JP5256569B2 - 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、露光方法及びマスクブランクの製造方法 - Google Patents
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Description
R1:高反射部の反射率
R2:低反射部の反射率
上層吸収膜5aの光学定数と反射率コントラストとの関係についての計算結果を、図2〜図5に示す。なお、下層吸収膜5bを700Aの膜厚のTaSi膜とし、図では、上層吸収膜5aの光学定数(屈折率:n、消衰係数:k)をそれぞれ横軸、縦軸として、コントラストCを等高線で表している。
ところで、金属ターゲットを用いて反応性スパッタリングを行っていくとき、不活性ガスに対する反応性ガスの混合比が小さいうちは、金属性の遮光性膜が得られ、ある混合比以上で急激に非金属製の透明膜となる。従って上記のような、透明性と導電性の両立する膜をこの方法で得ることは困難である。
Claims (4)
- 基板上に形成された多層膜からなる高反射層と、前記多層膜上に形成された吸収膜からなる低反射層とを備える極端紫外線露光用マスクブランクにおいて、
前記吸収膜は、上層吸収膜と下層吸収膜を含む少なくとも2層以上の薄膜からなり、
下層吸収膜は、極端紫外光を吸収するTaSiからなり、
最上層の上層吸収膜は、極端紫外光に対する反射率を、薄膜干渉効果により低減するための反射防止効果を有し、膜厚50〜300Aであり、金属、珪素、及び酸素を主たる構成元素として含むか又は金属、珪素、酸素、及び窒素を主たる構成元素として含み、前記金属及び珪素を含む化合物をターゲットとして用い、酸素と不活性ガスの混合ガス、酸素と窒素と不活性ガスの混合ガス、又はN2Oと不活性ガスの混合物をスパッタガスとした反応性スパッタリングにより形成され、
前記混合ガスの混合比は、前記上層吸収膜の波長150nmから300nmの紫外線に対する消衰係数が0から1.2の範囲にあり、シート抵抗が50MΩ/□以下となるように選択されたことを特徴とする極端紫外線露光用マスクブランク。 - 請求項1に記載の極端紫外線露光用マスクブランクの前記吸収層を吸収層パターンに形成してなることを特徴とする極端紫外線露光用マスク。
- 請求項2に記載の極端紫外線露光用マスクに極端紫外線を照射し、その反射光を被露光体に照射することを特徴とする露光方法。
- 基板上に多層膜からなる高反射層を形成する工程、
前記多層膜上に吸収膜からなる低反射層を形成する工程
を具備する極端紫外線露光用マスクブランクの製造方法において、
前記吸収膜を、上層吸収膜と下層吸収膜を含む2層以上の薄膜により構成するにあたり、
下層吸収膜を、TaSiにより形成し、
最上層の上層吸収膜を、金属及び珪素を含む化合物をターゲットとし、酸素と不活性ガスの混合ガス、酸素と窒素と不活性ガスの混合ガス、又はN2Oと不活性ガスの混合物をスパッタガスとした反応性スパッタリングにより膜厚50〜300Aで形成し、前記混合ガスの混合比は、前記上層吸収膜の波長150nmから300nmの紫外線に対する消衰係数が0から1.2の範囲にあり、シート抵抗が50MΩ/□以下となるように選択されていることを特徴とする極端紫外線露光用マスクブランクの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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