JPS58173744A - マスク - Google Patents

マスク

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JPS58173744A
JPS58173744A JP58019020A JP1902083A JPS58173744A JP S58173744 A JPS58173744 A JP S58173744A JP 58019020 A JP58019020 A JP 58019020A JP 1902083 A JP1902083 A JP 1902083A JP S58173744 A JPS58173744 A JP S58173744A
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transparent
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はフォトリソグラフィで使用するためのマスク、
特に少なくとも部分的にコヒーレントな光を用いて使用
するための位相推移マスクに関する。
〔背景技術〕
ＩＢＭ　　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒ
ｅＢｕｌｌｅｔｉｎ、１９７４年４月号、３７８４〜８
５ページの”Ｍｉｃｒｏｏｐｔｉｃｓ　　ｉｎ　　ａ　
　Ｍａｓｋ”はフォトリングラフィ・マスクの分解能を
改善するだめの方法を提案している。この改善はマスク
の溝の壁面を正確に成形する事によって達成される。分
解能の改善は、散乱されずまっすぐに進行した波と溝の
壁面で反射された波との干渉の結果として生じる。この
発明は反射によって入射光を条件付けておシ、透過中に
条件付けを行なう透明部材は用いていない。
米国特許第６９４２９８１号は、透明マスク基板上に形
成された一段高い透明領域を用いたフォトマスクを提案
している。一段高い透明領域の縁を通過した光は、露光
すべき表面に影を形成するように屈折される。このマス
クを使用すると、一段と高い透明領域の周辺の形のパタ
ーンが生じる。
この発明はマスクの透過特性によって入射光の条件付け
を行なっているが、位相推移された光及び位相推移され
な１光に関係する干渉パターンは関与していない。
米国特許第３６１５４４９号は、回折格子と同じ原理で
動作するフォトマスクを開示している。
露光すべき基板は、マスクの回折作用を利用するために
マスクから所定の距離に置かれる。やはシここでも、マ
スクを通過した時の光の位相推移は存在しない。
米国特許第４０６８２６０号は、低域光学フィルタを開
示している。このフィルタは透明基板上に支持された「
光学的位相素子」よ構成る。これらの光学的位相素子も
透明である。フィルタ作用は、光学素子を通過した位相
のずれた光が、透明基板を通過した位相の合った光と相
互作用する時に起きる。しかしマスキングの応用につい
ては何の言及も存在しない。
〔発明の開示〕
本発明によれば、マスクの１つおきの透過領域の上又は
下に透明材料が配置されたマスクが与えられる。透明材
料は（ｎ　−１）　ｄ　＝Φλとなるような屈折率ｎ及
び厚さｄを有する。但しλは入射光の波長、Φは１／４
と３／４の間の分数である。
普通の、従来のリングラフィ用マスクは不透明領域及び
透過領域の両者から成っている。本発明では、１つおき
の透過領域が、その上又はその下のいずれかに、透明材
料を有している。「１つおき」という表現が使われる時
、それは普通に使われておシ、透過領域の半分が透明材
料を有し、それを有するものはそれを有さないものと交
互に現れる事を意味するつもりである。言い換えると、
材料を有する領域及び有さない領域の交互のパターンが
存在する。
本発明のマスクは、少なくとも部分的にコヒーレントな
光を用いて使用する事を意図している。
記号σは当分野で光の非コヒーレント性の尺度として習
慣的に用いられている。σが０に等しい時、光は完全に
コヒーレントである。σが無限大の時、完全な非コヒー
レンスが存在する。本発明のマスクはσが１よりも小さ
い場合に用いる事が好ましい。最も好ましいのはσが０
．７以下の場合である。
実際上、完全にコヒーレントなレーザ光が最も有利に用
いられるが、本発明は部分的にコヒーレントな光の場合
でも有利に用いられる。
前述のように、Φは１／４と３／４の間の分数である。
Φが１／２である事が最も好ましい。
透明材料は有機物でも又無機物でも良い。有用な材料と
しては例えば、フッ化マグネシウム、二酸化チタン及び
二酸化ケイ素等の無機物並びに特にポリマー材料等の有
機物がある。良好な材料はポリメチルメタクリレートで
ある。
〔発明を実施するための最良の形態〕
第１図は、ガラス１０上にクロム１２のパターンが付着
された従来の透過マスク１を示す。第２図は本発明の１
実施例の位相推移マスク２を示す。
このマスクはガラス１０上のクロム１２のパターンによ
って画定された開口の１つおきに位相推移体１４が設け
られている。
完全にコヒーレントな光の場合、強度を計算するために
、各々の隣接した開口から回折された波による電場は加
算され２乗されなければならない。
２つの開口によって回折された電場の間の強め合うよう
な干渉は開口間の強度を最大化し、それによってコヒー
レント照明を有する光学系の分解能を減少させる。第１
図はこの場合について説明しており、最もありふれた投
影リングラフィ露光装置における状況に相当する。
隣接する開口を透過した波が互いに１８０°位相がずれ
るように構成される時は、弱め合うような干渉が開口の
像の間の強度を最小化させる。そのような状況は、本発
明のマスクにおいて、第２図のように適当な透明材料が
１つおきの開口を覆う時に起きる。どのような所与の光
学系も、そのような位相推移透過物体の像を１、位相推
移を持たない対応する透過物体よシも良い分解能及びよ
シ高いコントラストで投影するであろう。その結果得ら
れる分解能及びコントラストの改善は微細線条の光学的
リングラフィにおいて非常に価値がある。
σ〈０．６の部分的コヒーレンスを有する照明の場合は
分解能が倍増し、σ＜０．７の場合はかなりの分解能の
改善が得られた。電子ビーム・リソグラフィによって典
型的なデバイス構造を持つようにパターン化された位相
推移マスクを用い、Ｍａｎｎ４８００　１０ｘ露光装置
を用いて露光して得られた結果は、１０００本／　ｍ　
ｍの分解能でプリントされた同じ構造を用いて使用可能
な分解能の４０％の増加を明らかにした。位相推移マス
ク構造体は、マスクとウェハとの間に大き々ギャップが
あるプロキシミテイ露光も容易にする事ができる。
従って位相推移マスクは、超大規模集積化において光学
的リングラフィの分解能を高めるために非常に望ましい
道具である。
上述のように、透明材料はマスクの１つおきの透過領域
の上又は下のいずれにあっても良い。従って生産マスク
は２工程、即ち強度パターンを画定する不透明膜が形成
される工程及び位相推移パターンが形成される工程によ
って製造されなげればならない。後者は前者よりも低い
分解能しか必要でないが、正確に重ね合されなければな
らない。
いずれの工程を最初に行なう事もできる。焦点深度を考
慮すれば位相推移パターンを強度パターンの上部に付着
する方が良いかもしれないが、一方散乱光を考慮すれば
その逆の方が良いかもしれない。３段階の工程を用いれ
ば、異なった屈折率ｎを有する２つの位相推移材料を付
着する事が可能になる。そうすれば表面トポグラフィの
ないマスクが得られるであろう。しかしながら、生産マ
スクの製作は少な（とも２つの予備的パターン即ち強度
パターンのためのもの、位相パターンのためのものの製
作、正確な重ね合せ、及び付加的処理を必要とする事は
明らかである。厚さの制御される精度は航空カメラ・レ
ンズの反射防止膜において達成される精度と同様である
。典型的な処理手順は下記の通りである。
１、　基板をクロムで被覆し、さらにレジストで被覆す
る。
２、強度画成層を露光する。
６　レジストを現像する。
４　クロムをエツチングし、余分のレジストを１除去す
る。
５　位相層のためのンシス・トで被覆する。
６　位相層を露光する。
７　レジストを現像する。
８　マスクに位相推移層を蒸着する。
９、フォトレジスト及びレジスト上の位相推移層を除去
する。
レジスト自身を位相推移体として用いる事がしばしば望
ましい。
実際のマスクの開口は種々の間隔と、形状を有する事を
理解しなければならない。ある開口対の間の間隔が充分
に大きい時は、例えその対の一方を通過する光が位相推
移層を通過するとしても、何らの意味のある分解能の改
善は期待できない。そのような場合は、例え２つの名目
上は隣接している開口を共に位相推移層のある又は共に
位相推移層のない状態にするとしても、ある付加的な考
慮を満足するように位相推移層のパターンを妙計しても
良い。
本発明の変型において、位相推移層は２つ以上の異なっ
た厚さｄｌ、ｄ２等を有し、特定の隣接した開口は（ｎ
　　１）、（ｄｌ　ｄ２）＝Φλとなるような異なった
厚さの位相推移層が上又は下に重ねられていても良い。
他の開口は位相推移層が全く欠如していても良い。即ち
、そのような裸の開口に隣接して厚さｄｌの位相推移層
があれば、前記の条件（ｎ　　１）ｄ１＝Φλが適用さ
れるであろう。
明らかにこの変型において、異なった開口対に異なった
値のΦを適用しても良い。
本発明の他の変型において、位相推移層は屈折率ｎ１、
ｎ２等を有する２つ以上の異なった材料から構成しても
良い。隣接する開口は、異なった材料及びおそらく異な
った厚さを有する位相推移層が上又は下に配置され得る
。厚さ及び屈折率に対する条件はｎ　１　ｄ　１　　ｎ
　２　ｄ　２　”Φλである。但しｎｌ及びｄｌはある
１　つの開口上の位相推移層の屈折率及び厚さ、等であ
る。この変型の特別な場合においては、ｄ１＝ｄ２であ
り、位相推移層の表面は平坦である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のマスクの断面、マスクにおける電場、ウ
ェハにおける電場、及びウェハにおける光の強度を示す
図、第２図は本発明の１実施例のマスクの断面、マスク
における電場、ウェハにおける電場、及びウェハにおけ
る光の強度を示す図である。 １０・・・・ガラス、１２・・・・クロム、１４・・・
・位相推移体。 ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、２

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくとも部分的にコヒーレントな入射光を用い
    谷ツオトリソグラフイにおいて使用するだめの、不透明
    領域及び透過領域を具備するマスクであって、上記透過
    領域の隣シ合ったものの少なくとも１対において、透過
    光が干渉して強め合うことのないように上記１対の透過
    領域を通過した光に位相差を導入するように上記１対の
    透過領域の少なくとも一方に透明材料を設けたマスク。
  2. （２）上記透過領域に１つおきに上記透明材料が設けら
    れ、上記透明材料の屈折率ｎ及び厚さｄが、（ｎ−１）
    ｄ＝Φλの関係を満たすように（但し１／４≦Φ≦３／
    ４及びλは入射光の波長）選定された特許請求の第（１
    ）項記載のマスク。
JP58019020A 1982-04-05 1983-02-09 マスク Granted JPS58173744A (ja)

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AU34076/84A AU3407684A (en) 1983-02-09 1984-10-10 Fuel supply or structure of fuel tank for vehicle

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US36567282A 1982-04-05 1982-04-05
US365672 1982-04-05

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JPS58173744A true JPS58173744A (ja) 1983-10-12
JPS6259296B2 JPS6259296B2 (ja) 1987-12-10

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JP (1) JPS58173744A (ja)
AU (1) AU564369B2 (ja)
BR (1) BR8301321A (ja)
CA (1) CA1190082A (ja)
DE (1) DE3374452D1 (ja)

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6292438A (ja) * 1985-10-18 1987-04-27 Agency Of Ind Science & Technol パタンの形成方法
JPS62100751A (ja) * 1985-10-24 1987-05-11 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 自己整合パタ−ンの形成方法
JPS62189468A (ja) * 1986-02-17 1987-08-19 Hitachi Ltd ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法
JPH0278216A (ja) * 1988-09-14 1990-03-19 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0381769A (ja) * 1989-08-25 1991-04-08 Oki Electric Ind Co Ltd 位相差レチクルを用いた露光及び検査方法
JPH03119355A (ja) * 1989-10-02 1991-05-21 Hitachi Ltd マスクの製造方法
US5045417A (en) * 1988-11-22 1991-09-03 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
JPH04198934A (ja) * 1990-11-29 1992-07-20 Asahi Glass Co Ltd 位相シフトマスクおよびその製造方法
JPH05100407A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Hitachi Ltd 位相シフタマスク並び位相シフタマスクの欠陥修正方法及びその装置
US5219686A (en) * 1990-03-01 1993-06-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Photomask
JPH05181258A (ja) * 1992-06-19 1993-07-23 Hitachi Ltd ホトマスク用原板
US5235400A (en) * 1988-10-12 1993-08-10 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for detecting defect on photomask
US5322748A (en) * 1991-09-05 1994-06-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Photomask and a method of manufacturing thereof comprising trapezoidal shaped light blockers covered by a transparent layer
US5418092A (en) * 1991-06-10 1995-05-23 Hitachi, Ltd. Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device, exposure method and mask for the process
US5426503A (en) * 1993-10-12 1995-06-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range
US5427876A (en) * 1992-04-28 1995-06-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a photomask
US5429897A (en) * 1993-02-12 1995-07-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Attenuating type phase shifting mask and method of manufacturing thereof
US5436095A (en) * 1991-07-11 1995-07-25 Hitachi, Ltd. Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device for a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor
US5455144A (en) * 1990-03-20 1995-10-03 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US5464713A (en) * 1993-09-24 1995-11-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Phase shift mask and method for repairing a defect of a phase shift mask
US5468576A (en) * 1991-03-29 1995-11-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing exposure mask
US5474864A (en) * 1992-11-21 1995-12-12 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
US5474807A (en) * 1992-09-30 1995-12-12 Hoya Corporation Method for applying or removing coatings at a confined peripheral region of a substrate
US5482799A (en) * 1993-10-08 1996-01-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Phase shift mask and manufacturing method thereof
US5593801A (en) * 1993-02-12 1997-01-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Attenuating type phase shifting mask, method of manufacturing thereof and semiconductor device manufactured by using the mask
US5624791A (en) * 1989-04-28 1997-04-29 Fujitsu Ltd. Pattern forming method using mask
EP0773477A1 (en) 1990-09-21 1997-05-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Phase shift layer - containing photomask, and its production and correction
US5644381A (en) * 1994-07-11 1997-07-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of exposure employing phase shift mask of attenuation type
US5656397A (en) * 1989-10-09 1997-08-12 Hitachi, Ltd. Mask having a phase shifter and method of manufacturing same
US5674647A (en) * 1992-11-21 1997-10-07 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
US5677092A (en) * 1992-07-20 1997-10-14 Hitachi, Ltd. Process for fabricating phase shift mask and process of semiconductor integrated circuit device
US5691115A (en) * 1992-06-10 1997-11-25 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
EP0838726A1 (en) 1996-10-24 1998-04-29 Toppan Printing Co., Ltd. Halftone phase shift mask, blank for the same, and methods of manufacturing these
US5840445A (en) * 1991-04-26 1998-11-24 Sony Corporation Method of manufacturing a self-aligned phase-shifting mask
US6048647A (en) * 1994-04-05 2000-04-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Phase shift mask of attenuation type and manufacturing method thereof
US6451489B1 (en) 1999-09-21 2002-09-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phase shift photomask
US6544721B1 (en) 1998-06-16 2003-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure method
US6653052B2 (en) 2000-04-25 2003-11-25 Hitachi, Ltd. Electron device manufacturing method, a pattern forming method, and a photomask used for those methods
US6737198B2 (en) 1999-01-13 2004-05-18 Renesas Technology Corp. Photomask, fabrication method of photomask, and fabrication method of semiconductor integrated circuit
US6780547B2 (en) 2000-04-04 2004-08-24 Dainippon Printing Co., Ltd. Halftone phase shifting photomask and blanks for halftone phase shifting photomask therefor and a method for forming pattern by using the halftone phase shifting photomask
JP2006179553A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Toppan Printing Co Ltd 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1270934A (en) * 1985-03-20 1990-06-26 Masataka Shirasaki Spatial phase modulating masks and production processes thereof, and processes for the formation of phase-shifted diffraction gratings
US4964146A (en) * 1985-07-31 1990-10-16 Hitachi, Ltd. Pattern transistor mask and method of using the same
US5234780A (en) * 1989-02-13 1993-08-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same
EP0401795A3 (en) * 1989-06-08 1991-03-27 Oki Electric Industry Company, Limited Phase-shifting photomask for negative resist and process for forming isolated, negative resist pattern using the phaseshifting photomask
JP2864570B2 (ja) * 1989-10-27 1999-03-03 ソニー株式会社 露光マスク及び露光方法
JP2946567B2 (ja) * 1989-11-15 1999-09-06 ソニー株式会社 メモリ半導体構造及び位相シフトマスク
DE69125195T2 (de) * 1990-01-12 1997-06-26 Sony Corp Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zur Herstellung
JPH03228053A (ja) * 1990-02-01 1991-10-09 Fujitsu Ltd 光露光レチクル
DE59010548D1 (de) * 1990-04-09 1996-11-28 Siemens Ag Phasenmaske für die Projektionsphotolithographie und Verfahren zu deren Herstellung
JP2634289B2 (ja) * 1990-04-18 1997-07-23 三菱電機株式会社 位相シフトマスクの修正方法
KR920009369B1 (ko) * 1990-05-25 1992-10-15 삼성전자 주식회사 마스크의 제작방법
KR0153287B1 (ko) * 1990-06-21 1998-11-02 가나미야지 준 위상 쉬프트 마스크
KR950002874B1 (ko) * 1990-06-25 1995-03-27 마쯔시다덴시고오교오 가부시기가이샤 광 또는 방사선감응성 조성물과 패턴형성방법과 포토마스크의 제조방법 및 반도체
JPH04216548A (ja) * 1990-12-18 1992-08-06 Mitsubishi Electric Corp フォトマスク
JPH0777794A (ja) * 1991-05-30 1995-03-20 Sony Corp 位相シフトマスク
US5633102A (en) * 1991-08-23 1997-05-27 Intel Corporation Lithography using a new phase-shifting reticle
JPH05197128A (ja) * 1991-10-01 1993-08-06 Oki Electric Ind Co Ltd ホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法
US5300379A (en) * 1992-08-21 1994-04-05 Intel Corporation Method of fabrication of inverted phase-shifted reticle
US5302477A (en) * 1992-08-21 1994-04-12 Intel Corporation Inverted phase-shifted reticle
US5789118A (en) * 1992-08-21 1998-08-04 Intel Corporation Method and apparatus for precision determination of phase-shift in a phase-shifted reticle
US5700602A (en) * 1992-08-21 1997-12-23 Intel Corporation Method and apparatus for precision determination of phase-shift in a phase-shifted reticle
US5300786A (en) * 1992-10-28 1994-04-05 International Business Machines Corporation Optical focus phase shift test pattern, monitoring system and process
JP2590700B2 (ja) * 1993-09-16 1997-03-12 日本電気株式会社 投影露光装置
US5595843A (en) * 1995-03-30 1997-01-21 Intel Corporation Layout methodology, mask set, and patterning method for phase-shifting lithography
US6436608B1 (en) 2000-01-20 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Lithographic method utilizing a phase-shifting mask
WO2001053153A1 (en) 2000-01-20 2001-07-26 Free-Flow Packaging International, Inc. System, method and material for making pneumatically filled packing cushions
US6638663B1 (en) * 2000-01-20 2003-10-28 Agere Systems Inc. Phase-shifting mask and semiconductor device
TW480367B (en) 2000-02-16 2002-03-21 Shinetsu Chemical Co Photomask blank, photomask and method of manufacture
JP4686006B2 (ja) 2000-04-27 2011-05-18 大日本印刷株式会社 ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
US7282461B2 (en) 2003-09-04 2007-10-16 Agere Systems, Inc. Phase-shifting mask and semiconductor device
US7438997B2 (en) * 2004-05-14 2008-10-21 Intel Corporation Imaging and devices in lithography

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56168654A (en) * 1980-05-30 1981-12-24 Fujitsu Ltd Photomask
JPS576848A (en) * 1980-06-13 1982-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photomask and its preparation
JPS5762052A (en) * 1980-09-30 1982-04-14 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Original plate to be projected for use in transmission

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD126361A1 (ja) * 1976-04-30 1977-07-13
FR2358688A1 (fr) * 1976-07-12 1978-02-10 Berezin Gennady Procede de fabrication de masques photographiques transparents
DE2835363A1 (de) * 1978-08-11 1980-03-13 Siemens Ag Verfahren zum uebertragen von strukturen fuer halbleiterschaltungen
JPS576849A (en) * 1980-06-13 1982-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photomask and its preparation
JPS5754939A (en) * 1980-09-19 1982-04-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical mask and its manufacture

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56168654A (en) * 1980-05-30 1981-12-24 Fujitsu Ltd Photomask
JPS576848A (en) * 1980-06-13 1982-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photomask and its preparation
JPS5762052A (en) * 1980-09-30 1982-04-14 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Original plate to be projected for use in transmission

Cited By (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6292438A (ja) * 1985-10-18 1987-04-27 Agency Of Ind Science & Technol パタンの形成方法
JPS62100751A (ja) * 1985-10-24 1987-05-11 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 自己整合パタ−ンの形成方法
JPS62189468A (ja) * 1986-02-17 1987-08-19 Hitachi Ltd ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法
JPH0690507B2 (ja) * 1986-02-17 1994-11-14 株式会社日立製作所 ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法
JPH0278216A (ja) * 1988-09-14 1990-03-19 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US5235400A (en) * 1988-10-12 1993-08-10 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for detecting defect on photomask
US6106981A (en) * 1988-11-22 2000-08-22 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US6420075B1 (en) 1988-11-22 2002-07-16 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US5830606A (en) * 1988-11-22 1998-11-03 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US5948574A (en) * 1988-11-22 1999-09-07 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US7008736B2 (en) 1988-11-22 2006-03-07 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device fabrication method using a mask having a phase shifting film covering region and an opening region
US5045417A (en) * 1988-11-22 1991-09-03 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US5306585A (en) * 1988-11-22 1994-04-26 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US6548213B2 (en) 1988-11-22 2003-04-15 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US5352550A (en) * 1988-11-22 1994-10-04 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor devices and method of manufacture thereof
US6733933B2 (en) 1988-11-22 2004-05-11 Renesas Technology Corporation Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US6458497B2 (en) 1988-11-22 2002-10-01 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US5484671A (en) * 1988-11-22 1996-01-16 Hitachi, Ltd. Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
US5674646A (en) * 1989-04-28 1997-10-07 Fujitsu Ltd. Mask producing method
US5624791A (en) * 1989-04-28 1997-04-29 Fujitsu Ltd. Pattern forming method using mask
US5786115A (en) * 1989-04-28 1998-07-28 Fujitsu Limited Mask producing method
JPH0381769A (ja) * 1989-08-25 1991-04-08 Oki Electric Ind Co Ltd 位相差レチクルを用いた露光及び検査方法
USRE35315E (en) * 1989-10-02 1996-08-20 Okamoto; Yoshihiko Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof
JPH03119355A (ja) * 1989-10-02 1991-05-21 Hitachi Ltd マスクの製造方法
US5656397A (en) * 1989-10-09 1997-08-12 Hitachi, Ltd. Mask having a phase shifter and method of manufacturing same
US5219686A (en) * 1990-03-01 1993-06-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Photomask
US5667941A (en) * 1990-03-20 1997-09-16 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US6309800B1 (en) 1990-03-20 2001-10-30 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US6794118B2 (en) 1990-03-20 2004-09-21 Renesas Technology Corp. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US6153357A (en) * 1990-03-20 2000-11-28 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US5753416A (en) * 1990-03-20 1998-05-19 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US5455144A (en) * 1990-03-20 1995-10-03 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
EP0773477A1 (en) 1990-09-21 1997-05-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Phase shift layer - containing photomask, and its production and correction
JPH04198934A (ja) * 1990-11-29 1992-07-20 Asahi Glass Co Ltd 位相シフトマスクおよびその製造方法
US5468576A (en) * 1991-03-29 1995-11-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing exposure mask
US5840445A (en) * 1991-04-26 1998-11-24 Sony Corporation Method of manufacturing a self-aligned phase-shifting mask
US5418092A (en) * 1991-06-10 1995-05-23 Hitachi, Ltd. Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device, exposure method and mask for the process
US5521033A (en) * 1991-06-10 1996-05-28 Hitachi, Ltd. Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device, exposure method and mask for the process
US5436095A (en) * 1991-07-11 1995-07-25 Hitachi, Ltd. Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device for a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor
US5322748A (en) * 1991-09-05 1994-06-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Photomask and a method of manufacturing thereof comprising trapezoidal shaped light blockers covered by a transparent layer
JPH05100407A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Hitachi Ltd 位相シフタマスク並び位相シフタマスクの欠陥修正方法及びその装置
US5427876A (en) * 1992-04-28 1995-06-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a photomask
US5932395A (en) * 1992-06-10 1999-08-03 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US5691115A (en) * 1992-06-10 1997-11-25 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US6020109A (en) * 1992-06-10 2000-02-01 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
JPH0715578B2 (ja) * 1992-06-19 1995-02-22 株式会社日立製作所 ホトマスク用原板
JPH05181258A (ja) * 1992-06-19 1993-07-23 Hitachi Ltd ホトマスク用原板
US5677092A (en) * 1992-07-20 1997-10-14 Hitachi, Ltd. Process for fabricating phase shift mask and process of semiconductor integrated circuit device
US5474807A (en) * 1992-09-30 1995-12-12 Hoya Corporation Method for applying or removing coatings at a confined peripheral region of a substrate
US5691090A (en) * 1992-11-21 1997-11-25 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
US5674647A (en) * 1992-11-21 1997-10-07 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
US5629114A (en) * 1992-11-21 1997-05-13 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask comprising a semitransparent region
US5474864A (en) * 1992-11-21 1995-12-12 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
US5593801A (en) * 1993-02-12 1997-01-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Attenuating type phase shifting mask, method of manufacturing thereof and semiconductor device manufactured by using the mask
US5429897A (en) * 1993-02-12 1995-07-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Attenuating type phase shifting mask and method of manufacturing thereof
US5464713A (en) * 1993-09-24 1995-11-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Phase shift mask and method for repairing a defect of a phase shift mask
US5482799A (en) * 1993-10-08 1996-01-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Phase shift mask and manufacturing method thereof
US5426503A (en) * 1993-10-12 1995-06-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range
US6048647A (en) * 1994-04-05 2000-04-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Phase shift mask of attenuation type and manufacturing method thereof
US5644381A (en) * 1994-07-11 1997-07-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of exposure employing phase shift mask of attenuation type
EP0838726A1 (en) 1996-10-24 1998-04-29 Toppan Printing Co., Ltd. Halftone phase shift mask, blank for the same, and methods of manufacturing these
US6544721B1 (en) 1998-06-16 2003-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure method
US6737198B2 (en) 1999-01-13 2004-05-18 Renesas Technology Corp. Photomask, fabrication method of photomask, and fabrication method of semiconductor integrated circuit
US6451489B1 (en) 1999-09-21 2002-09-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phase shift photomask
US6780547B2 (en) 2000-04-04 2004-08-24 Dainippon Printing Co., Ltd. Halftone phase shifting photomask and blanks for halftone phase shifting photomask therefor and a method for forming pattern by using the halftone phase shifting photomask
US6653052B2 (en) 2000-04-25 2003-11-25 Hitachi, Ltd. Electron device manufacturing method, a pattern forming method, and a photomask used for those methods
US6750000B2 (en) 2000-04-25 2004-06-15 Renesas Technology Corp. Electron device manufacturing method, a pattern forming method, and a photomask used for those methods
JP2006179553A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Toppan Printing Co Ltd 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法
JP4622504B2 (ja) * 2004-12-21 2011-02-02 凸版印刷株式会社 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法

Also Published As

Publication number Publication date
AU1292883A (en) 1983-10-13
EP0090924A2 (en) 1983-10-12
CA1190082A (en) 1985-07-09
DE3374452D1 (en) 1987-12-17
EP0090924A3 (en) 1984-10-17
BR8301321A (pt) 1983-11-29
AU564369B2 (en) 1987-08-13
JPS6259296B2 (ja) 1987-12-10
EP0090924B1 (en) 1987-11-11

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