CN102016717B - Euv光刻用反射型掩模基板及euv光刻用反射型掩模 - Google Patents

Euv光刻用反射型掩模基板及euv光刻用反射型掩模 Download PDF

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Abstract

本发明提供掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制、特别是掩模图案外缘的边界部的反射光的对比度的下降得到抑制的EUV掩模及该EUV掩模的制造中使用的EUV掩模基板。本发明是一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，在所述衬底上的至少一部分，在图案形成时除去所述吸收体层的部位和与除去所述吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。

Description

EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模
技术领域
本发明涉及半导体制造等中使用的EUV(Extreme Ultra Violet：极端紫外)光刻用反射型掩模基板(下面，在本说明书中称作“EUV掩模基板”)以及对该EUV掩模基板实施图案形成而得的EUV光刻用反射型掩模(下面，在本说明书中称作“EUV掩模”)。
背景技术
以往，在半导体产业内，作为在Si衬底等上形成由微细图案构成的集成电路方面必不可少的微细图案的转印技术，使用的是采用可见光或紫外光的光刻法。但是，半导体器件的微细化正不断加快，正逐渐接近现有的光刻法的极限。已知对于光刻法，图案的解析度极限是曝光波长的1/2左右，即使使用浸没法，图案的解析度极限也只是曝光波长的1/4左右，可以预见，即使使用ArF激光(193nm)的浸没法，极限也在45nm左右。于是，作为45nm以下的曝光技术，采用波长比ArF激光更短的EUV光的曝光技术、即EUV光刻被寄予厚望。本说明书中，EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光线，具体是指波长10～20nm左右、特别是13.5nm±0.3nm左右的光线。
EUV光容易被各种物质吸收，且该波长下物质的折射率趋近于1，因此无法使用现有的采用可见光或紫外光的光刻这样的折射光学系统。因此，EUV光刻中使用反射光学系统、即反射型光掩模和反射镜。
掩模基板是光掩模制造中使用的图案形成前的层叠体。
EUV掩模基板具有在玻璃等衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层的结构(参照专利文献1)。
对于EUV掩模基板，需要减小吸收体层的膜厚。EUV光刻中，曝光光不是从相对于EUV掩模垂直的方向照射，而是从相对于垂直方向倾斜几度、例如通常为6°的方向照射。如果增大吸收体层的厚度，则在EUV光刻时，通过图案形成除去该吸收体层的一部分而形成的掩模图案上产生由曝光光导致的阴影，使用该EUV掩模转印至Si晶片等衬底上抗蚀层的掩模图案(下面称作“转印图案”)的形状精度和尺寸精度变差。形成于EUV掩模上的掩模图案的线宽越小，该问题越显著，因此一直要求进一步减小EUV掩模基板的吸收体层的膜厚。
专利文献1：日本专利特开2004-6798号公报(美国专利公报第7390596号公报)
发明的揭示
EUV掩模基板的吸收体层使用的是对EUV光的吸收系数高的材料，其膜厚理想的是对该吸收体层表面照射EUV光时所照射的EUV光全部被吸收体层吸收的膜厚。但是，如上所述，要求减小吸收体层的膜厚，因此无法用吸收体层将所照射的EUV光全部吸收，其一部分成为反射光。
通过EUV光刻在衬底上抗蚀层上形成转印图案时所要求的是EUV掩模上的反射光的对比度，即来自通过图案形成除去了吸收体层而露出反射层的部位的反射光和来自在图案形成时未除去吸收体层的部位的反射光之间的对比度，因此可以认为，只要能充分确保反射光的对比度，则即使所照射的EUV光未全部被吸收体层吸收也完全没有问题。
但是，本发明人发现，一旦采用从相对于垂直方向倾斜几度的方向照射曝光光这一EUV光刻中的曝光光的照射方式，则对于现有的EUV掩模来说，掩模图案边界部的反射光的对比度的下降和由此引起的转印图案的形状精度和尺寸精度的劣化是不可避免的。下面用附图对这点进行说明。本说明书中，掩模基板边界部是指通过图案形成除去了吸收体层而露出反射层的部位(吸收体层除去部位)和与该吸收体层除去部位邻接的在图案形成时未除去吸收体层的部位(吸收体层非除去部位)的边界。
图7(a)是表示EUV掩模的一个结构例的示意图，所示为对EUV掩模照射曝光光、即EUV光的状态。图7(a)所示的EUV掩模10在衬底12上依次形成有反射EUV光的反射层13和吸收EUV光的吸收体层14。反射层13以由高折射层和低折射层交替层叠而成的多层反射膜的形式示出。虽未图示，但除上述结构以外，在反射层13和吸收体层14之间通常形成有保护层，该保护层用于在对吸收体层14实施图案形成时保护反射层13，在吸收体层14上通常形成有对掩模图案的检查光呈低反射率的低反射层。
图7(a)所示的EUV掩模10中，图中右侧是除去吸收体层14而露出反射层13的吸收体层除去部位，图中左侧是未除去吸收体层14的吸收体层非除去部位。
实施EUV光刻时，从相对于垂直方向倾斜几度的方向对EUV掩模10照射EUV光a、b、c。作为EUV掩模上的反射光的对比度，其本意是指来自图中右侧的吸收体层除去部位的反射光31c和来自图中左侧的吸收体层非除去部位的反射光31a的对比度。来自吸收体层非除去部位的反射光31a在通过吸收体层14的过程中充分地衰减，因此不会对反射光的对比度造成不良影响。图7(c)是表示仅存在反射光31a和反射光31c的理想的EUV掩模的各部位的反射光强度的图。
但是，因为从相对于垂直方向倾斜几度的方向对EUV掩模10照射EUV光，所以像EUV光30b那样仅通过了吸收体层14的一部分的EUV光作为反射光31b产生。因为这样的反射光31b未充分地衰减，所以EUV掩模的各部位的反射光强度绘制出图7(b)所示的平缓的曲线。
由图7(b)和(c)的比较可知，对于现有的EUV掩模来说，掩模图案边界部的反射光的对比度的下降是不可避免的。该反射光的对比度的下降产生于掩模图案的各边界部，但因为以下原因，特别成为问题的是掩模图案的外缘的边界部的反射光的对比度的下降，即吸收体层除去部位中的成为掩模图案的外缘的部位和在外侧与成为该掩模图案的外缘的吸收体层除去部位邻接的吸收体层非除去部位的边界部的反射光的对比度的下降。
实施EUv光刻的情况下，将掩模图案的外缘为相同形状的多块EUV掩模重叠在转印位置来进行曝光。此时，因为掩模图案的外缘的位置恒定，所以该掩模图案外缘的边界部的反射光的对比度的下降始终在整个EUV掩模中的同一部位反复发生。因此，特别要求抑制掩模图案外缘的边界部的反射光的对比度的下降。
为解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制、特别是掩模图案外缘的边界部的反射光的对比度的下降得到抑制的EUV掩模及该EUV掩模的制造中使用的EUV掩模基板。
为达到上述目的，本发明提供一种EUV光刻用反射型掩模基板，该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，
在所述衬底上的至少一部分，在图案形成时除去所述吸收体层的部位和与除去所述吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。
此外，本发明提供一种EUV光刻用反射型掩模基板，该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，
在所述衬底上，在图案形成时除去所述吸收体层的部位中的成为掩模图案的外缘的部位和与所述成为掩模图案的外缘的部位的外侧邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。
本发明的EUV掩模基板中，较好的是所述台阶的高度为2～10nm。
本发明的EUV掩模基板中，较好的是通过在所述衬底的表面的一部分形成薄膜来形成所述台阶。
本发明的EUV掩模基板中，较好的是通过将所述衬底的表面的一部分除去来形成所述台阶。
本发明的EUV掩模基板中，较好的是所述吸收体层上形成有对掩模图案的检查中所用的检查光呈低反射率的低反射层。
本发明的EUV掩模基板中，较好的是所述反射层和所述吸收体层之间形成有保护层，该保护层用于在图案形成时保护所述反射层。
本发明的EUV掩模基板中，较好的是在图案形成时的曝光区域外形成有定位用的记号。
此外，本发明提供对上述本发明的EUV光刻用反射型掩模基板实施图案形成而得的EUV光刻用反射型掩模。
本发明的EUV掩模中，因为掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制，所以用该EUV掩模在衬底上抗蚀层上形成的转印图案的形状精度和尺寸精度良好。
本发明的EUV掩模较好是通过使用本发明的EUV掩模基板来制作。
附图的简单说明
图1(a)是表示本发明的EUV掩模的一种实施方式的示意图，图1(b)是表示图1(a)所示的EUV掩模的各部位的反射光强度的图，图1(c)是图1(a)所示的EUV掩模的台阶部的放大图。
图2是表示EUV掩模的一例的俯视图。
图3是表示实施例中求得的反射光强度的图。
图4是表示实施例中求得的反射光强度的图。
图5是表示实施例中求得的反射光强度的图。
图6是表示实施例中求得的反射光强度的图。
图7(a)是表示EUV掩模的一个结构例的示意图，图7(b)是表示图7(a)所示的EUV掩模的各部位的反射光强度的图，图7(c)是表示仅存在反射光31a和反射光31c的理想的EUV掩模的各部位的反射光强度的图。
符号的说明
1：EUV掩模
2：衬底
3：反射层
4：吸收体层
5：薄膜
6：掩模图案
7、8：吸收体非除去部
10：EUV掩模
12：衬底
13：反射层
14：吸收体层
20：台阶
22：台阶的高度
24：台阶的端面
实施发明的最佳方式
下面参照附图对本发明的EUV掩模进行说明。
图1(a)是表示本发明的EUV掩模的一种实施方式的示意图。图1(a)所示的掩模1在以下几点上与图7(a)所示的现有的EUV掩模相同：衬底2上依次形成有反射EUV光的反射层3和吸收EUV光的吸收体层4这一点；以及图中右侧是除去吸收体层4而露出反射层3的吸收体层除去部位，图中左侧是未除去吸收体层4的吸收体层非除去部位这一点。这里，图1(a)所示的EUV掩模中，在衬底2上，在图中右侧的吸收体层除去部位和图中左侧的吸收体层非除去部位之间设置有台阶。更具体而言，通过在衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位形成薄膜5，从而在衬底2上的相当于吸收体层除去部位的部位和衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位之间形成台阶。下面，本说明书中，将在衬底2上的相当于吸收体层除去部位的部位和衬底2上的与该部位邻接的相当于吸收体层非除去部位的部位之间形成台阶称作“在衬底上的掩模图案边界部形成台阶”。此外，有时将设置于衬底上的掩模图案边界部的台阶简称为“台阶”。
本发明的EUV掩模中，通过在衬底上的掩模图案边界部设置台阶，可抑制掩模图案边界部的反射光的对比度的下降。
图1(a)所示的本发明的EUV掩模1中，因为在衬底2上的掩模图案边界部设置有台阶，所以形成于该衬底2上的反射层3沿着台阶形成，成为反射层3沿着台阶具有变形部的结构。从相对于垂直方向倾斜几度的方向对该结构的EUV掩模1照射EUV光20a、20b、20c的情况下，在仅通过了吸收体层4的一部分的EUV光20b产生反射光21b的过程中，该反射光21b因反射层3中存在的变形部而散射，从而被减弱。其结果是，如图1(b)所示，掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制。图1(b)是表示EUV掩模1的各部位的反射光强度的图。
为了发挥抑制掩模图案边界部的反射光的对比度的下降这一效果所需的台阶的高度受到构成EUV掩模1的各层的膜厚、即反射层3和吸收体层4的膜厚的影响，还受到例如通常形成在反射层3和吸收体层4之间的保护层和通常形成在吸收体层4上的低反射层之类的通常形成于EUV掩模1的其它层的膜厚的影响。台阶的高度如果在2nm以上，则构成EUV掩模1的这些层的膜厚在常规范围内的情况下，可发挥抑制掩模图案边界部的反射光的对比度的下降这一效果。
另一方面，台阶的高度过大的情况下，为使对吸收体层实施图案形成而制成EUV掩模1之前的EUV掩模基板的表面、即EUV掩模基板的吸收体层的表面(在吸收体层上形成有低反射层时是该低反射层的表面)不出现台阶，需要增大吸收体层或低反射层的膜厚，因此不理想。从该角度来看，台阶的高度较好是在10nm以下。
如果EUV掩模基板的吸收体层的表面(在吸收体层上形成有低反射层时是该低反射层的表面)出现台阶，则形成于吸收体层的掩模图案可能会变形。此外，如下所述，通过对衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位进行磨削或蚀刻来形成凹部、从而在掩模图案的边界部形成台阶的情况下，如果在EUV掩模基板的吸收体层的表面(在吸收体层上形成有低反射层时是该低反射层的表面)出现台阶，则在EUV光刻时，掩模图案中产生由曝光光导致的阴影的区域增加。
台阶的高度更好为2～7nm，进一步更好为3～5nm。
本发明的EUV掩模中，在衬底上的掩模图案边界部设置台阶的原因是为了抑制因从相对于垂直方向倾斜几度的方向对该EUV掩模照射EUV光而导致的掩模图案边界部的反射光的对比度的下降，因此台阶的端部未必一定要如图1(a)所示与掩模图案边界部一致。例如，对于图1(a)的EUV掩模1，也可认为在台阶的端部与掩模图案边界部相比位于更靠图中右侧的位置的方向(位于吸收体层除去部位侧的方向)上，在仅通过了吸收体层4的一部分的EUV光20b产生反射光21b的过程中该反射光21b因反射层3中存在的变形部而散射从而被减弱的效果更好。这里，台阶的端部如图1(c)所示，是指在衬底2上形成为阶梯状的台阶20的端面24，此外，该图中的22表示台阶20的高度。从该角度来看，将EUV光20a、20b、20c相对于EUV掩模1的入射角设为α(°)，将吸收体层4的膜厚(在吸收体层4上形成有低反射层时是吸收体层和低反射层的总膜厚)设为t(mm)，将台阶的高度设为h(nm)时，如果按照台阶的端部和掩模图案的边界部的距离L满足下式(1)的条件来设置台阶，则抑制掩模图案边界部的反射光的下降的效果良好。
L＝(t+h)×tanα-h    (1)
台阶的端部和掩模图案边界部的位置关系以及台阶的高度可通过模拟进行优化。通常来说，α为几度或6～8°左右。此外，t较好为20～100nm，更好为25～90nm，进一步更好为30～80nm。h更好为2～7nm，进一步更好为3～5nm。L较好是在通过上式求得的值的±4nm以内，特好是在±2nm以内。
图2是表示EUV掩模的一例的俯视图，EUV掩模1上形成有掩模图案6。
如上所述，反射光的对比度的下降发生在掩模图案6的各边界部，但特别成为问题的是掩模图案的外缘的边界部的反射光的对比度的下降。即，对于图2所示的EUV掩模1，特别成为问题的是构成掩模图案6的吸收体层除去部位中的形成于最外侧的吸收体层除去部位和与该吸收体层除去部位的外侧邻接的吸收体层非除去部位之间产生的反射光的对比度的下降，即构成掩模图案6的吸收体层除去部位中形成于最外侧的吸收体层除去部位和位于掩模图案6的外侧的吸收体层非除去部位7之间产生的反射光的对比度的下降。
因此，图2所示的本发明的EUV掩模1中，如果在衬底2上的相当于吸收体层非除去部位7的部位形成薄膜，在掩模图案6和吸收体层非除去部位7的边界部形成台阶，则可充分发挥抑制掩模图案边界部的反射光的对比度的下降这一效果。将其称为本发明的EUV掩模的第一形态。
在本发明的EUV掩模的第一形态的基础上，如果在衬底2上的相当于吸收体层非除去部位8的部位形成薄膜，在掩模图案6和吸收体层非除去部位8的边界部设置台阶，则可进一步提高抑制掩模图案边界部的反射光的对比度的下降这一效果，所述吸收体层非除去部位8存在于形成于EUV掩模1的各掩模图案6之间。将其称为本发明的EUV掩模的第二形态。
在本发明的EUV掩模的第二形态的基础上，通过在衬底2上的相当于构成掩模图案6的各吸收体层非除去部位的部位形成薄膜，在掩模图案6所包含的各掩模图案边界部设置台阶，可进一步提高抑制反射光的对比度的下降这一效果。将其称为本发明的EUV掩模的第三形态。本发明的EUV掩模的第三形态中，未必一定要在掩模图案6所包含的全部的掩模图案边界部形成台阶，即，未必一定要在衬底2上的相当于构成掩模图案6的全部的吸收体层非除去部位的部位形成薄膜。例如，如果在掩模图案6所包含的掩模图案边界部中的形成精度和尺寸精度特别成为问题的部位设置台阶，则可充分发挥抑制掩模图案边界部的反射光的对比度的下降这一效果。
本发明的EUV掩模的第一形态中，在衬底2上的相当于图2所示的吸收体层非除去部位7的部位形成薄膜的情况下，只要在衬底2上的相当于吸收体层非除去部位7的部位中的与掩模图案6的边界部附近的部位形成薄膜即可，无需在到EUV掩模1的外缘为止的范围内形成薄膜。此时，只要在到与掩模图案边界部的距离L满足上式(1)的部位为止的范围内形成薄膜即可。EUV光的入射角α为6°、台阶的高度为7nm、吸収体层的膜厚t为70nm的情况下，如果在与掩模图案6的边界部的距离L为7nm左右的范围内、特别是距离L为10nm左右的范围内形成薄膜，则可充分发挥抑制掩模图案边界部的反射光的对比度的下降这一效果。关于这一点，对于本发明的EUV掩模的第二形态和第三形态也一样。
但是，从容易形成薄膜的角度来看，图2所示的EUV掩模1中，较好是在到该EUV掩模1的外缘为止的衬底2上的相当于吸收体层非除去部位7的所有部位形成薄膜。
在衬底2上形成薄膜的步骤需要在通过图案形成制成EUV掩模之前的EUV掩模基板的阶段中实施，更具体而言，需要在制造EUV掩模基板时实施。
本发明的EUV掩模基板是通过图案形成制成本发明的EUV掩模之前的层叠体。从与图1(a)所示的EUV掩模1的关系来看，该EUV掩模1的图中右侧的吸收体层未被除去的状态即为EUV掩模基板。因此，上述EUV掩模的相关说明中，将“吸收体层除去部位”的说法改为“在图案形成时除去吸收体层的部位”，将“吸收体层非除去部位”的说法改为“与除去该吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去吸收体层的部位”，藉此即变成针对本发明的EUV掩模基板的说明。下述的针对本发明的EUV掩模基板的说明中，也与上述同样地改变说法。
本发明的EUV掩模基板中，作为在与第一形态～第三形态相对应的衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位形成薄膜的方法，可例举用所需形状的掩模仅在与第一形态～第三形态相对应的衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位形成薄膜的方法，以及在衬底2的形成反射层的一侧的表面上、即在衬底2的整个成膜面上形成薄膜后、对该薄膜的一部分进行蚀刻而将其除去、藉此仅在与第一形态～第三形态相对应的衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位形成薄膜的方法。
形成于衬底2上的薄膜的材料只要能在薄膜形成后将该薄膜加工成所需的形状即可，无特别限定。但是，在衬底2的整个成膜面上形成薄膜后、对该薄膜的一部分进行蚀刻而将其除去、藉此仅在与第一形态～第三形态相对应的衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位形成薄膜的情况下，需要在薄膜和衬底2的材料之间获得足够的蚀刻选择比。
从上述角度来看，作为薄膜材料，优选CrN、Si、SiO2、Ta、Mo。
因为加工性好的原因，其中更优选CrN、Si、SiO2，特优选CrN、Si。
用这些材料在衬底2上形成薄膜的方法无特别限定，可采用例如磁控溅射法、离子束溅射法之类的溅射法，CVD法，真空蒸镀法，电镀法等公知的成膜方法来形成。从能以均匀的膜厚在大面积的衬底上成膜的角度来看，其中优选磁控溅射法、离子束溅射法。
在衬底2上以薄膜的形式形成CrN膜的情况下，例如在下述条件下实施磁控溅射法即可。
靶材：Cr靶材
溅射气体：Ar和N2的混合气体(N2气体浓度3～45体积％、较好为5～40体积％、更好为10～35体积％，气压1.0×10-1Pa～50×10-1Pa、较好为1.0×10-1Pa～40×10-1Pa、更好为1.0×10-1Pa～30×10-1Pa)
投入功率：30～1000W、较好为50～750W、更好为80～500W
成膜速度：2.0～60nm/分钟、较好为3.5～45nm/分钟、更好为5～30nm/分钟
因为形成于衬底2上的薄膜的厚度是设置于掩模图案边界部的台阶的高度，所以薄膜的厚度较好为2～10nm，更好为2～7nm，进一步更好为3～5nm。如果过于厚，则阴影部分(Shadowing)增大，其结果是，可能无法充分地改善对比度。
形成于衬底2上的薄膜的表面形状较好是满足后述的衬底2的成膜面所要求的表面形状。
上述形态中，通过在与第一形态～第三形态相对应的衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位形成薄膜，从而在掩模图案的边界部形成了台阶，但在掩模图案的边界部形成台阶的方法不限定于此。例如，可以对衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位进行磨削来形成凹部，或者对该部位进行蚀刻来形成凹部，藉此在掩模图案的边界部形成台阶。此时，在上述说明中，将记载为“在衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位形成薄膜”的内容改为“对衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位进行磨削来形成凹部”或“对衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位进行蚀刻来形成凹部”。
对衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位进行局部磨削来形成凹部的情况下，可采用例如nm 450(RAVE LLC公司制)等公知的装置来实施。
对衬底2上的相当于吸收体层非除去部位的部位进行蚀刻来形成凹部的情况下，作为蚀刻法，可采用湿刻法或干刻法中的任一种，因为能实现高精度的加工及加工面的表面形状良好，所以优选使用干刻法。
作为干刻法，可采用离子束蚀刻、气体团簇离子束蚀刻、等离子体蚀刻等各种干刻法。
因为形成于衬底2上的凹部的深度是设置于掩模图案边界部的台阶的高度，所以凹部的深度较好为2～10nm，更好为2～7nm，进一步更好为3～5nm。如果深度过大，则阴影部分(Shadowing)增大，其结果是，可能无法充分地改善对比度。
凹部的表面形状较好是满足后述的衬底2的成膜面所要求的表面形状。
下面，对本发明的EUV掩模基板的各构成要素进行说明。
衬底2要求满足作为EUV掩模基板用的衬底的特性。
因此，衬底2优选具有低热膨胀系数(具体而言，20℃下的热膨胀系数较好为0±0.05×10-7/℃，特好为0±0.03×10-7/℃)且平滑性、平坦度、对EUV掩模基板或图案形成后的EUV掩模的洗涤等中所用的洗涤液的耐受性良好的衬底。作为衬底2，具体可使用例如SiO2-TiO2类玻璃等具有低热膨胀系数的玻璃，但不限定于此，也可使用使β石英固溶体析出的结晶化玻璃、石英玻璃、硅、金属等衬底。
因为图案形成后的EUV掩模可获得高反射率和转印精度，所以衬底2最好具有表面粗糙度(rms)为0.15nm以下的平滑的表面和100nm以下的平坦度。
衬底2的尺寸和厚度等可根据EUV掩模的设计值等适当决定，若要例举一例，则外形为6英寸(152mm)见方，厚度为0.25英寸(6.3mm)。
衬底2的成膜面较好是不存在缺陷。但是，即使是存在缺陷的情况下，为了不会因凹状缺陷和/或凸状缺陷而产生相位缺陷，较好的是凹状缺陷的深度和凸状缺陷的高度在2nm以下，且这些凹状缺陷和凸状缺陷的半高宽在60nm以下。
反射层3只要具有作为EUV掩模基板的反射层所需要的特性即可，无特别限定。这里，反射层3所特别要求的特性是高EUV光线反射率。具体而言，以入射角6度对反射层3表面照射EUV光的波长区域的光线时，波长13.5nm附近的光线反射率的最大值较好为60％以上，更好为65％以上。此外，即使在反射层3上设置有保护层或低反射层的情况下，波长13.5nm附近的光线反射率的最大值也较好为60％以上，更好为65％以上。
因为反射层3可实现高EUV光线反射率，所以通常使用使高折射率层和低折射率层交替层叠多次而得的多层反射膜作为反射层3。形成反射层3的多层反射膜中，在高折射率层中大量使用Mo，在低折射率层中大量使用Si。即，Mn/Si多层反射膜是最常规的。但是，多层反射膜不限定于此，也可使用Ru/Si多层反射膜、Mo/Be多层反射膜、Mo化合物/Si化合物多层反射膜、Si/Mo/Ru多层反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多层反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多层反射膜。
构成形成反射层3的多层反射膜的各层的膜厚和层的重复单元的数量可根据所用的膜材料和反射层所要求的EUV光线反射率来适当选择。以Mo/Si反射膜为例，要制成EUV光线反射率的最大值在60％以上的反射层3，只要将膜厚2.3±0.1nm的Mo层和膜厚4.5±0.1nm的Si层以30～60的重复单元数层叠而制成多层反射膜即可。
构成形成反射层3的多层反射膜的各层可采用磁控溅射法、离子束溅射法等周知的成膜方法形成为所要的厚度。例如，采用离子束溅射法形成Si/Mo多层反射膜时，较好是使用Si靶材作为靶材，使用Ar气(气压1.3×10-2Pa～2.7×10-2Pa)作为溅射气体，在离子加速电压300～1500V、成膜速度0.03～0.30nm/秒的条件下，按照厚度达到4.5nm的条件形成Si膜，接着使用Mo靶材作为靶材，使用Ar气(气压1.3×10-2Pa～2.7×10-2Pa)作为溅射气体，在离子加速电压300～1500V、成膜速度0.03～0.30nm/秒的条件下，按照厚度达到2.3nm的条件形成Mo膜。将上述步骤作为1个周期，进行40～50个周期的Si膜和Mo膜的层叠，藉此形成Si/Mo多层反射膜。
为防止反射层3表面被氧化，较好的是形成反射层3的多层反射膜的最上层是难以被氧化的材料的层。难以被氧化的材料的层起到反射层3的盖层(cap layer)的作用。作为起到盖层的作用的难以被氧化的材料的层的具体示例，可例举Si层。形成反射层3的多层反射膜是Si/Mo膜的情况下，通过以Si层作为最上层，可使该最上层起到盖层的作用。此时，盖层的膜厚较好为11±2nm。
反射层3和吸收体层4之间可以设置保护层。保护层是为了如下目的而设置的层：在通过蚀刻工序、通常为干刻工序对吸收层4实施图案形成时，保护层保护反射层3，使反射层3不受到蚀刻工序所导致的损伤。因此，作为保护层的材质，可选择满足如下条件的物质：不易受到吸收体层4的蚀刻工序的影响，即蚀刻速度比吸收体层4慢，而且不易受到该蚀刻工序所导致的损伤。作为满足该条件的物质，可例举例如Cr、Al、Ta及它们的氮化物，Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)，以及SiO2、Si3N4、Al2O3和它们的混合物。其中优选Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)、CrN及SiO2，特优选Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)。
设置保护层时，其厚度较好为1～60nm。
设置保护层时，可采用磁控溅射法、离子束溅射法等周知的成膜方法成膜。通过磁控溅射法形成Ru膜的情况下，较好的是使用Ru靶材作为靶材，使用Ar气(气压1.0×10-2Pa～10×10-1Pa)作为溅射气体，在投入电力30～1500V、成膜速度0.02～1.0nm/秒的条件下，按照厚度达到2～5nm的条件进行成膜。
从与反射层3的关系(在该反射层3上形成有保护层时是与该保护层的关系)来看，吸收体层4所特别要求的特性是反射光的对比度足够高。
本说明书中，反射光的对比度可用下式求出。
反射光的对比度(％)＝((R2-R1)/(R2+R1))×100
这里，R2是反射层3表面(在该反射层3上形成有保护层时是保护层表面)对EUV光的波长的反射率，R1是吸收体层4表面(在该吸收体层4上形成有对检查光的波长呈低反射率的低反射层时是该低反射层表面)对EUV光的波长的反射率。上述R1和R2在像图1(a)所示的EUV掩模1那样通过图案形成除去了吸收体层的一部分的状态下测定。在吸收体层上形成有低反射层的情况下，在通过图案形成除去了EUV掩模基板的吸收体层和低反射层的一部分的状态下测定。上述R2是在通过图案形成除去了吸收体层4(在吸收体层4上形成有低反射层时是吸收体层4和低反射层)而露出至外部的反射层3表面(在反射层3上形成有保护层时是保护层表面)测得的值，即，从图1(a)所示的EUV掩模1的角度来看，是在图中右侧的吸收体层除去部位测得的值。上述R1是在通过图案形成未被除去而残留的吸收体层4表面(在吸收体层4上形成有低反射层时是低反射层表面)测得的值，即，从图1(a)所示的EUV掩模1的角度来看，是在图中左侧的吸收体层非除去部位测得的值。
本发明的EUV掩模基板和EUV掩模的以上式表示的反射光的对比度更好为60％以上，进一步更好为65％以上，特好为70％以上。
为达到上述反射光的对比度，较好是吸收体层4的EUV光线反射率极低。具体而言，对吸收体层4表面照射EUV光的波长区域的光线时，波长13.5nm附近的最大光线反射率较好为0.5％以下，更好为0.1％以下。
在吸收体层上形成有低反射层的情况下，对低反射层表面照射EUV光的波长区域的光线时，波长13.5nm附近的最大光线反射率较好为0.5％以下，更好为0.1％以下。
为实现上述特性，吸收体层4较好的是由EUV光的吸收系数高的材料构成。作为EUV光的吸收系数高的材料，优选使用以钽(Ta)为主要成分的材料。本说明书中，提及以钽(Ta)为主要成分的材料时，是指该材料中的Ta含量为40原子％以上、较好为50原子％以上、更好为55原子％以上的材料。
吸收体层4中所用的以Ta为主要成分的材料除包含Ta以外，可以包含选自铪(Hf)、硅(Si)、锆(Zr)、锗(Ge)、硼(B)和氮(N)的至少一种元素。作为包含Ta以外的上述元素的材料的具体示例，可例举例如TaN、TaHf、TaHfN、TaBSi、TaBSiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN等。
但是，吸收体层4中较好是不含氧(O)。具体而言，吸收体层4中的O含有率较好是低于25原子％。对吸收体层4实施图案形成时，通常采用干刻工序，作为蚀刻气体，通常使用氯系气体(或包含氯系气体的混合气体)或氟系气体(或包含氟系气体的混合气体)。为了防止反射层因蚀刻工序而受到损伤而在反射层上形成了作为保护层的含Ru或Ru化合物的膜的情况下，保护层的损伤少，因此主要使用氯系气体作为蚀刻气体。但是，用氯系气体来实施干刻工序的情况下，如果吸收体层4包含氧，则蚀刻速度降低，抗蚀层损伤增大，不理想。吸收体层4中的氧的含有率较好为15原子％以下，更好为10原子％以下，进一步更好为5原子％以下。
吸收体层4的厚度较好为20～100nm，更好为25～90nm，进一步更好为30～80nm。
上述构成的吸收体层4可通过实施例如磁控溅射法或离子束溅射法等公知的成膜方法来形成。
例如，作为吸收体层4，用磁控溅射法形成TaHf时，在下述条件下实施即可。
溅射靶材：TaHf化合物靶材(Ta＝30～70原子％，Hf＝70～30原子％)
溅射气体：Ar气等惰性气体(气压1.0×10-1Pa～50×10-1Pa、较好为1.0×10-1Pa～40×10-1Pa、更好为1.0×10-1Pa～30×10-1Pa)
成膜前真空度：1×10-4Pa以下、较好为1×10-5Pa以下、更好为10-6Pa以下
投入功率：30～1000W、较好为50～750W、更好为80～500W
成膜速度：2.0～60nm/分钟、较好为3.5～45nm/分钟、更好为5～30nm/分钟
吸收体层4上可形成对检查光呈低反射率的低反射层。形成低反射层的情况下，该低反射层由对掩模图案的检查中所用的检查光呈低反射的膜构成。制作EUV掩模时，在吸收体层上形成图案后，检查该图案是否形成为与设计一致。该掩模图案的检查中，使用作为检查光通常采用257nm左右的光的检查机。即，根据该257nm左右的波长区域的反射光的对比度进行检查。EUV掩模基板的吸收体层4的EUV光线反射率极低，作为EUV掩模基板1的吸收体层具有良好的特性，但从检查光的波长的角度来看，光线反射率未必足够低。其结果是，可能无法获得足够的检查时的对比度。如果无法获得足够的检查时的对比度，则在掩模检查中不足以判别图案的缺陷，无法进行准确的缺陷检查。
通过在吸收体层4上形成对检查光呈低反射的低反射层，检查时的对比度良好，换言之，对检查光的波长的光线反射率极低。具体而言，对低反射层表面照射检查光的波长区域的光线时，该检查光的波长的最大光线反射率较好为15％以下，更好为10％以下，进一步更好为5％以下。
如果低反射层对检查光的波长的光线反射率在15％以下，则该检查时的对比度良好。具体而言，通过上式求得的检查光的波长区域的反射光的对比度在30％以上。
在吸收体层4上形成对检查光呈低反射的低反射层的情况下，吸收体层4和低反射层的总厚度较好为20～100nm，更好为25～90nm，进一步更好为30～80nm。
本发明的EUV掩模基板1中，之所以较好是在吸收体层4上形成低反射层，是因为图案的检查光的波长和EUV光的波长不同。
因此，可认为使用EUV光(13.5nm附近)作为图案的检查光的情况下，无需在吸收体层4上形成低反射层。检查光的波长存在随着图案尺寸的减小而向短波长侧移动的趋势，认为将来会移动至193nm，再进一步移动至13.5nm。检查光的波长为13.5nm的情况下，认为无需在吸收体层4上形成低反射层。
本发明的EUV掩模基板1除了具有反射层3和吸收体层4以及任意形成的保护层和低反射层以外，可以具有在EUV掩模基板领域内公知的功能膜。作为该功能膜的具体示例，可例举例如像日本专利特表2003-501823号公报中记载的功能膜那样为了促进衬底的静电夹持而施加在衬底的背面侧的高介电性涂层。这里，从图1所示的EUV掩模1的角度来看，衬底的背面是指衬底2的形成有反射层3的一侧的相反侧的面。为此，选择施加在衬底背面的高介电性涂层的构成材料的电导率和厚度，使薄膜电阻在按照JIS k7194测定时达到100Ω以下。作为高介电性涂层的构成材料，可从公知的文献中记载的材料中广泛地选择。例如可采用日本专利特表2003-501823号公报中记载的高介电常数涂层，具体而言，可采用由硅、TiN、钼、铬或TaS i形成的涂层。高介电性涂层的厚度例如可以是10～1000nm。
高介电性涂层可采用例如磁控溅射法、离子束溅射法之类的溅射法，CVD法，真空蒸镀法，电镀法等公知的成膜方法来形成。
本发明中，在制作EUV掩模基板时，通过在衬底上形成薄膜来设置台阶，或通过在衬底上形成凹部来设置台阶，但必须与通过对该EUV掩模基板实施图案形成而形成的掩模图案边界部一致。因此，对制成的EUV掩模基板实施图案形成时，必须将该EUV掩模基板准确地定位。因此，本发明的EUV掩模基板较好是在曝光区域外设置有定位用的记号。
对EUV掩模基板用的衬底来说，并不是该衬底的整个成膜面都被用于形成掩模图案。例如，为152mm见方的衬底时，形成抗蚀剂膜的区域是其中的142mm见方的区域，形成掩模图案的曝光区域是其中的132×104mm的区域。通过在EUV掩模基板上的曝光区域外设置定位用的记号，对该EUV掩模实施图案形成时的位置精度提高，容易使通过在衬底上形成薄膜而设置的台阶或通过在衬底上形成凹部而设置的台阶与通过对该EUV掩模基板实施图案形成而形成的掩模图案边界部一致。
本发明的EUV掩模基板中，设置于曝光区域外的定位用的记号的形状、尺寸、数量等无特别限定，例如，关于形状，因为容易确定记号的指向，所以较好是十字形。关于尺寸，为十字形时，其一边的长度较好是1000μm左右。关于数量，因为可根据记号间的相对位置进行定位，所以较好是3处。
对于本发明的EUV掩模基板来说，需要定位用的记号的是对该EUV掩模基板实施图案形成的时候，且构成EUV掩模基板的各层(反射层、保护层、吸收体层和低反射层)通常形成于衬底的整个成膜面，因此对于形成于曝光区域外的定位用的记号，在形成反射层时，通过在衬底上形成薄膜而设置的台阶或通过在衬底上形成凹部而设置的台阶必须与通过对该EUV掩模基板实施图案形成而形成的掩模图案边界部一致。因此，对制成的EUV掩模基板实施图案形成时，必须将该EUV掩模基板准确地定位。因此，本发明的EUV掩模基板较好是在曝光区域外设置有定位用的记号。
通过对本发明的掩模基板的吸收体层至少实施图案形成，可制成掩模。吸收体层的图案形成方法无特别限定，例如可采用如下方法：在吸收体层上涂布抗蚀剂而形成抗蚀剂图案，将其作为掩模对吸收体层进行蚀刻。抗蚀剂的材料和抗蚀剂图案的绘制方法只要考虑吸收体层的材质等来适当选择即可。吸收体层的蚀刻方法也无特别限定，可采用反应性离子蚀刻等干刻或蚀刻。对吸收体层实施图案形成后，用剥离液将抗蚀层剥离，藉此得到EUV掩模。
对使用本发明的EUV掩模的半导体集成电路的制造方法进行说明。本发明可用于基于使用EUV光作为曝光用光源的光刻法的半导体集成电路的制造方法。具体而言，将涂布有抗蚀剂的硅晶片等衬底配置在平台上，将上述EUV掩模设置于与反射镜组合而构成的反射型曝光装置。然后，使EUV光从光源通过反射镜照射至EUV掩模，利用EUV掩模使EUV光反射，从而照射至涂布有抗蚀剂的衬底。通过该图案转印工序，电路图案被转印至衬底上。对于转印有电路图案的衬底，通过显影对感光部分或非感光部分进行蚀刻后剥离抗蚀层。通过反复实施上述工序而制成半导体集成电路。
实施例
下面利用实施例对本发明进行进一步的说明。
(例1)
例1中，设想按照相对于EUV掩模的入射角为6°的条件对图1(a)所示的结构的EUV掩模照射EUV光的情形来实施模拟，求出图1(b)所示的表示EUV掩模的各部位的反射光强度的图。结果示于图3。图3所示的结果是通过在下述条件下实施模拟而得的结果。
反射层3和吸收体层4：反射光的对比度为1000∶1的假想反射层和假想吸收体层。
吸收体层的厚度：70nm
台阶的高度：7nm
台阶的端部和掩模图案边界部的距离：0nm
散射光强度：因反射层中存在的变形部而散射的散射光强度在各方位上的总和。假定采用标准差为从台阶的端部到吸收体层的阴影的端部为止的距离的约1/5的任意正态分布函数。
反射光强度I：无散射时的反射光强度。假定通过吸收体层的光按照朗伯-比尔定律衰减。
反射光强度S：加上了散射的影响的反射光强度。假定通过吸收体层的光因为由台阶引起的散射而衰减。
反射光强度I、S表示的是将EUV光在反射层表面正常反射时的反射光强度设为1时的相对强度。
由图3可以确认，在掩模图案边界部设置台阶后，在仅通过吸收体层的一部分的EUV光产生反射光的过程中，该反射光因反射层中存在的变形部而散射，藉此，掩模图案边界部的反射光的对比度的下降得到抑制。
(例2)
例2中，在将台阶的高度设为4nm、使图1(a)中的台阶5的端部的位置偏向图中右侧以使台阶的端部和掩模图案边界部的距离达到4nm的条件下，实施与例1同样的模拟。图4是表示通过模拟而得的EUV掩模的各部位的反射光强度的图。
由图4可以确认，在掩模图案边界部设置台阶后，在仅通过吸收体层的一部分的EUV光产生反射光的过程中，该反射光因反射层中存在的变形部而散射，藉此，掩模图案边界部的反射光的对比度提高。由图3和图4的比较可知，与例1相比，例2的抑制反射光的对比度的效果更好。
(例3)
例3中，在将反射光的对比度为100∶1的假想反射层和假想吸收体层作为反射层3和吸收体层4、将台阶的高度设为7nm、使图1(a)中的台阶5的端部的位置偏向图中右侧以使台阶的端部和掩模图案边界部的距离达到1nm的条件下，实施与例1同样的模拟。图5是表示通过模拟而得的EUV掩模的各部位的反射光强度的图。
由图5可以确认，在掩模图案边界部设置台阶后，在仅通过吸收体层的一部分的EUV光产生反射光的过程中，该反射光因反射层中存在的变形部而散射，藉此，掩模图案边界部的反射光的对比度提高。
(例4)
例4中，在将反射光的对比度为100∶1的假想反射层和假想吸收体层作为反射层3和吸收体层4、将台阶的高度设为15nm、台阶的端部和掩模图案边界部的距离为0nm的条件下，实施与例1同样的模拟。图6是表示通过模拟而得的EUV掩模的各部位的反射光强度的图。
由图6可以确认，在掩模图案边界部设置台阶后，在仅通过吸收体层的一部分的EUV光产生反射光的过程中，该反射光因反射层中存在的变形部而散射，藉此，掩模图案边界部的反射光的对比度提高。
但是，在反射光的上升方面，台阶的高度在10nm以下的例1～3优于例4。如果台阶过大，则阴影部分(Shadowing)增大，其结果是，可能无法充分地改善对比度。
产业上利用的可能性
本发明可作为EUV掩模用于高精细的半导体制造等。
另外，在这里引用2008年4月23日提出申请的日本专利申请2008-112763号的说明书、权利要求书、附图和摘要的所有内容作为本发明说明书的揭示。

Claims (13)

1.一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，
在所述衬底上的至少一部分，在图案形成时除去所述吸收体层的部位和与除去所述吸收体层的部位邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。
2.如权利要求1所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述台阶的端部与除去吸收体层的部位和不除去所述吸收体层的部位的边界部相比，位于更靠除去所述吸收体层的部位的方向的位置。
3.一种EUV光刻用反射型掩模基板，其衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，
在所述衬底上，在图案形成时除去所述吸收体层的部位中的成为掩模图案的外缘的部位和与所述成为掩模图案的外缘的部位的外侧邻接的在图案形成时不除去所述吸收体层的部位之间设置有台阶。
4.如权利要求3所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述台阶的端部与所述成为掩模图案的外缘的部位和不除去所述吸收体层的部位的边界部相比，位于更靠所述成为掩模图案的外缘的部位的方向的位置。
5.如权利要求2～4中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，将EUV光相对于EUV掩模的入射角设为α，α的单位为°，将吸收体层的膜厚设为t，在吸收体层上形成有低反射层时将吸收体层和低反射层的总膜厚设为t，t的单位为nm，将台阶的高度设为h，h的单位为nm时，所述台阶的端部和掩模图案的边界部的距离L满足下式(1)：
L＝(t+h)×tanα-h(1)。
6.如权利要求1或3所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述台阶的高度为2～10nm。
7.如权利要求1或3所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，通过在所述衬底的表面的一部分形成薄膜来形成所述台阶。
8.如权利要求1或3所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，通过将所述衬底的表面的一部分除去来形成所述台阶。
9.如权利要求1或3所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述吸收体层上形成有对掩模图案的检查中所用的检查光呈低反射率的低反射层。
10.如权利要求1或3所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述反射层和所述吸收体层之间形成有保护层，该保护层用于在图案形成时保护所述反射层。
11.如权利要求1或3所述的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，在图案形成时的曝光区域外形成有定位用的记号。
12.一种EUV光刻用反射型掩模，其特征在于，对权利要求1～11中的任一项所述的EUV光刻用反射型掩模基板实施图案形成而得。
13.一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，通过使用权利要求12所述的EUV光刻用反射型掩模对被曝光体进行曝光来制造半导体集成电路。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5970901B2 (ja) * 2012-03-26 2016-08-17 凸版印刷株式会社 反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法
US8765331B2 (en) 2012-08-17 2014-07-01 International Business Machines Corporation Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography
JP2014127630A (ja) 2012-12-27 2014-07-07 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP2014160752A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板
IL239577B (en) 2015-06-22 2020-10-29 Zeiss Carl Smt Gmbh Correction of variation in critical dimension in extreme ultraviolet lithography
JP6586934B2 (ja) * 2015-09-17 2019-10-09 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2017075997A (ja) * 2015-10-13 2017-04-20 旭硝子株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
KR20210088582A (ko) * 2018-11-15 2021-07-14 도판 인사츠 가부시키가이샤 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크
KR20210120512A (ko) 2020-03-27 2021-10-07 삼성전자주식회사 극자외선 노광 장치의 노광 마스크

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101399A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sony Corp 露光用マスクおよびマスク製造方法
JP2007273656A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Hoya Corp 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
CN101073142A (zh) * 2004-12-10 2007-11-14 凸版印刷株式会社 反射型光掩模坯料、反射型光掩模及使用它的半导体装置的制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120125A (ja) * 1991-11-12 1994-04-28 Hitachi Ltd 光学素子およびそれを用いた投影露光装置
US5485497A (en) * 1991-11-12 1996-01-16 Hitachi, Ltd. Optical element and projection exposure apparatus employing the same
JP3806702B2 (ja) 2002-04-11 2006-08-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
EP2189842B1 (en) * 2002-04-11 2017-08-23 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask
JP3683261B2 (ja) * 2003-03-03 2005-08-17 Ｈｏｙａ株式会社 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
US7094507B2 (en) * 2004-10-29 2006-08-22 Infineon Technologies Ag Method for determining an optimal absorber stack geometry of a lithographic reflection mask
JP4622504B2 (ja) * 2004-12-21 2011-02-02 凸版印刷株式会社 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101399A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sony Corp 露光用マスクおよびマスク製造方法
CN101073142A (zh) * 2004-12-10 2007-11-14 凸版印刷株式会社 反射型光掩模坯料、反射型光掩模及使用它的半导体装置的制造方法
JP2007273656A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Hoya Corp 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法

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Publication number Publication date
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