JP4622504B2

JP4622504B2 - 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法

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Publication number: JP4622504B2
Application number: JP2004368911A
Authority: JP
Inventors: 正松尾
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2004-12-21
Filing date: 2004-12-21
Publication date: 2011-02-02
Anticipated expiration: 2024-12-21
Also published as: JP2006179553A

Description

本発明は、半導体製造プロセス中の、波長１０〜１５ｎｍ程度のいわゆるＥＵＶ（Extreme Ultra Violet＝極端紫外線）露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極端紫外線露光用マスク（以下、ＥＵＶマスク）、及びそのマスクを作製するためのブランク、並びにそのマスクを用いたパターン転写方法に関するものである。

半導体集積回路の微細化技術は常に進歩しており、微細化のためのフォトリソグラフィ技術に使用される光の波長は次第に短くなってきている。光源としては、現状、これまで使用されて来たＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）に切り替わりつつあり、さらにその次にはＦ２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）の使用が提案され、開発が行われている。

しかしながら、Ｆ２エキシマレーザをもってしても、将来的な５０ｎｍ以下の線幅を有するデバイスを作製するためのリソグラフィ技術として適用するには、露光機やレジストの課題もあり、容易ではない。このため、エキシマレーザ光より波長が一桁以上短い（１０〜１５ｎｍ）極端紫外線を用いた、ＥＵＶリソグラフィの研究開発が進められている。

ＥＵＶ露光では、上述のように波長が短いため、物質の屈折率がほとんど真空の値に近く、材料間の光吸収の差も小さい。このため、ＥＵＶ領域では従来の透過型の屈折光学系が組めず、反射光学系となり、従ってマスクも反射型マスクとなる。これまで開発されてきた一般的なＥＵＶマスクは、Ｓｉウェハーやガラス基板上に、例えばＭｏとＳｉからなる２層膜を４０対ほど積層した多層膜および多層膜を保護するキャッピング層を高反射領域とし、その上に低反射領域として吸収膜および緩衝膜のパターンを形成した構造であった。緩衝膜は、吸収膜のパターニングや欠陥修正の際に、キャッピング層や多層膜へのダメージを軽減する役割を果たす。

ところで、ＥＵＶリソグラフィ技術においても、位相シフトマスク法による高解像度化が可能であり、最近、反射型位相シフトマスクの構造がいくつか提案されている(特許文献1)。位相シフトマスクについては、ＩＢＭのLevensonらによって提唱され、公知となっている（特許文献２や、原理では特許文献３に記載されている）。位相シフトマスクでは、マスクパターンの透過部を、隣接する透過部とは異なる物質若しくは形状とすることにより、それらを透過した光に１８０度の位相差を与えている。従って両透過部の間の領域では、１８０度位相の異なる透過回折光同士が打ち消し合い、光強度が極めて小さくなって、マスクコントラストが向上し、結果的に転写時の焦点深度が拡大するとともに転写精度が向上する。尚、位相差は原理上１８０度が最良であるが、実質１７５〜１８５度程度であれば解像度向上効果は得られる。

図１は、ＥＵＶリソグラフィ技術に用いられるAlternative型位相シフトマスクの構造を例示したものである。本例は、Alternative型位相シフトマスクの一種であるLevenson型位相シフトマスクを示している。
ガラス基板５上にＭｏとＳｉからなる２層膜を４０ペアほど積層した第１の多層膜１−（１）と第１の保護膜２−（１）が形成され、さらに中間膜３を介しＭｏとＳｉからなる２層膜を複数ペア積層した第２の多層膜１−（２）と第２の保護膜２−（２）が、中間膜とともにパターン状に形成されている。中間膜は、主に第２の保護膜と第２の多層膜のエッチングストッパー膜（ＥＳＬ）として利用され、第２の多層膜のエッチング後、エッチングされる。以上がAlternative型位相シフトマスクの基本構造であるが、特にLevenson型
においてはパターン化された第２の多層膜１−（２）と第２の保護膜２−（２）の部分（以下適宜第２の多層膜部と呼ぶ）の端に、さらにパターン化された吸収膜４が載っている。吸収膜４がないAlternative型位相シフトマスクは通称クロムレス型と呼ばれることもある。

多層膜の上方から照射されたＥＵＶ光は、第１の多層膜と第１の保護膜の部分（以下適宜第１の多層膜部と呼ぶ）による反射Ｒ１と、第２の多層膜部による反射Ｒ２によりウェハー上で照射される。このとき、両反射による光は、位相差が１８０度で強度がほぼ等しくなる様に設計され、その結果両反射光が重なり合うパターンの周辺では、反射光が打ち消し合い、ウェハー上では感光されず、微細なパターンが転写される。この位相差の設計は、例えば第１の多層膜の表面からみた第２の多層膜の表面との距離（段差）から両反射の光路差を求め、これがほぼ１８０度の位相差になる様にするものであった（特許文献１）。そしてこれを基にして、中間層の厚みを上記Ｍｏ、Ｓｉの２層膜厚の整数倍とし、設計値に合うように求めていた。しかしながら、この手法では中間膜の材料や、中間層や下層による反射を無視しているため、正確な値が求められなかったり、反射光の強度についての精度が不明のものであった。また中間層が過度に厚くなりその結果第１の多層膜の表面からの、第２の多層膜の段差が大きくなり、いわゆる射影効果が起こり実用的なマスクでなくなった。ＥＵＶ光はマスクに対して垂直方向に対し微小な角度（通常６度程度）で傾いた方向から露光される。このため多層膜（図１の第２の多層膜部）の角部の下では影が生じる。ＥＵＶマスクパターンはこの多層膜が厚くなると、この射影効果により転写線幅精度等が劣化し、実用できなくなる。

以下に公知の文献を示す。
特開平１１−３０５４１７号公報特開昭５８−１７３７４４号公報特公昭６２−５０８１１号公報

本発明は、かかる問題に対する対策を提供するものであり、第１の多層膜部と第２の多層膜部からの反射光による位相差と強度が保護膜や中間膜の光学特性に応じ精度良く決められ、射影効果を抑えた極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法を提供することを課題とする。

本願発明は係る課題に鑑みなされたもので、請求項１の発明は、基板上に、露光光の高反射部となる異種の材料からなる２層膜を複数積層した第１の多層膜と第１の保護膜が形成され、その上に別の高反射部となる異種の材料からなる２層膜を複数積層した第２の多層膜と第２の保護膜、及び第１の保護膜と第２の多層膜の間に形成された中間膜よりなるパターンが形成された極端紫外線露光用マスクにおいて、
第２の多層膜と第２の保護膜からの反射光は、第２の多層膜と第２の保護膜による反射と中間膜による反射と第１の多層膜と第１の保護膜による反射とが干渉し合成された光であって、
中間膜の厚さに対する第１の多層膜と第１の保護膜の反射率及び第２の多層膜と第２の保護膜の反射率との特性と、
中間膜の厚さに対する第１の多層膜と第１の保護膜による反射光と第２の多層膜と第２の保護膜による反射光との間の位相差との特性とから、
中間膜の厚さが、前記反射率が略等しくなり、前記位相差が１７５乃至１８５度となる厚さであり、
前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし、１５単位以下で積層して形成されることを特徴とする極端紫外線露光用マスクとしたものである。

本願の請求項２の発明は、前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし１２単位乃至１５単位積層して形成され、第１の保護膜および第２の保護膜の消衰係数が０．００２以下であり、中間膜の消衰係数が０．０4以下であることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線露光用マスクとしたものである。

本願の請求項３の発明は、前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし１３単位乃至１５単位積層して形成され、第１の保護膜および第２の保護膜の消衰係数が０．０２以下であり、中間膜の消衰係数が０．０３以下であることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線露光用マスクとしたものである。

本願の請求項４の発明は、前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし８単位乃至１５単位積層して形成され、第２の保護膜の膜厚が第１の保護膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線露光用マスクとしたものである。

本願の請求項５の発明は、前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし６単位乃至１５単位積層して形成され、第２の保護膜の消衰係数が第１の保護膜の消衰係数よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線露光用マスクとしたものである。

本願の請求項６の発明は、前記第２の多層膜と第２の保護膜、及び第１の保護膜と第２の多層膜の間に形成された中間膜がパターニングされる前の段階である、請求項１〜５いずれか１項に記載の極端紫外線露光用マスクを作製するための極端紫外線露光用マスクブランクとしたものである。

本願の請求項７の発明は、請求項１〜５いずれか１項に記載の極端紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法としたものである。

本発明は、以上のような構成をしており、第１の多層膜部と第２の多層膜部からの反射光による位相差と強度が保護膜や中間膜の材料に応じ精度良く決められ、射影効果を抑えた極端紫外線露光用マスクブランク及びマスクとすることができる。

更に、本発明のパターン転写方法は、試料基板上に形成されたレジストに対し、精度良いパターン露光が長期間可能となり、その結果、電子デバイス等のパターンの製造を、高い歩留まりで行う事が出来るパターン転写方法とすることができる。

以下本発明を実施するための形態について説明する。

本発明の極端紫外線露光用マスクブランク及びマスクは、より微細な線幅の転写解像を可能とするマスクブランク及びマスクであるために、Alternative型の位相シフトマスクとする。したがって、対象となる第１の多層膜部と第２の多層膜部からの反射光は、強度が等しく、位相差が１８０度となるよう設計される。このために、多層膜上の保護膜や、通常はエッチングストッパーとして利用される中間膜を、どのような光学特性の材料にするかを決定する。また、一般にその構成は図１（Levenson型）、または図１から吸収膜４除いた構成（クロムレス型）で示される。

図２は、ＥＵＶリソグラフィマスクに利用される材料の、ＥＵＶ波長（13.5nm付近）での消衰係数β（縦軸）と屈折率１−δ（横軸）を示したものである。図から解るように、ＥＵＶ波長での光学定数はほとんどすべての材料が
０．８８＜１−δ＜０．９９５、０．００１＜β＜０．０８・・・（１）
の範囲にある。また、
１−δ＝０．８８付近ではβ＜０．０１の材料はほとんど存在しない。・・・（２）
ＥＵＶマスクの多層膜は、通常ＳｉとＭｏからなる２層膜を１ペアとして複数積層して形成される。１ペアでの膜厚は、一般的に
４１．６２（Ｓｉ）＋２７．９９（Ｍｏ）＝６９．６１Å（合計）・・・（３）
程度であるので、１５ペアでは、６９．６１×１５＝１０４４．１５Åとなる。ＥＵＶ光はマスクに対して垂直方向に対し微小な角度（通常６度程度）で傾いた方向から露光される。このため多層膜（図１の第２の多層膜部）の角部の下では影が生じる。ＥＵＶマスクパターンは厚くなると、この射影効果により転写線幅精度等が劣化し、実用できなくなる。一般には図１において、第１の多層膜の表面からの第２の多層膜の段差は、１０００Å程度が限界である。従って本構造のマスクでは概ね第２の多層膜のペア数Ｎは
Ｎ≦１５・・・（４）である必要がある。

また、第２の多層膜部の反射光Ｒ２は、第２の多層膜と第２の保護膜による反射と中間膜による反射と第１の多層膜と第１の保護膜による反射とが干渉し合成された光である。したがって第２の多層膜部の反射光強度は、第２の多層膜のみからの反射光の強度とは異なる。第２の多層膜部の反射光は、中間膜を介在し、第１の多層膜部の反射の影響を受けるため、反射光の強度が変化する。したがって、第２の多層膜のペア数が異なることによって、中間膜及び第１の多層膜への透過光が変化し、したがって第１の多層膜からの反射が変化するので第２の多層膜部の反射光強度が変化する。とくにこの第１の多層膜部の反射光が第２の多層膜部の反射光に対しどのような位相を持つかによって、反射光強度が大きく変化し、それは第２の多層膜のペア数によって影響を受ける。

同様に、第２の多層膜部による反射光Ｒ２と第１層の多層膜部による反射光Ｒ１の位相差は、第２の多層膜部の反射光が、第１の多層膜部の反射光による干渉の影響を受けるので、第２の多層膜部と中間膜の厚さ（第１の多層膜部と第２の多層膜部の距離）のみで前記位相差を決定できない。

以上から、本願の極端紫外線露光用マスクは、基板上に、露光光の高反射部となる異種の材料からなる２層膜を複数積層した第１の多層膜と第１の保護膜が形成され、その上に別の高反射部となる異種の材料からなる２層膜を複数積層した第２の多層膜と第２の保護膜、及び第１の保護膜と第２の多層膜の間に形成された中間膜よりなるパターンが形成された構造であることを前提とする。そして本願の極端紫外線露光用マスクでは、第２の多層膜の反射光Ｒ２は、第２の多層膜部による反射と中間膜による反射と第１の多層膜部による反射とが干渉し合成された光であって、保護膜や中間膜の消衰係数に対する第１の多層膜部の反射率及び第２の多層膜部の位相差との特性と、保護膜や中間膜の消衰係数に対する第１の多層膜部による反射光と第２の多層膜部による反射光との間の反射率との特性とから、前記位相差が１７５乃至１８５度となるときに、第１の多層膜部の反射率と第２の多層膜部の反射率が略等しくなる構造となっている。

以下に、上記特性を評価した具体的な実施の形態例を示す。

第２の多層膜が（４）式で述べた上限であるペア数Ｎ＝１５で積層されており、保護膜（Caplayer）は保護膜１（1stCaplayer）、保護膜２（2ndCaplayer）ともにもっとも透明な材料であるＳｉ（図２参照）であり、中間膜（エッチングストッパーＥＳＬ）としてももっとも透明な領域の膜を使用したとき、中間膜（ＥＳＬ）の厚さ（ＥＳＬ thickness）に対するＲ１とＲ２の反射率（Ｒ）、およびこれらの位相差（Phase shift）を計算した結果を図３に示す。ここで保護膜Ｓｉの厚さは通常のＥＵＶマスクで一般的な１１０Åとした。第１の多層膜部による反射率Ｒ１は、当然ながら中間膜（ＥＳＬ）の膜厚によらず一定となる。Ｒ２は１−δ＝０．８８、β＝０．０１のときを実線、１−δ＝０．９９５、β＝０．００１のときを破線で示している。（１）式、（２）式から分るように、１−δはほぼ全ての領域を網羅しているので、実際の透明領域中間膜の結果は実線と破線のどこかに来ることになる。このような条件の下で、位相差がほぼ１８０°となるときに、Ｒ１とＲ２がほぼ等しくなるかどうか、の判定結果を図３に○、×で示す。ここから分るように、中間膜（ＥＳＬ）がほぼ３７Åと１０３Åとしたときに、本願のＥＵＶ位相シフトマスクが得られる。

前記の条件は、ペア数Ｎは上限のＮ＝１５であり、中間膜としてもっとも透明な領域の膜を用いている。従って、Ｒ１に近いＲ２を得やすい有利な条件となっている。次に、ペア数Ｎの下限、また中間膜として透明でない（消衰係数βが大きい）材料を使える限界を示したのが図４（ａ）、（ｂ）および図５である。図４はＮを小さくした場合であるが、Ｎ＝１２では許容範囲にあるが、Ｎ＝１１ではもはやＲ１とほぼ等しいＲ２の反射率は得られなくなっている。図５は中間膜のβを大きくした場合であるが、β＝０．０４が限界となっている。

このように、保護膜が比較的透明な膜でおよそβ＝０．００２以下（Ｓｉはβ≒０．００１８）のときは、第２の多層膜のペア数の好適範囲はＮ＝１２〜１５であり、中間膜の消衰係数の好適範囲は０．０４以下である。これらを請求項２の根拠とする。

保護膜は多層膜の上に成膜されるので、多層膜の反射率が落ちないよう、できるだけ透明な材料である必要がある。しかし、その他の必要特性も考慮して、β＝０．０２程度の膜までは、薄く使えば使うことができる。そこで、次に保護膜１、保護膜２の材料としてＲｕ（β≒０．０１７）を用いた場合を示す。

まずペア数が上限のＮ＝１５のとき、中間膜（ＥＳＬ）がもっとも透明な領域の膜のとき（図６）、ＥＳＬ膜厚がほぼ５０Åと１１５Åとすれば、位相差１８０°のときにほぼＲ１＝Ｒ２となることができ、本願のＥＵＶ位相シフトマスクが得られる。

次に保護膜がＳｉの場合と同様に、Ｒｕの場合においてもペア数Ｎの下限と、中間膜のβの上限を求めたのが、図７と図８である。

このように、保護膜が保護膜としては比較的非透明な膜で、およそβ＝０．０２以下のときは、第２の多層膜のペア数の好適範囲はＮ＝１３〜１５であり、中間膜の消衰係数の好適範囲は０．０３以下である。これらを請求項３の根拠とする。

以上に示したように、保護膜１、保護膜２として透明なＳｉを用い、中間膜としてももっとも透明な領域の膜を用いても多層膜２のペア数Ｎの下限はＮ＝１２であった。
これ以上Ｎ数が少なくなると、位相差１８０°のときにＲ２＜Ｒ１となってしまう。しか
し保護膜２の膜厚を保護膜１の膜厚よりも薄くすれば、Ｎ数を減らすことができる。これを検討したのが、図９、図１０、図１１、図１２である。図９、図１０、図１１はもっとも透明な領域の中間膜（ＥＳＬ）を用いた場合であるが、保護膜２の膜厚を保護膜１の膜厚よりも薄くすることによって、Ｓｉ保護膜の場合はＮ＝１０ペアまで（図９）、Ｒｕ保護膜の場合はＮ＝８ペアまで（図１１）、本願のＥＵＶ位相シフトマスクは得られることが分る。また、図１２はもっとも非透明な領域の中間膜（β＝０．０８）を用いた場合であるが、Ｓｉの保護膜を用い、Ｎ＝１５ペアとし、保護膜２の膜厚を保護膜１の膜厚よりも薄くすれば本願のＥＵＶ位相シフトマスクは得られる。これらを請求項４の根拠とする。

位相差１８０°のときにＲ２＜Ｒ１となってしまう現象を避けるもうひとつの方法として、保護膜２を保護膜１よりも透明な（消衰係数の小さい）材料とすればよい。これを示したのが、図１３、図１４、図１５、図１６である。図１３は保護膜１にはＲｕ₂Ｓｉ₃を使い、保護膜２としてはより透明なＳｉを用い、中間膜（ＥＳＬ）としてはもっとも透明な領域の中間膜を用いると、Ｎ＝１０ペアであっても本願のＥＵＶ位相シフトマスクは得られることが分る。図１４では保護膜１にはＲｕを使い、保護膜２としてはより透明なＲｕ₂Ｓｉ₃（β＝０．００８４）を用いている。中間膜（ＥＳＬ）としてもっとも透明な領域の中間膜を用いると、Ｎ＝１０ペアであっても本願のＥＵＶ位相シフトマスクが得られることが分る。さらに、図１５は保護膜１にはＲｕを使い、保護膜２としてはより透明なＳｉを用い、中間膜（ＥＳＬ）としては同様にもっとも透明な領域の中間膜を用いると、Ｎ＝６ペアであっても本願のＥＵＶ位相シフトマスクは得られる。また図１６においては、中間膜としてはもっとも非透明な領域の中間膜（β＝０．０８）を用いているが、図１３同様保護膜１にはＲｕ₂Ｓｉ₃を使い、保護膜２としてはＳｉを用い、さらに保護膜２の膜厚を保護膜１よりも薄くし、Ｎ＝１３ペアとすることによって本願のＥＵＶ位相シフトマスクを得ることができる。これらを請求項５の根拠とする。

本発明のＥＵＶマスクブランクやマスクは、基本的には従来どおりのマスク作製プロセスに準拠して作製できる。図１は本発明のＥＵＶマスクの例を断面で示した説明図である。すなわち、Ｓｉウェハーやガラス基板５上に、例えばＭｏとＳｉからなる第１の多層膜１−（１）と第１の保護膜２−（１）、およびＳｉＯ₂などからなる中間膜３を、通常のマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法などにより積層する。その上に同様にして第２の多層膜１−（２）と第２の保護膜２−（２）を形成し、本願の極端紫外線露光用マスクブランクとする。（Levenson型ブランクの場合はさらにその上に吸収膜４を形成する）。第２の多層膜部の上に電子線描画法によりレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとし、反応性イオンエッチングなどの方法により第２の多層膜部をパターニングする。このエッチングに際し、第１の多層膜部は中間膜のエッチング停止機能により保護されている。しかる後に、第１の多層膜部に損傷が起きないように注意しながら中間膜をウェットまたはドライプロセスにより剥離する。最後にレジストを除去し、本願の極端紫外線露光用マスクとする。（Levenson型マスクの場合は以上のプロセスの後かまたは前に吸収膜４をパターニングする工程を付け加える。）
本発明によるフォトマスクを用いたパターン転写方法は、例えば、先ず被加工層を表面に形成した基板上にフォトレジスト層を設けたのち、本発明によるフォトマスクを介して反射した極端紫外線を選択的に照射する。

次いで、現像工程において不必要な部分のフォトレジスト層を除去し、基板上にエッチングレジスト層のパターンを形成させたのち、このエッチングレジスト層のパターンをマスクとして被加工層をエッチング処理し、次いで、エッチングレジスト層のパターンを除去することにより、フォトマスクパターンに忠実なパターンを基板上に転写する方法である。

Alternative型位相シフトマスクの例を断面で示した説明図である。各種材料のＥＵＶ波長（１３．５ｎｍ付近）での屈折率および消衰係数を示した説明図である。本発明のマスクの実施例１に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例１に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例１に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例２に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例２に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例２に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例３に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例３に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例３に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例３に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例４に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例４に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例４に係る反射率及び位相差の特性図である。本発明のマスクの実施例４に係る反射率及び位相差の特性図である。

符号の説明

１−（１）・・・・第１の多層膜
２−（１）・・・・第１の保護膜
１−（２）・・・・第２の多層膜
２−（２）・・・・第２の保護膜
３・・・・中間膜
４・・・・吸収膜
５・・・・基板

Claims

基板上に、露光光の高反射部となる異種の材料からなる２層膜を複数積層した第１の多層膜と第１の保護膜が形成され、その上に別の高反射部となる異種の材料からなる２層膜を複数積層した第２の多層膜と第２の保護膜、及び第１の保護膜と第２の多層膜の間に形成された中間膜よりなるパターンが形成された極端紫外線露光用マスクにおいて、
第２の多層膜と第２の保護膜からの反射光は、第２の多層膜と第２の保護膜による反射と中間膜による反射と第１の多層膜と第１の保護膜による反射とが干渉し合成された光であって、
中間膜の厚さに対する第１の多層膜と第１の保護膜の反射率及び第２の多層膜と第２の保護膜の反射率との特性と、
中間膜の厚さに対する第１の多層膜と第１の保護膜による反射光と第２の多層膜と第２の保護膜による反射光との間の位相差との特性とから、
中間膜の厚さが、前記反射率が略等しくなり、前記位相差が１７５乃至１８５度となる厚さであり、
前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし、１５単位以下で積層して形成されることを特徴とする極端紫外線露光用マスク。
前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし１２単位乃至１５単位積層して形成され、第１の保護膜および第２の保護膜の消衰係数が０．００２以下であり、中間膜の消衰係数が０．０4以下であることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線露光用マスク。
前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし１３単位乃至１５単位積層して形成され、第１の保護膜および第２の保護膜の消衰係数が０．０２以下であり、中間膜の消衰係数が０．０３以下であることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線露光用マスク。
前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし８単位乃至１５単位積層して形成され、第２の保護膜の膜厚が第１の保護膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線露光用マスク。
前記第２の多層膜が、ＳｉとＭｏからなる２層膜を１単位とし６単位乃至１５単位積層して形成され、第２の保護膜の消衰係数が第１の保護膜の消衰係数よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外線露光用マスク。
前記第２の多層膜と第２の保護膜、及び第１の保護膜と第２の多層膜の間に形成された中間膜がパターニングされる前の段階である、請求項１〜５いずれか１項に記載の極端紫外線露光用マスクを作製するために用いられることを特徴とする極端紫外線露光用マスクブランク。
前記請求項１〜５いずれか１項に記載の極端紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法。