되어져 있는바, 이는 제 12도(a)에 도시된 바와 같이 소자칩(42)의 영역을 A, B, C, D와 같이 4부분으로 분할시켜 그 각 영역의 패턴을 따로따로 노광시켜 나간다는 방법이다. 즉, 한곳의 노광영역은 좁더라도 이들을 이어맞춰주게되면 넓은 노광영역을 얻을 수가 있게 된다는 것이다. 이러한 방법에 의하면, 예컨대 한곳의 노광영역이 100mm□이 된다 하더라도 4면을 이어맞춰줌으로써 20mm□의 영역을 얻을 수가 있게 되는 것이다.

그러나 이 방법에 있어서의 커다란 결점은 분할 된 각 영역을 극히 정밀하게 이어 맞춰주어야 한다는 점으로서, 즉, 제 11 도에 도시된 종래의 장치를 이용하여 이 방법을 수행시켜주게 되면, 제 12 도(b)에 도시된 바와같이 1곳의 영역(A)에 대해서는 그 영역(A)주변에 마련해 놓은 위치정합용표시부(41a, 41b) 및 마스크(20)의 마스크패턴영역주변에 배치해놓은 위치정합용표시부 (21a, 21b)를 써서 배열검출광학장치(61a, 61b)에 의해 높은 정밀도로 위치를 결정하여 노광시켜 줄 수가 있게된다. 그러나 기타 영역(B, C, D)에 대해서는 상기와 동일한 관계를 갖는 위치정합용표시부를 설치해 줄수가 없기 때문에 표시부에 의거하여 높은 정밀도로 위치를 결정해 줄 수가 없게 된다.

이에대해 제시될 수 있는 방법으로서는, 기타영역 (B, C, D)의 위치를 결정해 주는 경우 일단 영역(A)의 위치에서 기타영역(B, C, D)을 표시부(21a, 21b)에 대해 위치결정해 준 다음, 웨이퍼(40)가 실려진 스테이지(50)를 이동시켜주는데 그때의 스테이지(50)의 이동량은 별도의 길이 측정장치인 예컨대 레이저장치(72a, 72b)를 써서 계측하여 그 측정값에 의거 기타 영역(B, C, D)의 각 위치를 결정하여 노광시켜 주게되는 것이다. 그러나 이러한 방법은 마디를 이어 맞추듯이 위치가 정합되어지기 때문에 높은 정밀도로 위치시켜주기가 매우 어려워 전사되는 각 영역(A, B, C, D)을 극히 정밀하게 이어 맞춰줄 수가 없게 된다.

상기와 같이 종래의 광구성노광방식에 있어서는, 분할된 각 영역을 높은 정밀도로 위치결정해주기가 곤란하여 각 영역을 극히 정밀하게 이어 맞춰주는 것이 불가능하였다.

이에 본 발명은 상기와 같은 점을 고려하여 발명된 것으로, 광구성노광방식에 있어서 분할된 각 영역을 높은 정밀도로 위치결정하여 노광시켜 줄 수가 있고, 또 각 영역사이를 극히 정밀하게 이어 맞춰줄 수 있는 투영노광방법 및 상기 방법을 실시하기 위한 투영노광장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 요점은, 웨이퍼상에 전사시킬 위치에 대응해서 마스크에 마련해 놓은 위치정합용표시부의 위치를 변경시켜줌으로써 각 마스크마다 표시부를 써서 직접 위치를 정합시켜 주도록 된 것이다.

즉, 본 발명은 소정의 패턴이 형성된 복수개의 마스크를 써서 복수의 마스크패턴을 투영광학장치를 매개로 순차적으로 웨이퍼상에 전사시켜주고, 각 마스크패턴영역의 주변부를 웨이퍼상에서 결합시켜 1개의 칩패턴을 형성시켜주도록 된 투영노광방법에 있어서, 상기 마스크에는 상기 마스크패턴영역의 웨이퍼상에서 결합되지 않은 적어도 2개의 주변부근처에 각각 제 1위치정합용표시부군을 형성시켜놓고, 상기 웨이퍼에는 각마스크마다 표시부군과 위치정합되어질 제 2위치정합용표시부군을 형성시켜 놓음으로써, 상기 제 1 및 제 2 위치정합용표시부군의 상대위치를 맞추어 각 마스크패턴을 노광시켜주도록 된 방법이다.

또, 본 발명은 상기 방법을 실시하기 위한 투영노광장치에 있어서, 상기 마스크와 웨이퍼가 위치정합되어지도록 하기 위한 위치검출광학장치를 마스크패턴의 4주변 방향으로 각각 배치시켜주도록 된 장치를 제공하는 것을 주안점으로 한다.

상기와 같은 방법에 따르면, 각 마스크마다 제 1 위치정합용표시부군과 제 2 위치설정용표시부군이 직접적으로 위치정합되어지기 때문에 모든 마스크에 대해 웨이퍼의 위치를 높은 정밀도로 정합시켜줄 수 있게 된다. 따라서, 패턴의 연결이 극히 정밀하게 이루어지게 해 줄 수가 있게 되어 광구성노광방식이 갖는 장점을 충분히 살릴수가 있게된다.

이하 본 발명의 구성 및 작용효과를 예시도면에 의거 상세히 설명한다.

제 1 도는 본 발명의 일실시예에 관한 투영노광장치를 도시해놓은 개략구성도로서, 부호 10은 노광용조명광학장치인데, 이 조명장치(10)로부터 빛이 마스크(20)로 조사되게된다. 이렇게 조사되어 마스크(20)를 투과한 빛은 투영광학장치인 축소투영렌즈(30)를 거쳐 웨이퍼(40)상에 조사되게 되고, 그에따라 마스크패턴이 웨이퍼(40)상에 전사되어지게 된다.

여기서 본 장치의 기본 구성은 상기 제 11 도에 도시된 종래의 장치와 마찬가지이지만, 본 장치가 그것과 다른 점은 배열검출광학장치(61)를 4개 설치해 놓고 있다는 점이다. 즉 마스크(20)의 마스크패턴영역 4주변에 배열검출광학장치(61a∼61d)가 각각 배치되어 있고, 마스크(20) 및 웨이퍼(40)에는 뒤에 설명되는 바와같이 제 1 및 제 2 위치정합용표시부(21, 41)가 각각 형성되어져 있다.

제 2 도는 웨이퍼(40)상에 전사되는 칩패턴을 분할시켜 놓은 예를 도시해놓은 평면도로서, 칩패턴(42)은 4개 영역 (A, B, C, D)으로 분할되어져 있고, 또 각 영역의 주변에는 미리 제 2 위치정합용표시부군(41a∼41h)이 형성되어져 있는바, 즉 영역(A)의 기타 영역(B, D)과 결합되지 않은 2곳의 주변부에는 표시부(41a, 41b)가 형성되어져있고, 영역(B)의 기타 영역(A, C)과 결합되지 않은 2곳의 주변부에는 표시부(41c, 41d)가 형성되어져 있으며, 영역(c)의 기타 영역(B, D)과 결합되지 않은 2곳의 주변부에는 표시부(41e, 41f)가 형성되어 있고, 영역(D)의 기타 영역(A, C)과 결합되지 않은 2곳의 주변부에는 표시부군(41g, 41h)가 형성되어 있다.

여기서 배열검출광학장치(61)에 의해 표시부군(21, 41)의 위치를 정합시켜줌에는, 웨이퍼(40)에 형성된 표시부군(41)에다 빛을 조사시켜 그 표시부군(41)로부터 반사된 빛이 투영렌즈(30)에 의해 마스크(20)에 형성된 표시부군(2l)에 상으로 맺혀지게 되고, 이를 배열검출광학장치(61)로써 수광하게 된다. 그리고 제 3 도에 도시된 바와같이 웨이퍼표시부군(41)에 의한 검출신호의 피크치(P₁, P₂)중간점과 마스크표시부군(21)에 의한 검출신호의 피크치(Q₁, Q₂)중점이 일치되도록 해 주면 좋다.

한편 마스크(20)는 제 4 도 내지 7 도에 도시된 바와 같이 4가지 종류로서, 그 각 마스크(20a∼21d)에는 웨이퍼(40)상의 제 2 위치 정합용표시부군(41)에 대응하는 제 1 위치정합용표시부군(21a∼21h)이 형성되어져 있다. 마스크(20a)에는 제 4 도(a)에 도시된 바와같이 마스크(20a)의 마스크패턴영역 (A) 주변부뿐만아니라 웨이퍼(40)상에서 다른 마스크패턴영역과 결합되지 않은 2곳의 주변부에도 표시부 (21a, 21b)가 형성되어져 있다. 마찬가지로 마스크(20b)에는 제 5 도(a)에 도시된 바와같이 표시부(21c, 21d)가 형성되어 있고, 마스크(20c)에는 제 6 도(a)에 도시된 바와 같이 표시부(21e, 21f)가 형성되고, 마스크(20d)에는 제 7 도(a)에 도시된 바와 같이 표시부(21g, 21h)가 형성되어져 있다.

다음에는 상기 장치를 이용한 투영노광방법에 대해 설명한다.

제 4 도 내지 제 7 도는 위치정합을 해줄때 사용되는 위치검출광학장치와 마스크표시부와의 관계를 설명하기 위한 도면으로서, 마스크상부면으로부터 바라본 것인데, 여기서 전사패턴은 영역(A), 영역(B), 영역(C), 영역(D)순으로 노광되어지는 것으로 하여 그 각각을 스텝(A), 스텝(B), 스텝(C), 스텝(D)로 설명한다.

먼저 스텝(A)에 대해, 제 4 도(a, b)를 참조로 설명한다. 이 경우 사용되는 마스크(20)는 제 4 도(a)에 도시된 바와같이 패턴 "A"가 그려져 형성되어 있는 마스크(20a)로서, 이 패턴(A)의 주변에는 위치정합용표시부(21a, 21b)가 존재하는데, 이 마스크(20a)를 투영노광장치에다 셋팅시켜 주고, 전사되어질 웨이퍼(40)를 스테이지상에다 셋팅시켜, 제 4 도(b)에 도시된 바와같이 패턴 "A"가 전사될 영역(A)의 중심이 투영렌즈(30)의 중심이 되도록 스테이지(50)를 이동시켜준다. 이때 배열검출광학 장치(61a)를 가지고 마스크표시부(21a)와 웨이퍼표시부(41a)의 위치가 어긋난 양을 검출하고, 배열검출광학장치(61b)를 가지고 마스크표시부(21a)와 웨이퍼표시부(41b)의 위치가 어긋난 양을 검출해 웨이퍼스테이지(50)의 X, Y, θ방향의 미동기구(도시하지 않음)를 이용하여 위치를 보정해 줌으로써 마스크(20a)와 웨이퍼(40)의 위치가 정합되어지게한다. 이렇게 위치가 정합되어진 후에는 마스크 패턴 "A"를 웨이퍼(40)상에 전사시켜줌으로써 스텝(A)가 끝나게 된다.

다음 마스크(20a)를 마스크(20b)로 교환해 주어 스텝(B)로 옮겨 준다. 이때 마스크(20b)에는 제 5 도(a)에 도시된 바와같이 전사 패턴 "B"와 마스크표시부(21c, 21d)가 형성되어져 있는바, 마스크(20b)를 셋팅시켜준 다음 제 5 도(b)에 도시된 바와같이 웨이퍼(40)에서 패턴 "B"가 전사되어져야 할 위치로 웨이퍼스테이지(50)를 이동시켜주고, 배열검출광학장치(61b)를 가지고 마스크표시부(21c)와 웨이퍼(41c)의 위치가 어긋난 양을 검출하고, 배열광학검출장치(61c)를 가지고 마스크표시부(21d)와 웨이퍼표시부(41d)의 위치가 어긋난량을 검출해서 스텝(A)에서의 경우와 마찬가지로 마스크(20b)와 웨이퍼(40)의 위치를 정합시켜준다음 마스크패턴 "B"를 웨이퍼(4)상에다 전사시켜주게 되면 스텝(B)가 끝나게 된다.

스텝(C) 및 스텝(D)의 경우에도 스텝(A)의 경우와 마찬가지순서로 이루어지게 된다. 다만 스텝(C)에서 사용되는 마스크(20)는 마스크(20c)이고, 사용되는 배열검출 광학장치는 61c, 61d이며, 마스크표시부는 21e, 21f이고, 웨이퍼표시부는 41e, 41f가 된다. 또 스텝(D)에서 사용되는 마스크(20)는 마스크(20d)이고, 사용되는 배열검출광학장치는 61d, 61a이며, 마스크표시부는 21g, 21h이고, 웨이퍼표시부는 41g, 41h가 된다.

상기와 같은 방법에 따라 4매의 마스크(20)를 웨이퍼(40)상의 각각 대응되는 표시부에 대해 위치정합시켜줄 수 가 있게되고, 각각 높은 정밀도로 위치를 결정지어줘 패턴을 전사시켜 줄 수가 있게 된다. 따라서 4개의 마스크패턴을 웨이퍼(40)상에 극히 정밀하게 이어 맞춰 전사시켜줄 수가 있게 되고, 그에 따라 광구성노광방식의 장점을 충분히 살릴수가 있게 된다.

그런데, 상기방법에 따를 경우 상기 패턴 "A", "B", "C", "D"를 극히 정밀하게 이어 맞춰 주기 위해서는 각 패턴의 위치정합에 쓰여지는 웨이퍼상의 위치정합용표시부군(41-41b; 41c,41d,41e,41f ; 41g,41h)의 각 위치관계가 정확해야만 하는데, 이러한 웨이퍼표시부의 형성방법으로는 별도의 노광장치를 이용하는 방법을 생각할 수가 있다. 즉, 한번의 노광으로 표시부패턴을 형성시켜 주어야 하나, 같은장치를 가지고 이를 형성시켜주려면 노광영역이 좁아 지기때문에 제 2 도에 도시된 바와같이 표시부(41a∼41h)를 형성하기 위해서는 최소한 4번을 노광시켜주어야 하게 되고, 이때의 노광은 웨이퍼스테이지(50)의 절대위치결정의 정밀도에 의거 이루어지기 때문에 표시부(41a-41h)사이의 위치정밀도가 상기 4번 노광시켜줄때의 위치결정정밀도에 의존하게 되어 위치설정의 정밀도가 충분히 확보되기가 어렵게 된다.

그 때문에 첫번째의 노광을 할때에는 노광영역이 큰 다른 노광장치를 이용하게 되는바, 즉 제 8 도에 도시된 바와같이 표시부(41a-41h)를 포함하는 마스크패턴이 1회의 노광으로 이루어지도록 하고, 웨이퍼표시부를 동시에 형성해 주게 된다. 이렇게 하게 되면 표시부(41a-41h)사이의 위치정밀도가 스테이지(50)의 위치결정정밀도에 의존하지 않고서 확보되어지게 된다. 또 1번째의 노광으로는 표시부패턴이 형성될 수 있는 정도의 해상도를 가지면 되므로, 앞에 설명한 바와 같은 광학식투영노광장치를 이용하더라도 큰 노광영역을 확보할 수 있게 된다. 또다른 노광장치로서 전자빔노광장치를 이용해도 좋은바, 요는 1번의 노광으로 표시부(41a-41h)의 위치관계를 높온 정밀도로 보상시켜 배열표시부를 형성시켜 주기만 하면 되는 것이다.

이상과 같이 본 실시예에 의하면, 웨이퍼(40)상에 형성되면서 그 위치관계가 충분히 확보된 각각의 제 2위치정합용표시부군(41)의 각각에 대해, 4매의 마스크(20)상에 각각 형성된 제 1위치정합용표시부군(21)을 위치정합시켜줌으로써, 마스크패턴(A,B,C,D)의 위치를 극히 정밀하게 위치결정시켜 웨이퍼(40)상에 전사시켜줄 수가 있게 된다. 즉, 패턴(A,B,C,D)을 극히 정밀하게 이어맞춰 하나의 칩패턴을 형성시켜 주는 것이 가능해지게 되고, 그에 따라 투영렌즈(30)의 고 NA화에 수반된 노광영역이 작아지더라도 큰 칩사이즈의 패턴을 형성시켜줄 수가 있기 때문에 더욱 미세한 패턴을 성형시켜줄수가 있게 되는바, 이는 반도체소자형성의 리도그라피공정에서의 효과가 절대적이 된다. 또 제 1 도와 제 11 도를 비교해보면 알수 있듯이, 본 발명의 장치로서는 종래장치의 배열검출광학장치(61)의 숫자 및 그 배열위치를 변경시켜주는 것만으로도 간단히 실현시켜줄 수 있게 되는 잇점이 있다.

한편 본 발명은 상기와 같은 실시예에만 한정되지 않고, 예컨대 상기 칩패턴의 분할이 4분할에 한정되지 않고 제 9 도에 도시된 바와같이 2분할로 해주어도 좋은바, 이경우 마스크에 형성될 제 1위치정합용표시부군이 마스크패턴영역의 웨이퍼상에서 결합되지 않는 2곳 또는 3곳의 주변부에 형성되어지면 된다. 즉, 제 1위치정합용표시부군이 마스크패턴영역의 웨이퍼상에서 결합되어지 않은 적어도 2곳의 주변부에다 형성시켜 주면된다. 또 배열검출광학장치(61)는 제 10 도에 도시된 바와같이 마스크(20)와 투영렌즈 (30)사이에 설치시켜 놓은 것이라도 좋다.

또한 배열검출광학장치(61)에 의한 위치정합원리는, 상기 제 3 도에 도시된 방법에 의해 하등 한정되지 않고 규격에 대응하여 적당히 변경시켜줄 수도 있다. 기타 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형시켜 실시할 수가 있다.

이상 설명한 바와같이 본 발명에 의하면, 각 마스크 마다 제 1위치정합용표시부군과 제 2위치정합용표시부군이 직접적으로 위치정합되어지게 되므로, 모든 마스크에 대해 웨이퍼의 위치정합이 높은 정밀도로 이루어질수 있게 되고, 그에따라 광구성노광방식에서 분할되는 각 영역을 높은 정밀도로 위치결정시켜 노광시켜줄 수가 있게 되어, 각 영역사이를 극히 정밀하게 이어맞춰 줄수가 있게 되는 효과가 있다.

Claims (7)

1. 소정패턴이 형성된 복수의 마스크(20)를 써서 복수의 마스크패턴을 투영광학장치를 거쳐 웨이퍼(40)상에다 순차적으로 전사하고, 각 마스크패턴영역(A,B,C,D)의 주변부를 웨이퍼(40)상에서 결합시켜 하나의 칩패턴을 형성시켜 주도록 된 투영노광방법에 있어서, 상기 마스크(20)에는 상기 마스크패턴영역의 상기 웨이퍼(40)상에서 결합되지 않는 적어도 2곳의 주변부 근방에 각각 제 1위치정합용표시부군(21)을 형성시켜주고, 상기 웨이퍼(40)상에는 상기 마스크(20)마다 상기 표시부군(21)과 위치정합되어질 제 2위치정합용표시부군(41)을 형성시켜놓아, 상기 제 1및 제 2위치정합용표시부군(21,41)의 상대위치를 정합시켜 각 마스크패턴을 노광시켜줄 수 있도록 된 것을 특징으로하는 투영노광방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크(20)는 사각형마스크 패턴영역을 갖는 4매의 마스크(20a∼20d)를 사용하도록 된 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2위치정합용표시부군(41)은 전자빔노광장치를 사용하여 형성시켜주도록 된것을 특징으로 하는 투영노광방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2위치정합용표시부군은 상기 마스크패턴을 웨이퍼(40)상에다 전사해줄때 사용하게 되는 투영노광장치보다도 노광영역이 넓은 별도의 투영노광장치를 써서 형성시켜주도록 된 것을 특징으로 하는 투영노광방법.
5. 마스크에 형성된 마스크패턴을 투영노광장치를 통해 웨이퍼상에 전사하도록 된 투영노광장치에 있어서, 상기 마스크(20)와 웨이퍼(40)의 위치정합이 이루어지도록 하기위한 위치검출광학장치(61)를 상기 마스크패턴영역(A,B,C,D)의 4주변방향에다 각각 배치시켜 놓은것을 특징으로 하는 투영노광장치.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 위치검출광학장치(61)는 마스크(20)의 종류에 따라 복수개가 사용되도록 된 것을 특징으로하는 투영노광장치.
7. 제 5 항에 있어서, 상기 위치검출광학장치(61)는 상기 마스크(20)에 형성된 제 1위치정합용표시부군(21)과 상기 웨이퍼(40)에 형성된 제 2위치정합용표시부군(41)과의 상대위치를 검출하도록 된 것으로, 이 위치검출광학장치(61)에 대해 각마스크신호검출이 상기 투영광학장치를 통해 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 투영노광장치.

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