JP5233321B2 - 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 - Google Patents
極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 Download PDFInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
2 多層膜
2a Mo膜
2b Si膜
3 キャッピング膜
4 緩衝膜
4‘ 緩衝膜パターン
5a 下層吸収膜
5b 上層吸収膜
5a‘ 下層吸収膜パターン
5b‘ 上層吸収膜パターン
6 入射光
7 高反射光
8 低反射光
34 兼用膜
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成された高反射部と、
前記高反射部上に形成された低反射部と、を備え、
前記低反射部は、Ta(タンタル)とRu(ルテニウム)との組成比が20:1〜1:5の範囲にあるTa(タンタル)とRu(ルテニウム)の化合物であり、
前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して2%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする極端紫外線露光用マスクブランク。 - 基板と、
前記基板上に形成された高反射部と、
前記高反射部上に形成された低反射部と、を備え、
前記低反射部は、Ta(タンタル):N(窒素)の組成比が1:1であり、Ta(タンタル):Ru(ルテニウム)の組成比が20:1〜1:5の範囲にあるTa(タンタル)とRu(ルテニウム)N(窒素)の化合物であって、
前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して4%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする極端紫外線露光用マスクブランク。 - 基板と、
前記基板上に形成された高反射部と、
前記高反射部上に形成され、パターニングされた低反射部と、を備え、
前記低反射部は、Ta(タンタル)とRu(ルテニウム)との組成比が20:1〜1:5の範囲にあるTa(タンタル)とRu(ルテニウム)の化合物であり、
前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して2%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする極端紫外線露光用マスク。 - 基板と、
前記基板上に形成された高反射部と、
前記高反射部上に形成され、パターニングされた低反射部と、を備え、
前記低反射部は、Ta(タンタル):N(窒素)の組成比が1:1であり、Ta(タンタル):Ru(ルテニウム)の組成比が20:1〜1:5の範囲にあるTa(タンタル)とRu(ルテニウム)N(窒素)の化合物であり、
前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して4%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする極端紫外線露光用マスク。 - 高反射部と前記高反射部の上に配置される低反射部とを含み、前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して2%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、
基板上に高反射部を形成し、
前記高反射部上にTa(タンタル)とRu(ルテニウム)との組成比が20:1〜1:5の範囲にあるTa(タンタル)とRu(ルテニウム)の化合物をパターニングすることにより低反射部を形成することを特徴とする極端紫外線露光用マスクの製造方法。 - 高反射部と前記高反射部の上に配置される低反射部とを含み、前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して4%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、
基板上に高反射部を形成し、
前記高反射部上にTa(タンタル):N(窒素)の組成比が1:1であり、Ta(タンタル):Ru(ルテニウム)の組成比が20:1〜1:5の範囲にあるTa(タンタル)とRu(ルテニウム)とN(窒素)の化合物をパターニングすることにより低反射部を形成することを特徴とする極端紫外線露光用マスクの製造方法。 - 高反射部と前記高反射部の上に配置されるTa(タンタル)とRu(ルテニウム)とN(窒素)とを含む半透過性の化合物からなる低反射部とを含み、前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して4%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、
前記低反射部を、カソードを2個有するマグネトロンスパッタリング装置を使い、一方のカソードにTaNターゲット、もう一方のカソードにRuターゲットを取り付け、Arガスによる同時放電により、Ta,N,Ruを主成分とする膜を、膜中のTa:N:Ruの比率がほぼ2:2:1になるように、同時放電における各々の電力を調整することにより形成する
ことを特徴とする極端紫外線露光用マスクの製造方法。 - 請求項3または4のいずれかに記載の極端紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、
前記極端紫外線露光用マスクを介して反射した極端紫外線を選択的に照射し、
パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法。
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