JPH0669015B2 - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH0669015B2 JPH0669015B2 JP61212751A JP21275186A JPH0669015B2 JP H0669015 B2 JPH0669015 B2 JP H0669015B2 JP 61212751 A JP61212751 A JP 61212751A JP 21275186 A JP21275186 A JP 21275186A JP H0669015 B2 JPH0669015 B2 JP H0669015B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、集積回路の製造に使用される投影露光装置に
関するものであり、特に基板（以下レチクルで総称す
る）に対し半導体ウエハを歩進させながらレチクル上の
パターンをウエハ上に縮少投影し、これを反覆して全ウ
エハ上に多数のパターンを焼付けるステップ・アンド・
リピート式の投影露光装置に関するものである。
関するものであり、特に基板（以下レチクルで総称す
る）に対し半導体ウエハを歩進させながらレチクル上の
パターンをウエハ上に縮少投影し、これを反覆して全ウ
エハ上に多数のパターンを焼付けるステップ・アンド・
リピート式の投影露光装置に関するものである。
［従来の技術］ 従来の投影露光装置の光源の位置合せを第５図を参照し
て説明する。
て説明する。
第５図において、１は光源の水銀ランプ、２は楕円ミラ
ー、４はオプティカルインテグレータ、23はハーフミラ
ー、24はミラー、25はピンホール板、そして26はアーク
モニタ板である。
ー、４はオプティカルインテグレータ、23はハーフミラ
ー、24はミラー、25はピンホール板、そして26はアーク
モニタ板である。
この構成においてランプ１からの光束の一部はハーフミ
ラー（またはコールドミラー）23を透過し、ミラー24で
反射された後、ピンホール板25を通過しアークモニタ板
26上に像をつくる。そこで作業者はランプの陰極または
陽極の像がこのアークモニタ板26上の所定の位置にくる
ように光源の位置を調整して光源の位置合せを行なって
いた。
ラー（またはコールドミラー）23を透過し、ミラー24で
反射された後、ピンホール板25を通過しアークモニタ板
26上に像をつくる。そこで作業者はランプの陰極または
陽極の像がこのアークモニタ板26上の所定の位置にくる
ように光源の位置を調整して光源の位置合せを行なって
いた。
光源が正規の位置にない場合にはウエハ面での照度のむ
らが無視できないくらいに大きくなる。特にこれはウエ
ハ面上での照度の非対称的な分布となった現れる。アー
クモニタ板26上での像は鮮明でないのでこれを目視で正
確な位置に合せることはきわめて困難であり、アークモ
ニタによる光源の位置合せだけではウエハ面上での照度
のむらが残ってしまうということが起こり勝ちであっ
た。
らが無視できないくらいに大きくなる。特にこれはウエ
ハ面上での照度の非対称的な分布となった現れる。アー
クモニタ板26上での像は鮮明でないのでこれを目視で正
確な位置に合せることはきわめて困難であり、アークモ
ニタによる光源の位置合せだけではウエハ面上での照度
のむらが残ってしまうということが起こり勝ちであっ
た。
このため従来の光源の位置合せはまずアークモニタ板26
上で大体の位置合せを行なった後、ウエハ面の照度分布
を測定しその結果から光源位置の微調整を行ない、照度
分布の非対称を取り除いていたが、このため光源の位置
合せはかなり面倒であった。
上で大体の位置合せを行なった後、ウエハ面の照度分布
を測定しその結果から光源位置の微調整を行ない、照度
分布の非対称を取り除いていたが、このため光源の位置
合せはかなり面倒であった。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、ウエハ面の照度を最大とし、照度のむ
らを最小とするような理想的な位置に迅速正確に光源位
置を自動的に位置合せすることを可能とする投影露光装
置を提供することにある。
らを最小とするような理想的な位置に迅速正確に光源位
置を自動的に位置合せすることを可能とする投影露光装
置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段と作用］ この目的を達成するため本発明に従って照明光学系内で
レチクルと共役な位置に、レチクルの露光範囲外を遮光
するマスキング機構を配置し、マスキング機構をレチク
ルの位置に結像させ、そして投影光学系を通してウエハ
面にレチクルのパターンを投影するようにし、前記のマ
スキング機構に露光調整範囲の中心に対称に配置した複
数の受光素子によってウエハ面と共役な面で、かつ露光
可能範囲内での照度分布を測定できるようにし、そして
対称な位置にある受光素子の出力信号が等しくなるよう
に光源位置を自動的に調整するようにしている。また、
受光素子の出力信号が最大となるように光源位置を自動
的に調整し、それによりウエハ面上の照度が最大になる
位置に光源を自動的に位置合せするようにしている。
レチクルと共役な位置に、レチクルの露光範囲外を遮光
するマスキング機構を配置し、マスキング機構をレチク
ルの位置に結像させ、そして投影光学系を通してウエハ
面にレチクルのパターンを投影するようにし、前記のマ
スキング機構に露光調整範囲の中心に対称に配置した複
数の受光素子によってウエハ面と共役な面で、かつ露光
可能範囲内での照度分布を測定できるようにし、そして
対称な位置にある受光素子の出力信号が等しくなるよう
に光源位置を自動的に調整するようにしている。また、
受光素子の出力信号が最大となるように光源位置を自動
的に調整し、それによりウエハ面上の照度が最大になる
位置に光源を自動的に位置合せするようにしている。
また、上記の目的を達成するため本発明に従って照明光
学系内でレチクルに近接して、レチクルの露光範囲外を
遮光するマスキング機構を配置し、このマスキング機構
に、露光調整範囲の中心に対称に配置した複数の受光素
子によってウエハ面と共役な面で、かつ露光可能範囲外
での照度分布を測定できるようにし、そして対称な位置
にある受光素子の出力信号が等しくなるように光源位置
を自動的に調整するようにしている。また、受光素子の
出力信号が最大となるようにように光源位置を自動的に
調整し、それによりウエハ面上の照度が最大になる位置
に光源を自動的に位置合せするようにしている。
学系内でレチクルに近接して、レチクルの露光範囲外を
遮光するマスキング機構を配置し、このマスキング機構
に、露光調整範囲の中心に対称に配置した複数の受光素
子によってウエハ面と共役な面で、かつ露光可能範囲外
での照度分布を測定できるようにし、そして対称な位置
にある受光素子の出力信号が等しくなるように光源位置
を自動的に調整するようにしている。また、受光素子の
出力信号が最大となるようにように光源位置を自動的に
調整し、それによりウエハ面上の照度が最大になる位置
に光源を自動的に位置合せするようにしている。
［実施例］ 第１図は本発明の第１の実施例を示す。同図において１
は光源である水銀ランプ、２は水銀ランプ１からの光束
を効率よく集光する楕円ミラーである。楕円ミラー２に
よって集光された光束はミラー３によって折りまげられ
オプティカルインテグレータ４を照明する。このオプテ
ィカルインテグレータ４は２次光源であり、ミラー５を
介してコンデンサレンズ６により集光され、ミラー７を
介してマスキング機構14ａ，14ｂの面を照明する。マス
キング機構はレンズ８，10によってレチクル保持部材30
に支持されたレチクル11に結像される。すなわち、この
マスキング機構はレチクル11と光学的に共役関係にあ
り、そしてレチクル11の露光範囲外を遮光する。レチク
ル11は投影レンズ12によってある倍率でウエハ13上に投
影される。15ａ，15ｂはマスキング機構14ａ，14ｂのレ
チクル11側に配置された受光素子である。これらの受光
素子15ａ，15ｂはマスキング機構14ａ，14ｂ上の照度分
布を測定する。その出力信号はコンピュータ16に取り込
まれ、コンピュータ16はマスキング機構面上での照度分
布が対称になるように水銀ランプ１の駆動手段17に駆動
命令を出す。駆動手段17はこの命令に従って水銀ランプ
の位置を動かし受光素子15ａ，15ｂの出力信号が等しく
なるようにその位置を調整する。
は光源である水銀ランプ、２は水銀ランプ１からの光束
を効率よく集光する楕円ミラーである。楕円ミラー２に
よって集光された光束はミラー３によって折りまげられ
オプティカルインテグレータ４を照明する。このオプテ
ィカルインテグレータ４は２次光源であり、ミラー５を
介してコンデンサレンズ６により集光され、ミラー７を
介してマスキング機構14ａ，14ｂの面を照明する。マス
キング機構はレンズ８，10によってレチクル保持部材30
に支持されたレチクル11に結像される。すなわち、この
マスキング機構はレチクル11と光学的に共役関係にあ
り、そしてレチクル11の露光範囲外を遮光する。レチク
ル11は投影レンズ12によってある倍率でウエハ13上に投
影される。15ａ，15ｂはマスキング機構14ａ，14ｂのレ
チクル11側に配置された受光素子である。これらの受光
素子15ａ，15ｂはマスキング機構14ａ，14ｂ上の照度分
布を測定する。その出力信号はコンピュータ16に取り込
まれ、コンピュータ16はマスキング機構面上での照度分
布が対称になるように水銀ランプ１の駆動手段17に駆動
命令を出す。駆動手段17はこの命令に従って水銀ランプ
の位置を動かし受光素子15ａ，15ｂの出力信号が等しく
なるようにその位置を調整する。
このように本発明では、直接ウエハ13の面上の照度分布
を測定し、ウエハ13の面上の照度分布が対称となるよう
光源位置を調整する代りに、ウエハの面と共役な面にあ
るマスキング機構14上の照度分布を測定し、この面の照
度分布を対称になるように光源位置を調整することによ
り、ウエハ13の面の照度分布を対称となるようにしてい
る。
を測定し、ウエハ13の面上の照度分布が対称となるよう
光源位置を調整する代りに、ウエハの面と共役な面にあ
るマスキング機構14上の照度分布を測定し、この面の照
度分布を対称になるように光源位置を調整することによ
り、ウエハ13の面の照度分布を対称となるようにしてい
る。
第２図にマスキング機構に受光素子を配置した例を示
す。第２図(a)は最も簡単な例である。14ａはマスキン
グ機構を構成する１枚の遮光板である。この遮光板14ａ
上には照度測定のためのピンホール18をあけて光を取り
出す。ピンホール18と受光素子15ａとの間にはガラス板
21から成る拡散板、または光量調整用のＮＤフィルタ、
または焼付に使用する波長の光を取り出す色フィルタを
設けてもよい。
す。第２図(a)は最も簡単な例である。14ａはマスキン
グ機構を構成する１枚の遮光板である。この遮光板14ａ
上には照度測定のためのピンホール18をあけて光を取り
出す。ピンホール18と受光素子15ａとの間にはガラス板
21から成る拡散板、または光量調整用のＮＤフィルタ、
または焼付に使用する波長の光を取り出す色フィルタを
設けてもよい。
第２図(b)はピンホール18と受光素子15ａの間にミラー
やレンズ等を配置した例である。19は光束を直角に折り
曲げるミラー、20は発散する光束を集光させる凸レン
ズ、21は光量調整用のＮＤフィルタもしくは波長選択用
の色フィルタである。
やレンズ等を配置した例である。19は光束を直角に折り
曲げるミラー、20は発散する光束を集光させる凸レン
ズ、21は光量調整用のＮＤフィルタもしくは波長選択用
の色フィルタである。
第３図は露光可能範囲とマスキング機構の関係を示す。
ウエハ面上、レチクル面上、マスキング機構面上が光学
的に共役であるためにレンズの倍率で大きさは変わる
が、相対的な位置関係は変化しない。22は投影露光装置
の露光可能範囲を示す円である。また露光範囲は一般に
正方形や長方形であるので露光しない範囲はマスキング
機構14ａ，ｂ，ｃ，ｄで遮光する。第３図(a)は露光範
囲が正方形である場合、第３図(b)は長方形である場合
をそれぞれ示す。遮光板、14ａ，ｂ，ｃ，ｄは矢印方向
に独立に駆動されて、任意の露光範囲を形成する。18
ａ，ｂ，ｃ，ｄは照度測定用のピンホールである。これ
らのピンホールの位置はＸ，Ｙ軸上の対称位置に配置す
ることが望ましい。また、第３図(b)のごとく露光範囲
が長方形の場合、遮光板14ｃと14ｄとが露光可能範囲22
を遮蔽する部分が小さくなる。このため図に示すように
ピンホールの位置はマスキング機構の遮光板のなるべく
露光範囲の中心に近い位置に設置する必要がある。
ウエハ面上、レチクル面上、マスキング機構面上が光学
的に共役であるためにレンズの倍率で大きさは変わる
が、相対的な位置関係は変化しない。22は投影露光装置
の露光可能範囲を示す円である。また露光範囲は一般に
正方形や長方形であるので露光しない範囲はマスキング
機構14ａ，ｂ，ｃ，ｄで遮光する。第３図(a)は露光範
囲が正方形である場合、第３図(b)は長方形である場合
をそれぞれ示す。遮光板、14ａ，ｂ，ｃ，ｄは矢印方向
に独立に駆動されて、任意の露光範囲を形成する。18
ａ，ｂ，ｃ，ｄは照度測定用のピンホールである。これ
らのピンホールの位置はＸ，Ｙ軸上の対称位置に配置す
ることが望ましい。また、第３図(b)のごとく露光範囲
が長方形の場合、遮光板14ｃと14ｄとが露光可能範囲22
を遮蔽する部分が小さくなる。このため図に示すように
ピンホールの位置はマスキング機構の遮光板のなるべく
露光範囲の中心に近い位置に設置する必要がある。
次に、調整の順序について説明する。光軸（この場合は
Ｚ軸）に対して直交する平面内にＸ，Ｙ軸をとり、第３
図のようにＸ軸方向に動く機構14ａ，14ｂに設けられた
受光素子をａ，ｂ（図示せず）Ｙ軸方向のマスキング機
構14ｃ，14ｄに設けられた受光素子をｃ，ｄ（図示せ
ず）とする。受光素子ａ，ｂは第１図の15ａ，15ｂに対
応し、受光素子ｃ，ｄは第１図の紙面に垂直に設けられ
ている。また第１図の駆動手段17は光源１をＸ，Ｙ，Ｚ
軸方向にそれぞれ独立に駆動することができる。コンピ
ュータ16は受光素子15ａ，15ｂの出力信号ａ，ｂがａ≠
ｂの時に駆動手段17にＸ軸方向へ駆動命令を送る。出力
信号ａ，ｂがａ＞ｂの場合には駆動手段17にａが小さく
なりｂが大きくなる方向にＸ軸方向の駆動命令を出す。
ａ＝ｂとなったところでコンピュータ16は駆動手段17に
停止命令を送る。Ｙ軸方向についても同様に出力信号
ｃ，ｄの大小関係からコンピュータ16は駆動手段17にＹ
軸方向の駆動命令または停止命令を送る。このＸ，Ｙ軸
方向の駆動で、ａ＝ｂ、かつｃ＝ｄとなったところでウ
エハ13面上での照度分布は対称になり、照度のむらが最
小となる。ウエハ面上の照度分布が対称の時にａ＝ｂ、
ｃ＝ｄとなるように受光素子の出力はあらかじめ調整し
ておく。
Ｚ軸）に対して直交する平面内にＸ，Ｙ軸をとり、第３
図のようにＸ軸方向に動く機構14ａ，14ｂに設けられた
受光素子をａ，ｂ（図示せず）Ｙ軸方向のマスキング機
構14ｃ，14ｄに設けられた受光素子をｃ，ｄ（図示せ
ず）とする。受光素子ａ，ｂは第１図の15ａ，15ｂに対
応し、受光素子ｃ，ｄは第１図の紙面に垂直に設けられ
ている。また第１図の駆動手段17は光源１をＸ，Ｙ，Ｚ
軸方向にそれぞれ独立に駆動することができる。コンピ
ュータ16は受光素子15ａ，15ｂの出力信号ａ，ｂがａ≠
ｂの時に駆動手段17にＸ軸方向へ駆動命令を送る。出力
信号ａ，ｂがａ＞ｂの場合には駆動手段17にａが小さく
なりｂが大きくなる方向にＸ軸方向の駆動命令を出す。
ａ＝ｂとなったところでコンピュータ16は駆動手段17に
停止命令を送る。Ｙ軸方向についても同様に出力信号
ｃ，ｄの大小関係からコンピュータ16は駆動手段17にＹ
軸方向の駆動命令または停止命令を送る。このＸ，Ｙ軸
方向の駆動で、ａ＝ｂ、かつｃ＝ｄとなったところでウ
エハ13面上での照度分布は対称になり、照度のむらが最
小となる。ウエハ面上の照度分布が対称の時にａ＝ｂ、
ｃ＝ｄとなるように受光素子の出力はあらかじめ調整し
ておく。
次にコンピュータ16に駆動手段17にＺ軸方向への駆動命
令を出す。駆動手段17は命令に従って一定の区間光源１
をＺ軸方向に駆動させこの間コンピュータ16は受光素子
の出力信号ａ，ｂ，ｃ，ｄの値を読み込み、ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄの最大値を記憶する。
令を出す。駆動手段17は命令に従って一定の区間光源１
をＺ軸方向に駆動させこの間コンピュータ16は受光素子
の出力信号ａ，ｂ，ｃ，ｄの値を読み込み、ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄの最大値を記憶する。
コンピュータ16は再び駆動手段17にＺ軸方向への駆動命
令を出し、受光素子の出力信号の和ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄが記
憶した最大値と等しくなったとこで停止命令を送る。
令を出し、受光素子の出力信号の和ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄが記
憶した最大値と等しくなったとこで停止命令を送る。
以上の順序で光源１はウエハ13の面で照度のむらが最小
で照度が最大となる位置に正確迅速に調整される。
で照度が最大となる位置に正確迅速に調整される。
第４図は本発明の第２の実施例を示す。14ａ，14ｂは露
光範囲外を遮光するマスキング機構で、レチクル11と照
明光学系内のレンズ10との間でレチクル11に近接する位
置に置かれている。この実施例においても光源位置の調
整は第１の実施例と同一の方法で行なわれる。
光範囲外を遮光するマスキング機構で、レチクル11と照
明光学系内のレンズ10との間でレチクル11に近接する位
置に置かれている。この実施例においても光源位置の調
整は第１の実施例と同一の方法で行なわれる。
第１図と第４図に示す受光素子15ａ，15ｂは露光量を一
定に制御するための光量モニタとして使用できる。その
場合光量モニタ用の光束を取り出すハーフミラー等を設
ける必要もなく、ウエハと共役な面に受光素子を配置し
ているため、有効光束をロスさせることなく高精度な光
量モニタとして使用できる。
定に制御するための光量モニタとして使用できる。その
場合光量モニタ用の光束を取り出すハーフミラー等を設
ける必要もなく、ウエハと共役な面に受光素子を配置し
ているため、有効光束をロスさせることなく高精度な光
量モニタとして使用できる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の投影露光装置においては
ウエハ面と共役な面に複数個の受光素子を配置し、この
面での照度分布が対称でかつ照度が最大となるように駆
動手段によって自動的に光源位置を調整する。このため
光源の位置合せを正確、迅速に実施できる。
ウエハ面と共役な面に複数個の受光素子を配置し、この
面での照度分布が対称でかつ照度が最大となるように駆
動手段によって自動的に光源位置を調整する。このため
光源の位置合せを正確、迅速に実施できる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す。第２図(a),(b)
はマスキング機構の遮光板と受光素子のそれぞれ異なる
配置を示す。第３図はマスキング機構と露光可能範囲を
示す。第４図は本発明の第２の実施例を示す。第５図は
従来のランプのモニタの概略図である。 １：水銀ランプ、２：楕円ミラー、３，５，７，９：ミ
ラー、４：オプティカルインテグレータ、６：コンデン
サレンズ、８，10：レンズ、11：レチクル、12：投影レ
ンズ、13：ウエハ、14ａ，ｂ，ｃ，ｄ：マスキング機
構、15ａ，ｂ：受光素子、16：コンピュータ、17：駆動
手段、18ａ，ｂ，ｃ，ｄ：ピンホール、19：ミラー、2
0：凸レンズ、21：ガラス板（フィルタ類）、22：露光
可能範囲、23：ハーフミラー、24：ミラー、25：ピンホ
ール板、26：アークモニタ板、30：レチクル保持部材。
はマスキング機構の遮光板と受光素子のそれぞれ異なる
配置を示す。第３図はマスキング機構と露光可能範囲を
示す。第４図は本発明の第２の実施例を示す。第５図は
従来のランプのモニタの概略図である。 １：水銀ランプ、２：楕円ミラー、３，５，７，９：ミ
ラー、４：オプティカルインテグレータ、６：コンデン
サレンズ、８，10：レンズ、11：レチクル、12：投影レ
ンズ、13：ウエハ、14ａ，ｂ，ｃ，ｄ：マスキング機
構、15ａ，ｂ：受光素子、16：コンピュータ、17：駆動
手段、18ａ，ｂ，ｃ，ｄ：ピンホール、19：ミラー、2
0：凸レンズ、21：ガラス板（フィルタ類）、22：露光
可能範囲、23：ハーフミラー、24：ミラー、25：ピンホ
ール板、26：アークモニタ板、30：レチクル保持部材。
Claims (8)
- 【請求項１】照明光学系内の所定の位置に基板を配置す
るための支持部材、 照明光学系内で前記の支持部材に支持された基板と共役
な位置に配置され、該基板の所定露光範囲外を遮光する
マスキング機構、および このマスキング機構に配置された複数の受光素子を備え
ていることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】照明光学系内の所定の位置に基板を配置す
るための支持部材、 照明光学系内で前記の支持部材に支持された基板と共役
な位置に配置され、該基板の所定露光範囲外を遮光する
マスキング機構、 このマスキング機構に配置されている複数の受光素子、
および これらの受光素子からの信号に応答して光源位置を調整
する光源位置制御手段を備えたことを特徴とする投影露
光装置。 - 【請求項３】前記の光源位置制御手段が、前記の受光素
子からの信号を演算処理する手段と、この演算の結果か
ら光源位置を調整する３軸駆動手段とを含む特許請求の
範囲第２項に記載の投影露光装置。 - 【請求項４】前記の受光素子が露光調整範囲の中心に対
して対称な位置に配置された少なくとも４個の受光素子
である特許請求の範囲第１，２項または３項に記載の投
影露光装置。 - 【請求項５】照明光学系内の所定の位置に基板を配置す
るための支持部材、 照明光学系内で前記の支持部材に支持された基板に近接
して配置され、該基板の所定露光範囲外を遮光するマス
キング機構、および このマスキング機構に配置した複数の受光素子を備えて
いることを特徴とした投影露光装置。 - 【請求項６】照明光学系内の所定の位置に基板を配置す
るための支持部材、 照明光学系内で前記の支持部材に支持された基板に近接
して配置され、該基板の所定露光範囲外を遮光するマス
キング機構、 このマスキング機構に配置されている複数の受光素子、
および これらの受光素子からの信号に応答して光源位置を調整
する光源位置制御手段 を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項７】前記の光源位置制御手段が、前記の受光素
子からの信号を演算処理する手段と、この演算の結果か
ら光源位置を調整する３軸駆動手段とを含む特許請求の
範囲第６項に記載の投影露光装置。 - 【請求項８】前記の受光素子が露光調整範囲の中心に対
して対称な位置に配置された少なくとも４個の受光素子
である特許請求の範囲第５，６または７項に記載の投影
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212751A JPH0669015B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212751A JPH0669015B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370419A JPS6370419A (ja) | 1988-03-30 |
| JPH0669015B2 true JPH0669015B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=16627812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212751A Expired - Fee Related JPH0669015B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669015B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2809081B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
| JP3985346B2 (ja) | 1998-06-12 | 2007-10-03 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法 |
| JP2000277413A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2001008205A1 (fr) * | 1999-07-23 | 2001-02-01 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, systeme d'exposition, source lumineuse, procede et dispositif de fabrication |
| US8085383B2 (en) | 2005-10-27 | 2011-12-27 | Asml Holding N.V. | System, method, and apparatus for scanning detector for fast and frequent illumination uniformity correction module |
| JP2010123714A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
| JP5045833B1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-10 | 岩崎電気株式会社 | ランプ位置調整方法、ランプ位置調整用具、及び照射装置 |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61212751A patent/JPH0669015B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6370419A (ja) | 1988-03-30 |
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