KR100468725B1 - 렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈수차 측정 방법 - Google Patents

렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈수차 측정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100468725B1
KR100468725B1 KR10-2002-0020469A KR20020020469A KR100468725B1 KR 100468725 B1 KR100468725 B1 KR 100468725B1 KR 20020020469 A KR20020020469 A KR 20020020469A KR 100468725 B1 KR100468725 B1 KR 100468725B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
light
light shielding
photomask
light blocking
Prior art date
Application number
KR10-2002-0020469A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030081994A (ko
Inventor
김호철
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2002-0020469A priority Critical patent/KR100468725B1/ko
Priority to US10/368,422 priority patent/US6913858B2/en
Publication of KR20030081994A publication Critical patent/KR20030081994A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100468725B1 publication Critical patent/KR100468725B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Abstract

양 면에 차광 패턴이 형성되어 있는 렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈 수차 측정 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크는 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 투명 기판과, 상기 투명 기판의 제1 표면 위에 형성되어 있고 상기 제1 표면을 노출시키는 복수의 애퍼쳐가 형성되어 있는 제1 차광 패턴과, 상기 투명 기판의 제2 표면 위에 형성되어 있는 소정 형상의 제2 차광 패턴을 포함한다. 본 발명에 따른 렌즈 수차 측정 방법에서는 제1 표면에 복수의 애퍼쳐가 형성되어 있는 제1 차광 패턴과, 상기 제2 표면 위에 형성되어 있는 소정 형상의 제2 차광 패턴을 포함하는 포토마스크를 준비하고, 이 포토마스크를 노광 장치의 광원과 수차 측정 대상의 광학 렌즈 사이에 위치시킨다. 상기 포토마스크를 통하여 웨이퍼상의 포토레지스트막을 노광하여 웨이퍼상에 제1 패턴을 형성한다. 상기 제1 패턴의 위치 데이타에 의거하여 상기 광학 렌즈의 동공면(pupil plane)상의 수차를 평가한다.

Description

렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈 수차 측정 방법 {Photomask for measuring lens aberration, method for manufacturing the same, and method for measuring lens aberration}
본 발명은 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈 수차 측정 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자 제조를 위한 노광 공정에서 사용되는 렌즈의 수차를 측정하기 위한 포토마스크 및 그 제조 방법과, 상기 포토마스크를 이용하여 수차를 측정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 표시 소자를 제조하는 데 있어서, 원하는 패턴을 형성하기 위하여 노광 장치를 사용한다. 노광 장치는 소정의 패턴이 형성되어 있는 포토마스크에 빛을 조사하여 기판상에 원하는 패턴을 형성하는 장치이다. 노광 공정을 통하여 원하는 패턴을 형성하고자 하는 경우, 포토마스크에 형성된 패턴이 기판상에 정확하게 1:1 대응되어 형성되거나, 또는 축소되어 형성된다. 노광 장치는 렌즈를 포함하는 광학계가 내장되어 있다. 광학계를 구성하고 있는 렌즈는 그 설계상, 가공상 또는 이들 양자에 기인하여 광학계의 결상(結像)이 불완전한 결과로서 발생되는 수차를 가지고 있다. 예를 들면, 반도체 소자를 제조하는 데 널리 사용되고 있는 축소투영 노광 장치의 투영 렌즈의 수차로서는 구면수차, 비점수차, 코마수차 등과 같은 수차들이 있다. 광학계를 구성하는 렌즈의 수차에 의한 영향을 최소화하기 위하여는 렌즈의 수차를 정확하게 측정하는 것이 중요하다. 렌즈의 수차를 측정하기 위하여 다양한 방법들이 제안되었다.
일반적으로, 포토마스크에 특정한 피쳐(feature)가 있을 때, 노광시에는 그 피쳐에 관한 정보가 렌즈의 모든 부분을 통하여 전달된다. 따라서, 렌즈의 동공면(pupil plane)중 특정 영역에서의 특성을 알아내는 것은 쉽지 않다. 렌즈의 각 위치에서 얻어지는 실제 동공면을 구하기 위하여는 광 빔이 렌즈의 특정 위치를 통과할 때 얻어지는 정보 만으로 이미지(image)를 형성하여야 한다. 즉, 동공면을 원하는 정도로 작은 영역으로 분할하고, 각각의 분할된 영역만을 통과하는 피쳐로부터 얻어지는 이미지에 의해 실제 동공면에 관한 정보를 얻을 수 있다.
종래 기술에 따른 렌즈 수차 측정 방법에서는 포토마스크를 통과한 빛이 수차 측정 대상 렌즈의 동공면중 특정한 영역만을 통과하여 기판상에 결상될 수 있도록 하기 위하여 포토마스크의 아래에 별도로 설치된 애퍼쳐(aperture)를 사용하였다. 애퍼쳐는 렌즈에 입사되는 광 빔의 각도를 제한하여 상기 렌즈 동공의 특정 영역에서의 수차 특성을 규명할 수 있도록 하기 위하여 사용되는 것이다. 포토마스크상에 형성된 소정 형상, 예를 들면 바(bar) 형상의 투광 영역을 통과한 빛이 애퍼쳐에 의하여 특정한 각도로만 측정 대상의 렌즈를 통과하도록 유도되고, 렌즈 동공의 특정 영역만을 사용하여 이미지를 형성하게 된다.
그러나, 상기와 같이 별도의 애퍼쳐를 사용하는 종래 기술에 따르면, 포토마스크의 위 또는 아래에 별도의 애퍼쳐 구조물을 설치하여야 하므로 수차를 측정하기 위한 장치가 복잡하게 된다. 또한, 포토마스크와 애퍼쳐가 상호 정확한 위치에 정렬될 수 있도록 하기 위하여 애퍼쳐를 기계적으로 움직여야 하므로 정렬 작업이 번거로울 뿐 만 아니라 소요 시간이 길어지고 정렬 정확도도 떨어진다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 포토마스크와 애퍼쳐의 정렬을 위한 별도의 시간을 요하지 않고 렌즈의 수차를 정확하게 측정할 수 있는 렌즈 수차 측정용 포토마스크를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 렌즈의 수차를 간단한 방법으로 정확하게 측정하는 데 사용될 수 있는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 렌즈의 수차를 간단한 방법으로 정확하게 측정할 수 있는 렌즈 수차 측정 방법을 제공하는 것이다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제1 표면측 상면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제2 표면측 상면도이다.
도 6은 얼라인 키가 형성된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제1 표면측 상면도이다.
도 7은 제3 차광 패턴이 형성된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크에서 제3 차광 패턴이 형성되어 있는 부분의 제1 표면측 상면도이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
도 10은 본 발명에 따른 방법에 따라 렌즈의 수차를 측정하는 데 있어서 포토마스크상의 패턴을 웨이퍼상에 전사하는 구성을 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 11은 본 발명에 따른 포토마스크의 제1 차광 패턴에 형성된 애퍼쳐를 통과한 빛이 지나는 각각의 위치들을 광학 렌즈의 동공면상에 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정 방법에 따라 렌즈의 수차를 측정하기 위하여 웨이퍼상에 형성한 제1 패턴 및 제2 패턴의 예를 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 투명 기판, 12: 제1 표면, 14: 제2 표면, 16: 패턴 형성 영역, 18: 얼라인 마크, 22: 제1 차광막, 22a: 제1 차광 패턴, 23: 애퍼쳐, 24: 제2 차광막, 24a: 제2 차광 패턴, 32: 제3 차광 패턴, 100: 포토마스크, 210: 웨이퍼, 220: 광원, 223: 특정 위치들, 224: 동공면, 250: 수차 함수, 324: 제1 패턴, 332: 제2 패턴.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 양태에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크는 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 투명 기판과, 상기 투명 기판의 제1 표면 위에 형성되어 있고 상기 제1 표면을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(aperture)가 형성되어 있는 제1 차광 패턴과, 상기 투명 기판의 제2 표면 위에 형성되어 있는 소정 형상의 제2 차광 패턴을 포함한다.
상기 제1 차광 패턴에 형성되어 있는 복수의 애퍼쳐는 모두 동일한 직경을 가지도록 형성할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 차광 패턴에 형성된 애퍼쳐는 상기 제2 차광 패턴을 구성하는 차광막의 폭보다 5 ∼ 15배 큰 직경 사이즈를 가지도록 형성한다.
상기 제2 차광 패턴은 그리드 패턴(grid pattern)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 애퍼쳐의 중심으로부터 상기 애퍼쳐의 반경보다 작은 소정의 반경 거리 이내의 범위에 상기 그리드 패턴을 구성하는 차광막이 위치하도록 상기 제1 차광 패턴 및 제2 차광 패턴이 정렬되어 있다.
본 발명의 제1 양태에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크는 상기 투명 기판의 제1 표면 및 제2 표면중 적어도 하나의 표면에 형성된 얼라인 마크(align mark)를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 양태에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크는 상기 제2 차광 패턴으로부터 얻어진 실제 패턴의 시프트(shift) 양을 산출하는 데 있어서 기준으로 사용하기 위하여 상기 투명 기판의 제2 표면에 형성된 제3 차광 패턴을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 차광 패턴은 외형이 사각형인 프레임(frame) 형상의 복수의 패턴이 단속적(斷續的)으로 배치되어 있는 구성을 가진다. 이 때, 상기 투명 기판의 제1 표면은 상기 제1 차광 패턴이 형성된 패턴 형성 영역과, 상기 제1 표면이 노출되어 있는 투광 영역을 포함하고, 상기 제3 차광 패턴은 상기 제2 표면상에서 상기 제1 표면의 투광 영역에 대응하는 위치에 형성되어 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제2 양태에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크는 노광 장치의 광원에 대면하는 제1 표면과, 수차 측정 대상의 광학 렌즈에 대면하는 제2 표면을 가지는 투명 기판과, 상기 투명 기판의 제1 표면에 형성되고 상기 광원으로부터의 광 빔의 투과 영역 및 사이즈를 제한하기 위한 애퍼쳐가 형성되어 있는 제1 차광 패턴과, 상기 투명 기판의 제2 표면 위에 형성되어 있는 소정 형상의 제2 차광 패턴을 포함한다.
본 발명의 제2 양태에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크에서, 상기 투명 기판의 제2 표면에 형성된 제3 차광 패턴을 더 포함할 수 있으며, 상기 제3 차광 패턴은 상기 광원으로부터의 노광 결과 상기 제2 차광 패턴으로부터 얻어진 실제 패턴의 시프트(shift) 양으로부터 상기 광학 렌즈의 동공면(pupil plane)상의 소정 위치에서의 수차를 평가하는 데 있어서 기준으로 사용된다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법에서는, 투명 기판의 제1 표면과 그 반대측의 제2 표면 위에 각각 제1 차광막 및 제2 차광막을 형성한다. 상기 제1 표면을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(aperture)가 형성된 제1 차광 패턴이 형성되도록 상기 제1 차광막을 패터닝한다. 상기 제2 표면 위에 소정 형상의 제2 차광 패턴이 형성되도록 상기 제2 차광막을 패터닝한다.
상기 제2 차광막을 패터닝하는 단계는 상기 제2 차광 패턴을 형성하기 위하여 상기 제2 표면을 노출시키는 복수의 사각형 영역을 한정하는 그리드 패턴(grid pattern)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 차광막을 패터닝하는 단계는 상기 제1 표면 위에 얼라인 마크를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제2 차광막을 패터닝하는 단계는 상기 얼라인 마크를 이용하여 상기 제2 차광 패턴의 소정의 위치가 상기 제1 차광 패턴에 형성된 애퍼쳐에 정렬되도록 상기 제2 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제2 차광 패턴이 그리드 패턴으로 형성되는 경우, 상기 그리드 패턴을 형성하는 데 있어서 상기 얼라인 마크를 이용하여 상기 소정의 폭을 가지는 차광막을 상기 제1 차광 패턴에 형성된 애퍼쳐의 중심으로부터 상기 애퍼쳐의 반경보다 작은 소정의 반경 거리 이내의 범위에 정렬시킨다.
본 발명에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 차광막을 패터닝하는 단계는 상기 제1 표면상에서 상기 제1 차광 패턴이 형성되어 있는 영역을 제외한 다른 영역에 상기 제1 표면을 노출시키는 투광 영역을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 차광막을 패터닝하는 단계는 상기 제2 표면중 상기 제1 표면의 투광 영역에 대응하는 영역에 상기 제2 차광 패턴과는 다른 형상을 가지는 제3 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 차광 패턴은 상기 제2 표면을 노출시키는 복수의 사각형 영역을 한정하는 그리드 패턴으로 이루어지고, 상기 제3 차광 패턴은 상기 외형이 사각형인프레임 형상의 복수의 패턴이 단속적으로 배치되어 있는 구성을 가지도록 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제3 차광 패턴을 구성하는 프레임 형상의 패턴의 한 변의 길이는 상기 그리드 패턴에 의하여 한정되는 사각형 영역의 한 변의 길이보다 작게 되도록 한다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 렌즈 수차 측정 방법에서는 서로 반대측면인 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 투명 기판과, 상기 제1 표면 위에 형성되어 있고 상기 제1 표면을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(aperture)가 형성되어 있는 제1 차광 패턴과, 상기 제2 표면 위에 형성되어 있는 소정 형상의 제2 차광 패턴을 포함하는 포토마스크를 준비한다. 상기 포토마스크의 제1 차광 패턴이 노광 장치의 광원에 대면하고, 상기 포토마스크의 제2 차광 패턴이 수차 측정 대상의 광학 렌즈에 대면하도록 상기 포토마스크를 상기 노광 장치 내에 위치시킨다. 상기 포토마스크를 통하여 웨이퍼상의 포토레지스트막을 노광하여 웨이퍼상에 제1 패턴을 형성한다. 상기 제1 패턴의 위치 데이타에 의거하여 상기 광학 렌즈의 동공면(pupil plane)상의 수차를 평가한다.
본 발명에 따른 렌즈 수차 측정 방법에서는 상기 제2 차광 패턴과는 다른 형상을 가지는 제3 차광 패턴이 형성된 투명 기판으로 이루어지는 포토마스크를 사용하여 상기 포토레지스트막을 노광하여 상기 웨이퍼상에 제2 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 패턴을 형성하는 단계에서는 상기 광원으로부터의 광이 상기 광학 렌즈의 모든 동공면(pupil plane)을 통과하도록 상기 포토레지스트막을 노광한다.
상기 제2 패턴을 형성하기 위한 노광 단계는 상기 제1 패턴을 형성하기 위한 노광 단계 전 또는 후에 행해질 수 있다.
상기 수차를 평가하는 단계는 상기 제2 패턴의 위치를 기준으로 하여 상기 제1 패턴의 위치 데이타로부터 상기 제1 패턴의 시프트(shift) 양을 산출하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 수차를 평가하는 단계는 상기 제2 패턴의 위치를 기준으로 하여 상기 웨이퍼상에서 상기 제1 패턴의 x 방향 시프트 변화량 f'x(x,y)을 산출하는 단계와, 상기 제2 패턴의 위치를 기준으로 하여 상기 웨이퍼상에서 상기 제1 패턴의 y 방향 시프트 변화량 f'y(x,y)을 산출하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 수차를 평가하는 단계에서는 상기 제1 패턴의 x 방향 시프트 변화량 f'x(x,y) 및 y 방향 시프트 변화량 f'y(x,y)에 의거하여 상기 광학 렌즈의 동공면(pupil plane)의 수차를 함수 f(x,y)의 형태로 구한다.
본 발명에 의하면, 포토마스크와 애퍼쳐의 정렬을 위한 별도의 시간을 요하지 않고 렌즈의 수차를 간단한 방법으로 정확하게 측정할 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
다음에 예시하는 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 첨부 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 어떤 막이 다른 막 또는 기판의 "위"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막이 상기 다른 막의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막이 개재될 수도 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크(100)의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 먼저 석영으로 이루어지는 투명 기판(10)을 준비한 후, 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12)과 그 반대측의 제2 표면(14) 위에 각각 제1 차광막(22) 및 제2 차광막(24)을 형성한다. 상기 제1 차광막(22) 및 제2 차광막(24)은 각각 크롬으로 이루어진다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 차광막(22)을 패터닝하여 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12)을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(aperture)(23)가 형성된 제1 차광 패턴(22a)을 형성한다. 도 4에 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 포토마스크(100)를 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12)측 상면도로서 나타내었다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 차광 패턴(22a)에는 상기 제1 표면(12)을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(23)가 형성된다. 상기 제1 차광 패턴(22a)에 형성되는 애퍼쳐(23)는 약 10 ∼ 30㎛의 직경을 가지도록 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 애퍼쳐(23)는 약 20㎛의 직경을 가진다.
도 3을 참조하면, 상기 제2 차광막(24)을 패터닝하여 상기 투명 기판(10)의 제2 표면(14) 위에 소정 형상의 제2 차광 패턴(24a)을 형성한다.
도 5에 본 발명에 따른 포토마스크(100)의 상기 제2 표면(14)측 상면도를 나타내었다. 도 5에 나타나 있는 바와 같이, 상기 제2 차광 패턴(24a)은 상기 제2 표면(14)을 노출시키는 복수의 사각형 영역을 한정하는 그리드 패턴(grid pattern)으로 형성된다. 상기 제2 차광 패턴(24a)을 구성하는 그리드 패턴은 약 1 ∼ 3㎛의 폭(W1)을 가지는 차광막으로 구성된다. 바람직하게는, 상기 제2 차광 패턴(24a)을 구성하는 그리드 패턴은 약 2㎛의 폭(W1)을 가진다. 여기서, 상기 제1 차광 패턴(22a) 및 제2 차광 패턴(24a)이 형성된 포토마스크(100)에 있어서, 상기 제1 차광 패턴(22a)에 형성된 애퍼쳐(23)는 상기 제2 차광 패턴(24a)을 구성하는 차광막의 폭(W1)보다 5 ∼ 15배 큰 직경(Da) 사이즈를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2 차광 패턴(24a)인 그리드 패턴을 구성하는 차광막이 상기 애퍼쳐의 중심(Ac)으로부터 상기 애퍼쳐의 반경(Ra)보다 작은 소정의 반경 거리 이내의 범위에 위치하도록 상기 제1 차광 패턴(22a) 및 제2 차광 패턴(24a)이 정렬되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, 상기 제1 차광 패턴(22a) 및 제2 차광 패턴(24a)이 정렬될 수 있도록 하기 위하여 상기 투명 기판(10)의 상기 제1 표면(12) 또는 제2 표면(14)상에 얼라인 마크(align mark)를 형성할 수 있다.
도 6은 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12)측 상면의 전체 구성을 개략적으로 도시한 상면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12)상에서 상기 제1 차광 패턴(22a)이 형성되는 패턴 형성 영역(16)의 주변에얼라인 마크(18)가 형성되어 있다.
상기 얼라인 마크(18)는 도 2를 참조하여 설명한 상기 제1 차광 패턴(22a) 형성을 위한 상기 제1 차광막(22)의 패터닝 단계에서 상기 제1 차광 패턴(22a)과 동시에 형성될 수 있다. 이와 같이, 상기 제1 차광 패턴(22a)과 함께 상기 얼라인 마크(18)가 상기 제1 표면(12) 위에 형성되었으면, 도 3을 참조하여 설명한 상기 제2 차광 패턴(24a) 형성 단계에서는 상기 얼라인 마크(18)를 이용하여 상기 제2 차광 패턴(24a)의 소정의 위치가 상기 제1 차광 패턴(22a)에 형성된 애퍼쳐(23)에 정렬되도록 상기 제2 차광 패턴(24a)을 형성한다. 즉, 상기 제2 차광막(24)을 패터닝하여 도 5에 나타낸 그리드 패턴으로 이루어지는 제2 차광 패턴(24a)을 형성하는 데 있어서, 상기 얼라인 마크(18)를 이용하여 폭 "W1"을 가지는 상기 그리드 패턴의 차광막을 상기 제1 차광 패턴(22a)에 형성된 애퍼쳐(23)의 중심(Ac)으로부터 상기 애퍼쳐(23)의 반경(Ra)보다 작은 소정의 반경 거리 이내의 범위에 정렬시킨다.
도 6에는 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12) 위에 얼라인 마크가 형성되는 것으로 설명하였으나, 필요에 따라 상기 투명 기판(10)의 제2 표면(14)에 얼라인 마크가 형성될 수도 있으며, 상기 제1 표면(12) 및 제2 표면(14) 양쪽 모두 얼라인 마크를 형성할 수도 있다.
도 3을 참조하여 설명한 상기 제2 차광 패턴(24a) 형성 단계에 있어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 투명 기판(10)의 제2 표면(14)중 상기 제2 차광 패턴(24a)이 형성되는 영역 이외의 영역에 제3 차광 패턴(32)을 형성할 수도 있다. 상기 제3 차광 패턴(32)은 상기 투명 기판(10)을 사용한 렌즈의 수차 측정시 상기제2 차광 패턴(24a)으로부터 얻어진 실제 패턴의 시프트(shift) 양을 산출하는 데 있어서 기준(reference)으로 사용하기 위하여 형성되는 것이다.
도 7에서와 같이, 상기 제3 차광 패턴(32)을 상기 투명 기판(10)상에 형성하는 경우, 상기 제3 차광 패턴(32)이 형성되는 영역에 대응되는 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12)에서는 상기 제1 차광막(22)을 완전히 제거함으로써 상기 제3 차광 패턴(32) 형성 영역의 반대측 제1 표면(12)이 완전히 노출되도록 하여야 한다. 이 경우, 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12)은 상기 제1 차광 패턴(22a)이 형성되는 패턴 형성 영역(16)과, 상기 제2 표면(14)에 제3 차광 패턴(32)을 형성하기 위한 투광 영역(도시 생략)을 포함한다. 즉, 상기 제3 차광 패턴(32)은 상기 제2 표면(14)상에서 상기 제1 표면(12)의 투광 영역에 대응하는 위치에 형성된다.
도 7에는 상기 제3 차광 패턴(32)을 상기 포토마스크(100)상에 형성하는 것으로 설명하였으나, 별도의 포토마스크에 상기 제3 차광 패턴(32)을 형성하고, 이를 렌즈 수차 측정시 이용하는 것도 가능하다.
도 8은 상기 포토마스크(100)중 상기 제3 차광 패턴(32)이 형성되어 있는 부분의 제2 표면(14)측 상면을 도시한 상면도이다. 도 8에서와 같이, 상기 제3 차광 패턴(32)은 외형이 사각형인 프레임(frame) 형상의 복수의 패턴이 단속적(斷續的)으로 배치되어 있는 구성을 가진다. 여기서, 상기 제3 차광 패턴(32)을 구성하는 프레임 형상의 패턴의 한 변의 길이(L3)(도 8 참조)는 상기 그리드 패턴에 의하여 한정되는 사각형 영역의 한 변의 길이(L2)(도 5 참조)보다 작게 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 렌즈 수차 측정 방법을 설명하기 위한 플로차트이고, 도 10은 본 발명에 따른 방법에 따라 렌즈의 수차를 측정하는 데 있어서 포토마스크(100)상의 패턴을 웨이퍼(210)상에 전사하는 구성을 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 먼저 본 발명에 따라 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 바와 같은 구성을 가지도록 제조된 포토마스크(100)를 준비한다 (단계 110).
그 후, 상기 포토마스크(100)의 제1 표면(12)에 형성된 제1 차광 패턴(22a)이 노광 장치의 조명 광학계를 구성하는 광원(220)에 대면하고, 상기 포토마스크(100)의 제2 표면(14)에 형성된 제2 차광 패턴(24a)이 수차 측정 대상의 광학 렌즈에 대면하도록 상기 포토마스크(100)를 상기 노광 장치 내에 위치시킨다 (단계 120).
상기 포토마스크(100)를 통하여 웨이퍼(210)상의 포토레지스트막(도시 생략)을 노광한다 (단계 130). 이 때, 상기 포토마스크(100)상의 제2 차광 패턴(24a)은 상기 제1 차광 패턴(22a)에 형성된 애퍼쳐(23)를 통하여 한정된 방향으로 입사되는 조명에 의하여 상기 광학 렌즈의 동공면(224)상의 소정 위치를 통해 웨이퍼(210)상의 포토레지스트막(도시 생략)상에 결상된다.
도 11은 상기 광학 렌즈의 동공면(224)상에서 상기 포토마스크(100)의 제1 차광 패턴(22a)에 형성된 애퍼쳐(23)를 통과한 빛이 지나는 각각의 특정위치들(223)을 나타낸 것이다. 이와 같이, 상기 광학 렌즈의 동공면(224)면중 특정 위치만을 지나는 빛에 의한 이미지의 수차 효과를 관찰함으로써 상기 광학 렌즈의 동공면(224)의 특정 영역에 대한 수차 정보를 얻을 수 있는 것이다.
상기 제2 차광 패턴(24a)과는 다른 형상을 가지는 제3 차광 패턴이 형성된 투명 기판으로 이루어지는 포토마스크(도시 생략)를 사용하여 상기 웨이퍼(210)상의 포토레지스트막을 중복 노광한다 (단계 140). 상기 제3 차광 패턴은 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이 외형이 사각형인 프레임(frame) 형상의 복수의 패턴이 단속적(斷續的)으로 배치되어 있는 구성을 가지도록 한다. 상기 제2 차광 패턴이 형성된 포토마스크는 상기 광원(220)으로부터의 노광 결과 상기 제2 차광 패턴(24a)으로부터 웨이퍼상에 얻어지는 실제 패턴의 시프트(shift) 양으로부터 상기 광학 렌즈의 동공면(224)상의 수차를 평가하는 데 있어서 기준으로 사용하기 위한 것이다. 상기 제3 차광 패턴이 형성된 포토마스크로서 상기 포토마스크(100)와는 별도의 포토마스크를 사용하는 것도 가능하고, 상기 제3 차광 패턴을 상기 포토마스크(100)상의 제2 표면(14)에 형성함으로써 단계 130 및 단계 140에서의 노광 단계를 각각 동일한 포토마스크(100)를 사용하여 행하는 것도 가능하다. 본 예에서는 단계 140에서의 노광시 사용되는 포토마스크로서 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이 상기 제3 차광 패턴(32)이 형성된 포토마스크(100)를 사용하는 경우에 대하여 설명한다. 도 7을 참조하여 이미 설명한 바와 같이, 상기 제3 차광 패턴이 형성되는 영역에 대응되는 상기 투명 기판(10)의 제1 표면(12)에서는 상기 제1 차광막(22)이 완전히 제거되어, 상기 제3 차광 패턴 형성 영역의 반대측 제1표면(12)이 완전히 노출되어 있다. 그 결과, 상기 제3 차광 패턴을 이용하는 단계 140에서의 노광 단계는 상기 광원(220)으로부터의 빛이 상기 광학 렌즈의 모든 동공면(224)을 통과하여 상기 웨이퍼(210)상의 포토레지스트막을 노광하게 된다.
상기 설명에서는 단계 140에서의 노광 단계를 단계 130에서의 노광 단계 후에 행하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따르면 단계 140에서의 노광 단계를 단계 130에서의 노광 단계 전에 행하는 것도 가능하다.
상기와 같은 노광 단계를 거친 후, 상기 웨이퍼(210)상의 포토레지스트막을 현상하여 상기 제2 차광 패턴(24a)으로부터 얻어지는 제1 패턴과 상기 제3 차광 패턴(32)으로부터 얻어지는 제2 패턴을 상기 웨이퍼(210)상에 형성한다 (단계 150).
도 12는 단계 150을 거친 결과 웨이퍼상에 형성되는 제1 패턴(324) 및 제2 패턴(332)의 예를 도시한 것이다.
그 후, 상기 제1 패턴(324)의 위치 데이타에 의거하여 상기 광학 렌즈의 동공면(224)상의 수차를 평가한다. 이를 위하여 먼저 상기 제1 패턴(324)의 x 방향 및 y 방향에 따른 위치를 측정하고, 상기 제2 패턴(332)의 위치를 기준으로 하여 상기 웨이퍼(210)상에서 상기 제1 패턴(324)의 x 방향 시프트 변화량 f'x(x,y) 및 y 방향 시프트 변화량 f'y(x,y)을 각각 산출하여, 이들 데이타로부터 상기 제1 패턴(324)의 시프트 양을 산출한다 (단계 160).
그 후, 상기 제1 패턴(324)의 x 방향 시프트 변화량 f'x(x,y) 및 y 방향 시프트 변화량 f'y(x,y)에 의거하여 상기 광학 렌즈의 동공면(224)의 수차 함수(250)f(x,y)를 구한다 (단계 170).
본 발명에 따른 렌즈 수차 측정용 포토마스크는 투명 기판의 양 면에 차광 패턴이 각각 형성되어 있다. 양 면중 하나인 제1 표면 위에는 상기 제1 표면을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(aperture)가 형성되어 있는 제1 차광 패턴이 형성되어 있고, 다른 하나인 제2 표면 위에는 소정 형상의 제2 차광 패턴이 형성되어 있다. 상기와 같은 구성을 가지는 포토마스크를 사용하여 렌즈의 수차를 측정하는 본 발명에 따른 렌즈 수차 측정 방법에서는 포토마스크에 형성되어 있는 애퍼쳐를 이용하여 상기 제2 차광 패턴을 통과한 빛이 특정한 각도로만 렌즈의 동공면을 통과하도록 하여 렌즈의 동공면중 특정 영역만을 사용하도록 함으로써 렌즈의 동공면의 특정 영역에 대한 수차 정보를 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 종래 기술에서와 같이 별도의 구조물로 이루어지는 애퍼쳐를 사용하지 않고 차광 패턴이 형성된 포토마스크의 반대측 표면에 차광 패턴에 의하여 형성된 애퍼쳐를 사용하므로, 포토마스크에 형성된 차광 패턴과 애퍼쳐와의 정렬을 위한 별도의 작업이 불필요하다. 따라서, 포토마스크와 애퍼쳐의 정렬을 위한 별도의 시간을 요하지 않고 렌즈의 수차를 간단한 방법으로 정확하게 측정할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (43)

  1. 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 투명 기판과,
    상기 투명 기판의 제1 표면 위에 형성되어 있고 상기 제1 표면을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(aperture)가 형성되어 있는 제1 차광 패턴과,
    상기 투명 기판의 제2 표면 위에 형성되어 있는 소정 형상의 제2 차광 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 차광 패턴 및 제2 차광 패턴은 각각 크롬(chromium)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 차광 패턴에 형성되어 있는 복수의 애퍼쳐는 모두 동일한 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 차광 패턴에 형성되어 있는 애퍼쳐는 10 ∼ 30㎛의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 차광 패턴에 형성된 애퍼쳐는 상기 제2 차광 패턴을 구성하는 차광막의 폭보다 5 ∼ 15배 큰 직경 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제2 차광 패턴은 1 ∼ 3㎛의 폭을 가지는 차광막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 차광 패턴은 그리드 패턴(grid pattern)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  8. 제7항에 있어서, 상기 애퍼쳐의 중심으로부터 상기 애퍼쳐의 반경보다 작은 소정의 반경 거리 이내의 범위에 상기 그리드 패턴을 구성하는 차광막이 위치하도록 상기 제1 차광 패턴 및 제2 차광 패턴이 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 투명 기판의 제1 표면 및 제2 표면중 적어도 하나의 표면에 형성된 얼라인 마크(align mark)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 차광 패턴으로부터 얻어진 실제 패턴의 시프트(shift) 양을 산출하는 데 있어서 기준으로 사용하기 위하여 상기 투명 기판의 제2 표면에 형성된 제3 차광 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제3 차광 패턴은 외형이 사각형인 프레임(frame) 형상의 복수의 패턴이 단속적(斷續的)으로 배치되어 있는 구성을 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 투명 기판의 제1 표면은 상기 제1 차광 패턴이 형성된 패턴 형성 영역과, 상기 제1 표면이 노출되어 있는 투광 영역을 포함하고,
    상기 제3 차광 패턴은 상기 제2 표면상에서 상기 제1 표면의 투광 영역에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  13. 노광 장치의 광원에 대면하는 제1 표면과, 수차 측정 대상의 광학 렌즈에 대면하는 제2 표면을 가지는 투명 기판과,
    상기 투명 기판의 제1 표면에 형성되고 상기 광원으로부터의 광 빔의 투과 영역 및 사이즈를 제한하기 위한 애퍼쳐가 형성되어 있는 제1 차광 패턴과,
    상기 투명 기판의 제2 표면 위에 형성되어 있는 소정 형상의 제2 차광 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 차광 패턴에는 복수의 애퍼쳐가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 차광 패턴 및 제2 차광 패턴은 각각 크롬(chromium)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 차광 패턴에 형성되어 있는 애퍼쳐는 10 ∼ 30㎛의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제2 차광 패턴은 상기 제2 표면을 노출시키는 복수의 사각형 영역을 한정하는 그리드 패턴(grid pattern)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  18. 제17항에 있어서, 상기 그리드 패턴은 1 ∼ 3㎛의 폭을 가지는 차광막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  19. 제17항에 있어서, 상기 그리드 패턴을 구성하는 차광막은 상기 제1 차광 패턴에 형성된 애퍼쳐의 중심으로부터 상기 애퍼쳐의 반경보다 작은 소정의 반경 거리 이내의 범위에 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 투명 기판의 제1 표면 및 제2 표면중 적어도 하나의 표면에 형성된 얼라인 마크(align mark)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 광원으로부터의 노광 결과 상기 제2 차광 패턴으로부터 얻어진 실제 패턴의 시프트(shift) 양으로부터 상기 광학 렌즈의 동공면(pupil plane)상의 소정 위치에서의 수차를 평가하는 데 있어서 기준으로 사용하기 위하여 상기 투명 기판의 제2 표면에 형성된 제3 차광 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제3 차광 패턴은 외형이 사각형인 프레임(frame) 형상의 복수의 패턴이 단속적(斷續的)으로 배치되어 있는 구성을 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 투명 기판의 제1 표면은 상기 제1 차광 패턴이 형성된 패턴 영역과, 상기 제1 표면이 노출되어 있는 투광 영역을 포함하고,
    상기 제3 차광 패턴은 상기 제2 표면상에서 상기 제1 표면의 투광 영역에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크.
  24. 투명 기판의 제1 표면과 그 반대측의 제2 표면 위에 각각 제1 차광막 및 제2 차광막을 형성하는 단계와,
    상기 제1 표면을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(aperture)가 형성된 제1 차광 패턴이 형성되도록 상기 제1 차광막을 패터닝하는 단계와,
    상기 제2 표면 위에 소정 형상의 제2 차광 패턴이 형성되도록 상기 제2 차광막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 제1 차광막 및 제2 차광막은 각각 크롬(chromium)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  26. 제24항에 있어서, 상기 제1 차광 패턴에 형성되는 애퍼쳐는 10 ∼ 30㎛의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 제2 차광막을 패터닝하는 단계는
    상기 제2 차광 패턴을 형성하기 위하여 상기 제2 표면을 노출시키는 복수의 사각형 영역을 한정하는 그리드 패턴(grid pattern)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 그리드 패턴은 1 ∼ 3㎛의 폭을 가지는 차광막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  29. 제24항에 있어서, 상기 제1 차광막을 패터닝하는 단계는
    상기 제1 표면 위에 얼라인 마크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 제2 차광막을 패터닝하는 단계는
    상기 얼라인 마크를 이용하여 상기 제2 차광 패턴의 소정의 위치가 상기 제1 차광 패턴에 형성된 애퍼쳐에 정렬되도록 상기 제2 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 제2 차광막을 패터닝하는 단계는 상기 제2 표면을 노출시키는 복수의 사각형 영역을 한정하도록 소정의 폭을 가지는 차광막으로 구성되는 그리드 패턴(grid pattern)을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 그리드 패턴을 형성하는 단계는 상기 얼라인 마크를 이용하여 상기 소정의 폭을 가지는 차광막을 상기 제1 차광 패턴에 형성된 애퍼쳐의 중심으로부터 상기 애퍼쳐의 반경보다 작은 소정의 반경 거리 이내의 범위에 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 그리드 패턴을 구성하는 차광막은 1 ∼ 3㎛의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  33. 제24항에 있어서,
    상기 제1 차광막을 패터닝하는 단계는 상기 제1 표면상에서 상기 제1 차광 패턴이 형성되어 있는 영역을 제외한 다른 영역에 상기 제1 표면을 노출시키는 투광 영역을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 차광막을 패터닝하는 단계는 상기 제2 표면중 상기 제1 표면의 투광 영역에 대응하는 영역에 상기 제2 차광 패턴과는 다른 형상을 가지는 제3 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 제2 차광 패턴은 상기 제2 표면을 노출시키는 복수의 사각형 영역을 한정하는 그리드 패턴으로 이루어지고,
    상기 제3 차광 패턴은 상기 외형이 사각형인 프레임 형상의 복수의 패턴이 단속적으로 배치되어 있는 구성을 가지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 제3 차광 패턴을 구성하는 프레임 형상의 패턴의 한 변의 길이는 상기 그리드 패턴에 의하여 한정되는 사각형 영역의 한 변의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정용 포토마스크의 제조 방법.
  36. 서로 반대측면인 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 투명 기판과, 상기 제1 표면 위에 형성되어 있고 상기 제1 표면을 노출시키는 복수의 애퍼쳐(aperture)가 형성되어 있는 제1 차광 패턴과, 상기 제2 표면 위에 형성되어 있는 소정 형상의 제2 차광 패턴을 포함하는 포토마스크를 준비하는 단계와,
    상기 포토마스크의 제1 차광 패턴이 노광 장치의 광원에 대면하고, 상기 포토마스크의 제2 차광 패턴이 수차 측정 대상의 광학 렌즈에 대면하도록 상기 포토마스크를 상기 노광 장치 내에 위치시키는 단계와,
    상기 포토마스크를 통하여 웨이퍼상의 포토레지스트막을 노광하여 웨이퍼상에 제1 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 제1 패턴의 위치 데이타에 의거하여 상기 광학 렌즈의 동공면(pupil plane)상의 수차를 평가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정 방법.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 제2 차광 패턴과는 다른 형상을 가지는 제3 차광 패턴이 형성된 투명 기판으로 이루어지는 포토마스크를 사용하여 상기 포토레지스트막을 노광하여 상기웨이퍼상에 제2 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 제2 패턴을 형성하는 단계에서는 상기 광원으로부터의 광이 상기 광학 렌즈의 모든 동공면(pupil plane)을 통과하도록 상기 포토레지스트막을 노광하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정 방법.
  39. 제37항에 있어서, 상기 제2 패턴을 형성하기 위한 노광 단계는 상기 제1 패턴을 형성하기 위한 노광 단계 전에 행해지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정 방법.
  40. 제37항에 있어서, 상기 제2 패턴을 형성하기 위한 노광 단계는 상기 제1 패턴을 형성하기 위한 노광 단계 후에 행해지는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정 방법.
  41. 제37항에 있어서, 상기 수차를 평가하는 단계는 상기 제2 패턴의 위치를 기준으로 하여 상기 제1 패턴의 위치 데이타로부터 상기 제1 패턴의 시프트(shift) 양을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정 방법.
  42. 제37항에 있어서, 상기 수차를 평가하는 단계는
    상기 제2 패턴의 위치를 기준으로 하여 상기 웨이퍼상에서 상기 제1 패턴의 x 방향 시프트 변화량 f'x(x,y)을 산출하는 단계와,
    상기 제2 패턴의 위치를 기준으로 하여 상기 웨이퍼상에서 상기 제1 패턴의 y 방향 시프트 변화량 f'y(x,y)을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정 방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 수차를 평가하는 단계는
    상기 제1 패턴의 x 방향 시프트 변화량 f'x(x,y) 및 y 방향 시프트 변화량 f'y(x,y)에 의거하여 상기 광학 렌즈의 동공면(pupil plane)의 수차를 함수 f(x,y)의 형태로 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 수차 측정 방법.
KR10-2002-0020469A 2002-04-15 2002-04-15 렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈수차 측정 방법 KR100468725B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0020469A KR100468725B1 (ko) 2002-04-15 2002-04-15 렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈수차 측정 방법
US10/368,422 US6913858B2 (en) 2002-04-15 2003-02-20 Photomask for measuring lens aberration, method of manufacturing the same, and method of measuring lens aberration

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0020469A KR100468725B1 (ko) 2002-04-15 2002-04-15 렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈수차 측정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030081994A KR20030081994A (ko) 2003-10-22
KR100468725B1 true KR100468725B1 (ko) 2005-01-29

Family

ID=28786953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0020469A KR100468725B1 (ko) 2002-04-15 2002-04-15 렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈수차 측정 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6913858B2 (ko)
KR (1) KR100468725B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100618890B1 (ko) * 2005-03-23 2006-09-01 삼성전자주식회사 렌즈 수차 평가용 포토 마스크, 그의 제조방법 및 그것을이용한 렌즈 수차 평가방법
US20070148558A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Shahzad Akbar Double metal collimated photo masks, diffraction gratings, optics system, and method related thereto
KR100650509B1 (ko) * 2006-04-17 2006-11-28 태성개발(주) 침강저류조를 포함하여 제공되는 진동스크린 분리방법 및그 장치
US9304389B2 (en) * 2013-10-31 2016-04-05 United Microelectronics Corp. Photomask and fabrication method thereof
EA201990655A1 (ru) * 2016-09-08 2019-09-30 Модьюметал, Инк. Способы получения многослойных покрытий на заготовках и выполненные ими изделия

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10232483A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Nec Corp 位相シフトマスクおよび露光方法ならびに球面収差量の測定方法
JP2000146758A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Hitachi Ltd レンズ収差測定方法およびそれに用いるホトマスクならびに半導体装置の製造方法
JP2001272310A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Nikon Corp 投影光学系の収差計測装置及び計測方法、それに用いられるマスク並びに露光装置
KR20020037480A (ko) * 2000-11-14 2002-05-22 박종섭 반도체 노광에 사용되는 투영렌즈의 코마수차 측정용마스크 및 그에 따른 코마 수차측정방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068398A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法およびマスクの製造方法
JP2003156832A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Mitsubishi Electric Corp 収差計測用フォトマスク、収差計測方法、収差計測用装置および装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10232483A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Nec Corp 位相シフトマスクおよび露光方法ならびに球面収差量の測定方法
JP2000146758A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Hitachi Ltd レンズ収差測定方法およびそれに用いるホトマスクならびに半導体装置の製造方法
JP2001272310A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Nikon Corp 投影光学系の収差計測装置及び計測方法、それに用いられるマスク並びに露光装置
KR20020037480A (ko) * 2000-11-14 2002-05-22 박종섭 반도체 노광에 사용되는 투영렌즈의 코마수차 측정용마스크 및 그에 따른 코마 수차측정방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030081994A (ko) 2003-10-22
US20030193656A1 (en) 2003-10-16
US6913858B2 (en) 2005-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7655369B2 (en) Reticle set, method for designing a reticle set, exposure monitoring method, inspection method for reticle set and manufacturing method for a semiconductor device
KR100279799B1 (ko) 레티클 및 그것을 이용한 노광 장치 및 노광 방법
US20090044166A1 (en) Exposing mask and production method therefor and exposing method
JP3302926B2 (ja) 露光装置の検査方法
JP3605064B2 (ja) フォーカスモニタ用フォトマスク、フォーカスモニタ方法、フォーカスモニタ用装置および装置の製造方法
KR0168142B1 (ko) 위상 시프터의 위상 시프트 각도 오차를 측정하는 방법
US6797443B2 (en) Focus monitoring method, focus monitoring apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP2003057800A (ja) フォーカスモニタ方法およびフォーカスモニタ用装置ならびに半導体装置の製造方法
JP2003156832A (ja) 収差計測用フォトマスク、収差計測方法、収差計測用装置および装置の製造方法
KR100468725B1 (ko) 렌즈 수차 측정용 포토마스크 및 그 제조 방법과 렌즈수차 측정 방법
GB2350186A (en) Measuring lens aberration in reduction projection exposure apparatus
KR20000071810A (ko) 수차에 기인한 위치상의 이동과 위치 어긋남의 측정 장치및 방법
JP4091263B2 (ja) フォーカスモニタ方法及び露光装置
EP0459737B1 (en) Reticle for a reduced projection exposure apparatus
JPS6167858A (ja) マーク検出方法
US7403276B2 (en) Photomask for measuring lens aberration, method of its manufacture, and method of its use
JP3082747B2 (ja) 露光装置の評価方法
KR0146172B1 (ko) 노광장치의 렌즈 비점수차 측정방법
KR900004051B1 (ko) 투영노광법 및 그 장치
JPH11297614A (ja) コマ収差測定装置および該装置を備えた投影露光装置
KR100248823B1 (ko) 포커스 산출을 위해 패턴 이동량을 측정하기 위한 측정 마크를 갖는 마스크
KR100618906B1 (ko) 퓨필그램 모니터링용 마스크, 이의 제조방법, 및 이를이용한 초점 모니터링 방법
JPH06324472A (ja) 露光用原板及びそれを用いた投影露光装置
JPH07301909A (ja) 露光用マスクおよび露光用マスク対
JP2005309319A (ja) 露光マスク、フォーカス測定方法及び露光装置管理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111229

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee