KR20080004547A - 마스크 형성 방법, ｅｕｖ 마스크 형성 방법, ｅｕｖ마스크 및 반사 마스크 - Google Patents

마스크 형성 방법, ｅｕｖ 마스크 형성 방법, ｅｕｖ마스크 및 반사 마스크 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마스크를 형성하는 방법에 관한 것으로, 이 방법은 기판을 제공하고, 기판 위에 EUV 광에 대한 다층 미러를 형성하고, 다층 미러 위에 EUV 광에 대한 누설 흡수체(leaky absorber)를 형성하고, 강한 반사성의 제 1 영역 및 약한 반사성의 제 2 영역내로 누설 흡수체를 패터닝하는 것을 포함한다. 본 발명은 또한 EUV 마스크에 관한 것으로, 이러한 EUV 마스크는 기판과, 기판 위에 배치된 다층 미러―다층 미러는 제 1 영역 및 제 2 영역을 가짐―와, 다층 미러의 제 2 영역 위에 배치된 누설 흡수체―누설 흡수체는 입사광의 위상을 180°만큼 시프트시킴―를 포함한다.

Description

마스크 형성 방법, ＥＵＶ 마스크 형성 방법, ＥＵＶ 마스크 및 반사 마스크{EXTREME ULTRAVIOLET MASK WITH LEAKY ABSORBER AND METHOD FOR ITS FABRICATION}
본 발명은 반도체 집적 회로 제조 분야에 관한 것으로서, 특히, 마스크 및 EUVL(extreme ultraviolet lithography)에서 이용된 마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피가 계속해서 발전됨에 따라, 보다 높은 밀도 및 성능을 달성하도록, 반도체 집적 회로(IC)가 축소되고 있다. 193nm의 파장을 갖는 DUV(deep ultraviolet) 광을, 65nm 노드에서의 광학 리소그래피를 위해 이용할 수 있다. 다른 진보는, 45nm 노드에서의 DUV에 의한 이머전(immersion) 리소그래피를 이용하는 것이다. 그러나, 다른 리소그래피 기법들이 32nm 노드에서 필요하게 될 수 있다. NGL(Next Generation Lithography)에 대한 가능한 경쟁자로는, 나노프린팅(nanoprinting) 및 EUVL이 포함될 수 있다.
EUVL은 NGL, 특히, 고용량 IC의 제조를 위한 선두자이다. 약 10-15nm의 파 장을 갖는 EUV(extreme ultraviolet) 광을 이용한 노출이 수행된다. EUV 광은 소프트 x-선(2-50nm)으로서 지칭되는 전자기 스펙트럼의 일부에 속한다. 반면, DUV 리소그래피에서 이용된 종래의 마스크는 용융 석영(fused quartz)으로 제조되고, 투과성이며, 사실상 모든 응축 물질이 EUV 파장에서 높은 흡수성이므로, EUVL을 위한 반사 마스크가 필요하다.
EUV 스텝-앤-스캔 툴(step-and-scan tool)은 4X-감소 투영 광학 시스템을 이용할 수 있다. 웨이퍼상에 코팅된 포토레지스트는 웨이퍼에 대한 필드를 스텝핑(stepping)하고, 각각의 필드에 대한 EUV 마스크의 호 형상(arc-shaped) 영역을 스캐닝함으로써 노출될 수 있다. EUV 스텝-앤-스캔 툴은 6개의 이미징 미러(imaging mirror) 및 2개의 집속 미러(collection mirror)를 갖는 0.35 NA(Numerical Aperture)를 가질 수 있다. 약 150nm의 DOF(depth of focus)에 의해, 약 32nm의 임계 치수(critical dimension; CD)가 달성될 수 있다.
CD가 더 감소됨에 따라, EUV 마스크상의 흡수체(absorber) 스택은 노출 동안에 섀도잉 효과(shadowing effect)를 발생시킬 수 있다.
발명의 개요
따라서, 섀도잉을 감소시키는 EUV 마스크 및 그러한 EUV 마스크를 제조하는 프로세스가 필요하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른, 노출 동안에 섀도잉을 감소시키기 위해 흡수체 층을 갖는 EUV 마스크의 단면도를 도시한다.
도 2a-e는 본 발명의 실시예에 따른, 노출 동안에 섀도잉을 감소시키기 위해 흡수체 층을 갖는 EUV 마스크를 형성하는 방법을 도시한다.
이하의 설명에서, 본 발명에 대한 완전한 이해를 제공하기 위해, 특정 물질, 치수 및 프로세스와 같은 다양한 세부 사항이 개시된다. 그러나, 당업자라면, 본 발명은 그러한 특정한 세부 사항없이도 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 다른 경우, 본 발명을 불명료하게 하지 않도록, 잘 알려진 반도체 장비 및 프로세스에 대해서는 특정한 세부 사항에서 기술되지 않는다.
본 발명은 노출 동안에 섀도잉을 감소시키기 위한 EUV 리소그래피를 위한 마스크 및 그러한 EUV 마스크를 형성하는 방법의 다양한 실시예를 기술한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 마스크(500)의 실시예를 도시한다. EUV 마스크(500)는 분배형 브래그 반사기(a distributed Bragg reflector)의 원리로 동작한다. 기판(110)은 두 물질(221, 222)의 교번층의 약 20-80 쌍(223)으로 된 다층(ML) 미러(220)를 지지한다. 두 물질(221, 222)은 상이한 굴절률을 갖는다. 전자 밀도의 차이를 최대화하기 위해, 하나의 물질(221)은 높은 원자 번호(Z)를 갖고, 다른 물질(222)은 낮은 Z를 갖는다. 높은 Z 물질(221)은 산란층으로서 작용하며, 조명 파장에서 최소의 두께를 가져야 한다. 낮은 Z 물질(222)은 이격층(spacing layer)으로서 작용하며, 조명 파장에서 최소의 흡수를 가져야 한다.
ML 미러(220)에 대한 적절한 물질 및 두께(250)의 선택은, 반사된 광(415)이 건설적으로 위상을 추가하도록 한다. 예를 들어, 몰리브덴(Mo)은 42의 Z를 갖는 반면, 실리콘(Si)은 14의 Z를 갖는다. 합리적인 반사율을 달성하기 위해, ML 미러(220)에서의 각 쌍(223)의 주기(period)는 입사광(410, 420)의 조명 파장의 대략 절반이어야 한다. 13.4nm의 EUV 파장의 경우, 각 쌍(223)은 약 2.7nm 두께의 Mo 및 약 4.0nm 두께의 Si로 형성될 수 있다. 건설적인 간섭은 약 13.4nm에서 약 60-75%의 피크 수직 입사 반사율(peak normal incidence reflectance)을 초래한다. ML 미러(220)로부터 반사된 광(415)의 대역폭은 약 1.0nm이고, ML 미러(220)에서의 쌍(223)의 수가 증가함에 따라 더 좁아진다. 그러나, 반사율 및 위상 시프트 둘다 약 30-40 쌍(223)을 초과하여 포화된다. 반사율의 변경은 직각(411, 421)으로부터 0-8°의 입사 각도(412, 422)에 대해 비교적 작다.
반사율은 ML 미러(220)의 층 혼합(layer intermixing), 인터페이스 거칠기(interface roughness) 및 표면 산화에 의해 저하될 수 있다. 층 혼합은 처리 온도를 약 150℃ 아래로 유지함으로써 최소화된다. 그렇지 않은 경우, 과도한 가열은 ML 미러(220)내의 인터페이스에서 화학적 반응을 초래할 수 있다. 각 쌍(223)의 주기성이 영향을 받을 수 있다.
인터페이스 거칠기는 EUV 마스크(500)의 기판(110)에 의해 영향을 받을 수 있다. 기판(110)의 표면 거칠기는 0.05nm RMS(root mean squared) 미만으로 유지되어야 한다.
몰리브덴은 산화될 수 있으므로, 4.0nm의 두께를 갖는 Si와 같은 낮은 원자 번호 물질의 캡핑층(230)이 ML 미러(220)의 상부 표면 위에 포함되어, ML 미러(220)의 반사율을 안정화시킬 수 있다.
원하는 경우, 4의 Z를 갖는 베릴륨(Beryllium)을 낮은 Z 물질(222)로서 이용할 수 있다. 몰리브덴 및 베릴륨(Mo/Be)의 교번층의 쌍(223)을 포함하는 ML 미러(220)는 약 11.3nm에서 보다 높은 반사율을 달성할 수 있다. 그러나, Mo 및 Be 둘다 산화될 수 있으므로, 캡핑층(230)이, 스텝-앤-스캔 이미징 툴의 환경내에서 화학적으로 안정되게 유지될 물질로 형성될 수 있다.
원하는 경우, 44의 Z를 갖는 루테늄(Ruthenium)이 높은 Z 물질(221)로서 이용될 수 있다. 몰리브덴-루테늄 및 베릴륨(MoRu/Be)의 교번층의 쌍(223)을 포함하는 ML 미러(220)는 Mo/Be보다 낮은 진성 응력(intrinsic stress)을 가질 수 있다.
흡수체(300)는 약 30-90nm의 두께를 가질 수 있다. 흡수체(300)는 EUV 마스크(500)가 이용될 수 있는 광(410, 420)의 조명 파장에서 광을 흡수한다.
EUV 광(410, 420)은 노출 동안 EUV 마스크(500)상에 비스듬하게 입사될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, EUV 마스크(500)에 대한 조명 광(410, 420)의 입사 각도(412, 422)는 직각(90°)(411, 421)으로부터 약 5(+/- 1.5)°떨어질 수 있다. 따라서, 흡수체(300)의 에지를 따르는 섀도잉 효과는 웨이퍼상의 패턴에서의 피처의 오버레이 배치(overlay placement) 및 프린트 바이어스(print bias)에 영향을 미칠 수 있다. 과도하게 두꺼운 흡수체(300)는 피처 크기의 변화를 바람직하지 않게 증가시킬 수 있다. 또한, 불필요하게 두꺼운 흡수체(300)를 이용하는 것은 비스듬한 조명으로 인해 EUV 마스크(500)에서 고유할 수 있는 임의의 비대칭성을 증가시킬 수 있다.
EUV 마스크(500)의 영역(371)에서 반사된 광(415)과 EUV 마스크(500)의 영역(372)에서 반사된 광 사이의 간섭으로부터 발진 관계(oscillating relationship)가 초래된다. 주요 광선들 사이의 위상 차이가, 입사광 파장의 절반으로 발진된다. 건설적 및 파괴적 간섭이, 단지 약 3nm 파장의 1/4만큼 상이하게 하는 흡수체 높이(350)에 대해 발생될 수 있다. 3nm의 흡수체 높이(350)에서의 변화는 웨이퍼상의 라인폭이 약 4nm만큼 변화되도록 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 흡수체(300)는 EUV 마스크(500)의 노출 동안 섀도잉을 감소시키도록 최적화될 수 있다. 도 1의 본 발명의 실시예에 도시된 바와 같이, 흡수체(300)는 EUV 마스크(500)의 제 1 영역(371) 위에 존재하지 않고, EUV 마스크(500)의 제 2 영역(372) 위에 존재할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, EUV 광의 큰 흡수 계수를 갖는 물질이 흡수체(300)에 대해 처음에 선택되어, 흡수체 층(300)의 두께(350)를 감소시킬 수 있다. 요소의 경우, 흡수 계수는 밀도 및 원자 번호 Z에 비례한다. 다음, 흡수체(300)의 두께(350)는, 제 2 영역(372)으로부터 반사된 광(425)이 제 1 영역(371)으로부터 반사된 광(415)과 180° 위상차를 갖도록 선택될 수 있다.
한편, EUV 마스크(500)의 제 1 영역(371)은 하부의 ML 미러(220)로부터 강한 반사성이며, 그 이유는, 상부의 흡수체(300)가 제 1 영역(371) 위에는 없기 때문이다. 한편, EUV 마스크(500)의 제 2 영역(372)은, 상부의 흡수체(300)에 의해 커버됨에도 불구하고, 하부의 ML 미러(220)로부터 약한 반사성이며, 그 이유는, 흡수체가 누설되기 때문이다.
본 발명의 실시예에서, 제 2 영역(372)에서의 광 누설은 약 0.1-0.3%의 범위로부터 선택될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 제 2 영역(372)에서의 광 누설은 약 0.3-1.0%의 범위로부터 선택될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 제 2 영역(372)에서의 광 누설은 약 1.0-3.0%의 범위로부터 선택될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 제 2 영역(372)에서의 광 누설은 약 3.0-10.0%의 범위로부터 선택될 수 있다.
제 1 영역(371)으로부터 반사된 광(415)과 제 2 영역(372)으로부터 반사된 광(425) 사이의 파괴적인 간섭은 주기적인 현상이므로, 흡수체(300)에 대해 다양한 두께가 선태될 수 있다. 그러나, EUV 마스크(500)의 두 영역을 프린팅시의 충분한 콘트라스트와 조화되는 흡수체(300)의 최소 두께가 선택되어야 한다. 다른 고려 사항으로서, EUV 마스크(500)의 두 영역 사이의 콘트라스트는 라인폭 측정 및 결함 검사를 허용하기에 충분해야 한다.
본 발명의 실시예에서, 제 2 영역(372)에서의 흡수체(300)의 두께는, 입사광(420)의 99.8% 흡수(무시할 수 있는 누설)에 대해 요구되는 두께의 65%로 감소될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 제 2 영역(372)에서의 흡수체(300)의 두께는, 입사광(420)의 99.8% 흡수(무시할 수 있는 누설)에 대해 요구되는 두께의 50%로 감소될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 제 2 영역(372)에서의 흡수체(300)의 두께는, 입사광(420)의 99.8% 흡수(무시할 수 있는 누설)에 대해 요구되는 두께의 35%로 감소될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 약 46nm의 두께를 갖는 탄탈 질화물로 형성된 흡수체(300)를 갖는 UV 광을 이용하는 것은 약 180°의 위상 변경을 초래할 수 있으며, 약 93.0%의 공중(aerial) 이미지 콘트라스트를 갖는 30nm 라인 및 공간을 프린팅할 수 있다.
도 2a-e에서, 노출 동안 섀도잉을 감소시키기 위해 EUV 마스크(500)를 형성하는 방법이 기술될 것이다.
도 2a는 평탄하고 매끄러운 상부 표면을 갖는 강건한 기판(110)을 도시한다. EUV 마스크(500)는 상부 표면으로부터의 직각(90°)으로부터 약 5(+/- 1.5)°떨어져 있는 입사각에 대해 이용될 수 있다. EUV 마스크(500)의 그러한 논텔레센트릭(non-telecentric) 조명은, EUV 마스크(500)의 상부 표면이 충분히 평탄하지 않은 경우, 웨이퍼상의 피처의 명백한 라인폭 및 위치에 변경을 초래할 수 있다. 조명의 부분적인 코히어런스는 라인폭 변화를 또한 변경할 수 있지만, 패턴 시프트를 초래하지는 않을 것이다.
낮은 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 유리, 세라믹 또는 혼합물을 기판(100)에 대해 이용하여, EUV 마스크(500)에 의한 프린팅 동안 임의의 이미지 변위 에러를 최소화할 수 있다. 낮은 CTE 유리의 예로는, 약 7%의 이산화 티탄(TiO2)로 도핑된 비정질 이산화 실리콘(SiO2)으로 구성되는 ULE®이 있다. ULE는 Corning, Inc, USA의 등록 상표이다. 낮은 CTE 유리-세라믹의 예로는, Zerodur®이 있다. Zerodur는 Schott Glaswerk GmbH, Germany의 등록 상표이다.
도 2b는 약 13.4nm의 조명 파장에서 높은 반사율을 달성하기 위해, 두 물질(221, 222)의 교번층의 20-80 쌍(223)의 다층(ML) 미러(220)를 갖는 마스크 블랭크(200)를 도시한다. 반사 물질(221)은 약 2.7nm의 두께를 갖는 몰리브덴(Mo)과 같은 높은 Z 물질로 형성될 수 있다. 투과성 물질(222)은 약 4.0nm의 두께를 갖는 실리콘(Si)과 같은 낮은 Z 물질로 형성될 수 있다.
ML 미러(220)는 IBD(ion beam deposition) 또는 DC 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)을 이용하여 기판(110)상에 형성될 수 있다. 두께 균일성은 300mm 실리콘 웨이퍼로 형성된 기판(110)에 대해 0.8%보다 우수해야 한다.
한편, 이온 빔 증착은 ML 미러(220)의 상부 표면에 보다 적은 결함을 초래할 수 있는데, 그 이유는, 아래의 기판(110)에 대한 임의의 결함은 요소적 타겟의 교번하는 증착 동안 매끄럽게 되는 경향이 있기 때문이다. 그 결과, ML 미러(220)의 상부층은 덜 불안정할 수 있다.
한편, DC 마그네트론 스퍼터링은 보다 공형일 수 있으므로, 보다 우수한 두께 균일성을 발생시키지만, 기판(110)에 대한 임의의 결함은 ML 미러(220)를 통해 위쪽으로 그의 상부 표면까지 전달될 수 있다.
도 2e에 도시된 바와 같이, ML 미러(220)의 반사 영역(371)은 복원이 어려울 수 있으므로, 마스크 블랭크(200)는 극히 낮은 레벨의 결함을 가져야 한다. 특히, EUV 광의 크기 또는 위상에 영향을 미칠 수 있는 마스크 블랭크(200)에서의 임의의 결함은 바람직하지 않은 인위물(artifact)의 프린팅을 초래할 수 있다.
ML 미러(220)에서의 반사성의 높은 Z 물질(221) 및 투과성의 낮은 Z 물질(222) 둘다 통상적으로 대부분 비정질이거나 또는 부분적으로 다결정이다. 높은 Z 물질(221)과 낮은 Z 물질(222) 사이의 인터페이스는, 마스크 제조 동안 및 마스크 노출 동안에, 화학적으로 안정되게 유지되어야 한다. 인터페이스에서 최소의 인터디퓨젼(interdiffusion)이 발생되어야 한다. ML 미러(220)의 광학적 특성의 최적화는, 개별적인 층들(221, 222)이 매끄럽고, 상이한 물질들 사이의 전이가 급격하고, 각 층에 대한 두께 변화가 약 0.01nm보다 작을 것을 요구한다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 환경에 의한 ML 미러(220)의 산화를 방지하기 위해, 마스크 블랭크(200)에서의 ML 미러(220) 위에 캡핑층(230)이 형성될 수 있다. 캡핑층(230)은 약 20-80nm의 두께를 가질 수 있다.
버퍼층(도시되지 않음)이 캡핑층(230) 위에 형성될 수 있다. 버퍼층은 상부의 흡수체(300)의 패터닝에 대한 에칭 정지층으로서 작용할 수 있다. 더욱이, 버퍼층은 나중에, 흡수체(300)에서의 결함의 FIB(focused ion beam) 복원을 위한 희생층으로서 기능할 수도 있다.
버퍼층은 약 20-60nm의 두께를 가질 수 있다. 버퍼층은 이산화 실리콘(SiO2)으로 형성될 수 있다. 처리 온도를 최소화하기 위해 때때로 저온 산화물(LTO)을 이용하며, 따라서 ML 미러(220)에서의 교번층들 사이의 물질의 인터디퓨젼이 감소된다. 실리콘 옥시니트라이드(SiOxNy)와 같은 유사한 특성을 갖는 다른 물질을 버퍼층을 위해 선택할 수 있다. 버퍼층은 RF 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착될 수 있다. 원하는 경우, 비정질 실리콘 또는 탄소(도시되지 않음)의 층이, 버퍼층의 증착 이전에 증착될 수 있다.
도 2d는 버퍼층(도시되지 않음) 및 캡핑층(230) 위에 증착되는 흡수체(300)를 도시한다. 흡수체(300)는 EUV 광을 감쇠시키고, EUV 광에 대한 노출 동안 화학적으로 안정되게 유지되며, 마스크 제조 프로세스와 조화되어야 한다.
흡수체(300)는 약 20-90nm의 두께를 갖는다. 흡수체(300)는 DC 마그네트론 스퍼터링으로 증착될 수 있다. 흡수체(300)는 다양한 물질로 형성될 수 있다.
흡수체(300)를 형성하기 위해, 다양한 금속 및 합금이 적합할 수 있다. 예로써, 알루미늄(Al), 알루미늄-구리(AlCu), 크롬(Cr), 탄탈(Ta), 티탄(Ti) 및 텅스텐(W)이 포함된다.
또한, 흡수체(300)는, 전체적으로 또는 부분적으로, 소정의 금속의 붕소화물(boride), 탄화물(carbide), 질화물, 또는 규화물로 형성될 수 있다. 예로써, NiSi(Nickel Silicide), TaB(Tantalum Boride), TaN(Tantalum Nitride), TaSi(Tantalum Silicide), TaSiN(Tantalum Silicon Nitride) 및 TiN(Titanium Nitride)이 포함된다.
도 2d는 흡수체(300) 위에 코팅되고, 노출되고, 현상되어 개구(471)를 생성할 수 있는, 포토레지스트(400)와 같은, 방사 감응층(radiation-sensitive layer)을 더 도시한다. 포토레지스트(400)는 약 90-270nm의 두께를 가질 수 있다. CAR(chemically amplified resist)을 이용할 수 있다. DUV 또는 전자 빔(e-beam)을 이용하여, 포토레지스트(400)에서의 피처를 패터닝할 수 있다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(400)에서의 개구(471)의 측정 이후에, 패턴은 포토레지스트(400)로부터 흡수체(300)에서의 영역(371)으로 전사될 수 있다. 반응성 이온 에칭(RIE)을 이용할 수 있다. 예를 들어, 탄탈(Ta) 흡수체(300)는, Cl2 및 BCl3과 같은 염소를 포함하는 가스로 건식 에칭될 수 있다. 몇몇 경우에, 산소(O2)가 포함될 수 있다.
에칭 비율 및 에칭 선택성은 전력, 압력, 및 반응 장치내의 기판 온도에 의존할 수 있다. 필요한 경우, 하드마스크 프로세스를 이용하여 패턴을 포토레지스트(400)로부터 하드마스크(도시되지 않음)로, 그리고 흡수체(300)로 전사할 수 있다.
캡핑층(230) 위의 버퍼층(도시되지 않음)은, 상부의 흡수체(300)에서의 우수한 에칭 프로파일을 제공하기 위한 에칭 정지층으로서 기능한다. 또한, 버퍼층은 하부의 캡핑층(230) 및 ML 미러(220)를 에칭 손상으로부터 보호한다.
포토레지스트(400)를 제거한 후, 패터닝된 피처의 라인폭 및 배치 정확성이 측정될 수 있다. 그 후, 결함 검사가 수행되고, 필요에 따라, 흡수체(300)의 결함 복원이 수행될 수 있다. 버퍼층은 흡수체(300)와 관련된 깨끗하고 불투명한 결함의 FIB 복원을 위한 희생층으로서 더 기능한다.
버퍼층은 노출 동안 EUV 마스크(500)의 ML 미러(220)에서의 회절을 증가시킬 수 있다. 결과적인 콘트라스트 감소는 웨이퍼상에 프린팅된 피처의 CD 제어를 저하시킬 수 있다. 따라서, 버퍼층은 건식 에칭, 습식 에칭 또는 두 프로세스의 조합에 의해 제거될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층은 CF4 또는 C2F6과 같은 불소를 포함하는 가스로 건식 에칭될 수 있다. 산소(O2), 및 아르곤(Ar)과 같은 캐리어 가스가 포함될 수 있다.
버퍼층은 그것이 매우 얇은 경우에 습식 에칭될 수 있는데, 그 이유는, 흡수체(300)의 임의의 언더컷(undercut)이 작을 것이기 때문이다. 예를 들어, 이산화 실리콘으로 형성된 버퍼층은 약 3-5% HF(hydrofluoric) 산의 수용액으로 에칭될 수 있다. 버퍼층을 제거하기 위해 선택된 건식 에칭 또는 습식 에칭은 흡수체(300), 캡핑층(230) 또는 ML 미러(220)를 손상시키지 않아야 한다.
본 발명에 대한 완전한 이해를 제공하기 위해, 많은 실시예 및 다양한 세부 사항이 위에서 기술되었다. 당업자라면, 하나의 실시예에서의 많은 특징들은 다른 실시예에 동일하게 적용가능함을 이해할 것이다. 또한, 당업자라면, 본 명세서에서 기술된 그러한 특정 물질, 프로세스, 치수, 농도 등에 대한 다양한 등가의 대체물을 제조하는 능력을 이해할 것이다. 본 발명의 상세한 설명은 예시적인 것이며, 제한적인 것은 아님을 이해해야 하며, 본 발명의 영역은 이하의 특허 청구 범위에 의해 결정되어야 한다.
따라서, 노출 동안 섀도잉을 감소시키기 위한 EUV 마스크 및 그러한 EUV 마스크를 제조하는 프로세스가 기술되었다.

Claims (18)

  1. 마스크를 형성하는 방법에 있어서,
    기판을 제공하는 단계와,
    상기 기판 위에 EUV(extreme ultraviolet) 광에 대한 다층 미러를 형성하는 단계와,
    상기 다층 미러 위에 상기 EUV 광에 대한 누설 흡수체(leaky absorber)를 형성하는 단계와,
    강한 반사성의 제 1 영역 및 약한 반사성의 제 2 영역내로 상기 누설 흡수체를 패터닝하는 단계를 포함하는
    마스크 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에서 상기 다층 미러 위에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 마스크 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 영역에서 상기 캡핑층 위에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 마스크 형성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층 미러는 산란층(scattering layer) 및 이격층(spacing layer)을 포함하는 마스크 형성 방법.
  5. EUV 마스크를 형성하는 방법에 있어서,
    기판을 제공하는 단계와,
    상기 기판 위에 미러를 형성하는 단계―상기 미러는 반사 물질 및 투과 물질의 교번층을 포함함―와,
    상기 미러 위에 누설 흡수체를 형성하는 단계―상기 누설 흡수체는 입사광의 위상을 180°만큼 시프트시킴―와,
    제 1 영역에서 상기 누설 흡수체를 제거하여 상기 미러가 커버되지 않도록 하는 단계를 포함하는
    EUV 마스크 형성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 미러 위에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 EUV 마스크 형성 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 누설 흡수체 아래에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 EUV 마스크 형성 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 누설 흡수체는 입사광의 약 1.0-3.0%를 반사하는 EUV 마스크 형성 방법.
  9. EUV 마스크에 있어서,
    기판과,
    상기 기판 위에 배치된 다층 미러―상기 다층 미러는 제 1 영역 및 제 2 영역을 가짐―와,
    상기 다층 미러의 상기 제 2 영역 위에 배치된 누설 흡수체―상기 누설 흡수체는 입사광의 위상을 180°만큼 시프트시킴―를 포함하는
    EUV 마스크.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에서 상기 다층 미러 위에 배치된 캡핑층을 더 포함하는 EUV 마스크.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 누설 흡수체 아래에 배치된 버퍼층을 더 포함하는 EUV 마스크.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 영역은 입사광의 약 1.0-3.0%를 반사하는 EUV 마스크.
  13. 비스듬한 입사광에 대한 반사 마스크에 있어서,
    기판과,
    상기 기판 위에 배치된 다층 미러―상기 다층 미러는 제 1 영역 및 제 2 영역을 가짐―와,
    상기 다층 미러의 상기 제 2 영역 위에 배치된 흡수체―상기 흡수체는 상기 다층 미러가 상기 비스듬한 입사광의 약 1.0-3.0%를, 180°의 위상 시프트로 반사하도록 함―를 포함하는
    반사 마스크.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에서 상기 다층 미러 위에 배치된 캡핑층을 더 포함하는 반사 마스크.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 흡수체 아래에 배치된 버퍼층을 더 포함하는 반사 마스크.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 비스듬한 입사광에 대한 반사 마스크는 섀도잉(shadowing)을 감소시키는 반사 마스크.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 흡수체는 약 46nm의 두께를 갖는 탄탈 질화물(Tantalum Nitride)을 포함하는 반사 마스크.
  18. 제 13 항에 있어서,
    30nm 라인 및 공간이 프린팅될 수 있는 반사 마스크.
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