JPS62189468A - ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 - Google Patents

ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法

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JPS62189468A
JPS62189468A JP61030833A JP3083386A JPS62189468A JP S62189468 A JPS62189468 A JP S62189468A JP 61030833 A JP61030833 A JP 61030833A JP 3083386 A JP3083386 A JP 3083386A JP S62189468 A JPS62189468 A JP S62189468A
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利栄 黒崎
Tsuneo Terasawa
恒男 寺澤
Yoshio Kawamura
河村　喜雄
Shigeo Moriyama
森山　茂夫
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、投影露光装置の原画であるホトマスク（また
はレティクル）に係り、特に微細パターンを転写するの
に好適なホトマスクに関する。
〔従来の技術〕
原画パターンの描かれたマスク（以下レティクルとする
）を照明系で照明しレティクル上のパターンをウェーハ
上に転写する投影露光装置には、転写できるパターンの
微細化が要求されている。
投影露光装置がどの程度微細なパターンまで転写できる
かを表わす解像力は、レティクル上のパターンがウェー
ハ上に転写された時、隣接する２ケ所の明部が分離でき
るかどうかで評価される。この解像力を向上させる一手
法として、レティクル上の隣接する２ケ所の透過部分の
露光光に位相差を与えればよいことが知られている。従
来、露光光に位相差を与えるレティクルパターンについ
ては、例えば特開昭５８−１７３７４４が挙げられる。
この従来例で提案されているレティクルは、第４図に示
すごとくレティクル基板１上にパターンの原画となる遮
光部２を設け、更にその上にパターンの原画となる遮光
部２を設け、更に、その上ら露光光の位相を変化させる
層６（以下位相シフト層とする）を設けている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記の従来例ではレティクル製作に当っては、まず遮光
パターン形成のための露光、エツチングを必要とし５次
に位相シフト層のパターンを遮光パターンに正しく合せ
て露光する工程が必要である。このためレティクル製作
に必要な霧光工程が２工程必要であり、工程が複雑であ
ることおよび位相シフト層のパターン露光時に位置合せ
誤差が生じた場合は露光光の位相を変える機能が劣化す
ること等の難点がある。
本発明の目的は、上記難点を解消し１回の露光工程で遮
光パターンの露光光の位相を変えうる構造のレティクル
を作成する技術を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明では露光光に位相差
を生じさせるたるにレティクル基板であるガラスの厚さ
を部分的に異なるような構造とした。レティクル製造に
当っては、遮光膜上にホトレジストを塗布した後、部分
的に露光エネルギの異なる露光を行って、位相差を生じ
させるためにガラス基板の厚さを薄くする開口部分と、
ガラス基板の厚さを変化させない開口部分とで異なる厚
さのレジストパターンを形成するようにした。そして、
遮光膜とガラス基板のエツチング、レジストのドライエ
ツチング、遮光膜のエツチングの順にエツチングを行う
ことにより、所望のレティクルを提供できるようにした
。
〔作用〕
上述の如き本発明の構成によれば、レティクル基板その
ものの透光部の厚さに差が形成され、上記の差にもとづ
いて透過光の位相を異ならしめることができ、しかも上
記の厚さの差は１回の露光光工程によって形成できる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例を用いて説明する。第１図は、本
発明を適用したレティクルの断面を示す図である。ここ
では、Ｃｒから成る遮光膜２ケ５ケ所の開口部３−１．
３−２．３−３．３−４゜３−５からなる５本の線パタ
ーンが形成されている例をとりあげ、線パターンの長手
方向に対して垂直方向の断面を示している０図示したレ
ティクルは、開口部においてガラス基板１の厚さに差ｔ
を与えであることを特徴としている。
位相を変えるための層の厚さｔは、その屈折率を。
ｈＳ、露光光の波長をλとするとき で与えられる１例えば１層の材料として石英ガラスを用
いればｎ＝１．４６であるので、λ＝　０．３６５μｍ
の時＋　ｔ　＝０．３９７μｍとなる。第１図に示すよ
うに、５ケ所の開口部のうち１ケ所おきの開口部３−２
．３−４は、ガラス基板が０．３９７μｍだけ除去され
ている。このため、このレティクルを上面からコヒーレ
ンス度の高い照明すると、レティクル透過光（露光光）
の振幅分布は第２図に示すごとく、ガラス基板の厚さが
ｔだけ薄い開口部に対して厚さが厚い開口部で符号が反
転し、その結果従来の露光光の位相を変えるレティクル
と全く同等の効果が現われる。
次に、本発明のレティクルの製造手順を第３図を用いて
説明する。まず、（Ａ）に示すごとくガラス基板１上に
遮光膜２であるＣｒを８００人蒸着する。更にその上に
ホトレジスト５を塗布する６次に、開口部のパターンを
露光する。このとき、パターンごとに露光強度を変えで
あるので現像処理後のレジストパターンは、（Ｂ）に示
すようにパターン部３−２．３−４は完全に除去されて
いるが、パターン部３−１．３−３．３−５はレジスト
膜厚が約１７２に減少しているだけである。
ここで硝酸でＣｒをエツチングし、さらに稀釈したフッ
酸でガラス基板をエツチングすると、（Ｄ）に示すよう
に開口部３−２．３−４が形成される。
次に残っているレジストを垂直方向にドライエツチング
して膜厚を減少させていき、パターン部３−１．３−３
．３−５のレジストを除去する（第３図（Ｅ））。再度
硝酸でＣｒをエツチングすると（Ｆ）に示すように５ケ
所の開口部が形成される。最後に残っているレジストを
すべて除去することにより第１図に示す本発明のレティ
クルが完成する。
〔発明の効果〕
本発明によれば、露光光に位相差を生じさせるために新
たに位相差を生じさせる層を作る必要がないため、パタ
ーンを１回の露光工程でホトレジスト上に同時に形成す
ることができる。すなわち、従来のように遮光パターン
に合せて新たに位相シフト層を露光する工程がなく、合
せ誤差に起因するパターンの劣化も生じない。このため
、レティクル製造工程の簡素化、パターンの信頼性向上
の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のレティクルの断面を示す図、第２図は
本発明のレティクル透過後の露光光の振１・・・ガラス
基板、２・・・遮光膜、３−１．３−５・・・開口部、
４・・・レティクル透過後の振幅分布、５・・・第　ｌ
　　日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　光学的に透明な基板上に回路パターンの原画を遮光膜
    により形成し、露光装置に使用するホトマスクにおいて
    、特定な開口部を透過する露光光に位相差を与えるため
    に、当該開口部の基板の厚さを所定量だけ薄く形成した
    ことを特徴とするホトマスク。
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