KR20220121400A - 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 - Google Patents

극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 Download PDF

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KR20220121400A
KR20220121400A KR1020210025385A KR20210025385A KR20220121400A KR 20220121400 A KR20220121400 A KR 20220121400A KR 1020210025385 A KR1020210025385 A KR 1020210025385A KR 20210025385 A KR20210025385 A KR 20210025385A KR 20220121400 A KR20220121400 A KR 20220121400A
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박민광
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Abstract

EUV 리소그래피용 블랭크마스크는, 기판, 반사막, 캡핑막, 식각저지막, 및 위상반전막을 구비하며, 식각저지막은 몰리브데늄(Mo), 실리콘(Si), 및 질소(N)를 포함하는 물질로 형성된다. 식각저지막이 몰리브데늄(Mo)을 포함한 실리콘 화합물로 형성되므로, E-beam Repair 시 Repair 속도를 향상시킬 수 있다.

Description

극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 {Phase Shift Blankmask and Photomask for EUV lithography}
본 발명은 블랭크마스크(Phase shift Blankmask) 및 포토마스크(Photomask)에 관한 것으로서, Wafer Printing 시 우수한 해상도(Resolution) 구현을 위하여 EUV 노광광에 대해 위상을 반전시키는 위상반전막을 구비한 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크에 관한 것이다.
최근 반도체 제조를 위한 리소그래피 기술은 ArF, ArFi MP(Multiple) Lithography 에서 EUV Lithography 기술로의 발전이 이루어지고 있다. EUV Lithography 기술은 13.5nm 의 노광파장을 사용함으로써 해상도(Resolution) 향상 및 공정 단순화가 가능하여, 10nm 급 이하 반도체 소자 제조용으로 각광받고 있는 기술이다.
한편, EUV Lithography 기술에 있어서, EUV 광은 모든 물질에 대해 잘 흡수되고, 또한 이 파장에서 물질의 굴절률이 1에 가깝기 때문에, 기존의 KrF 또는 ArF 광을 사용한 포토 리소그래피와 같은 굴절 광학계를 사용할 수 없다. 이 때문에, EUV 리소그래피에서는 반사 광학계를 이용한 반사형 포토마스크가 사용된다.
블랭크마스크는 상기 포토마스크의 원재료로서, 반사형 구조를 형성하기 위하여, 기판 상에 EUV 광을 반사하는 반사막, EUV 광을 흡수하는 흡수막의 2가지 박막을 포함하여 이루어진다. 포토마스크는 이러한 블랭크마스크의 흡수막을 패터닝함으로써 제작되며, 반사막의 반사율과 흡수막의 반사율의 명암비(Contrast) 차이를 이용하여 Wafer 에 패턴을 형성하는 원리를 이용한다.
한편, 최근에는 10nm 급 이하, 즉 7nm 급 또는 5nm급 소자 나아가 3nm급 이하의 반도체 소자 제조를 위한 블랭크마스크 개발이 요구되고 있다. 그런데 5nm 급 이하, 예컨대 3nm 급의 공정에서는 현재의 바이너리 형태의 포토마스크를 이용할 경우 더블 패터닝 리소그래피(DPL : Double Pattering Lithography) 기술이 적용되어야만 하는 문제점을 가진다. 이에 따라, 상기와 같은 흡수막을 구비한 바이너리 형태의 블랭크마스크에 비하여 더욱 높은 해상도(Resolution)를 구현할 수 있는 위상반전 블랭크마스크의 개발이 시도되고 있다.
도 1 은 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크의 기본 구조를 도시한 도면이다. 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크는, 기판(102), 기판(102)상에 적층된 반사막(104), 반사막(104)상에 형성된 캡핑막(105), 캡핑막(105)상에 형성된 식각저지막(107), 식각저지막상에 적층된 위상반전막(108), 위상반전막(108)상에 형성된 하드마스크막(109), 및 하드마스크막상에 형성된 레지스트막(110)을 포함하여 구성된다.
이러한 블랭크마스크를 이용하여 포토마스크 제작 시, 먼저 레지스트막(110)을 노광시켜 패터닝한 후 패터닝된 레지스트막(110)을 식각 마스크로 사용하여 하드마스크막(109)을 패터닝한다. 이후, 레지스트막(110)을 제거하고 하드마스크막(109) 패턴을 이용하여 위상반전막(108)을 식각함으로써 패터닝한다. 그리고 나서, 하드마스크막(109) 패턴과 위상반전막(108) 패턴을 이용하여 식각저지막(107)을 패터닝함으로써 최종적으로 위상반전막(108) 패턴을 구비한 포토마스크를 완성한다.
식각저지막(107)은 위상반전막(108)을 패터닝하기 위해 식각하는 과정에서 위상반전막(108)의 식각 물질에 의해 그 하부의 캡핑막(105)에 손상이 발생하는 것을 방지하는 기능을 한다. 이를 위하여, 식각저지막(107)은 위상반전막(108)의 식각 물질에 대해 일정 수준 이상의 식각선택비를 갖는 물질로 형성된다.
종래의 식각저지막(107)은 주로 SiN 으로 형성되었다. 그러나 SiN 재질의 식각저지막(107)은 우수한 광학 특성을 가지지만 전자빔(E-beam)에 의한 리페어(repair) 공정이 어렵다는 문제가 있다. 즉, 식각저지막(107)이 위상반전막(104)의 반사율 및 위상반전량 특성에 주는 영향을 최소화하기 위하여 식각저지막(107)은 매우 얇은 두께로 성막되어야 하며, 따라서 성막된 식각저지막(107)은 예컨대 의도하지 않는 홀이 형성되는 등의 흠결이 발생할 수 있다. 따라서 식각저지막(107) 성막 후에는 리페어 공정을 수행할 필요가 있으며, 이를 위하여 통상적으로 E-beam repair 공정이 수행된다. 그런데 SiN 재질의 식각저지막(107)은 E-beam Repair 에 의해 효과적으로 repair 되지 않는다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, EUV 용 위상반전 블랭크마스크에서 식각저지막 성막 후의 repair 공정에서 식각저지막의 repair 가 효과적으로 이루어질 수 있도록 하는 방안을 제시하는 것이다.
본 발명에 따른 EUV 리소그래피용 블랭크마스크는, 기판, 상기 기판 상에 형성된 반사막, 상기 반사막 상에 형성된 캡핑막, 상기 캡핑막 상에 형성된 식각저지막, 및 상기 식각저지막 상에 형성된 위상반전막을 포함하며, 상기 식각저지막은 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 식각저지막은 실리콘(Si)을 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
상기 식각저지막은 질소(N)를 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
상기 식각저지막은 Mo : Si : N = 5~15at% : 55~65at% : 20~35at% 의 조성비를 갖는 것이 바람직하다.
상기 식각저지막은 Mo : Si = 5~30at% : 70~95at% 의 스퍼터링 타겟을 이용하여 제작될 수 있다.
상기 식각저지막은 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 및 보론(B) 중 하나 이상을 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
상기 식각저지막은 탄소(C), 수소(H), 질소(N), 및 산소(O) 중 하나 이상을 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
상기 식각저지막은 산소(O)를 포함하지 않거나 20at% 이하의 산소(O)를 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
상기 식각저지막은 1~20nm 의 두께를 갖는다.
본 발명의 블랭크마스크는 상기 위상반전막의 상부에 형성되는 하드마스크막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기와 같은 구성을 갖는 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크가 제공된다.
본 발명에 따르면, 식각저지막이 몰리브데늄(Mo)을 포함한 실리콘 화합물로 형성되므로 E-beam Repair 시 Repair 속도를 향상시킬 수 있다. 이를 통해 패턴의 Line Edge Roughness 및 Repair 속도 증가에 따른 생산성 향상을 얻을 수 있다.
도 1 은 종래의 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크를 도시한 도면.
도 2 는 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크를 도시한 도면.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 기술한다.
도 2 는 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크를 도시한 도면이다.
본 발명에 따른 극자외선 리소그패리용 위상반전 블랭크마스크는, 기판(202), 기판(202)상에 적층된 반사막(204), 반사막(204) 위에 적층된 캡핑막(205), 캡핑막(205) 위에 적층된 식각저지막(207), 식각저지막(207) 위에 적층된 위상반전막(208), 위상반전막(208) 위에 적층된 하드마스크막(209), 및 하드마스크막 위에 적층된 레지스트막(210)을 구비한다. 또한, 위상반전막(208)과 레지스트막(210) 사이에는 흡수막(도시되지 않음)이 추가로 구비될 수 있다.
기판(202)은 EUV 노광광을 이용하는 반사형 블랭크마스크용 글래스 기판으로서 적합하도록 노광 시의 열에 의한 패턴의 변형 및 스트레스를 방지하기 위해 0±1.0×10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 가지며, 바람직하게는 0±0.3×10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 갖는 LTEM(Low Thermal Expansion Material) 기판으로 구성된다. 기판(202)의 소재로서는 SiO2-TiO2 계 유리, 다성분계 유리 세라믹 등을 이용할 수 있다.
기판(202)은 노광 시 반사광의 패턴 위치 에러(Pattern Position Error)를 제어하기 위하여 낮은 수치의 평탄도(Flatness)가 요구된다. 평탄도는 TIR(Total Indicated Reading) 값으로 표현되고, 기판(202)은 낮은 TIR 값을 갖는 것이 바람직하다. 기판(202)의 평탄도는 132mm2 영역 또는 142mm2 영역에서 100㎚ 이하, 바람직하게는 50㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 30nm 이하이다.
반사막(204)은 EUV 노광광을 반사하는 기능을 가지며, 각 층의 굴절률이 상이한 다층막 구조를 갖는다. 구체적으로는, 반사막(204)은 Mo 재질의 층과 Si 재질의 층을 교대로 40~60 층 적층하여 형성한다. 반사막(204)의 최상부층은 반사막(204)의 산화를 방지하기 위하여 Si 재질의 보호막으로 구성되는 것이 바람직하다.
반사막(204)은 이미지 감도(Image Contrast)를 좋게 하기 위하여 13.5㎚ 파장에 대한 높은 반사율이 요구되는데, 이러한 다층 반사막의 반사 강도(Reflection Intensity)는 노광광의 입사 각도 및 각 층의 두께에 따라 달라지게 된다. 예를 들어, 노광광의 입사 각도가 5~6˚일 경우, Mo 층 및 Si 층이 각각 2.8㎚, 4.2㎚의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
반사막(204)은 13.5㎚ 의 EUV 노광광에 대하여 60% 이상, 바람직하게는 64% 이상의 반사율을 갖는다.
반사막(204)의 표면 평탄도를 TIR(Total Indicated Reading)로 정의할 때 TIR 은 1,000㎚ 이하, 바람직하게는 500㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 300㎚ 이하의 값을 갖는다. 반사막(204)의 표면 TIR 이 높은 경우 EUV 노광광이 반사되는 위치의 에러를 유발하며, 위치 에러가 클수록 패턴 위치 에러(Pattern Position Error)가 커진다.
반사막(204)은 EUV 노광광에 대한 난반사를 억제하기 위하여 0.5㎚Rms 이하, 바람직하게는 0.3㎚Rms 이하, 더욱 바람직하게는 0.1㎚Rms 이하의 표면 거칠기(Surface Roughness) 값을 갖는다.
캡핑막(205)은 반사막(204) 상에 형성되며, 반사막(204)의 산화막 형성을 방지하여 반사막(204)의 EUV 노광광에 대한 반사율을 유지하고, 위상반전막(208) 패터닝 진행 시 반사막(204)이 식각되는 것을 막아주는 역할을 한다. 바람직한 예로서, 캡핑막(205)은 루테늄(Ru)을 포함하는 재질로 형성된다. 캡핑막(205)은 2~5nm 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 캡핑막(205)의 두께가 2nm 이하일 경우 캡핑막(205)으로서의 기능을 발휘하기 어려우며, 5nm 이상일 경우 EUV 노광광에 대한 반사율이 저하되는 문제가 있다.
식각저지막(207)은 캡핑막(205)과 위상반전막(208) 사이에 구비되며, 위상반전막(208)의 패터닝을 위한 드라이 에칭(Dry Etching) 공정 또는 세정(Cleaning) 공정 시 하부의 캡핑막(205)을 보호하는 역할을 한다. 식각저지막(207)은 바람직하게는 위상반전막(208)에 대해 10 이상의 식각 선택비(Etch Selectivity)를 갖는 물질로 형성된다.
식각저지막(207)은 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 물질로 형성되며, 또한 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 및 보론(B) 중 하나 이상을 추가로 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 식각저지막(207)은 이러한 물질에 탄소(C), 수소(H), 질소(N), 산소(O) 중 하나 이상을 추가로 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 이때 식각저지막(207)은 하부 캡핑막(205)의 반사율 저하를 고려하여 산소(O)를 포함하지 않는 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 그러나 산소(O)가 필요할 경우 산소(O)의 함유량은 10at% 이하인 것이 바람직하다.
특히, 식각저지막(207)은 광학 특성, 구체적으로는 반사율과 위상반전량을 고려하여 광학 계수가 낮은 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 또한 몰리브데늄은 e-Repair 시 사용되는 XeF2 Gas 에 대해 Repair 속도가 빠른 장점을 가진다.
바람직하게는, 식각저지막(207)은 Mo : Si : N = 5~15at% : 55~65at% : 20~35at% 의 조성비를 갖는다. 식각저지막의 “Mo”의 함유량이 5at% 이하일 시 Repair 속도 증가가 효과적이지 않고, 15at% 이상일 경우 Cleaning 시 사용되는 약품에 취약한 단점을 가진다. 한편 질소의 함유량 역시 e-repair에 영향을 미치는데 질소의 함유량이 20at% 보다 낮을 경우 상대적으로 e-repair 속도가 느린 문제점을 가진다. 반면 질소의 함유량이 35at% 이상일 경우 EUV 광학특성에 영향을 주어 박막 특성 제어가 어려워지는 문제점을 가진다. 이에 따라 질소의 함유량은 20~35at% 로 제어되는 것이 바람직하다.
이러한 식각저지막(207)은 Mo : Si = 5~30at% : 70~95at% 의 스퍼터링 타겟을 이용하여 제작할 수 있다.
식각저지막(207)은 1~20nm 의 두께를 가진다. 식각저지막(207)이 20nm 이상의 두께를 가질 경우 최종적으로 형성된 위상반전막(208) 패턴의 반사율 및 위상량 제어가 어려우며, 1nm 이하의 경우 식각저지막(207)으로서의 역할 수행이 어려운 문제점이 발생한다.
위상반전막(208)은 노광광의 위상을 반전시켜 반사시킴으로써, 반사막(204)에 의해 반사되는 노광광과 상쇄 간섭을 일으켜 노광광을 소멸시키는 기능을 한다. 위상반전막(208)은 노광광의 파장에 대하여 위상반전 제어(Phase Shift Control)가 용이하면서도 투과도가 높은 물질로 형성된다. 이러한 물질로서 본 발명에서는 루테늄(Ru)이 사용된다. 또한, 위상반전막(208)은 루테늄(Ru)을 포함하고, 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니오븀(Nb), 및 보론(B) 중 하나 이상을 추가로 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 이러한 물질은 내약품성이 우수하고, 건식 식각 시 일반적으로 사용되는 불소(F)계 및 염소(Cl)계 가스를 용이하게 적용할 수 있는 장점을 가진다. 한편, 위상반전막(208)은 이러한 물질에 몰리브데늄(Mo), 실리콘(Si) 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 물질을 추가로 포함할 수 있다.
Ru 및 추가로 포함되는 물질은 위상반전막(208)의 반사율과 위상반전량을 결정한다. 이에 따른 위상반전막(208)은 13.5nm 파장에서 5~30% 의 반사율을 가지며, 170~230°의 위상반전량을 가진다. 또한 위상반전막(208)은 30~60nm 의 두께를 가진다.
하드마스크막(209)의 물질은 위상반전막(208)에 대해, 또는 위상반전막(208)의 다층 구조인 경우 위상반전막(208)의 최상부층에 대해 식각선택비를 갖도록 구성된다. 일 예로서, 하드마스크막(209)은 실리콘(Si)에 산소(O)를 포함하는 물질로 형성된다. 하드마스크막(209)은 이러한 물질에 질소(N) 및 탄소(C) 중 하나 이상을 더 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
레지스트막(210)은 화학증폭형 레지스트(CAR: Chemically Amplified Resist)로 구성된다. 레지스트막(210)은 40~150㎚ 의 두께를 갖는다.
구현예 1. TaON/TaN 식각저지막이 형성된 EUV 용 블랭크 마스크 제조
먼저, 블랭크마스크 제조를 위한 기판으로서, 6 inch x 6 inch x 0.25 inch 의 크기를 가지고, 평탄도(TIR: Total Indicated Reading)가 30㎚ 이하로 제어되며, SiO2-TiO2 성분으로 이루어진 LTEM(Low Thermal Expansion Material) 기판을 준비하였다.
이후 LTEM 기판의 전면부에 스퍼터링 설비를 이용하여 몰리브데늄(Mo) 4.8㎚, 실리콘(Si) 2.2㎚ 의 두께로 40층을 교대로 성막하여 반사막을 형성하였다. 반사막의 반사율을 EUV Reflectometer 를 이용하여 측정한 결과 13.5㎚ 의 파장에서 67.8% 의 반사율을 나타내었으며, 반사막의 표면 거칠기를 AFM(Atomic Force MiNboscopy) 장비를 이용하여 측정한 결과, 0.12㎚RMS 의 표면 거칠기를 나타내어 EUV 노광광이 다층 반사막에서 반사 시 표면 거칠기에 의한 난반사가 적게 일어나는 것을 알 수 있었다. 또한, Ultra-Flat 장비를 이용하여 다층 반사막 142㎟ 영역의 평탄도를 측정한 결과 +684㎚ 의 TIR 값(+ : Convex Type)을 나타내었다.
이후 상기 다층 반사막 상에 루테늄(Ru)을 2.5㎚ 의 두께로 적층하여 캡핑막을 형성하였다.
캡핑막의 형성 후, 반사막에서와 동일하게 반사율을 측정한 결과 13.5㎚ 의 파장에서 67% 의 반사율을 나타내어, 반사막의 반사율 수치였던 67.8% 와 대비하여 반사율 변화가 거의 없음을 확인하였다. 또한, 표면 거칠기 및 평탄도를 동일하게 측정한 결과, 표면 거칠기 값은 0.13㎚RMS 를 나타내어 다층 반사막과 비교하여 거의 변화가 없었으며, TIR 값 또한 +670㎚ 로 변화가 거의 없음을 확인하였다.
이후 캡핑막 상에 급속 열처리 장치(Rapid Thermal Process)를 이용하여 200℃에서 10분간 열처리를 실시하였다. 이후 평탄도를 측정한 결과 TIR 값이 -102nm(- : Concave Type)를 나타내어 반사막/캡핑막의 Bow 는 300nm 이하의 우수한 결과를 나타내었으며, 반사율은 64.2% 를 나타내었다.
그리고 캡핑막상에 식각저지막 형성을 위하여 MoSi 타겟(타겟 조성비 Mo:Si= 90:10at%)을 이용하고 Sputtering 조건으로 Ar : N2 = 7 : 5sccm, 공정파워 0.7kW 를 적용하여 MoSiN 박막을 3nm 두께로 형성하였다.
이후 위상반전막 형성을 위하여 RuCr 타겟(RuCr=50:50at%)을 이용하고 Ar: N2 =9 : 1.5sccm, 공정파워 0.8kW 를 적용하여 RuCrN 박막을 42nm 두께로 형성하였다. 이후 반사율을 13.5nm 파장에서 측정한 결과 9.5%를 나타내어, 반사막에 대한 상대 반사율은 14.8%를 나타내었다. 그리고 위상반전량은 188°를 나타내었다.
위상반전막상에 하드마스크막 형성을 위하여 보론이 도핑된 실리콘(Si) 타겟을 준비한 후 Ar : N2 : CO2 = 5sccm : 5sccm : 5sccm, 공정 파워는 0.6kW 을 적용하여, SiCON 박막을 4nm 두께로 형성하였다.
이후 LTEM 기판의 후면에는 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 설비를 이용하여 크롬(Cr)을 주성분으로 하는 도전막(Conductive layer)을 형성하였다. 도전막은 CrN 박막의 1층 구조로 36nm 두께를 가지고 형성되었다. 이때, 도전막의 면저항을 4-Point Probe 를 이용하여 측정한 결과 26Ω/□의 면저항값을 나타내어 정전척과의 결합(E-Chucking)에 문제가 없음을 확인하였으며, 거칠기를 AFM 장비를 이용하여 1um x 1um 의 영역에서 측정한 결과 0.4nmRMS 를 나타내었다.
이후 화학증폭형 레지스트막을 60nm 두께로 하여 최종 블랭크 마스크 제조를 완료하였다.
구현예 2. 포토마스크 제조 공정
구현예 1 에서 제작된 EUV 블랭크 마스크를 이용하여 Photomask 제작을 하기와 같이 진행하였다. 먼저 e-beam Writing 이후 레지스트 패턴을 형성하였다. 이후 하드마스크막 식각을 위하여 불소계 가스를 이용하여 패턴을 형성하였다. 이때 잔여 레지스트막 두께는 30nm 로 레지스트막 패턴의 Shape 은 양호하였다.
이후 레지스트를 제거한 후 하드마스크막 패턴을 이용하여 하부 위상반전막을 식각하여 패턴을 형성하였다. 이때 사용된 식각 가스로는 염소계 가스 및 산소 가스를 이용하였다. 이후 하드마스크막, 위상반전막 패턴을 식각마스크로 하여 하부 식각저지막을 불소계 가스를 이용하여 식각하였다. 이때 산소가스는 사용하지 않았다. 이를 통해 식각저지막 패턴을 형성하였으며, 동시에 하드마스크막 패턴을 제거하여 최종 식각 저지막 패턴 형성을 완료하였다.
이상에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 기판, 상기 기판 상에 형성된 반사막, 상기 반사막 상에 형성된 캡핑막, 상기 캡핑막 상에 형성된 식각저지막, 및 상기 식각저지막 상에 형성된 위상반전막을 포함하며,
    상기 식각저지막은 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각저지막은 실리콘(Si)을 더 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 식각저지막은 질소(N)를 더 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 식각저지막은 Mo : Si : N = 5~15at% : 55~65at% : 20~35at% 의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 식각저지막은 Mo : Si = 5~30at% : 70~95at% 의 스퍼터링 타겟을 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각저지막은 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 및 보론(B) 중 하나 이상을 더 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각저지막은 탄소(C), 수소(H), 질소(N), 및 산소(O) 중 하나 이상을 더 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크,
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각저지막은 산소(O)를 포함하지 않거나 20at% 이하의 산소(O)를 더 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각저지막은 1~20nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막의 상부에 형성되는 하드마스크막;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
  11. 제 1 항의 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크.
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