JP2009099931A - 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 - Google Patents
反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009099931A JP2009099931A JP2008053350A JP2008053350A JP2009099931A JP 2009099931 A JP2009099931 A JP 2009099931A JP 2008053350 A JP2008053350 A JP 2008053350A JP 2008053350 A JP2008053350 A JP 2008053350A JP 2009099931 A JP2009099931 A JP 2009099931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- absorber layer
- reflective photomask
- manufacturing
- reflective
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 80
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板と、基板上に形成された多層反射膜と、多層反射膜上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された吸収体層と、を備え、吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
【選択図】図1
Description
2 反射多層膜
3 バッファ層
4 吸収体層
3a バッファ層パターン
4a 吸収体層パターン
5a レジストパターン
10 反射型フォトマスクブランク
20 反射型フォトマスク
Claims (17)
- 基板と、
前記基板上に形成された多層反射膜と、
前記多層反射膜上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された吸収体層と、を備え、
前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - 前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)の他に、タンタル(Ta)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 錫(Sn)と酸素(O)とを含む比率を1としたとき、タンタル(Ta)を0.05〜0.15を含む合金とすることを特徴とする請求項2に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記吸収体層の膜厚は、35nm以上45nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の反射型フォトマスクブランク。
- 基板、多層反射膜、バッファ層、吸収体層を順次形成し、
前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランクの製造方法。 - 前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)の他に、タンタル(Ta)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする請求項5に記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法。
- 錫(Sn)と酸素(O)とを含む比率を1としたとき、タンタル(Ta)を0.05〜0.15を含む合金とすることを特徴とする請求項6に記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法。
- 前記吸収体層の膜厚は、35nm以上45nm以下であることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法。
- 前記吸収体層は、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか一に記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一に記載の反射型フォトマスクブランクにおける吸収体層及びバッファ層にパターンが形成されたことを特徴とする反射型フォトマスク。
- 基板、多層反射膜、バッファ層、吸収体層を順次形成し、
前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜を形成し、
前記吸収体層上にレジストパターンを形成し、
前記吸収体層及び前記バッファ層にパターンを形成し、
前記レジストパターンを剥離することを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。 - 前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)の他に、タンタル(Ta)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする請求項11に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 錫(Sn)と酸素(O)とを含む比率を1としたとき、タンタル(Ta)を0.05〜0.15を含む合金とすることを特徴とする請求項12に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 前記吸収体層は、ドライエッチングを用いてパターニングされることを特徴とする請求項11乃至13のいずれかに記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 前記吸収体層は、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする請求項11乃至14のいずれかに記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 前記吸収体層の膜厚は、35nm以上45nm以下であることを特徴とする請求項11乃至15のいずれかに記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 請求項10に記載の反射型フォトマスクに極端紫外光を照射し、
前記反射型フォトマスクの前記多層反射膜に反射した反射光を半導体基板上に設けられた極端紫外光用レジスト層に露光し、
前記極端紫外光用レジスト層に前記反射型フォトマスクの前記吸収体層のパターンを転写することを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008053350A JP5194888B2 (ja) | 2007-09-27 | 2008-03-04 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007250879 | 2007-09-27 | ||
JP2007250879 | 2007-09-27 | ||
JP2008053350A JP5194888B2 (ja) | 2007-09-27 | 2008-03-04 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009099931A true JP2009099931A (ja) | 2009-05-07 |
JP5194888B2 JP5194888B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=40702606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008053350A Active JP5194888B2 (ja) | 2007-09-27 | 2008-03-04 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5194888B2 (ja) |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009212220A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 反射型マスク及びその作製方法 |
JP2010103463A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、半導体装置製造方法 |
WO2010113700A1 (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-07 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランク |
CN106489188A (zh) * | 2014-07-11 | 2017-03-08 | 应用材料公司 | 具有薄吸收剂的极紫外掩模底板生产系统及其制造系统 |
JP2017525998A (ja) * | 2014-07-11 | 2017-09-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 吸収体を有する、平坦化された極紫外線リソグラフィブランク及びその製造システム |
WO2019009211A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
JP2019527382A (ja) * | 2016-07-27 | 2019-09-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 合金吸収体を有する極紫外線マスクブランク、及びその製造方法 |
CN110785704A (zh) * | 2017-07-05 | 2020-02-11 | 凸版印刷株式会社 | 反射型光掩模坯以及反射型光掩模 |
US10747102B2 (en) | 2016-07-27 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank with multilayer absorber and method of manufacture |
KR20210134605A (ko) | 2019-03-13 | 2021-11-10 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
US11194244B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture |
US11209727B2 (en) | 2018-10-26 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Ta—Cu alloy material for extreme ultraviolet mask absorber |
US11237473B2 (en) | 2019-03-01 | 2022-02-01 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
US11249389B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11249388B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11275304B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
US11275303B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
US11275302B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11300872B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11366379B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-06-21 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask with embedded absorber layer |
US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
JP7117445B1 (ja) | 2021-12-15 | 2022-08-12 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11537040B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank hard mask materials |
US11542595B2 (en) | 2019-03-01 | 2023-01-03 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
US11556053B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank hard mask materials |
US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11639544B2 (en) | 2019-03-01 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
US11640109B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11644741B2 (en) | 2020-04-17 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11675263B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11782337B2 (en) | 2021-09-09 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflectors |
US11815803B2 (en) | 2021-08-30 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflector materials |
US11860533B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
KR102666821B1 (ko) | 2017-07-05 | 2024-05-16 | 가부시키가이샤 토판 포토마스크 | 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299227A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nikon Corp | 反射マスクとその製造方法及び露光装置 |
JP2004006798A (ja) * | 2002-04-11 | 2004-01-08 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
JP2006190900A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2007273678A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-03-04 JP JP2008053350A patent/JP5194888B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299227A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nikon Corp | 反射マスクとその製造方法及び露光装置 |
JP2004006798A (ja) * | 2002-04-11 | 2004-01-08 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
JP2006190900A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2007273678A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
Cited By (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009212220A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 反射型マスク及びその作製方法 |
JP4602430B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2010-12-22 | 株式会社東芝 | 反射型マスク及びその作製方法 |
JP2010103463A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、半導体装置製造方法 |
WO2010113700A1 (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-07 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランク |
US8962220B2 (en) | 2009-04-02 | 2015-02-24 | Toppan Printing Co., Ltd. | Reflective photomask and reflective photomask blank |
JP2017521713A (ja) * | 2014-07-11 | 2017-08-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム |
JP2017525998A (ja) * | 2014-07-11 | 2017-09-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 吸収体を有する、平坦化された極紫外線リソグラフィブランク及びその製造システム |
CN106489188A (zh) * | 2014-07-11 | 2017-03-08 | 应用材料公司 | 具有薄吸收剂的极紫外掩模底板生产系统及其制造系统 |
US10551732B2 (en) | 2014-07-11 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor |
JP2021021948A (ja) * | 2014-07-11 | 2021-02-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム |
US10747102B2 (en) | 2016-07-27 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank with multilayer absorber and method of manufacture |
JP2019527382A (ja) * | 2016-07-27 | 2019-09-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 合金吸収体を有する極紫外線マスクブランク、及びその製造方法 |
US11754917B2 (en) | 2016-07-27 | 2023-09-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank with multilayer absorber and method of manufacture |
US11022876B2 (en) | 2016-07-27 | 2021-06-01 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank with multilayer absorber and method of manufacture |
US10877368B2 (en) | 2016-07-27 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank with alloy absorber and method of manufacture |
JPWO2019009211A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2020-04-30 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
KR102632988B1 (ko) | 2017-07-05 | 2024-02-01 | 가부시키가이샤 토판 포토마스크 | 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크 |
EP3650936A4 (en) * | 2017-07-05 | 2020-09-09 | Toppan Printing Co., Ltd. | BLANK OF A REFLECTIVE PHOTO MASK AND REFLECTIVE PHOTO MASK |
JP7169970B2 (ja) | 2017-07-05 | 2022-11-11 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
KR20200019629A (ko) * | 2017-07-05 | 2020-02-24 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크 |
CN110785704A (zh) * | 2017-07-05 | 2020-02-11 | 凸版印刷株式会社 | 反射型光掩模坯以及反射型光掩模 |
KR102666821B1 (ko) | 2017-07-05 | 2024-05-16 | 가부시키가이샤 토판 포토마스크 | 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크 |
JP7279131B2 (ja) | 2017-07-05 | 2023-05-22 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
WO2019009211A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
JP2022003417A (ja) * | 2017-07-05 | 2022-01-11 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
JPWO2019009212A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2020-05-07 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
CN110785703A (zh) * | 2017-07-05 | 2020-02-11 | 凸版印刷株式会社 | 反射型光掩模坯以及反射型光掩模 |
CN110785703B (zh) * | 2017-07-05 | 2023-07-21 | 凸版光掩模有限公司 | 反射型光掩模坯以及反射型光掩模 |
US11209727B2 (en) | 2018-10-26 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Ta—Cu alloy material for extreme ultraviolet mask absorber |
US11194244B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture |
US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11249389B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11249388B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11237473B2 (en) | 2019-03-01 | 2022-02-01 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
US11542595B2 (en) | 2019-03-01 | 2023-01-03 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
US11639544B2 (en) | 2019-03-01 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
KR20210134605A (ko) | 2019-03-13 | 2021-11-10 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
US11275302B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11300872B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11366379B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-06-21 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask with embedded absorber layer |
US11275303B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
US11275304B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11556053B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank hard mask materials |
US11640109B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11537040B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank hard mask materials |
US11860533B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11644741B2 (en) | 2020-04-17 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11675263B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11815803B2 (en) | 2021-08-30 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflector materials |
US11782337B2 (en) | 2021-09-09 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflectors |
JP2023088649A (ja) * | 2021-12-15 | 2023-06-27 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
JP7117445B1 (ja) | 2021-12-15 | 2022-08-12 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5194888B2 (ja) | 2013-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5194888B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 | |
JP6050408B2 (ja) | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 | |
JP4961395B2 (ja) | マスクブランク、フォトマスク、及びフォトマスクの製造方法 | |
JP5282507B2 (ja) | ハーフトーン型euvマスク、ハーフトーン型euvマスクの製造方法、ハーフトーン型euvマスクブランク及びパターン転写方法 | |
JP5295553B2 (ja) | 反射型マスク | |
KR101793285B1 (ko) | 마스크 블랭크 및 전사용 마스크 | |
JP5524828B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法 | |
KR101809424B1 (ko) | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
US20060222961A1 (en) | Leaky absorber for extreme ultraviolet mask | |
JP5233321B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 | |
JP5292747B2 (ja) | 極端紫外線用反射型フォトマスク | |
JP5266988B2 (ja) | ハーフトーン型euvマスク、ハーフトーン型euvマスクブランク、ハーフトーン型euvマスクの製造方法及びパターン転写方法 | |
JP2006228766A (ja) | 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、及び露光方法 | |
KR20080104267A (ko) | 반사형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법, 반사형포토마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
CN111344633B (zh) | 掩模坯料、相移掩模及制造方法、半导体器件的制造方法 | |
JP2008041740A (ja) | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び極端紫外線の露光方法 | |
JP5476679B2 (ja) | ハーフトーン型euvマスク及びハーフトーン型euvマスクの製造方法 | |
JP6441012B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP4998082B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 | |
KR20090097493A (ko) | 극자외선 리소그라피용 마스크 및 그 형성 방법. | |
JP4622504B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法 | |
JP5194547B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク | |
JP5018212B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 | |
JP4529359B2 (ja) | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 | |
JP4605284B2 (ja) | 極限紫外線露光用マスク、極限紫外線露光用マスクブランク、およびパターン転写方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120925 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5194888 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |