JP4998082B2 - 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
多層反射膜と、
ZrとSiとを含んだ化合物、若しくは、Zr及びSiと、OまたはNのうち少なくともいずれか1つ以上を含む化合物よりなる保護膜と、
吸収膜の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する緩衝膜と、
吸収膜下層と、
ZrとSiとを含んだ化合物、若しくは、Zr及びSiと、OまたはNのうち少なくともいずれか1つ以上を含む化合物よりなる吸収膜上層より形成される2層構造の吸収膜と、よりなる反射型フォトマスクブランクとする。
前記緩衝膜は、前記吸収膜をエッチングして露光転写パターンを形成する際におけるエッチングレートが前記吸収膜に対して1/10以下であることを特徴とする反射型フォトマスクブランクとする。
前記基板上に、前記多層反射膜を形成する多層反射膜形成工程と、
該多層反射膜上に、不活性ガス雰囲気、または、不活性ガスと、酸素または窒素の少なくともいずれか1つとを含む混合ガス雰囲気で、ZrSi合金をターゲットとしたスパッタリングを行って、保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜上に、前記吸収膜の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する材質で形成されたものをターゲットとしたスパッタリングを行って、緩衝膜を形成する緩衝膜形成工程と、
該緩衝膜上に、前記吸収膜を形成する吸収膜形成工程と
を備えることを特徴とする反射型フォトマスクブランクの製造方法とする。
極端紫外光を照射し、該反射型フォトマスクの前記多層反射膜に反射した反射光を半導体基板上に設けられたレジスト層に露光することで、該レジスト層に前記反射型フォトマスクの前記吸収膜のパターンを転写する転写工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
ートを示す。図1から、TaSiOのCl2でのエッチングレートはTaSiOの1/25以下である。また、C2F6でのエッチングにおいては、ZrSi、ZrSiO及びZrSiNのいずれの材料のエッチングレートはTaSiOの1/10以下であることがわかる。
さらに引き続いて、保護膜3形成用のZrSiターゲットを用いたArにO2を添加した雰囲気下でのスパッタにより膜厚16nmの吸収膜5bの成膜を行った。
トパターン6を形成する。更に、このレジストパターン6をマスクにして、吸収膜上層5bをICP放電方式のドライエッチング装置を用いてエッチングすることにより、図2に示すような吸収膜5a、5bのパターンを得た。
2……多層反射膜
3……保護膜
4……緩衝膜
5a……吸収膜下層
5b……吸収膜上層
6……レジストパターン
10……反射型フォトマスクブランク
20……レジストパターニング済み反射型フォトマスクブランク
30……吸収膜パターニング済み反射型フォトマスク
40……反射型フォトマスク
Claims (6)
- 順に、基板と、
多層反射膜と、
ZrとSiとを含んだ化合物、若しくは、Zr及びSiと、OまたはNのうち少なくともいずれか1つ以上を含む化合物よりなる保護膜と、
吸収膜の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する緩衝膜と、
吸収膜下層と、
ZrとSiとを含んだ化合物、若しくは、Zr及びSiと、OまたはNのうち少なくともいずれか1つ以上を含む化合物よりなる吸収膜上層より形成される2層構造の吸収膜と、よりなる反射型フォトマスクブランク。 - 請求項1に記載の反射型フォトマスクブランクにおいて、緩衝膜はTaとSiのどちらか若しくは両方とOのうちの少なくともいずれか1つ以上を含む化合物よりなることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
- 請求項1または請求項2に記載の反射型フォトマスクブランクにおいて、
前記緩衝膜は、前記吸収膜をエッチングして露光転写パターンを形成する際におけるエッチングレートが前記吸収膜に対して1/10以下であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - 請求項1記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法であって、
前記基板上に、前記多層反射膜を形成する多層反射膜形成工程と、
該多層反射膜上に、不活性ガス雰囲気、または、不活性ガスと、酸素または窒素の少なくともいずれか1つとを含む混合ガス雰囲気で、ZrSi合金をターゲットとしたスパッタリングを行って、保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜上に、前記吸収膜の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する材質で形成されたものをターゲットとしたスパッタリングを行って、緩衝膜を形成する緩衝膜形成工程と、
該緩衝膜上に、前記吸収膜を形成する吸収膜形成工程と
を備えることを特徴とする反射型フォトマスクブランクの製造方法。 - 請求項4記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法で製造された反射型フォトマスクブランクの吸収膜をエッチングして露光転写パターンを形成したことを特徴とする反射型フォトマスク。
- 請求項5に記載の反射型フォトマスクに、前記露光光として極端紫外光を照射し、該反射型フォトマスクの前記多層反射膜に反射した反射光を半導体基板上に設けられたレジスト層に露光することで、該レジスト層に前記反射型フォトマスクの前記吸収膜のパターンを転写する転写工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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