JPH0616476B2 - パターン露光方法 - Google Patents
パターン露光方法Info
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- JPH0616476B2 JPH0616476B2 JP9405284A JP9405284A JPH0616476B2 JP H0616476 B2 JPH0616476 B2 JP H0616476B2 JP 9405284 A JP9405284 A JP 9405284A JP 9405284 A JP9405284 A JP 9405284A JP H0616476 B2 JPH0616476 B2 JP H0616476B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明はICやLSI等の半導体装置を製造する時に使われ
る改良された露光用マスクを用いて半導体ウエハ等の被
露光基板を露光するためのパターン露光方法に関する。
る改良された露光用マスクを用いて半導体ウエハ等の被
露光基板を露光するためのパターン露光方法に関する。
（発明の背景） 近年、より微細なパターンの転写を高い位置合せ（アラ
イメント）精度で可能とする露光装置として縮小投影型
露光装置がICやLSIの生産現場に多数使われてきた。こ
の縮小投影型露光装置はレチクル（マスク）に描かれた
回路パターンの像を縮小投影レンズ（以下単に投影レン
ズとする）によって１／５又は１／10に縮小してフォト
レジストの塗布された半導体ウエハ（以下単にウエハと
する）に露光するものである。ウエハに対して回路パタ
ーンの縮小像は小さいので、この種の露光装置ではウエ
ハを２次元移動するステージに載置して一定のピッチで
歩進（ステッピング）させては縮小像を露光することを
繰り返す、所謂ステップアンドリピート方式が採用され
ている。このため、この種の露光装置はステッパーと呼
ばれている。ところでICやLSIの製造では普通何層かの
回路パターンを重ね合せて露光しなければならない。そ
こでこのステッパーにはウエハ上に形成された回路パタ
ーン（実素子パターン）を含むデバイス領域（以下チッ
プと呼ぶ）と、この上に重ね合せ露光する新たな回路パ
ターンの像とを正確に位置合せするための手段が設けら
れている。位置合せの方法としてはいくつかのものが考
えられているが、最も確実なのはレチクルとウエハとを
投影レンズを介して位置合せする方法、所謂スルーザレ
ンズ（TTL）方式である。特にレチクル上の回路パター
ンの周辺に位置合せ用のマークを設け、ウエハ上の各チ
ップにも対応する位置にマークを設けておき、ウエハ上
のマークを投影レンズによりレチクル側に逆投影し、そ
のマーク像とレチクルのマークとの位置ずれを検出し、
この位置ずれがなくなるようにレチクルとウエハとを徴
動させるアライメント方式、所謂ダイ・バイ・ダイ（Di
e by Die）アライメントは、露光すべき１つのチップ毎
のアライメントが可能であるため、ウエハのプロセス
（エッチング、拡散等の処理）による伸縮の誤差が除去
され、極めて高い重ね合せ精度が得られる。
イメント）精度で可能とする露光装置として縮小投影型
露光装置がICやLSIの生産現場に多数使われてきた。こ
の縮小投影型露光装置はレチクル（マスク）に描かれた
回路パターンの像を縮小投影レンズ（以下単に投影レン
ズとする）によって１／５又は１／10に縮小してフォト
レジストの塗布された半導体ウエハ（以下単にウエハと
する）に露光するものである。ウエハに対して回路パタ
ーンの縮小像は小さいので、この種の露光装置ではウエ
ハを２次元移動するステージに載置して一定のピッチで
歩進（ステッピング）させては縮小像を露光することを
繰り返す、所謂ステップアンドリピート方式が採用され
ている。このため、この種の露光装置はステッパーと呼
ばれている。ところでICやLSIの製造では普通何層かの
回路パターンを重ね合せて露光しなければならない。そ
こでこのステッパーにはウエハ上に形成された回路パタ
ーン（実素子パターン）を含むデバイス領域（以下チッ
プと呼ぶ）と、この上に重ね合せ露光する新たな回路パ
ターンの像とを正確に位置合せするための手段が設けら
れている。位置合せの方法としてはいくつかのものが考
えられているが、最も確実なのはレチクルとウエハとを
投影レンズを介して位置合せする方法、所謂スルーザレ
ンズ（TTL）方式である。特にレチクル上の回路パター
ンの周辺に位置合せ用のマークを設け、ウエハ上の各チ
ップにも対応する位置にマークを設けておき、ウエハ上
のマークを投影レンズによりレチクル側に逆投影し、そ
のマーク像とレチクルのマークとの位置ずれを検出し、
この位置ずれがなくなるようにレチクルとウエハとを徴
動させるアライメント方式、所謂ダイ・バイ・ダイ（Di
e by Die）アライメントは、露光すべき１つのチップ毎
のアライメントが可能であるため、ウエハのプロセス
（エッチング、拡散等の処理）による伸縮の誤差が除去
され、極めて高い重ね合せ精度が得られる。
このようなTTL方式のアライメント手段としては、例え
ば特開昭５７−１４２６１２号公報に開示されたよう
に、レチクルの周辺に設けられた微小開口（レチクルの
マーク）照明すると共に、この微小開口の像を投影レン
ズによってウエハ上に形成し、微小開口像とウエハ上の
マークとの位置合せ状態を投影レンズを介してレチクル
の上方で観察する装置が知られている。この観察装置で
は顕微鏡対物レンズの一部と反射鏡とが一体に可動する
ような構成となっている。この場合、レチクル上の微小
開口は回路パターンが描かれた矩形の領域（パターン領
域）の内側の周辺に設けられる。もちろん、この微小開
口整合するウエハ上のマークもチップの内側の周辺に設
けられる。従って上記観察装置によって微小開口とウエ
ハ上のマークとを観察する場合、対物レンズンや反射鏡
を保持する金物の一部がレチクルのパターン領域の一部
を遮光する位置まで繰り出されることになり、露光動作
を行なうときはパターン領域が遮光されないような位置
までその金物を退避させなければならない。このときは
TTL方式によるダイ・バイ・ダイアライメントに時間が
かかることを意味し、ICやLSIの製造の生産性（スルー
ブット）を低下させるという欠点を有する。また、アラ
イメント手段の一部（金物）が進退するため機構が複雑
になり、アライメント精度を一定に保つのが難しかった
という欠点もあった。
ば特開昭５７−１４２６１２号公報に開示されたよう
に、レチクルの周辺に設けられた微小開口（レチクルの
マーク）照明すると共に、この微小開口の像を投影レン
ズによってウエハ上に形成し、微小開口像とウエハ上の
マークとの位置合せ状態を投影レンズを介してレチクル
の上方で観察する装置が知られている。この観察装置で
は顕微鏡対物レンズの一部と反射鏡とが一体に可動する
ような構成となっている。この場合、レチクル上の微小
開口は回路パターンが描かれた矩形の領域（パターン領
域）の内側の周辺に設けられる。もちろん、この微小開
口整合するウエハ上のマークもチップの内側の周辺に設
けられる。従って上記観察装置によって微小開口とウエ
ハ上のマークとを観察する場合、対物レンズンや反射鏡
を保持する金物の一部がレチクルのパターン領域の一部
を遮光する位置まで繰り出されることになり、露光動作
を行なうときはパターン領域が遮光されないような位置
までその金物を退避させなければならない。このときは
TTL方式によるダイ・バイ・ダイアライメントに時間が
かかることを意味し、ICやLSIの製造の生産性（スルー
ブット）を低下させるという欠点を有する。また、アラ
イメント手段の一部（金物）が進退するため機構が複雑
になり、アライメント精度を一定に保つのが難しかった
という欠点もあった。
（発明の目的） 本発明は上記欠点を解決し、スループットを低下させる
ことなく高精度なアライメントを行なうための改良され
たマーク配置を持つ露光用マスクを用いたパターン露光
方法を得ることを目的とする。
ことなく高精度なアライメントを行なうための改良され
たマーク配置を持つ露光用マスクを用いたパターン露光
方法を得ることを目的とする。
（発明の概要） 本発明は、マスクと火露光基板とを相対的に移動させる
移動手段（ステージ２）と、マスクと被露光基板とが所
定の位置関係になったとき、マスクの矩形状の原画パタ
ーン領域を被露光基板へ露光するための光を照射する照
射手段（コンデンサーレンズ１２を含む）と、移動手段
によってマスクと被露光基板との相対位置関係をｘ方
向、又はｙ方向に順次変化させては照明手段による光照
射を繰り返す制御手段（制御回路１１）とを有する露光
装置を用いて、被露光基板上に複数のチップ領域
（Ｃ１、Ｃ２、・・・・）をｘ方向、又はｙ方向に所定の間
隔で隣接して形成するパターン露光方法に適用されるも
のである。
移動手段（ステージ２）と、マスクと被露光基板とが所
定の位置関係になったとき、マスクの矩形状の原画パタ
ーン領域を被露光基板へ露光するための光を照射する照
射手段（コンデンサーレンズ１２を含む）と、移動手段
によってマスクと被露光基板との相対位置関係をｘ方
向、又はｙ方向に順次変化させては照明手段による光照
射を繰り返す制御手段（制御回路１１）とを有する露光
装置を用いて、被露光基板上に複数のチップ領域
（Ｃ１、Ｃ２、・・・・）をｘ方向、又はｙ方向に所定の間
隔で隣接して形成するパターン露光方法に適用されるも
のである。
そして本発明においては、被露光基板上に形成されるチ
ップ領域が第１層のときは、第１層用のマスク（レチク
ルＲ）の原画パターン領域(Ｐａ)を挟んで対向した位置
の夫々に、被露光基板へ転写すべきアライメント用の第
１マーク領域(Ｐm1）と第２マーク領域(Ｐm2)とが形成
され、かつ第１マーク領域(Ｐm1)と原画パターン領域
(Ｐａ)あとの間、及び第２マーク領域（Ｐｍ２）と原画
パターン領域(Ｐａ)との間に、各マーク領域(Ｐm1、Ｐm
2）のｘ、ｙ方向の大きさとほぼ等しいか、もしくはそ
れ以上の大きさの遮光領域（Ｐｃ1、Ｐｃ2）が形成され
た第１マスク（レチクルＲ）を露光装置に装着する段階
と； 露光装置の制御手段によって第１マスク（レチクルＲ）
と被露光基板（ウェハＷ）との相対位置関係を順次変化
させて、原画パターン領域(Ｐａ)、第１マーク領域(Ｐm
1)、及び第２マーク領域(Ｐm2)を露光する際、被露光基
ば上に先行して露光された第１マスクの原画パターン領
域(Ｐａ)と第１マーク領域(Ｐm1)との間の未露光部に、
隣接して露光すべき第１マスクの原画パターン領域に付
随した第２マーク領域(Ｐm2)が転写されるように移動手
段（ステージ２）の移動を制御する段階と； 第１マスクによって露光された被露光基板に対して重ね
合せ露光を行なう際、第１マスクの各マーク領域の部分
に開口領域(Ｈ1、Ｈ2)が形成された第２マスク（レチク
ルＲ′）を露光装置に装着し、被露光基板上に形成され
たチップ領域（Ｃ1、Ｃ2、・・・・）に付随した第１マーク
(Ｍ1′)と第２マーク(Ｍ2′)とを、露光装置のマーク検
出光学系を用いて第２マスクの各開口領域（Ｈ1、Ｈ2）
を介して光学的に検知することによって第２のマスク
（レチクルＲ′）と被露光基板（ウェハＷ）とをアライ
メントする段階と； そのアライメントの後、第２マスクの原画パターン領域
(Ｐａ)を被露光基板のチップ領域へ重ね合せ露光する段
階とを実行することを技術的要点としている。
ップ領域が第１層のときは、第１層用のマスク（レチク
ルＲ）の原画パターン領域(Ｐａ)を挟んで対向した位置
の夫々に、被露光基板へ転写すべきアライメント用の第
１マーク領域(Ｐm1）と第２マーク領域(Ｐm2)とが形成
され、かつ第１マーク領域(Ｐm1)と原画パターン領域
(Ｐａ)あとの間、及び第２マーク領域（Ｐｍ２）と原画
パターン領域(Ｐａ)との間に、各マーク領域(Ｐm1、Ｐm
2）のｘ、ｙ方向の大きさとほぼ等しいか、もしくはそ
れ以上の大きさの遮光領域（Ｐｃ1、Ｐｃ2）が形成され
た第１マスク（レチクルＲ）を露光装置に装着する段階
と； 露光装置の制御手段によって第１マスク（レチクルＲ）
と被露光基板（ウェハＷ）との相対位置関係を順次変化
させて、原画パターン領域(Ｐａ)、第１マーク領域(Ｐm
1)、及び第２マーク領域(Ｐm2)を露光する際、被露光基
ば上に先行して露光された第１マスクの原画パターン領
域(Ｐａ)と第１マーク領域(Ｐm1)との間の未露光部に、
隣接して露光すべき第１マスクの原画パターン領域に付
随した第２マーク領域(Ｐm2)が転写されるように移動手
段（ステージ２）の移動を制御する段階と； 第１マスクによって露光された被露光基板に対して重ね
合せ露光を行なう際、第１マスクの各マーク領域の部分
に開口領域(Ｈ1、Ｈ2)が形成された第２マスク（レチク
ルＲ′）を露光装置に装着し、被露光基板上に形成され
たチップ領域（Ｃ1、Ｃ2、・・・・）に付随した第１マーク
(Ｍ1′)と第２マーク(Ｍ2′)とを、露光装置のマーク検
出光学系を用いて第２マスクの各開口領域（Ｈ1、Ｈ2）
を介して光学的に検知することによって第２のマスク
（レチクルＲ′）と被露光基板（ウェハＷ）とをアライ
メントする段階と； そのアライメントの後、第２マスクの原画パターン領域
(Ｐａ)を被露光基板のチップ領域へ重ね合せ露光する段
階とを実行することを技術的要点としている。
（実施例） 次に本発明も実施例を第１図、第２図を用いて説明す
る。第１図は本実施例によるレチクル（マスク）Ｒの平
面図であり、第２図はそのレチクルＲを用いるためのス
テッパー（露光装置）の概略的な構成を示す図である。
る。第１図は本実施例によるレチクル（マスク）Ｒの平
面図であり、第２図はそのレチクルＲを用いるためのス
テッパー（露光装置）の概略的な構成を示す図である。
レチクルＲには所望の回路パターンが描かれた矩形状の
パターン領域Paが形成される。そしてパターン領域Paの
中心RCを原点とする直行座標系xyを定めたとき、中心RC
からｘ方向左右に等しい距離だけ離れた位置に、それぞ
れ十字状のマークＭ１，Ｍ２が形成される。マークＭ
１，Ｍ２は、本実施例では矩形状のマーク領域Pm1，Pm2
の内部にそれぞれ形成されている。ここでパターン領域
Paの外側全面にクロム等の遮光層が設けられ、その遮光
層中に矩形状のマーク領域Pm1，Pm2を開口（光透過性）
となるように形成したものとする。従ってマークM1，M2
はマーク領域Pm1，Pm2中にそれぞれクロム等の遮光材料
で形成される。さて、マーク領域Pm1，Pm2の各々とパタ
ーン領域Paとの間には、ｘ方向の幅がマーク領域Pm1，P
m2のｘ方向の幅と等しいか、もしくはそれ以上の大きさ
の非露光領域（遮光領域）Pc1，Pc2が形成されている。
本実施例ではパターン領域Paを取り囲むような遮光層が
設けられているので、この遮光層が非露光領域Pc1，Pc2
を兼用している。
パターン領域Paが形成される。そしてパターン領域Paの
中心RCを原点とする直行座標系xyを定めたとき、中心RC
からｘ方向左右に等しい距離だけ離れた位置に、それぞ
れ十字状のマークＭ１，Ｍ２が形成される。マークＭ
１，Ｍ２は、本実施例では矩形状のマーク領域Pm1，Pm2
の内部にそれぞれ形成されている。ここでパターン領域
Paの外側全面にクロム等の遮光層が設けられ、その遮光
層中に矩形状のマーク領域Pm1，Pm2を開口（光透過性）
となるように形成したものとする。従ってマークM1，M2
はマーク領域Pm1，Pm2中にそれぞれクロム等の遮光材料
で形成される。さて、マーク領域Pm1，Pm2の各々とパタ
ーン領域Paとの間には、ｘ方向の幅がマーク領域Pm1，P
m2のｘ方向の幅と等しいか、もしくはそれ以上の大きさ
の非露光領域（遮光領域）Pc1，Pc2が形成されている。
本実施例ではパターン領域Paを取り囲むような遮光層が
設けられているので、この遮光層が非露光領域Pc1，Pc2
を兼用している。
以上のようなレチクルＲは例えばウエハ上に第１層の回
路パターンを露光するときに使われ、パターン領Pa中の
回路パターンとマークＭ１，Ｍ２とはウエハ上に同時に
転写される。また、ウエハ上に形成されたチップとアラ
イメントするためのレチクルＲ′には、パターン領域Pa
以外に、マークＭ１，Ｍ２に対応した位置に、TTL方式
のアライメント光学系を構成する顕微鏡の観察視野範囲
に合せた大きさで矩形状の開口のみを設け、マークＭ
１，Ｍ２は不要である。
路パターンを露光するときに使われ、パターン領Pa中の
回路パターンとマークＭ１，Ｍ２とはウエハ上に同時に
転写される。また、ウエハ上に形成されたチップとアラ
イメントするためのレチクルＲ′には、パターン領域Pa
以外に、マークＭ１，Ｍ２に対応した位置に、TTL方式
のアライメント光学系を構成する顕微鏡の観察視野範囲
に合せた大きさで矩形状の開口のみを設け、マークＭ
１，Ｍ２は不要である。
さて、第２図においてウエハンＷ上にはすでに第１図の
レチクルＲを用いてチップが形成されているものとす
る。このチップと重ね合せられるレチクルＲ′は投影レ
ンズ１の物体側に配置され、投影レンズ１の像側に配置
されたウエハＷに第２層の回路パターンが転写される第
２図ではこの投影レンズ１ば物体側が非テレセントリッ
クであり、像側がテレセントリックである。もちろん物
体側がテレセントリックな光学系でもよい。ウエハＷは
２次元移動するステージ２に載置され、駆動装置３によ
って所定の位置に位置決めされる。レチクルＲ′はコン
デンサーレンズ１２を含む照明光学系からの露光光によ
って均一の照度で照明され、レチクルＲ′のパターン領
域Paの像形成光ｌ１（主光線を表わす）は、投影レンズ
１の入射瞳１ａの中心を通ってウエハＷに達する。ま
た、レチクルＲ′の両脇に形成されたアライメント用の
開口Ｈ１，Ｈ２は各々、反射ミラー４ａ，４ｂと対物レ
ンズ５ａ，５ｂと、テレビカメラ等の画像検出器６ａ，
６ｂとを有するアライメント検出系によって観察され
る。このとき、ウエハＷ上のチップに付随して形成され
たマークＭ１′，Ｍ２′の像も開口Ｈ１，Ｈ２を介して
同時に観察される。さらに、アライメントの際に開口Ｈ
１を露光光と同一波長の照射光で照射するための光源７
ａと、この光源７ａからの照射光を通過、遮断するため
のシャッター８ａと、シャッター８ａを通った照明光を
画像検出器６ａと対物レンズ５ａとの間からレチクル
Ｒ′の開口Ｈ１に向けて導びくようなビームスプリッタ
ー９ａとが設けられている。対物レンズ５ｂと画像検出
器６ｂによルアライメント検出系についても全く同様に
光源７ｂ、シャッター８ｂ及びビームスブリッター９ｂ
が設けられている。
レチクルＲを用いてチップが形成されているものとす
る。このチップと重ね合せられるレチクルＲ′は投影レ
ンズ１の物体側に配置され、投影レンズ１の像側に配置
されたウエハＷに第２層の回路パターンが転写される第
２図ではこの投影レンズ１ば物体側が非テレセントリッ
クであり、像側がテレセントリックである。もちろん物
体側がテレセントリックな光学系でもよい。ウエハＷは
２次元移動するステージ２に載置され、駆動装置３によ
って所定の位置に位置決めされる。レチクルＲ′はコン
デンサーレンズ１２を含む照明光学系からの露光光によ
って均一の照度で照明され、レチクルＲ′のパターン領
域Paの像形成光ｌ１（主光線を表わす）は、投影レンズ
１の入射瞳１ａの中心を通ってウエハＷに達する。ま
た、レチクルＲ′の両脇に形成されたアライメント用の
開口Ｈ１，Ｈ２は各々、反射ミラー４ａ，４ｂと対物レ
ンズ５ａ，５ｂと、テレビカメラ等の画像検出器６ａ，
６ｂとを有するアライメント検出系によって観察され
る。このとき、ウエハＷ上のチップに付随して形成され
たマークＭ１′，Ｍ２′の像も開口Ｈ１，Ｈ２を介して
同時に観察される。さらに、アライメントの際に開口Ｈ
１を露光光と同一波長の照射光で照射するための光源７
ａと、この光源７ａからの照射光を通過、遮断するため
のシャッター８ａと、シャッター８ａを通った照明光を
画像検出器６ａと対物レンズ５ａとの間からレチクル
Ｒ′の開口Ｈ１に向けて導びくようなビームスプリッタ
ー９ａとが設けられている。対物レンズ５ｂと画像検出
器６ｂによルアライメント検出系についても全く同様に
光源７ｂ、シャッター８ｂ及びビームスブリッター９ｂ
が設けられている。
さて、画像検出器６ａ，６ｂからの画像信号は各々画像
処理回路１０ａ，１０ｂに入力する。画像処理回路１０
ａはウエハＷ上のマークＭ１′とレチクルＲ′の開口Ｈ
１との相対的な位置ずれを検出し、画像処理回路１０ｂ
はマークＭ２′と開口Ｈ２との相対的な位置ずれを検出
する。制御回路１１は画像処理回路１０ａ，１０ｂで検
出された位置ずれを補正するようにステージ２を移動す
るための信号を駆動装置３に出力する。尚、レチクル
Ｒ′は２次元移動するレチクルステージ１３に載置さ
れ、このレチクルステージ１３はレチクルＲ′（又は
Ｒ）を投影レンズ１の光軸AXと位置合せする際に微動す
る。
処理回路１０ａ，１０ｂに入力する。画像処理回路１０
ａはウエハＷ上のマークＭ１′とレチクルＲ′の開口Ｈ
１との相対的な位置ずれを検出し、画像処理回路１０ｂ
はマークＭ２′と開口Ｈ２との相対的な位置ずれを検出
する。制御回路１１は画像処理回路１０ａ，１０ｂで検
出された位置ずれを補正するようにステージ２を移動す
るための信号を駆動装置３に出力する。尚、レチクル
Ｒ′は２次元移動するレチクルステージ１３に載置さ
れ、このレチクルステージ１３はレチクルＲ′（又は
Ｒ）を投影レンズ１の光軸AXと位置合せする際に微動す
る。
以上のような構成において、レチクルＲ′の露光中、反
射ミラー４ａ，４ｂが像形成光ｌ１を遮光することがな
いように、開口Ｈ１，Ｈ２はパターン領域Paから離して
設けられている。すなわち、露光動作とアライメント動
作の際、反射ミラー４ａ（４ｂ）と対物レンズ５ａ（５
ｂ）とを一体に移動させることがないような位置に開口
Ｈ１（Ｈ２）を設けたとき、レチクルＲ′のパターン領
域Ｐａの周辺から開口Ｈ１（Ｈ２）までの間隔が、ウエ
ハＷ上の１つのチップの周辺からマークＭ１′（Ｍ
２′）までの間隔と対応するように、予めレチクルＲ上
のマークＭ１（Ｍ２）の位置が定められている。
射ミラー４ａ，４ｂが像形成光ｌ１を遮光することがな
いように、開口Ｈ１，Ｈ２はパターン領域Paから離して
設けられている。すなわち、露光動作とアライメント動
作の際、反射ミラー４ａ（４ｂ）と対物レンズ５ａ（５
ｂ）とを一体に移動させることがないような位置に開口
Ｈ１（Ｈ２）を設けたとき、レチクルＲ′のパターン領
域Ｐａの周辺から開口Ｈ１（Ｈ２）までの間隔が、ウエ
ハＷ上の１つのチップの周辺からマークＭ１′（Ｍ
２′）までの間隔と対応するように、予めレチクルＲ上
のマークＭ１（Ｍ２）の位置が定められている。
次に、このステッパーを用いた一連の動作を説明する
が、ここではウエハＷに第１層の回路パターンを露光し
てチップ（単一のダイ、マルチダイを問わず１ショット
分をチップと呼ぶ）を形成した後、第２層の回路パター
ンをチップに重ね合せて露光するまでの工程のみを述べ
る。
が、ここではウエハＷに第１層の回路パターンを露光し
てチップ（単一のダイ、マルチダイを問わず１ショット
分をチップと呼ぶ）を形成した後、第２層の回路パター
ンをチップに重ね合せて露光するまでの工程のみを述べ
る。
第１層の回路パターンをウエハＷに形成するには、第１
図に示したレチクルＲを第２図のステッパーに載置す
る。そして反射ミラー４ａ（４ｂ）と対物レンズ５ａ
（５ｂ）を退避させて、反射ミラー４ａ（４ｂ）がレチ
クルＲのマークＭ１（Ｍ２）を遮光しないようにする。
そして、制御回路１１と駆動装置３とによってステージ
２を２次元的に一定ピッチで歩進させてから露光光をレ
チクルＲに所定時間だけ照射することを繰り返す。この
とき、ウエハＷ上でｘ方向に配列するチップについて
は、チップとチップの間に２つのマークが転写されるよ
うに、ステージ２のｘ方向の位置決めが行なわれる。こ
のとき第３図により説明する。第３図はウエハＷ上に露
光されたチップＣ１とそのｘ方向の隣りに位置するチッ
プＣ２とを表わしたものである。
図に示したレチクルＲを第２図のステッパーに載置す
る。そして反射ミラー４ａ（４ｂ）と対物レンズ５ａ
（５ｂ）を退避させて、反射ミラー４ａ（４ｂ）がレチ
クルＲのマークＭ１（Ｍ２）を遮光しないようにする。
そして、制御回路１１と駆動装置３とによってステージ
２を２次元的に一定ピッチで歩進させてから露光光をレ
チクルＲに所定時間だけ照射することを繰り返す。この
とき、ウエハＷ上でｘ方向に配列するチップについて
は、チップとチップの間に２つのマークが転写されるよ
うに、ステージ２のｘ方向の位置決めが行なわれる。こ
のとき第３図により説明する。第３図はウエハＷ上に露
光されたチップＣ１とそのｘ方向の隣りに位置するチッ
プＣ２とを表わしたものである。
第２図に示した投影レンズ２の光軸AXがレチクルＲの中
心RCを通るものとすると、このレチクルＲを露光したと
き、パターン領域Paの転写像、すなわちチップＣ１と、
チップＣ１の中心CC1（光軸AXが通る）からｘ方向に所
定距離だけ離れた位置に転写されるレチクルＲのマーク
Ｍ１，Ｍ２の像、すなわちマークンＭ１′-１，Ｍ２′-
１とがウエハＷ上にフォトレジスに潜像として形成され
る。このとき、マークンＭ′２-１とマークＭ′１-１の
各々のチップＣとの間は、レチクルＲの非露光領域Ｐｃ
１，Ｐｃ２のため、露光光が照射されず未露光部分にな
っている。
心RCを通るものとすると、このレチクルＲを露光したと
き、パターン領域Paの転写像、すなわちチップＣ１と、
チップＣ１の中心CC1（光軸AXが通る）からｘ方向に所
定距離だけ離れた位置に転写されるレチクルＲのマーク
Ｍ１，Ｍ２の像、すなわちマークンＭ１′-１，Ｍ２′-
１とがウエハＷ上にフォトレジスに潜像として形成され
る。このとき、マークンＭ′２-１とマークＭ′１-１の
各々のチップＣとの間は、レチクルＲの非露光領域Ｐｃ
１，Ｐｃ２のため、露光光が照射されず未露光部分にな
っている。
次にステージ２をｘ方向に歩進させて、チップＣ１の隣
りにチップＣ２を形成する際、レチクルＲのマークＭ２
の転写像が先に露光されたチップＣ１とマークＭ１′-
１の間の未露光部分に位置するようにステージ２のｘ方
向の位置決めを行なう。そして、その位置で露光を行な
うと、レチクルＲのパターン領域Paに対応したチップＣ
２と、マークＭ１，Ｍ２に対応したマークＭ１′-２，
Ｍ２′-２とがフォトレジストに潜像として形成され
る。
りにチップＣ２を形成する際、レチクルＲのマークＭ２
の転写像が先に露光されたチップＣ１とマークＭ１′-
１の間の未露光部分に位置するようにステージ２のｘ方
向の位置決めを行なう。そして、その位置で露光を行な
うと、レチクルＲのパターン領域Paに対応したチップＣ
２と、マークＭ１，Ｍ２に対応したマークＭ１′-２，
Ｍ２′-２とがフォトレジストに潜像として形成され
る。
以上の露光動作はｘ方向にチップを形成する場合は同様
に繰り返される。もちろんｙ方向にチップを配列すると
きは以上のゆな制約はないので、ｙ方向のチップ同志が
重ならないような間隔で歩進させればよい。以上のよう
にして露光されたウエハＷはステージ２から取り出さ
れ、フォトレジストの現像を行なった後、所定のプロセ
ス（エッチング、拡散等）を行ない、ウエハＷの表面に
第１層の回路パターンを作り出す。
に繰り返される。もちろんｙ方向にチップを配列すると
きは以上のゆな制約はないので、ｙ方向のチップ同志が
重ならないような間隔で歩進させればよい。以上のよう
にして露光されたウエハＷはステージ２から取り出さ
れ、フォトレジストの現像を行なった後、所定のプロセ
ス（エッチング、拡散等）を行ない、ウエハＷの表面に
第１層の回路パターンを作り出す。
さて、そのウエハＷは再びフォトレジストが塗布され、
ステッパーのステージ２に載置され、レチクルＲは第２
層用のレチクルＲ′に交換される。第２層の回路パター
ンを転写する時は、ウエハＷ上のチップとレチクルＲ′
のパターン領域Paとの位置合せが必要なので、アライメ
ト検出系の反射ミラー４ａ（４ｂ）と対物レンズ５ａ
（５ｂ）とを、開口Ｈ１（Ｈ２）が観察視野内の所定位
置にくるように繰り出す。このときシャッター８ａ，８
ｂは閉じられている。次に制御回路１１からの信号によ
り駆動装置３を駆動して、ウエハＷ上の１つのチップと
レチクルＲ′のパターン領域Paの投影像とが概ね位置合
せされるようにステージ２を位置決めする。このように
位置決めしたときの様子を第４図に示す。第４図は投影
レンズ１によって投影し得る円形の最大露光領域、すな
わちイメージフィールドＥと、投影レンズ１の光軸AXと
レチクルＲ′のパターン領域Paの中心RCとを一致させた
ときに投影されるパターン領域Paの投影像Pa′と、開口
Ｈ１，Ｈ２の投影像Ｈ１′，Ｈ２′と、ウエハンＷ上の
チップＣ１と各マークとの位置関係を示す。第４図では
チップＣ１が投影像Pa′に対してｘ，ｙ方向に微小量Δ
x，Δyだけずれているものとする。このとき、チップＣ
１に付随して設けられた２つのマークＭ１′-１とＭ
２′-１は各々投影像Ｈ１′とＨ２′に対してΔx，Δy
だけずれて整列する。マークＭ２′-１とチップＣ１の
間には図中チップＣ１の左隣りのチップＣ０に付随して
形成されたマークＭ１′-０が位置し、マークＭ１′-１
とチップＣ１の間には図中チップＣ１の右隣りのチップ
Ｃ２に付随して形成されたマークＭ２′-２が位置す
る。ここでシャッター８ａ，８ｂを開き、画像検出器６
ａ，６ｂによって開口Ｈ１とマークＭ１′-１の重ね合
せ像と、開口Ｈ２とマークＭ２′-１の重ね合せ像とを
それぞれ検出する。画像処理回路10aは開口Ｈ１に対す
るマークＭ１′-１の２次元的な位置ずれ量（Δx1，Δy
1）を検出し、画像処理回路１０ｂは開口Ｈ２に対する
マークＭ２′-１の２次元的な位置ずれ量（Δx2，Δy
2）を検出する。そして制御回路１１は、それらの位置
ずれ量（Δx1，Δy1）、（Δx2，Δy2）がともに所定の
値、例えば零になるようにステージ２の位置を補正す
る。この際、マークＭ２′-１とＭ１′-１がｘ方向に離
れて設けられていることから、Δy1とΔy2の値に差があ
れば、投影像Pa′とチップＣ１とに相対的な回転誤差が
あることになる。またΔx1とΔx2の値に差があれば、プ
ロセスによるウエハＷの伸縮や、投影レンズ１の倍率誤
差等が存在することになる。従ってこれらの回転誤差、
ウエハの伸縮又は倍率誤差を考慮してチップＣ１と転写
像Pa′とが最も整合するようにステージ２の位置を補正
するのが望ましい。この補正によりチップＣ１と投影像
Pa′とは緻密に重ね合されるので、レチクルＲ′に露光
光を照射して投影像Paの重ね焼きを行なう。この際アラ
イメント検出系の反射ミラー４ａ（４ｂ）と対物レンズ
５ａ（５ｂ）を退避させる必要がないから、アライメン
ト動作によってウエハＷの位置を補正した後、ただちに
露光動作に移ることができ、従来の装置よりも処理時間
が短縮される。
ステッパーのステージ２に載置され、レチクルＲは第２
層用のレチクルＲ′に交換される。第２層の回路パター
ンを転写する時は、ウエハＷ上のチップとレチクルＲ′
のパターン領域Paとの位置合せが必要なので、アライメ
ト検出系の反射ミラー４ａ（４ｂ）と対物レンズ５ａ
（５ｂ）とを、開口Ｈ１（Ｈ２）が観察視野内の所定位
置にくるように繰り出す。このときシャッター８ａ，８
ｂは閉じられている。次に制御回路１１からの信号によ
り駆動装置３を駆動して、ウエハＷ上の１つのチップと
レチクルＲ′のパターン領域Paの投影像とが概ね位置合
せされるようにステージ２を位置決めする。このように
位置決めしたときの様子を第４図に示す。第４図は投影
レンズ１によって投影し得る円形の最大露光領域、すな
わちイメージフィールドＥと、投影レンズ１の光軸AXと
レチクルＲ′のパターン領域Paの中心RCとを一致させた
ときに投影されるパターン領域Paの投影像Pa′と、開口
Ｈ１，Ｈ２の投影像Ｈ１′，Ｈ２′と、ウエハンＷ上の
チップＣ１と各マークとの位置関係を示す。第４図では
チップＣ１が投影像Pa′に対してｘ，ｙ方向に微小量Δ
x，Δyだけずれているものとする。このとき、チップＣ
１に付随して設けられた２つのマークＭ１′-１とＭ
２′-１は各々投影像Ｈ１′とＨ２′に対してΔx，Δy
だけずれて整列する。マークＭ２′-１とチップＣ１の
間には図中チップＣ１の左隣りのチップＣ０に付随して
形成されたマークＭ１′-０が位置し、マークＭ１′-１
とチップＣ１の間には図中チップＣ１の右隣りのチップ
Ｃ２に付随して形成されたマークＭ２′-２が位置す
る。ここでシャッター８ａ，８ｂを開き、画像検出器６
ａ，６ｂによって開口Ｈ１とマークＭ１′-１の重ね合
せ像と、開口Ｈ２とマークＭ２′-１の重ね合せ像とを
それぞれ検出する。画像処理回路10aは開口Ｈ１に対す
るマークＭ１′-１の２次元的な位置ずれ量（Δx1，Δy
1）を検出し、画像処理回路１０ｂは開口Ｈ２に対する
マークＭ２′-１の２次元的な位置ずれ量（Δx2，Δy
2）を検出する。そして制御回路１１は、それらの位置
ずれ量（Δx1，Δy1）、（Δx2，Δy2）がともに所定の
値、例えば零になるようにステージ２の位置を補正す
る。この際、マークＭ２′-１とＭ１′-１がｘ方向に離
れて設けられていることから、Δy1とΔy2の値に差があ
れば、投影像Pa′とチップＣ１とに相対的な回転誤差が
あることになる。またΔx1とΔx2の値に差があれば、プ
ロセスによるウエハＷの伸縮や、投影レンズ１の倍率誤
差等が存在することになる。従ってこれらの回転誤差、
ウエハの伸縮又は倍率誤差を考慮してチップＣ１と転写
像Pa′とが最も整合するようにステージ２の位置を補正
するのが望ましい。この補正によりチップＣ１と投影像
Pa′とは緻密に重ね合されるので、レチクルＲ′に露光
光を照射して投影像Paの重ね焼きを行なう。この際アラ
イメント検出系の反射ミラー４ａ（４ｂ）と対物レンズ
５ａ（５ｂ）を退避させる必要がないから、アライメン
ト動作によってウエハＷの位置を補正した後、ただちに
露光動作に移ることができ、従来の装置よりも処理時間
が短縮される。
チップＣ１に対する重ね合せ露光が終了すると、制御回
路１１はステージ２をｘ方向にチップの配列ピッチ分だ
け歩進（ステッピング）させ、チップＣ１の右隣りのチップ
Ｃ２と投影像Pa′とが概ね重ね合されるように位置決め
する。このステッピング時はシャッター８ａ，８ｂが閉
じられる。チップＣ２と投影像Pa′とのアライメント
は、開口Ｈ２とマークＭ２′-２の相対的な位置ずれ
と、開口Ｈ１とマークＭ１′-２の相対的な意地ずれを
検出することによって前述の動作と全く同様に行なわれ
る。以上のようにしてウエハＷ上の全チップに対して投
影像Pa′の重ね焼きが同様に実行され、一枚のウエハＷ
の露光処理が完了する。このように本実施例では開口Ｈ
１とＨ２とを介してレチクルＲ′とチップのｘ方向、ｙ
方向の相対的な位置ずれを検出するので、レチクルＲ′
とウエハＷ（チップ）の２次元的な位置ずれ、回転ずれ
及び倍率誤差がただちにわかる。従ってチップの回転ず
れを補正するためには、検出された回転ずれに応じてス
テージ２上のウエハホルダーを回転させればよい。また
倍率誤差を補正するためには、検出した誤差量に応じて
投影レンズ１を構成するレンズ素子を光軸方向に移動さ
せるか、あるいは投影レンズ１内の空間の圧力を調整し
て空気間隔の屈折力を変える等すればよい。
路１１はステージ２をｘ方向にチップの配列ピッチ分だ
け歩進（ステッピング）させ、チップＣ１の右隣りのチップ
Ｃ２と投影像Pa′とが概ね重ね合されるように位置決め
する。このステッピング時はシャッター８ａ，８ｂが閉
じられる。チップＣ２と投影像Pa′とのアライメント
は、開口Ｈ２とマークＭ２′-２の相対的な位置ずれ
と、開口Ｈ１とマークＭ１′-２の相対的な意地ずれを
検出することによって前述の動作と全く同様に行なわれ
る。以上のようにしてウエハＷ上の全チップに対して投
影像Pa′の重ね焼きが同様に実行され、一枚のウエハＷ
の露光処理が完了する。このように本実施例では開口Ｈ
１とＨ２とを介してレチクルＲ′とチップのｘ方向、ｙ
方向の相対的な位置ずれを検出するので、レチクルＲ′
とウエハＷ（チップ）の２次元的な位置ずれ、回転ずれ
及び倍率誤差がただちにわかる。従ってチップの回転ず
れを補正するためには、検出された回転ずれに応じてス
テージ２上のウエハホルダーを回転させればよい。また
倍率誤差を補正するためには、検出した誤差量に応じて
投影レンズ１を構成するレンズ素子を光軸方向に移動さ
せるか、あるいは投影レンズ１内の空間の圧力を調整し
て空気間隔の屈折力を変える等すればよい。
以上、本実施例ではアライメント検出系の光源７ａ（７
ｂ）が露光光と同一波長の照明光を発生するものとした
が、ウエハＷのフォトレジストを感光させないような波
長の照明光を撮影するものにしてもよい。この場合、投
影レンズ１の色収差によってレチクルＲ′の開口Ｈ１，
Ｈ２とウエハンＷ上のマークＭ１′，Ｍ２′の共役関係
が保たれないので、レチクルＲ′と投影レンズ１の間、
特に開口Ｈ１，Ｈ２の直下にマークＭ１′，Ｍ２′と開
口Ｈ１，Ｈ２を結ぶ光路長を補正し、レチクルＲとウエ
ハＷの共役を保つためのレンズ、ミラー又はプリズム等
の色収差補正光学系を入れる必要がある。またアライメ
ント検出系、画像処理回路１０ａ（１０ｂ）は開口Ｈ１
（Ｈ２）とマークＭ１′（Ｍ２′）の２次元的な位置ず
れを検出するものとしたが、どちらか一方のアライメン
ト検出系と画像処理回路は一次元（ｘ方向とｙ方向のい
ずれかひとつの方向）の位置ずれのみを検出するように
しても同様の効果が得られる。
ｂ）が露光光と同一波長の照明光を発生するものとした
が、ウエハＷのフォトレジストを感光させないような波
長の照明光を撮影するものにしてもよい。この場合、投
影レンズ１の色収差によってレチクルＲ′の開口Ｈ１，
Ｈ２とウエハンＷ上のマークＭ１′，Ｍ２′の共役関係
が保たれないので、レチクルＲ′と投影レンズ１の間、
特に開口Ｈ１，Ｈ２の直下にマークＭ１′，Ｍ２′と開
口Ｈ１，Ｈ２を結ぶ光路長を補正し、レチクルＲとウエ
ハＷの共役を保つためのレンズ、ミラー又はプリズム等
の色収差補正光学系を入れる必要がある。またアライメ
ント検出系、画像処理回路１０ａ（１０ｂ）は開口Ｈ１
（Ｈ２）とマークＭ１′（Ｍ２′）の２次元的な位置ず
れを検出するものとしたが、どちらか一方のアライメン
ト検出系と画像処理回路は一次元（ｘ方向とｙ方向のい
ずれかひとつの方向）の位置ずれのみを検出するように
しても同様の効果が得られる。
また、第１図に示したマークＭ１，Ｍ２（ウエハＷ上の
マークンＭ１′，Ｍ２′）はｘ軸上からそれぞれｙ方向
に一定距離だけずらしてｘ軸から離れた平行な線上に設
けるようにしてもよい。この場合、２つの開口Ｈ１，Ｈ
２の一は、そのずらし量に応じてレチクルＲ′上でずら
しておいてもよいが、第４図のような配置関係のままで
もよい。その場合、レチクルＲ′とチップのアライメン
トは開口Ｈ１，Ｈ２とチップに付随したマークＭ１′，
Ｍ２′とによって同様に位置合せした後、そのずらし量
に応じた値だけウエハＷ（又はレチクルＲ′）ｙ方向に
移動させた位置で露光を行なう、所謂サイト・アライメ
ント方式になる。さらに、２つのアライメント光学系に
よる観察位置をレチクルＲ′上で２次元的に変更（手動
又は電動）できるようにしておくと、アライメントマー
クの打ち替えに好都合である。具体的にはそれら観察位
置がレチクルＲ′の中心に向けて移動する方向（第４図
ではｘ方向）と、その方向と直交する方向（ｙ方向）と
の２方向に移動するようにする。そしてマークの打ち替
えのときはアライメント光学系を略ｙ方向に一定量移動
させ、開口Ｈ１，Ｈ２の位置マークＭ１′，Ｍ２′の位
置もそれに応じて変更する。とくに、第２図のような物
体側が非テレセントリックな投影レンズ１を用いる場
合、開口Ｈ１，Ｈ２の照明光に角度特性等があるため、
これを考慮して、２つのアライメント光学系の位置を投
影レンズ１の光軸AXのまわりに回転できるようにしてお
くとよい。もちろん色収差補正用の光学系を設ける場合
は、アライメント光学系と一体に光軸AXのまわりに回転
させる必要がある。尚、レチクルＲ′のパターン領域周
辺の４辺のそれぞれにアライメント用の開口を設け、４
つのアライメント光学系で各開口を介してTTL方式で位
置合せするようにしてもよい。この場合、１つのチップ
の左右（ｘ方向）と上下（ｙ方向）とに、本発明の実施
例のような配置でウエハＷ上のアライメントマークが形
成される。
マークンＭ１′，Ｍ２′）はｘ軸上からそれぞれｙ方向
に一定距離だけずらしてｘ軸から離れた平行な線上に設
けるようにしてもよい。この場合、２つの開口Ｈ１，Ｈ
２の一は、そのずらし量に応じてレチクルＲ′上でずら
しておいてもよいが、第４図のような配置関係のままで
もよい。その場合、レチクルＲ′とチップのアライメン
トは開口Ｈ１，Ｈ２とチップに付随したマークＭ１′，
Ｍ２′とによって同様に位置合せした後、そのずらし量
に応じた値だけウエハＷ（又はレチクルＲ′）ｙ方向に
移動させた位置で露光を行なう、所謂サイト・アライメ
ント方式になる。さらに、２つのアライメント光学系に
よる観察位置をレチクルＲ′上で２次元的に変更（手動
又は電動）できるようにしておくと、アライメントマー
クの打ち替えに好都合である。具体的にはそれら観察位
置がレチクルＲ′の中心に向けて移動する方向（第４図
ではｘ方向）と、その方向と直交する方向（ｙ方向）と
の２方向に移動するようにする。そしてマークの打ち替
えのときはアライメント光学系を略ｙ方向に一定量移動
させ、開口Ｈ１，Ｈ２の位置マークＭ１′，Ｍ２′の位
置もそれに応じて変更する。とくに、第２図のような物
体側が非テレセントリックな投影レンズ１を用いる場
合、開口Ｈ１，Ｈ２の照明光に角度特性等があるため、
これを考慮して、２つのアライメント光学系の位置を投
影レンズ１の光軸AXのまわりに回転できるようにしてお
くとよい。もちろん色収差補正用の光学系を設ける場合
は、アライメント光学系と一体に光軸AXのまわりに回転
させる必要がある。尚、レチクルＲ′のパターン領域周
辺の４辺のそれぞれにアライメント用の開口を設け、４
つのアライメント光学系で各開口を介してTTL方式で位
置合せするようにしてもよい。この場合、１つのチップ
の左右（ｘ方向）と上下（ｙ方向）とに、本発明の実施
例のような配置でウエハＷ上のアライメントマークが形
成される。
また本実施例によるレチクルＲでは、２つのマークＭ
１，Ｍ２を座標系ｘｙのｘ軸上に位置するように設けた
が、レチクルＲの中心ＲＣを通るパターン領域Paの対角
線上に設けても同様の効果が得られる。この場合、２つ
のアライメント検出系の配置もそれに合せて替えること
は言うまでもない。さらにこの場合、ウエハ上に形成さ
れたチップとマークとは第５図のような関係で配置され
る。チップＣ１を露光するとき、チップＣ１の中心CC1
を通る線上にマークｍ１，ｍ１′が付随して露光され、
次にｘ方向にステッピングしてチップＣ２を露光すると
き、チップＣ２の中心CC2を通る線上にマークｍ２，ｍ
２′が付随して露光される。こうしてｘ方向の一例の露
光が終り、その下の列について露光を行なう際、例えば
チップＣ１の下のチップＣ９については、チップＣ９に
付随したマークｍ９，ｍ９′のうち、マークｍ９′が右
上のチップＣ２とマークｍ２との間に露光されるように
ステッピングを行なう。
１，Ｍ２を座標系ｘｙのｘ軸上に位置するように設けた
が、レチクルＲの中心ＲＣを通るパターン領域Paの対角
線上に設けても同様の効果が得られる。この場合、２つ
のアライメント検出系の配置もそれに合せて替えること
は言うまでもない。さらにこの場合、ウエハ上に形成さ
れたチップとマークとは第５図のような関係で配置され
る。チップＣ１を露光するとき、チップＣ１の中心CC1
を通る線上にマークｍ１，ｍ１′が付随して露光され、
次にｘ方向にステッピングしてチップＣ２を露光すると
き、チップＣ２の中心CC2を通る線上にマークｍ２，ｍ
２′が付随して露光される。こうしてｘ方向の一例の露
光が終り、その下の列について露光を行なう際、例えば
チップＣ１の下のチップＣ９については、チップＣ９に
付随したマークｍ９，ｍ９′のうち、マークｍ９′が右
上のチップＣ２とマークｍ２との間に露光されるように
ステッピングを行なう。
さらに、２つのマークＭ１，Ｍ２は透明なマーク領域Ｐ
ｍ１，Ｐｍ２の中に遮光部材で設けたが、遮光層による
マーク領域の中に透明なマークとして設けても同様の効
果が得られる。またそのマークの形も十字に限られむの
ではなく、露光装置のアライメント検出系、画像処理等
で検出できれば、一本の線状パターン、微小な格子要素
をｘ方向（又はｙ方向）に規則的に複数配列した回析格
子パターン、あるいは幾何学的な形状（矩形、三角形
等）の単一パターン等のいずれであってもよい。また本
実施例の露光装置は縮小投影型露光装置としたが、ウエ
ハ上に同一の回路パターンを繰り返し露光、転写できる
装置であれば、アスクとウエハを微小間隔で対向させる
プロキシミティ方式のステッパー（例えばＸ線露光装
置）でも全く同様に本発明を実施し得る。
ｍ１，Ｐｍ２の中に遮光部材で設けたが、遮光層による
マーク領域の中に透明なマークとして設けても同様の効
果が得られる。またそのマークの形も十字に限られむの
ではなく、露光装置のアライメント検出系、画像処理等
で検出できれば、一本の線状パターン、微小な格子要素
をｘ方向（又はｙ方向）に規則的に複数配列した回析格
子パターン、あるいは幾何学的な形状（矩形、三角形
等）の単一パターン等のいずれであってもよい。また本
実施例の露光装置は縮小投影型露光装置としたが、ウエ
ハ上に同一の回路パターンを繰り返し露光、転写できる
装置であれば、アスクとウエハを微小間隔で対向させる
プロキシミティ方式のステッパー（例えばＸ線露光装
置）でも全く同様に本発明を実施し得る。
（発明の効果） 以上本発明によれば、マスク上の原画パターンの領域の
両脇にマークを設け、非露光基板上にその原画パターン
を繰り返し露光する際、次に露光する原画パターンに付
随したマークが、先に露光した原画パターンとマークと
の間に露光されるようにしたので、被露光基板上に形成
された実素子パターン（チップ）と重ね合せするマスク
の原画パターンとを位置合せする際、重ね合せ用マスク
に設けられた位置合せ用の開口は原画パターンから離
れ、位置合せ用の検出光学系が原画パターンを遮へいす
ることがない。このため位置合せ動作の後、ただちに露
光動作に移ることができ、露光処理の時間が短縮される
という効果がまる。さらに重ね合せ用のマスクを使って
複数の被露光基板を露光処理する間、検出光学系は移動
することがないので、一枚の被露光基板内の複数の実素
子パターン（チップ）についてアライメント精度がばら
つくことなく安定するとともに、複数の被露光基板のそ
れぞれにおいてもアライメント精度が安定したものとな
る。また、検出光学系が重ね合せ用のマスクの原画パタ
ーンを遮へいせずに、開口とマークとの整列状態を検出
するように実素子パターンとマークを離したにもかかわ
らず、１つの実素子パターンと、これに付随したマーク
との間に、隣接した実素子パターンに付随したマークが
位置するようにしたので、実素子パターンと実素子パタ
ーンとの間の領域、所謂マーク打込み領域の幅を小さく
することができるという利点もある。もし本発明のよう
にマークを打込まないと、マーク打込み領域の幅はマー
クと実素子パターンとの間隔の２倍以上を必要とし、極
端に大きくなる。従って本発明によれば、被露光基板の
面積を有効に活用でき、１枚の被露光基板で取れる実素
子パターン（チップ）の数を極端に低下させることがな
いという効果が得られる。
両脇にマークを設け、非露光基板上にその原画パターン
を繰り返し露光する際、次に露光する原画パターンに付
随したマークが、先に露光した原画パターンとマークと
の間に露光されるようにしたので、被露光基板上に形成
された実素子パターン（チップ）と重ね合せするマスク
の原画パターンとを位置合せする際、重ね合せ用マスク
に設けられた位置合せ用の開口は原画パターンから離
れ、位置合せ用の検出光学系が原画パターンを遮へいす
ることがない。このため位置合せ動作の後、ただちに露
光動作に移ることができ、露光処理の時間が短縮される
という効果がまる。さらに重ね合せ用のマスクを使って
複数の被露光基板を露光処理する間、検出光学系は移動
することがないので、一枚の被露光基板内の複数の実素
子パターン（チップ）についてアライメント精度がばら
つくことなく安定するとともに、複数の被露光基板のそ
れぞれにおいてもアライメント精度が安定したものとな
る。また、検出光学系が重ね合せ用のマスクの原画パタ
ーンを遮へいせずに、開口とマークとの整列状態を検出
するように実素子パターンとマークを離したにもかかわ
らず、１つの実素子パターンと、これに付随したマーク
との間に、隣接した実素子パターンに付随したマークが
位置するようにしたので、実素子パターンと実素子パタ
ーンとの間の領域、所謂マーク打込み領域の幅を小さく
することができるという利点もある。もし本発明のよう
にマークを打込まないと、マーク打込み領域の幅はマー
クと実素子パターンとの間隔の２倍以上を必要とし、極
端に大きくなる。従って本発明によれば、被露光基板の
面積を有効に活用でき、１枚の被露光基板で取れる実素
子パターン（チップ）の数を極端に低下させることがな
いという効果が得られる。
第１図は本発明の実施例による露光用マスクの平面図、
第２図は本発明の実施例による露光装置の概略的な構成
を示す図、第３図は第１図のマスクを用いてウエハを露
光する様子を示す図、第４図はマスクとウエハとの位置
合せの様子を示す図、第５図はウエハ上に形成されたマ
ーク配置の他の例を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １……投影レンズ ２……ステージ ４ａ，４ｂ……反射ミラー ５ａ，５ｂ……対物レンズ ６ａ，６ｂ……画像検出器 Ｒ，Ｒ′……レチクル（マスク） Ｗ……ウエハ（被露光基板） Ｐａ……パターン領域 Ｐｍ１，Ｐｍ２……マーク領域 Ｐｃ１，Ｐｃ２……遮光領域 Ｍ１，Ｍ２，Ｍ１′，Ｍ２′，ｍ，ｍ′……マーク Ｈ１，Ｈ２……開口 Ｃ１，Ｃ２……チップ（実素子パターン）
第２図は本発明の実施例による露光装置の概略的な構成
を示す図、第３図は第１図のマスクを用いてウエハを露
光する様子を示す図、第４図はマスクとウエハとの位置
合せの様子を示す図、第５図はウエハ上に形成されたマ
ーク配置の他の例を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １……投影レンズ ２……ステージ ４ａ，４ｂ……反射ミラー ５ａ，５ｂ……対物レンズ ６ａ，６ｂ……画像検出器 Ｒ，Ｒ′……レチクル（マスク） Ｗ……ウエハ（被露光基板） Ｐａ……パターン領域 Ｐｍ１，Ｐｍ２……マーク領域 Ｐｃ１，Ｐｃ２……遮光領域 Ｍ１，Ｍ２，Ｍ１′，Ｍ２′，ｍ，ｍ′……マーク Ｈ１，Ｈ２……開口 Ｃ１，Ｃ２……チップ（実素子パターン）
Claims (1)
- 【請求項１】マスクと被露光基板とを相対的に移動させ
る移動手段と、該マスクと被露光基板とが所定の位置関
係になったとき、前記マスクの矩形状の原画パターン領
域を前記被露光基板へ露光するための光を照射する照明
手段と、前記移動手段によって前記マスクと被露光基板
との相対位置関係をｘ方向、又はｙ方向に順次変化させ
ては前記照明手段による光照射を繰り返す制御手段とを
有する露光装置を用いて、前記被露光基板上に複数のチ
ップ領域をｘ方向、又はｙ方向に所定の間隔で隣接して
形成するパターン露光方法において、 前記被露光基板上に形成されるチップ領域が第１層のと
きは、前記マスクの原画パターン領域を挟んで対向した
位置の夫々に、前記被露光基板へ転写すべきアライメン
ト用の第１マーク領域と第２マーク領域とが形成され、
かつ該第１マーク領域と前記原画パターン領域との間、
及び前記第２マーク領域と前記原画パターン領域との間
に、前記各マーク領域のｘ、ｙ方向の大きさとほぼ等し
いか、もしくはそれ以上の大きさの遮光領域が形成され
た第１マスクを前記露光装置に装着する段階と； 前記露光装置の制御手段によって前記第１マククと前記
被露光基板との相対位置関係を順次変化させて、前記原
画パターン領域、前記第１マーク領域、及び第２マーク
領域を露光する際、前記被露光基板上に先行して露光さ
れた前記第１マスクの原画パターン領域と前記第１マー
ク領域との間の未露光部に、隣接して露光すべき第１マ
スクの原画パターン領域に付随した前記第２マーク領域
が転写されるように前記移動手段の移動を制御する段階
と； 前記第１マスクによって露光された前記被露光基板に対
して重ね合せ露光を行なう際、前記第１マスクの各マー
ク領域の部分に開口領域が形成された第２マスクを前記
露光装置に装着し、前記被露光基板上に形成されたチッ
プ領域に付随した第１マークと第２マークとを前記第２
マスクの各開口領域を介して光学的に検知することによ
って前記第２マスクと前記被露光基板とをアライメント
する段階と； 該アライメントの後、前記第２マスクの原画パターン領
域を前記被露光基板上のチップ領域へ重ね合せ露光する
段階とを含むパターン露光方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP9405284A JPH0616476B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | パターン露光方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9405284A JPH0616476B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | パターン露光方法 |
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| JPS60239022A JPS60239022A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0616476B2 true JPH0616476B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9405284A Expired - Lifetime JPH0616476B2 (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | パターン露光方法 |
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1985
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