KR20110002829A - Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 - Google Patents

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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하, 특히 마스크 패턴 외연의 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하가 억제된 EUV 마스크, 및 그 EUV 마스크의 제조에 사용하는 EUV 마스크 블랭크를 제공한다. 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 기판 상의 적어도 일부에 있어서, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되는 부위와, 상기 흡수체층이 제거되는 부위에 인접하는, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되지 않는 부위 사이에 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.

Description

ＥＵＶ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 ＥＵＶ 리소그래피용 반사형 마스크{REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY, AND REFLECTIVE MASK FOR EUV LITHOGRAPHY}
본 발명은 반도체 제조 등에 사용되는 EUV (Extreme Ultra Violet : 극단 자외) 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 (이하, 본 명세서에 있어서 「EUV 마스크 블랭크」라고 한다), 및 그 EUV 마스크 블랭크를 패터닝하여 이루어지는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 (이하, 본 명세서에 있어서 「EUV 마스크」라고 한다) 에 관한 것이다.
종래 반도체 산업에 있어서, Si 기판 등에 미세한 패턴으로 이루어지는 집적 회로를 형성하기 위해서 필요한 미세 패턴의 전사 기술로서, 가시광이나 자외광을 사용한 포토리소그래피법이 사용되어 왔다. 그러나, 반도체 디바이스의 미세화가 가속되고 있는 한편, 종래의 포토리소그래피법의 한계에 가까워졌다. 포토리소그래피법의 경우, 패턴의 해상 한계는 노광 파장의 1/2 정도이고, 액침법을 사용해도 노광 파장의 1/4 정도로 알려져 있어, ArF 레이저 (193 ㎚) 의 액침법을 사용해도 45 ㎚ 정도가 한계로 예상된다. 그래서 45 ㎚ 이후의 노광 기술로서, ArF 레이저보다 더 단파장인 EUV 광을 사용한 노광 기술인 EUV 리소그래피가 유망시되고 있다. 본 명세서에 있어서 EUV 광이란, 연 X 선 영역 또는 진공 자외선 영역의 파장의 광선을 가리키며, 구체적으로는 파장 10 ∼ 20 ㎚ 정도, 특히 13.5 ㎚ ± 0.3 ㎚ 정도의 광선을 가리킨다.
EUV 광은 모든 물질에 대하여 흡수되기 쉽고, 또한 이 파장에서 물질의 굴절률이 1 에 가깝기 때문에, 종래의 가시광 또는 자외광을 사용한 포토리소그래피와 같은 굴절 광학계를 사용할 수 없다. 이 때문에, EUV 광 리소그래피에서는 반사 광학계, 즉 반사형 포토마스크와 미러가 사용된다.
마스크 블랭크는, 포토마스크 제조용으로 사용되는 패터닝 전의 적층체이다. EUV 마스크 블랭크의 경우, 유리 등의 기판 상에 EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층이 이 순서대로 형성된 구조를 갖고 있다 (특허문헌 1 참조).
EUV 마스크 블랭크에서는 흡수체층의 막두께를 작게 할 필요가 있다. EUV 리소그래피에서는, 노광광은 EUV 마스크에 대하여 수직 방향으로부터 조사되는 것이 아니라, 수직 방향으로부터 수 도, 통상은 6 °경사진 방향으로부터 조사된다. 흡수체층의 두께가 크면, EUV 리소그래피시에, 그 흡수체층의 일부를 패터닝에 의해 제거하여 형성한 마스크 패턴에 노광광에 의한 그림자가 생겨, 그 EUV 마스크를 사용하여 Si 웨이퍼 등의 기판 상 레지스트에 전사되는 마스크 패턴 (이하, 「전사 패턴」이라고 한다) 의 형상 정밀도나 치수 정밀도가 악화된다. 이 문제는, EUV 마스크 상에 형성되는 마스크 패턴의 선폭이 작아질수록 현저해지기 때문에, EUV 마스크 블랭크의 흡수체층의 막두께를 보다 작게 할 것이 항상 요구되고 있다.
일본 공개특허공보 2004-6798호 (미국 특허 공보 제7390596호)
EUV 마스크 블랭크의 흡수체층에는, EUV 광에 대한 흡수 계수가 높은 재료가 사용되고, 그 막두께는 그 흡수체층 표면에 EUV 광을 조사하였을 때에, 조사한 EUV 광이 흡수체층에서 모두 흡수되는 막두께로 하는 것이 이상적이다. 그러나, 상기한 바와 같이, 흡수체층의 막두께를 작게 할 것이 요구되고 있기 때문에, 조사된 EUV 광을 흡수체층에서 모두 흡수할 수는 없어, 그 일부는 반사광이 된다.
EUV 리소그래피에 의해 기판 상 레지스트에 전사 패턴을 형성할 때에 요구되는 것은, EUV 마스크에서의 반사광의 콘트라스트, 즉 패터닝에 의해 흡수체층이 제거되어 반사층이 노출된 부위로부터의 반사광과, 패터닝시에 흡수체층이 제거되지 않은 부위로부터의 반사광의 콘트라스트이기 때문에, 반사광의 콘트라스트를 충분히 확보할 수 있는 한, 조사된 EUV 광이 흡수체층에서 모두 흡수되지 않아도 전혀 문제가 없다고 생각되었다.
그러나, 수직 방향으로부터 수 도 경사진 방향으로부터 노광광을 조사한다는 EUV 리소그래피에서의 노광광의 조사 형태를 취하는 이상, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하, 및 그것에 의한 전사 패턴의 형상 정밀도나 치수 정밀도의 악화가 종래의 EUV 마스크에서는 불가피하다는 것을 본원 발명자들은 알아내었다. 이러한 점에 대하여 이하에서 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 마스크 패턴 경계부란, 패터닝에 의해 흡수체층이 제거되어 반사층이 노출되어 있는 부위 (흡수체층 제거 부위) 와, 그 흡수체층 제거 부위에 인접하는 패터닝시에 흡수체층이 제거되지 않은 부위 (흡수체층 비제거 부위) 의 경계를 의미한다.
도 7(a) 는, EUV 마스크의 일 구성예를 나타낸 모식도로서, EUV 마스크에 노광광, 즉 EUV 광을 조사한 상태를 나타내고 있다. 도 7(a) 에 나타내는 EUV 마스크 (10) 는, 기판 (12) 상에 EUV 광을 반사하는 반사층 (13) 과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층 (14) 이 이 순서대로 형성되어 있다. 반사층 (13) 은, 고굴절층과 저굴절층이 교대로 적층된 다층 반사막으로서 도시되어 있다. 또한, 도시되어 있지 않지만, 상기 구성 이외에, 반사층 (13) 과 흡수체층 (14) 사이에는, 흡수체층 (14) 을 패터닝할 때에 반사층 (13) 을 보호하기 위한 보호층이 통상 형성되어 있고, 흡수체층 (14) 상에는 마스크 패턴의 검사광에 대한 저반사층이 통상 형성되어 있다.
도 7(a) 에 나타내는 EUV 마스크 (10) 에 있어서, 도면 중 우측은 흡수체층 (14) 이 제거되어 반사층 (13) 이 노출된 흡수체층 제거 부위이고, 도면 중 좌측이 흡수체층 (14) 이 제거되지 않은 흡수체층 비제거 부위이다.
EUV 리소그래피를 실시할 때, EUV 마스크 (10) 에 대하여 수직 방향으로부터 수 도 경사진 방향으로부터 EUV 광 (30a, b, c) 이 조사된다. EUV 마스크에서의 반사광의 콘트라스트로서 본래 의도하고 있는 것은, 도면 중 우측의 흡수체층 제거 부위로부터의 반사광 (31c) 과, 도면 중 좌측의 흡수체층 비제거 부위로부터의 반사광 (31a) 의 콘트라스트이다. 흡수체층 비제거 부위로부터의 반사광 (31a) 은 흡수체층 (14) 을 통과하는 과정에서 충분히 감쇠되었기 때문에 반사광의 콘트라스트에 악영향을 미치는 경우는 없다. 도 7(c) 는, 반사광 (31a) 및 반사광 (31c) 만이 존재하는 이상적인 EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
그러나, EUV 마스크 (10) 에 대하여 수직 방향으로부터 수 도 경사진 방향으로부터 EUV 광을 조사하기 때문에, EUV 광 (30b) 과 같이, 흡수체층 (14) 의 일부만을 통과한 EUV 광이 반사광 (31b) 으로서 발생하게 된다. 이와 같은 반사광 (31b) 은 충분히 감쇠되지 않았기 때문에, EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도는, 도 7(b) 에 나타내는 바와 같이 완만한 곡선을 그리게 된다.
도 7(b), (c) 의 비교로부터 명확한 바와 같이, 종래의 EUV 마스크에서는 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하가 불가피하였다. 이와 같은 반사광의 콘트라스트 저하는 마스크 패턴의 각 경계부에서 발생하는데, 마스크 패턴 외연 (外緣) 의 경계부, 즉 흡수체층 제거 부위 중 마스크 패턴의 외연이 되는 부위와, 그 마스크 패턴의 외연이 되는 흡수체층 제거 부위에 대하여 외측에 인접하는 흡수체 비제거 부위의 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하는, 이하의 이유로부터 특히 문제가 된다.
EUV 리소그래피를 실시하는 경우, 마스크 패턴의 외연이 동일한 형상을 한 EUV 마스크를 복수 장, 전사 위치를 중첩시켜 노광을 실시한다. 이 때, 마스크 패턴 외연의 위치는 일정하므로, 그 마스크 패턴 외연의 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하는, 모든 EUV 마스크에 있어서 항상 동일 지점에 있어서 반복 발생하게 된다. 이 때문에, 마스크 패턴 외연의 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하의 억제가 특히 요구된다.
본 발명은, 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하, 특히 마스크 패턴 외연의 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하가 억제된 EUV 마스크, 및 그 EUV 마스크의 제조에 사용하는 EUV 마스크 블랭크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
상기 기판 상의 적어도 일부에 있어서, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되는 부위와, 상기 흡수체층이 제거되는 부위에 인접하는, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되지 않는 부위 사이에 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크를 제공한다.
또한 본 발명은, 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
상기 기판 상에 있어서, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되는 부위 중 마스크 패턴의 외연이 되는 부위와, 상기 마스크 패턴의 외연이 되는 부위의 외측에 인접하는, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되지 않는 부위 사이에 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크를 제공한다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 상기 단차의 높이가 2 ∼ 10 ㎚ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 상기 기판 표면의 일부에 박막을 형성함으로써, 상기 단차가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 상기 기판 표면의 일부를 제거함으로써, 상기 단차가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 상기 흡수체층 상에, 마스크 패턴의 검사에 사용하는 검사광에 있어서의 저반사층이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 상기 반사층과 상기 흡수체층 사이에, 패터닝시에 상기 반사층을 보호하기 위한 보호층이 형성되어 있어도 된다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 패터닝시의 노광 영역 외에 위치 결정용 마크가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한 본 발명은, 상기한 본 발명의 EUV 마스크 블랭크를 패터닝하여 이루어지는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 제공한다.
본 발명의 EUV 마스크에서는, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하가 억제되기 때문에, 그 EUV 마스크를 사용하여 기판 상 레지스트에 형성되는 전사 패턴이 형상 정밀도나 치수 정밀도가 우수하다.
본 발명의 EUV 마스크는, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크를 사용함으로써 바람직하게 제조할 수 있다.
도 1(a) 는 본 발명의 EUV 마스크의 일 실시형태를 나타내는 모식도이고, 도 1(b) 는 도 1(a) 에 나타내는 EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프이며, 도 1(c) 는 도 1(a) 에 나타내는 EUV 마스크의 단차부의 확대도이다.
도 2 는 EUV 마스크의 일례를 나타낸 평면도이다.
도 3 은 실시예에서 구한 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
도 4 는 실시예에서 구한 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
도 5 는 실시예에서 구한 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
도 6 은 실시예에서 구한 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
도 7(a) 는 EUV 마스크의 일 구성예를 나타낸 모식도이고, 도 7(b) 는 도 7(a) 에 나타내는 EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프이며, 도 7(c) 는 반사광 (31a) 및 반사광 (31c) 만이 존재하는 이상적인 EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 EUV 마스크에 대하여 설명한다.
도 1(a) 는 본 발명의 EUV 마스크의 일 실시형태를 나타내는 모식도이다. 도 1(a) 에 나타내는 마스크 (1) 는, 기판 (2) 상에 EUV 광을 반사하는 반사층 (3) 과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층 (4) 이 이 순서대로 형성되어 있는 점, 및 도면 중 우측이 흡수체층 (4) 이 제거되어 반사층 (3) 이 노출된 흡수체층 제거 부위이고, 도면 중 좌측이 흡수체층 (4) 이 제거되지 않은 흡수체층 비제거 부위인 점은, 도 7(a) 에 나타낸 종래의 EUV 마스크와 동일하다. 단, 도 1(a) 에 나타내는 EUV 마스크에서는, 기판 (2) 상에 있어서, 도면 중 우측의 흡수체층 제거 부위와, 도면 중 좌측의 흡수체층 비제거 부위 사이에 단차가 형성되어 있다. 보다 구체적으로는, 흡수체층 비제거 부위에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막 (5) 을 형성함으로써, 흡수체층 제거 부위에 상당하는 기판 (2) 상의 부위와, 흡수체층 비제거 부위에 상당하는 기판 (2) 상의 부위 사이에 단차가 형성되어 있다. 이하, 본 명세서에 있어서, 흡수체층 제거 부위에 상당하는 기판 (2) 상의 부위와, 당해 부위에 인접하는 흡수체층 비제거 부위에 상당하는 기판 (2) 상의 부위 사이에 단차가 형성되어 있는 것을 「기판 상의 마스크 패턴 경계부에 단차가 형성되어 있다」라고 한다. 또한, 기판 상의 마스크 패턴 경계부에 형성하는 단차를 간단히 「단차」라고 하는 경우도 있다.
본 발명의 EUV 마스크에서는, 기판 상의 마스크 패턴 경계부에 단차를 형성함으로써, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하를 억제할 수 있다.
도 1(a) 에 나타내는 본 발명의 EUV 마스크 (1) 에서는, 기판 (2) 상의 마스크 패턴 경계부에 단차가 형성되어 있기 때문에, 그 기판 (2) 상에 형성되는 반사층 (3) 이 단차를 따라 형성되게 되고, 반사층 (3) 이 단차를 따른 변형부를 갖는 구조가 된다. 이와 같은 구조의 EUV 마스크 (1) 에 대하여 수직 방향으로부터 수 도 경사진 방향으로부터 EUV 광 (20a, b, c) 을 조사한 경우, 흡수체층 (4) 의 일부만을 통과한 EUV 광 (20b) 이 반사광 (21b) 을 발생시키는 과정에서, 그 반사광 (21b) 이 반사층 (3) 에 존재하는 변형부에 의해 산란되어 약해진다. 이 결과, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하가 억제된다. 또한, 도 1(b) 는 EUV 마스크 (1) 의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하를 억제하는 효과를 발휘시키기 위해서 필요한 단차의 높이는, EUV 마스크 (1) 를 구성하는 각 층의 막두께, 즉 반사층 (3) 및 흡수체층 (4) 의 막두께, 나아가서는 EUV 마스크 (1) 에 통상 형성되는 다른 층, 예를 들어 반사층 (3) 과 흡수체층 (4) 사이에 통상 형성되는 보호층이나, 흡수체층 (4) 상에 통상 형성되는 저반사층의 막두께에도 영향을 받는다. 단차의 높이가 2 ㎚ 이상이면, EUV 마스크 (1) 를 구성하는 이들 층의 막두께가 통상적인 범위인 경우에, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하를 억제하는 효과가 발휘된다.
한편, 단차의 높이가 지나치게 큰 경우, 흡수체층을 패터닝하여 EUV 마스크 (1) 로 하기 전의 EUV 마스크 블랭크의 표면, 즉 EUV 마스크 블랭크의 흡수체층의 표면 (흡수체층 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 그 저반사층의 표면) 에 단차가 나타나지 않게 하기 위해서, 흡수체층 또는 저반사층의 막두께를 크게 하는 것이 필요해지기 때문에 바람직하지 않다. 이러한 관점에서, 단차의 높이는 10 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.
또한, EUV 마스크 블랭크의 흡수체층의 표면 (흡수체층 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 그 저반사층의 표면) 에 단차가 나타나면, 흡수체층에 형성되는 마스크 패턴이 변형될 우려가 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위를 연삭 또는 에칭하여 오목부를 형성함으로써 마스크 패턴의 경계부에 단차를 형성한 경우에 EUV 마스크 블랭크의 흡수체층의 표면 (흡수체층 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 그 저반사층의 표면) 에 단차가 나타나면, EUV 리소그래피시에, 마스크 패턴에 노광광에 의한 그림자가 생기는 영역이 증가한다.
단차의 높이는 2 ∼ 7 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 3 ∼ 5 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크에 있어서, 기판 상의 마스크 패턴 경계부에 단차를 형성하는 이유는, 그 EUV 마스크에 대하여 수직 방향으로부터 수 도 경사진 방향으로부터 EUV 광을 조사하는 것에서 기인하는 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하를 억제하기 위함이므로, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 단차의 단부 (端部) 가 마스크 패턴 경계부와 반드시 일치할 필요는 없다. 예를 들어 도 1(a) 의 EUV 마스크 (1) 의 경우, 단차의 단부가 마스크 패턴 경계부보다 도면 중 우측에 위치하고 있는 방향 (흡수체층 제거 부위측에 위치하고 있는 방향) 쪽이, 흡수체층 (4) 의 일부만을 통과한 EUV 광 (20b) 이 반사광 (21b) 을 발생시키는 과정에서, 그 반사광 (21b) 이 반사층 (3) 에 존재하는 변형부에 의해 산란되어 약해지는 효과가 높아지는 것으로도 생각할 수 있다. 여기서 단차의 단부란, 도 1(c) 에 나타내는 바와 같이 기판 (2) 상에 단차 형상으로 형성되는 단차 (20) 의 단면 (端面 : 24) 을 가리키고, 또한 동 도면에 있어서 22 가 단차 (20) 의 높이를 나타낸다. 이러한 관점에서 보았을 경우, EUV 마스크 (1) 에 대한 EUV 광 (20a, 20b, 20c) 의 입사각을
Figure pct00001
(°) 로 하고, 흡수체층 (4) 의 막두께 (흡수체층 (4) 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우, 흡수체층과 저반사층의 합계 막두께) 를 t (㎜), 단차의 높이를 h (㎚) 로 할 때, 단차의 단부와 마스크 패턴의 경계부의 거리 (L) 가 하기 식 (1) 을 만족시키도록 단차를 형성하면, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 저하를 억제하는 효과가 우수하다.
L = (t + h) × tan
Figure pct00002
- h (1)
또한, 단차의 단부와 마스크 패턴 경계부의 위치 관계나, 단차의 높이는 시뮬레이션에 의해 최적화할 수 있다. 통상,
Figure pct00003
는 수 °, 혹은 6 ∼ 8 °정도인 것이 바람직하다. 또한, t 가 20 ∼ 100 ㎚ 인 것이 바람직하고, 25 ∼ 90 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 30 ∼ 80 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. h 는 2 ∼ 7 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 5 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 또한, L 은 상기 식으로부터 구한 값 ± 4 ㎚ 이내, 특히 ± 2 ㎚ 이내인 것이 바람직하다.
도 2 는, EUV 마스크의 일례를 나타낸 평면도로서, EUV 마스크 (1) 상에는 마스크 패턴 (6) 이 형성되어 있다.
상기한 바와 같이, 반사광의 콘트라스트 저하는 마스크 패턴 (6) 의 각 경계부에서 발생하는데, 마스크 패턴 외연의 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하가 특히 문제가 된다. 즉, 도 2 에 나타내는 EUV 마스크 (1) 의 경우, 마스크 패턴 (6) 을 구성하는 흡수체층 제거 부위 중, 가장 외측에 형성된 흡수체층 제거 부위와, 그 흡수체층 제거 부위의 외측에 인접하는 흡수체층 비제거 부위, 즉 마스크 패턴 (6) 의 외측에 위치하는 흡수체층 비제거 부위 (7) 사이에서 발생하는 반사광의 콘트라스트 저하는 특히 문제가 된다.
따라서, 도 2 에 나타내는 본 발명의 EUV 마스크 (1) 에 있어서, 흡수체층 비제거 부위 (7) 에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막을 형성하여, 마스크 패턴 (6) 과 흡수체층 비제거 부위 (7) 의 경계부에 단차를 형성하면, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하를 억제하는 효과가 충분히 발휘되게 된다. 이것을 본 발명의 EUV 마스크의 제 1 양태라고 한다.
본 발명의 EUV 마스크의 제 1 양태에 추가하여, EUV 마스크 (1) 에 형성된 각 마스크 패턴 (6) 사이에 존재하는 흡수체층 비제거 부위 (8) 에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막을 형성하여, 마스크 패턴 (6) 과 흡수체층 비제거 부위 (8) 의 경계부에 단차를 형성하면, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하를 억제하는 효과가 더욱 향상된다. 이것을 본 발명의 EUV 마스크의 제 2 양태라고 한다.
본 발명의 EUV 마스크의 제 2 양태에 추가하여, 마스크 패턴 (6) 을 구성하는 개개의 흡수체층 비제거 부위에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막을 형성하여, 마스크 패턴 (6) 에 포함되는 개개의 마스크 패턴 경계부에 단차를 형성함으로써, 반사광의 콘트라스트 저하를 억제하는 효과가 더욱 향상된다. 이것을 본 발명의 EUV 마스크의 제 3 양태라고 한다. 또한, 본 발명의 EUV 마스크의 제 3 양태는, 마스크 패턴 (6) 에 포함되는 모든 마스크 패턴 경계부에 단차를 형성하는 것, 즉 마스크 패턴 (6) 을 구성하는 모든 흡수체층 비제거 부위에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막을 형성하는 것을 반드시 의도하는 것은 아니다. 예를 들어, 마스크 패턴 (6) 에 포함되는 마스크 패턴 경계부 중, 특히 형상 정밀도나 치수 정밀도가 문제가 되는 부위에 단차를 형성하면, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하를 억제하는 효과는 충분히 발휘된다.
본 발명의 EUV 마스크의 제 1 양태에 있어서, 도 2 에 나타내는 흡수체층 비제거 부위 (7) 에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막을 형성하는 경우, 흡수체층 비제거 부위 (7) 에 상당하는 기판 (2) 상의 부위 중, 마스크 패턴 (6) 과의 경계부 근방에 박막을 형성하면 되고, EUV 마스크 (1) 의 외연까지 박막을 형성할 필요는 없다. 이 경우, 마스크 패턴의 경계부와의 거리 (L) 가 상기 식 (1) 을 만족시키는 부위까지 박막을 형성하면 된다. EUV 광의 입사각 (α) 을 6 °, 단차의 높이 (h) 를 7 ㎚, 흡수체층의 막두께 (t) 를 70 ㎚ 로 한 경우, 마스크 패턴 (6) 과의 경계부와의 거리 (L) 가 7 ㎚ 정도가 되는 범위, 특히 거리 (L) 가 10 ㎚ 정도가 되는 범위까지 박막을 형성하면, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하를 억제하는 효과가 충분히 발휘된다. 이러한 점에 대해서는, 본 발명의 EUV 마스크의 제 2 양태 및 제 3 양태에 대해서도 동일하다.
단, 박막을 형성하기 쉽다는 점에서는, 도 2 에 나타내는 EUV 마스크 (1) 에서는, 그 EUV 마스크 (1) 의 외연까지의 흡수체층 비제거부 (7) 에 상당하는 기판 (2) 상의 부위 전체에 박막을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 기판 (2) 상에 박막을 형성하는 순서는, 패터닝에 의해 EUV 마스크로 하기 전의 EUV 마스크 블랭크의 단계, 보다 구체적으로는 EUV 마스크 블랭크를 제조할 때에 실시할 필요가 있다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크는, 패터닝에 의해 본 발명의 EUV 마스크로 하기 전의 적층체이다. 도 1(a) 에 나타내는 EUV 마스크 (1) 와의 관계에서 보았을 경우, 그 EUV 마스크 (1) 의 도면 중 우측의 흡수체층이 제거되지 않은 상태가 EUV 마스크 블랭크이다. 따라서, 상기 서술한 EUV 마스크에 관한 설명 중, 「흡수체층 제거 부위」를 「패터닝시에 흡수체층이 제거되는 부위」로, 「흡수체층 비제거 부위」를 「당해 흡수체층이 제거되는 부위에 인접하는 패터닝시에 흡수체층이 제거되지 않는 부위」로 바꿔 읽음으로써 본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 대한 설명이 된다. 이하에 서술하는 본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 대한 설명에 있어서도 상기와 동일하게 바꿔 읽기로 한다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 제 1 양태 ∼ 제 3 양태에 따른 흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막을 형성하는 방법으로는, 원하는 형상의 마스크를 사용하여 제 1 양태 ∼ 제 3 양태에 따른 흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에만 박막을 형성하는 방법, 및 기판 (2) 의 반사층을 형성하는 측 표면에, 즉 기판 (2) 의 성막면 전체에 박막을 형성한 후, 그 박막의 일부를 에칭하여 제거함으로써, 제 1 양태 ∼ 제 3 양태에 따른 흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에만 박막을 형성하는 방법을 들 수 있다.
기판 (2) 상에 형성하는 박막의 재료는, 박막 형성 후에 그 박막을 원하는 형상으로 가공할 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 단, 기판 (2) 의 성막면 전체에 박막을 형성한 후, 그 박막의 일부를 에칭하여 제거함으로써, 제 1 양태 ∼ 제 3 양태에 따른 흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에만 박막을 형성하는 경우, 박막과 기판 (2) 의 재료 사이에서 충분한 에칭 선택비가 얻어질 필요가 있게 된다.
이상의 점에서, 박막 재료로는 CrN, Si, SiO2, Ta, Mo 가 바람직하다.
이들 중에서도 CrN, Si, SiO2 가 가공성이 양호하다는 이유에서 보다 바람직하고, CrN, Si 가 특히 바람직하다.
이들 재료를 사용하여 기판 (2) 상에 박막을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 성막 방법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링과 같은 스퍼터링법, CVD 법, 진공 증착법, 전해 도금법을 사용하여 형성할 수 있다. 이들 중에서도, 대면적의 기판에 균일한 막두께로 성막할 수 있다는 관점에서, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링이 바람직하다.
기판 (2) 상에 박막으로서 CrN 막을 형성하는 경우, 예를 들어 이하의 조건에서 마그네트론 스퍼터링법을 실시하면 된다.
타깃 : Cr 타깃
스퍼터 가스 : Ar 과 N2 의 혼합 가스 (N2 가스 농도 3 ∼ 45 vol％, 바람직하게는 5 ∼ 40 vol％, 보다 바람직하게는 10 ∼ 35 vol％. 가스압 1.0 × 10-1 ㎩ ∼ 50 × 10-1 ㎩, 바람직하게는 1.0 × 10-1 ㎩ ∼ 40 × 10-1 ㎩, 보다 바람직하게는 1.0 × 10-1 ㎩ ∼ 30 × 10-1 ㎩)
투입 전력 : 30 ∼ 1000 W, 바람직하게는 50 ∼ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ∼ 500 W
성막 속도 : 2.0 ∼ 60 ㎚/min, 바람직하게는 3.5 ∼ 45 ㎚/min, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 ㎚/min
기판 (2) 상에 형성하는 박막의 두께는 마스크 패턴 경계부에 형성하는 단차의 높이가 되므로, 박막의 두께는 2 ∼ 10 ㎚ 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 7 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 5 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 두께가 지나치게 크면, 그림자 부분 (Shadowing) 을 크게 하는 결과, 콘트라스트를 충분히 개선하지 못할 가능성이 있다.
기판 (2) 상에 형성하는 박막의 표면 성상은, 후술하는 기판 (2) 의 성막면에 요구되는 표면 성상을 만족시키는 것이 바람직하다.
상기 서술한 양태에서는, 제 1 양태 ∼ 제 3 양태에 따른 흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막을 형성함으로써, 마스크 패턴의 경계부에 단차를 형성하고 있는데, 마스크 패턴의 경계부에 단차를 형성하는 방법은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어 흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위를 연삭하여 오목부를 형성함으로써, 또는 당해 부위를 에칭하여 오목부를 형성함으로써, 마스크 패턴의 경계부에 단차를 형성해도 된다. 이 경우, 상기 서술한 설명에 있어서, 「흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위에 박막을 형성함」이라고 기재한 곳을, 「흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위를 부분적으로 연삭하여 오목부를 형성함」, 또는 「흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위를 에칭하여 오목부를 형성함」으로 바꿔 읽기로 한다.
또한, 흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위를 부분적으로 연삭하여 오목부를 형성하는 경우, 공지된 장치, 예를 들어 nm 450 (RAVE LLC 제조) 을 사용하여 실시할 수 있다.
흡수체층 비제거부에 상당하는 기판 (2) 상의 부위를 에칭하여 오목부를 형성하는 경우, 에칭법으로는 웨트 에칭법, 드라이 에칭법 모두 사용할 수 있지만, 고정밀도의 가공을 할 수 있다는 점, 및 가공면의 표면 성상이 우수하다는 점에서 드라이 에칭법을 사용하는 것이 바람직하다.
또한 드라이 에칭법으로는, 이온 빔 에칭, 가스 클러스터 이온 빔 에칭, 플라스마 에칭 등의 각종 드라이 에칭법을 사용할 수 있다.
기판 (2) 상에 형성하는 오목부의 깊이는 마스크 패턴 경계부에 형성하는 단차의 높이가 되므로, 오목부의 깊이는 2 ∼ 10 ㎚ 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 7 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 5 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 깊이가 지나치게 크면, 그림자 부분 (Shadowing) 을 크게 하는 결과, 콘트라스트를 충분히 개선하지 못할 가능성이 있다.
오목부의 표면 성상은, 후술하는 기판 (2) 의 성막면에 요구되는 표면 성상을 만족시키는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크의 각 구성 요소에 대하여 설명한다.
기판 (2) 은, EUV 마스크 블랭크용 기판으로서의 특성을 만족시킬 것이 요구된다. 그 때문에, 기판 (2) 은 저열팽창 계수 (구체적으로는, 20 ℃ 에서의 열팽창 계수가 0 ± 0.05 × 10-7/℃ 인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 0 ± 0.03 × 10-7/℃) 를 갖고, 평활성, 평탄도, 및 EUV 마스크 블랭크 또는 패터닝 후의 EUV 마스크의 세정 등에 사용하는 세정액에 대한 내성이 우수한 것이 바람직하다. 기판 (2) 으로는, 구체적으로는 저열팽창 계수를 갖는 유리, 예를 들어 SiO2-TiO2 계 유리 등을 사용하는데, 이것에 한정되지 않고, β 석영 고용체를 석출한 결정화 유리나 석영 유리나 실리콘이나 금속 등의 기판을 사용할 수도 있다.
기판 (2) 은, 표면 거칠기 (rms) 0.15 ㎚ 이하의 평활한 표면과 100 ㎚ 이하의 평탄도를 갖고 있는 것이 패터닝 후의 EUV 마스크에 있어서 고반사율 및 전사 정밀도가 얻어지기 때문에 바람직하다.
기판 (2) 의 크기나 두께 등은 EUV 마스크의 설계값 등에 따라 적절히 결정되는 것인데, 일례를 들면 외형이 가로세로 6 인치 (152 ㎜) 이고, 두께가 0.25 인치 (6.3 ㎜) 이다.
기판 (2) 의 성막면에는 결점이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 그러나, 존재하고 있는 경우라도, 오목 형상 결점 및/또는 볼록 형상 결점에 의해 위상 결점이 발생하지 않도록, 오목 형상 결점의 깊이 및 볼록 형상 결점의 높이가 2 ㎚ 이하이고, 또한 이들 오목 형상 결점 및 볼록 형상 결점의 반값폭이 60 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.
반사층 (3) 은, EUV 마스크 블랭크의 반사층으로서 원하는 특성을 갖는 것인 한 특별히 한정되지 않는다. 여기서, 반사층 (3) 에 특히 요구되는 특성은 고 (高) EUV 광선 반사율이다. 구체적으로는, EUV 광의 파장 영역의 광선을 입사각 6 도로 반사층 (3) 표면에 조사하였을 때에, 파장 13.5 ㎚ 부근의 광선 반사율의 최대값이 60 ％ 이상인 것이 바람직하고, 65 ％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 반사층 (3) 상에 보호층이나 저반사층을 형성한 경우라도, 파장 13.5 ㎚ 부근의 광선 반사율의 최대값이 60 ％ 이상인 것이 바람직하고, 65 ％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
반사층 (3) 은, 고 EUV 광선 반사율을 달성할 수 있다는 점에서, 통상은 고굴절층과 저굴절률층을 교대로 복수 회 적층시킨 다층 반사막이 반사층 (3) 으로서 사용된다. 반사층 (3) 을 이루는 다층 반사막에 있어서, 고굴절률층에는 Mo 가 널리 사용되고, 저굴절률층에는 Si 가 널리 사용된다. 즉, Mo/Si 다층 반사막이 가장 일반적이다. 단, 다층 반사막은 이것에 한정되지 않고, Ru/Si 다층 반사막, Mo/Be 다층 반사막, Mo 화합물/Si 화합물 다층 반사막, Si/Mo/Ru 다층 반사막, Si/Mo/Ru/Mo 다층 반사막, Si/Ru/Mo/Ru 다층 반사막도 사용할 수 있다.
반사층 (3) 을 이루는 다층 반사막을 구성하는 각 층의 막두께 및 층의 반복 단위수는, 사용하는 막 재료 및 반사층에 요구되는 EUV 광선 반사율에 따라 적절히 선택할 수 있다. Mo/Si 반사막을 예로 들면, EUV 광선 반사율의 최대값이 60 ％ 이상인 반사층 (3) 으로 하려면, 다층 반사막은 막두께 2.3 ± 0.1 ㎚ 의 Mo 층과 막두께 4.5 ± 0.1 ㎚ 의 Si 층을 반복 단위수가 30 ∼ 60 이 되도록 적층시키면 된다.
또한, 반사층 (3) 을 이루는 다층 반사막을 구성하는 각 층은, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등, 주지된 성막 방법을 사용하여 원하는 두께가 되도록 성막하면 된다. 예를 들어 이온 빔 스퍼터링법을 사용하여 Si/Mo 다층 반사막을 형성하는 경우, 타깃으로서 Si 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스로서 Ar 가스 (가스압 1.3 × 10-2 ㎩ ∼ 2.7 × 10-2 ㎩) 를 사용하여, 이온 가속 전압 300 ∼ 1500 V, 성막 속도 0.03 ∼ 0.30 ㎚/sec 로 두께 4.5 ㎚ 가 되도록 Si 막을 성막하고, 다음으로, 타깃으로서 Mo 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스로서 Ar 가스 (가스압 1.3 × 10-2 ㎩ ∼ 2.7 × 10-2 ㎩) 를 사용하여, 이온 가속 전압 300 ∼ 1500 V, 성막 속도 0.03 ∼ 0.30 ㎚/sec 로 두께 2.3 ㎚ 가 되도록 Mo 막을 성막하는 것이 바람직하다. 이것을 1 주기로 하여 Si 막 및 Mo 막을 40 ∼ 50 주기 적층시킴으로써 Si/Mo 다층 반사막이 성막된다.
반사층 (3) 표면이 산화되는 것을 방지하기 위해서, 반사층 (3) 을 이루는 다층 반사막의 최상층은 산화되기 어려운 재료의 층으로 하는 것이 바람직하다. 산화되기 어려운 재료의 층은 반사층 (3) 의 캡층으로서 기능한다. 캡층으로서 기능하는 산화되기 어려운 재료의 층의 구체예로는 Si 층을 예시할 수 있다. 반사층 (3) 을 이루는 다층 반사막이 Si/Mo 막인 경우, 최상층을 Si 층으로 함으로써, 그 최상층을 캡층으로서 기능시킬 수 있다. 그 경우 캡층의 막두께는 11 ± 2 ㎚ 인 것이 바람직하다.
반사층 (3) 과 흡수체층 (4) 사이에 보호층을 형성해도 된다. 보호층은, 에칭 프로세스, 통상은 드라이 에칭 프로세스에 의해 흡수체층 (4) 을 패터닝할 때에, 반사층 (3) 이 에칭 프로세스에 의한 데미지를 받지 않도록 반사층 (3) 을 보호하는 것을 목적으로 하여 형성된다. 따라서 보호층의 재질로는, 흡수체층 (4) 의 에칭 프로세스에 의한 영향을 받기 어려운, 요컨대 이 에칭 속도가 흡수체층 (4) 보다 느리고, 게다가 이 에칭 프로세스에 의한 데미지를 받기 어려운 물질이 선택된다. 이 조건을 만족시키는 물질로는, 예를 들어 Cr, Al, Ta 및 이들의 질화물, Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등), 그리고 SiO2, Si3N4, Al2O3 이나 이들의 혼합물이 예시된다. 이들 중에서도 Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등), CrN 및 SiO2 가 바람직하고, Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등) 이 특히 바람직하다.
보호층을 형성하는 경우, 그 두께는 1 ∼ 60 ㎚ 인 것이 바람직하다.
보호층을 형성하는 경우, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등 주지된 성막 방법을 사용하여 성막한다. 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Ru 막을 성막하는 경우, 타깃으로서 Ru 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스로서 Ar 가스 (가스압 1.0 × 10-2 ㎩ ∼ 10 × 10-1 ㎩) 를 사용하여, 투입 전력 30 ∼ 1500 V, 성막 속도 0.02 ∼ 1.0 ㎚/sec 로 두께 2 ∼ 5 ㎚ 가 되도록 성막하는 것이 바람직하다.
흡수체층 (4) 에 특히 요구되는 특성은, 반사층 (3) 과의 관계에서 (그 반사층 (3) 상에 보호층이 형성되어 있는 경우에는 그 보호층과의 관계에서), 반사광의 콘트라스트가 충분히 높아지는 것이다.
본 명세서에 있어서, 반사광의 콘트라스트는 하기 식을 사용하여 구할 수 있다.
반사광의 콘트라스트 (％) = ((R2 - R1)/(R2 + R1)) × 100
여기서, R2 는 EUV 광의 파장에 대한 반사층 (3) 표면 (그 반사층 (3) 상에 보호층이 형성되어 있는 경우에는 보호층 표면) 에서의 반사율이고, R1 은 EUV 광의 파장에 대한 흡수체층 (4) 표면 (그 흡수체층 (4) 상에 검사광의 파장에 대한 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 그 저반사층 표면) 에서의 반사율이다. 또한, 상기 R1 및 R2 는, 도 1(a) 에 나타내는 EUV 마스크 (1) 와 같이, 흡수체층의 일부를 패터닝에 의해 제거한 상태에서 측정한다. 또한, 흡수체층 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는, EUV 마스크 블랭크의 흡수체층 및 저반사층의 일부를 패터닝에 의해 제거한 상태에서 측정한다. 상기 R2 는, 패터닝에 의해 흡수체층 (4) (흡수체층 (4) 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 흡수체층 (4) 및 저반사층) 이 제거되어 외부에 노출된 반사층 (3) 표면 (반사층 (3) 상에 보호층이 형성되어 있는 경우에는 보호층 표면) 에서 측정한 값, 즉 도 1(a) 에 나타내는 EUV 마스크 (1) 에서 보았을 경우, 도면 중 우측의 흡수체층 제거부에서 측정한 값이다. 상기 R1 은, 패터닝에 의해 제거되지 않고 남은 흡수체층 (4) 표면 (흡수체층 (4) 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 저반사층 표면) 에서 측정한 값, 즉 도 1(a) 에 나타내는 EUV 마스크 (1) 에서 보았을 경우, 도면 중 좌측의 흡수체층 비제거부에서 측정한 값이다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 및 EUV 마스크는, 상기 식으로 나타내는 반사광의 콘트라스트가 60 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 65 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하며, 70 ％ 이상인 것이 특히 바람직하다.
상기 반사광의 콘트라스트를 달성하기 위해서, 흡수체층 (4) 은 EUV 광선 반사율이 매우 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, EUV 광의 파장 영역의 광선을 흡수체층 (4) 표면에 조사하였을 때에, 파장 13.5 ㎚ 부근의 최대 광선 반사율이 0.5 ％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1 ％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 흡수체층 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우, EUV 광의 파장 영역의 광선을 저반사층 표면에 조사하였을 때에도, 파장 13.5 ㎚ 부근의 최대 광선 반사율이 0.5 ％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1 ％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 특성을 달성하기 위해서, 흡수체층 (4) 은 EUV 광의 흡수 계수가 높은 재료로 구성된다. EUV 광의 흡수 계수가 높은 재료로는, 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하는 재료라고 하였을 경우, 당해 재료 중 Ta 를 40 at％ (원자％) 이상, 바람직하게는 50 at％ 이상, 보다 바람직하게는 55 at％ 이상 함유하는 재료를 의미한다.
흡수체층 (4) 에 사용하는 Ta 를 주성분으로 하는 재료는, Ta 이외에 하프늄 (Hf), 규소 (Si), 지르코늄 (Zr), 게르마늄 (Ge), 붕소 (B) 및 질소 (N) 에서 선택되는 적어도 하나의 원소를 함유해도 된다. Ta 이외의 상기 원소를 함유하는 재료의 구체예로는, 예를 들어 TaN, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiN, TaB, TaBN, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr, TaZrN 등을 들 수 있다.
단, 흡수체층 (4) 중에는 산소 (O) 를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 흡수체층 (4) 중의 O 의 함유율이 25 at％ 미만인 것이 바람직하다. 흡수체층 (4) 을 패터닝할 때에는, 통상은 드라이 에칭 프로세스가 사용되고, 에칭 가스로는 염소계 가스 (혹은 염소계 가스를 함유하는 혼합 가스) 혹은 불소계 가스 (혹은 불소계 가스를 함유하는 혼합 가스) 가 통상적으로 사용된다. 에칭 프로세스에 의해 반사층이 데미지를 받는 것을 방지할 목적으로, 반사층 상에 보호층으로서 Ru 또는 Ru 화합물을 함유하는 막이 형성되어 있는 경우, 보호층의 데미지가 적다는 점에서, 에칭 가스로서 주로 염소계 가스가 사용된다. 그러나, 염소계 가스를 사용하여 드라이 에칭 프로세스를 실시하는 경우에, 흡수체층 (4) 이 산소를 함유하고 있으면, 에칭 속도가 저하되고, 레지스트 데미지가 커져 바람직하지 않다. 흡수체층 (4) 중의 산소의 함유율은 15 at％ 이하인 것이 바람직하고, 특히 10 at％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 5 at％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
흡수체층 (4) 의 두께는 20 ∼ 100 ㎚ 인 것이 바람직하고, 25 ∼ 90 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 30 ∼ 80 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다.
상기한 구성의 흡수체층 (4) 은, 공지된 성막 방법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법 또는 이온 빔 스퍼터링법을 실시함으로써 형성할 수 있다.
예를 들어, 흡수체층 (4) 으로서 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 TaHf 막을 형성하는 경우, 이하의 조건에서 실시하면 된다.
스퍼터링 타깃 : TaHf 화합물 타깃 (Ta = 30 ∼ 70 at％, Hf = 70 ∼ 30 at％)
스퍼터 가스 : Ar 가스 등의 불활성 가스 (가스압 1.0 × 10-1 ㎩ ∼ 50 × 10-1 ㎩, 바람직하게는 1.0 × 10-1 ㎩ ∼ 40 × 10-1 ㎩, 보다 바람직하게는 1.0 × 10-1 ㎩ ∼ 30 × 10-1 ㎩)
성막 전 진공도 : 1 × 10-4 ㎩ 이하, 바람직하게는 1 × 10-5 ㎩ 이하, 보다 바람직하게는 10-6 ㎩ 이하
투입 전력 : 30 ∼ 1000 W, 바람직하게는 50 ∼ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ∼ 500 W
성막 속도 : 2.0 ∼ 60 ㎚/min, 바람직하게는 3.5 ∼ 45 ㎚/min, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 ㎚/min
흡수체층 (4) 상에 검사광에 있어서의 저반사층을 형성해도 된다. 저반사층을 형성하는 경우, 그 저반사층은 마스크 패턴의 검사에 사용하는 검사광에 있어서 저반사가 되는 막으로 구성된다. EUV 마스크를 제조할 때, 흡수체층에 패턴을 형성한 후, 이 패턴이 설계대로 형성되어 있는지의 여부를 검사한다. 이 마스크 패턴의 검사에서는, 검사광으로서 통상 257 ㎚ 정도의 광을 사용한 검사기가 사용된다. 요컨대, 이 257 ㎚ 정도의 파장역의 반사광의 콘트라스트에 의해 검사된다. EUV 마스크 블랭크의 흡수체층 (4) 은, EUV 광선 반사율이 매우 낮고, EUV 마스크 블랭크 (1) 의 흡수체층으로서 우수한 특성을 갖고 있지만, 검사광의 파장에 대하여 보았을 경우, 광선 반사율이 반드시 충분히 낮다고는 할 수 없다. 이 결과, 검사시의 콘트라스트가 충분히 얻어지지 않을 가능성이 있다. 검사시의 콘트라스트가 충분히 얻어지지 않으면, 마스크 검사에 있어서 패턴의 결함을 충분히 판별할 수 없어, 정확한 결함 검사를 실시할 수 없게 된다.
흡수체층 (4) 상에 검사광에 있어서의 저반사층을 형성함으로써, 검사시의 콘트라스트가 양호해지고, 달리 말하면, 검사광의 파장에서의 광선 반사율이 매우 낮아진다. 구체적으로는, 검사광의 파장역의 광선을 저반사층 표면에 조사하였을 때에, 그 검사광의 파장의 최대 광선 반사율이 15 ％ 이하인 것이 바람직하고, 10 ％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 5 ％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
저반사층에 있어서의 검사광의 파장의 광선 반사율이 15 ％ 이하이면, 그 검사시의 콘트라스트가 양호하다. 구체적으로는, 상기 식으로 구해지는 검사광의 파장역의 반사광의 콘트라스트가 30 ％ 이상이 된다.
흡수체층 (4) 상에 검사광에 있어서의 저반사층을 형성하는 경우, 흡수체층 (4) 과 저반사층의 합계 두께가 20 ∼ 100 ㎚ 인 것이 바람직하고, 25 ∼ 90 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 30 ∼ 80 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 에 있어서 흡수체층 (4) 상에 저반사층을 형성하는 것이 바람직한 것은, 패턴의 검사광의 파장과 EUV 광의 파장이 상이하기 때문이다.
따라서, 패턴의 검사광으로서 EUV 광 (13.5 ㎚ 부근) 을 사용하는 경우, 흡수체층 (4) 상에 저반사층을 형성할 필요는 없는 것으로 생각할 수 있다. 검사광의 파장은, 패턴 치수가 작아짐에 따라 단파장측으로 시프트되는 경향이 있어, 장래적으로는 193 ㎚, 나아가서는 13.5 ㎚ 로 시프트되는 경우도 생각할 수 있다. 검사광의 파장이 13.5 ㎚ 인 경우, 흡수체층 (4) 상에 저반사층을 형성할 필요는 없는 것으로 생각할 수 있다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 는, 반사층 (3) 및 흡수체층 (4), 그리고 임의로 형성되는 보호층 및 저반사층 이외에, EUV 마스크 블랭크의 분야에 있어서 공지된 기능막을 갖고 있어도 된다. 이와 같은 기능막의 구체예로는, 예를 들어 일본 공표특허공보 2003-501823호에 기재되어 있는 것과 같이, 기판의 정전 척킹을 촉진하기 위해서, 기판의 이면측에 실시되는 고유전성 코팅을 들 수 있다. 여기서 기판의 이면이란, 도 1 에 나타내는 EUV 마스크 (1) 에 대하여 보았을 경우, 기판 (2) 의 반사층 (3) 이 형성되어 있는 측과는 반대측의 면을 가리킨다. 이와 같은 목적으로 기판의 이면에 실시하는 고유전성 코팅은, 시트 저항이 JIS k 7194 로 측정하였을 때 100 Ω 이하가 되도록, 구성 재료의 전기 전도율과 두께를 선택한다. 고유전성 코팅의 구성 재료로는, 공지된 문헌에 기재되어 있는 것에서 폭넓게 선택할 수 있다. 예를 들어 일본 공표특허공보 2003-501823호에 기재된 고유전율의 코팅, 구체적으로는 실리콘, TiN, 몰리브덴, 크롬 또는 TaSi 로 이루어지는 코팅을 적용할 수 있다. 고유전성 코팅의 두께는, 예를 들어 10 ∼ 1000 ㎚ 로 할 수 있다.
고유전성 코팅은, 공지된 성막 방법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법과 같은 스퍼터링법, CVD 법, 진공 증착법, 전해 도금법을 사용하여 형성할 수 있다.
본 발명에서는, EUV 마스크 블랭크를 제조할 때에, 기판 상에 박막을 형성함으로써 형성한 단차, 또는 기판 상에 오목부를 형성함으로써 형성한 단차가, 그 EUV 마스크 블랭크를 패터닝함으로써 형성되는 마스크 패턴 경계부와 일치할 필요가 있다. 이 때문에, 제조된 EUV 마스크 블랭크를 패터닝할 때에는, 그 EUV 마스크 블랭크를 정확하게 위치 결정할 필요가 있다. 이 때문에, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크는, 노광 영역 외에 위치 결정용 마크가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
EUV 마스크 블랭크용 기판에서는, 그 기판의 성막면 전체가 마스크 패턴의 형성에 사용되는 것은 아니다. 예를 들어 가로세로 152 ㎜ 의 기판의 경우, 레지스트막이 형성되는 영역은 그 중 가로세로 142 ㎜ 의 영역이며, 마스크 패턴이 형성되는 노광 영역은 그 중 132 × 104 ㎜ 의 영역이다. EUV 마스크 블랭크 상의 노광 영역 외에 위치 결정용 마크를 형성함으로써, 그 EUV 마스크를 패터닝할 때의 위치 정밀도가 향상되고, 기판 상에 박막을 형성함으로써 형성한 단차, 또는 기판 상에 오목부를 형성함으로써 형성한 단차를, 그 EUV 마스크 블랭크를 패터닝함으로써 형성되는 마스크 패턴 경계부와 일치시키는 것이 용이해진다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 노광 영역 외에 형성하는 위치 결정용 마크의 형상, 크기, 수 등은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 형상에 대해서는, 마크의 방향을 특정하기 쉽다는 점에서 십자형이 바람직하다. 크기에 대해서는, 십자형의 경우, 그 1 변의 길이를 1000 ㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. 수에 대해서는, 마크 간의 상대 위치로부터 위치 결정을 실시할 수 있다는 점에서 3 지점이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에 있어서, 위치 결정용 마크가 필요한 것은 그 EUV 마스크 블랭크를 패터닝할 때인 점, 및 EUV 마스크 블랭크를 구성하는 각 층 (반사층, 보호층, 흡수체층 및 저반사층) 은 통상 기판의 성막면 전체에 형성되는 점에서, 노광 영역 외에 형성하는 위치 결정용 마크는, 반사층을 형성할 때에 기판 상에 박막을 형성함으로써 형성한 단차, 또는 기판 상에 오목부를 형성함으로써 형성한 단차가, 그 EUV 마스크 블랭크를 패터닝함으로써 형성되는 마스크 패턴 경계부와 일치할 필요가 있다. 이 때문에, 제조된 EUV 마스크 블랭크를 패터닝할 때에는, 그 EUV 마스크 블랭크를 정확하게 위치 결정할 필요가 있다. 이 때문에, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크는 노광 영역 외에 위치 결정용 마크가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 마스크 블랭크의 흡수체층을 적어도 패터닝함으로써 마스크를 제조할 수 있게 된다. 흡수체층의 패터닝 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 흡수체층 상에 레지스트를 도포하여 레지스트 패턴을 형성하고, 이것을 마스크로 하여 흡수체층을 에칭하는 방법을 채용할 수 있다. 레지스트의 재료나 레지스트 패턴의 묘화법은, 흡수체층의 재질 등을 고려하여 적절히 선택하면 된다. 흡수체층의 에칭 방법도 특별히 한정되지 않고, 반응성 이온 에칭 등의 드라이 에칭 또는 웨트 에칭을 채용할 수 있다. 흡수체층을 패터닝한 후 레지스트를 박리액으로 박리함으로써 EUV 마스크가 얻어진다.
본 발명에 관련된 EUV 마스크를 사용한 반도체 집적 회로의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명은, EUV 광을 노광용 광원으로서 사용하는 포토리소그래피법에 의한 반도체 집적 회로의 제조 방법에 적용할 수 있다. 구체적으로는, 레지스트를 도포한 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 스테이지 상에 배치하고, 반사경을 조합하여 구성한 반사형 노광 장치에 상기 EUV 마스크를 설치한다. 그리고, EUV 광을 광원으로부터 반사경을 통해 EUV 마스크에 조사하고, EUV 광을 EUV 마스크에 의해 반사시켜 레지스트가 도포된 기판에 조사한다. 이 패턴 전사 공정에 의해 회로 패턴이 기판 상에 전사된다. 회로 패턴이 전사된 기판은, 현상에 의해 감광 부분 또는 비감광 부분을 에칭한 후, 레지스트를 박리한다. 반도체 집적 회로는 이와 같은 공정을 반복함으로써 제조된다.
실시예
이하, 실시예를 사용하여 본 발명을 더 설명한다.
(예 1)
예 1 에서는, 도 1(a) 에 나타내는 구성의 EUV 마스크에 EUV 광을 그 EUV 마스크에 대한 입사각이 6 °가 되도록 조사한 경우를 상정한 시뮬레이션을 실시하여, 도 1(b) 에 나타내는 EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프를 구한다. 결과를 도 3 에 나타낸다. 또한, 도 3 에 나타내는 결과는, 이하에 나타내는 조건에서 시뮬레이션을 실시함으로써 얻어지는 것이다.
반사층 (3), 흡수체층 (4) : 반사광의 콘트라스트가 1000 : 1 이 되는 상정 반사층, 흡수체층이다.
흡수체층의 두께 : 70 ㎚
단차의 높이 : 7 ㎚
단차의 단부와 마스크 패턴 경계부의 거리 : 0 ㎚
산란광 강도 : 반사층에 존재하는 변형부에 의해 산란된 산란광 강도의 전방위 총합. 표준 편차가, 단차의 끝부터 흡수체층의 그림자의 끝까지의 거리의 약 1/5 이 되는, 임의의 정규 분포 함수를 취하는 것으로 가정.
반사광 강도 I : 산란이 없었던 경우의 반사광 강도. 흡수체층을 통과한 광이 램버트=비어 법칙에 따라 감쇠되는 것으로 가정.
반사광 강도 S : 산란의 영향을 가미한 반사광 강도. 흡수체층을 통과한 광이 단차에 의해 일어나는 산란에 의해 감쇠되는 것으로 가정.
또한, 반사광 강도 I, S 는, 반사층 표면에서 EUV 광이 통상적으로 반사된 경우의 반사광 강도를 1 로 하였을 경우의 상대 강도로서 나타낸다.
도 3 으로부터 명확한 바와 같이, 마스크 패턴 경계부에 단차를 형성한 결과, 흡수체층의 일부만을 통과한 EUV 광이 반사광을 발생시키는 과정에서, 그 반사광이 반사층에 존재하는 변형부에 의해 산란됨으로써, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트 저하가 억제되는 것이 확인된다.
(예 2)
예 2 에서는, 단차의 높이를 4 ㎚ 로 하고, 단차의 단부와 마스크 패턴 경계부의 거리가 4 ㎚ 가 되도록, 도 1(a) 에 있어서의 단차 (5) 의 단부의 위치를 도면 중 우측으로 어긋나게 한 조건에서 예 1 과 동일한 시뮬레이션을 실시한다. 도 4 는, 시뮬레이션에 의해 얻어지는 EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
도 4 로부터 명확한 바와 같이, 마스크 패턴 경계부에 단차를 형성한 결과, 흡수체층의 일부만을 통과한 EUV 광이 반사광을 발생시키는 과정에서, 그 반사광이 반사층에 존재하는 변형부에 의해 산란됨으로써, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트가 향상되는 것이 확인된다. 또한, 도 3 및 도 4 의 비교로부터 명확한 바와 같이, 예 2 는, 예 1 보다 반사광의 콘트라스트를 억제하는 효과가 높다.
(예 3)
예 3 에서는, 반사층 (3), 흡수체층 (4) 을 반사광의 콘트라스트가 100 : 1 이 되는 상정 반사층, 흡수체층으로 하고, 단차의 높이를 7 ㎚ 로 하고, 단차의 단부와 마스크 패턴 경계부의 거리가 1 ㎚ 가 되도록, 도 1(a) 에 있어서의 단차 (5) 의 단부의 위치를 도면 중 우측으로 어긋나게 한 조건에서 예 1 과 동일한 시뮬레이션을 실시한다. 도 5 는, 시뮬레이션에 의해 얻어지는 EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
도 5 로부터 명확한 바와 같이, 마스크 패턴 경계부에 단차를 형성한 결과, 흡수체층의 일부만을 통과한 EUV 광이 반사광을 발생시키는 과정에서, 그 반사광이 반사층에 존재하는 변형부에 의해 산란됨으로써, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트가 향상되는 것이 확인된다.
(예 4)
예 4 에서는, 반사층 (3), 흡수체층 (4) 을 반사광의 콘트라스트가 100 : 1 이 되는 상정 반사층, 흡수체층으로 하고, 단차의 높이를 15 ㎚ 로 하고, 단차의 단부와 마스크 패턴 경계부의 거리가 0 ㎚ 가 되는 조건에서 예 1 과 동일한 시뮬레이션을 실시한다. 도 6 은, 시뮬레이션에 의해 얻어지는 EUV 마스크의 각 부위에서의 반사광 강도를 나타내는 그래프이다.
도 6 으로부터 명확한 바와 같이, 마스크 패턴 경계부에 단차를 형성한 결과, 흡수체층의 일부만을 통과한 EUV 광이 반사광을 발생시키는 과정에서, 그 반사광이 반사층에 존재하는 변형부에 의해 산란됨으로써, 마스크 패턴 경계부에서의 반사광의 콘트라스트가 향상된다.
단, 반사광의 상승 (上昇) 은, 단차의 높이가 10 ㎚ 이하인 예 1 ∼ 3 쪽이 예 4 보다 우수하다. 단차가 지나치게 크면, 그림자 부분 (Shadowing) 을 크게 하는 결과, 콘트라스트를 충분히 개선하지 못할 가능성이 있다.
산업상 이용가능성
본 발명은, EUV 마스크로서 고정세한 반도체 제조 등에 이용할 수 있다.
한편, 2008년 4월 23일에 출원된 일본 특허 출원 2008-112763호의 명세서, 특허 청구 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하여, 본 발명 명세서의 개시로서 도입한다.
1 : EUV 마스크
2 : 기판
3 : 반사층
4 : 흡수체층
5 : 박막
6 : 마스크 패턴
7, 8 : 흡수체 비제거부
10 : EUV 마스크
12 : 기판
13 : 반사층
14 : 흡수체층
20 : 단차
22 : 단차의 높이
24 : 단차의 단면

Claims (13)

  1. 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
    상기 기판 상의 적어도 일부에 있어서, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되는 부위와, 상기 흡수체층이 제거되는 부위에 인접하는, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되지 않는 부위 사이에 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단차의 단부가, 흡수체층이 제거되는 부위와 상기 흡수체층이 제거되지 않는 부위의 경계부보다, 상기 흡수체층이 제거되는 부위의 방향에 위치하고 있는, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  3. 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
    상기 기판 상에 있어서, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되는 부위 중 마스크 패턴의 외연이 되는 부위와, 상기 마스크 패턴의 외연이 되는 부위의 외측에 인접하는, 패터닝시에 상기 흡수체층이 제거되지 않는 부위 사이에 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 단차의 단부가, 상기 마스크 패턴의 외연이 되는 부위와 상기 흡수체층이 제거되지 않는 부위의 경계부보다, 상기 마스크 패턴의 외연이 되는 부위의 방향에 위치하고 있는, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단차의 단부와 마스크 패턴의 경계부의 거리 (L) 가, EUV 마스크에 대한 EUV 광의 입사각을
    Figure pct00004
    (°) 로 하고, 흡수체층의 막두께 (흡수체층 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우, 흡수체층과 저반사층의 합계 막두께) 를 t (㎜), 단차의 높이를 h (㎚) 로 할 때, 하기 식 (1) 을 만족시키고 있는, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
    L = (t + h) × tan
    Figure pct00005
    - h (1)
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단차의 높이가 2 ∼ 10 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 표면의 일부에 박막을 형성함으로써, 상기 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 표면의 일부를 제거함으로써, 상기 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡수체층 상에, 마스크 패턴의 검사에 사용하는 검사광에 있어서의 저반사층이 형성되어 있는, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사층과 상기 흡수체층 사이에, 패터닝시에 상기 반사층을 보호하기 위한 보호층이 형성되어 있는, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    패터닝시의 노광 영역 외에 위치 결정용 마크가 형성되어 있는, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크를 패터닝하여 이루어지는, EUV 리소그래피용 반사형 마스크.
  13. 제 12 항에 기재된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 사용하여, 피노광체에 노광을 실시함으로써 반도체 집적 회로를 제조하는, 반도체 집적 회로의 제조 방법.
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