JP5476679B2 - ハーフトーン型euvマスク及びハーフトーン型euvマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示すように、本発明の第1の実施の形態に係るハーフトーン型EUVマスクブランク10は、低熱膨張ガラス基板1と、低熱膨張ガラス基板1上に形成された高反射部を有する多層膜2と、多層膜2上に形成された多層膜2を保護するキャッピング膜3と、キャッピング膜3上に形成されたエッチングストッパーとして機能する緩衝膜4と、緩衝膜4上に形成された低反射部を形成する多層構造を有する吸収膜(下層吸収膜5aと上層吸収膜5b)とを備えている。
図3に示すように、本発明の第2の実施の形態に係るハーフトーン型EUVマスクブランク30と、図1に示す本発明の第1の実施の形態に係るハーフトーン型EUVマスクブランク10との違いは、キャッピング膜3と緩衝膜4との両方の役割を果たす兼用膜34を用いたことである。以下、第1の実施の形態と第2の実施の形態との違いである兼用膜34について説明する。なお、兼用膜34以外の説明は、第1の実施の形態と重複するために省略する。
2 多層膜
2a Mo膜
2b Si膜
3 キャッピング膜
4 緩衝膜
4‘ 緩衝膜パターン
5a 下層吸収膜
5b 上層吸収膜
5a‘ 下層吸収膜パターン
5b‘ 上層吸収膜パターン
6 入射光
7 高反射光
8 低反射光
34 キャピング膜と緩衝膜との兼用膜
10 ハーフトーン型EUVマスクブランク
20 ハーフトーン型EUVマスク
30 ハーフトーン型EUVマスクブランク
40 ハーフトーン型EUV用マスク
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成された高反射部と、
前記高反射部の上に形成されたパターニングされた低反射部と、を備え、
前記低反射部は、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)及びSi(シリコン)を有し、Mo:Siの組成比が略1:2〜略1:5であり、TaとMoの組成比が略6:1〜略1:2の範囲にあることを特徴とするハーフトーン型EUVマスク。 - 前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して2%以上15%以下の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする請求項1に記載のハーフトーン型EUVマスク。
- 前記低反射部は、さらにN(窒素)を有すること特徴とする請求項1又は2に記載のハーフトーン型EUVマスク。
- 前記高反射部と前記低反射部との間に形成された緩衝膜と、
前記高反射部と前記緩衝膜との間に形成されたキャッピング膜と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載のハーフトーン型EUVマスク。 - 基板を準備し、
前記基板上に高反射部を形成し、
前記高反射部の上にパターニングするTa(タンタル)、Mo(モリブデン)及びSi(シリコン)を有し、Mo:Siの組成比が略1:2〜略1:5であり、TaとMoの組成比が略6:1〜略1:2の範囲にある低反射部を形成することを特徴とするハーフトーン型EUVマスクの製造方法。 - 前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して2%以上15%以下の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする請求項5に記載のハーフトーン型EUVマスクの製造方法。
- 前記低反射部は、さらにN(窒素)を有すること特徴とする請求項5又は6に記載のハーフトーン型EUVマスクの製造方法。
- 前記高反射部上にキャッピング膜を形成し、
前記キャッピング膜と前記低反射部との間に緩衝膜を形成することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一に記載のハーフトーン型EUVマスクの製造方法。
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