KR20130007537A - Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 - Google Patents

Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 Download PDF

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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

EUV 마스크 블랭크로서의 특성이 우수하고, 특히 패턴 검사광의 파장역의 반사율이 낮고, 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 있어서, 충분한 에칭 속도를 가지며, 또한 레지스트와의 밀착성이 양호함으로써, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴을 형성하는 경우의 레지스트 패턴의 소실이나 레지스트 패턴의 결함 등의 문제를 해소할 수 있는 저반사층을 구비한 EUV 마스크 블랭크의 제공.
기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층과, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층이, 이 순서로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 저반사층이, 상기 흡수체층의 측으로부터, 규소 (Si) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 1 층, 및 탄탈 (Ta), 산소 (O) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 2 층이, 또는 탄탈 (Ta) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 2 층이, 이 순서로 적층된 적층 구조인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.

Description

ＥＵＶ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법{REFLECTION-TYPE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은, 반도체 제조 등에 사용되는 EUV (Extreme Ultra Violet : 극단자외) 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 (이하, 본 명세서에 있어서 「EUV 마스크 블랭크」라고도 한다), 당해 블랭크의 제조 방법, 당해 블랭크를 패터닝하여 얻어진 EUV 리소그래피용 반사형 마스크, 및 당해 반사형 마스크를 사용한 반도체 집적 회로의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 산업에 있어서, Si 기판 등에 미세한 패턴으로 이루어지는 집적 회로를 형성하는 데에 있어서 필요한 미세 패턴의 전사 기술로서, 가시광이나 자외광을 사용한 포토리소그래피법이 이용되어 왔다. 그러나, 반도체 디바이스의 미세화가 가속되고 있는 한편, 종래의 포토리소그래피법의 한계에 가까워져 왔다. 포토리소그래피법의 경우, 패턴의 해상 한계는 노광 파장의 1/2 정도이고, 액침법을 이용해도 노광 파장의 1/4 정도로 알려져 있어, ArF 레이저 (파장 : 193 ㎚) 의 액침법을 이용해도 45 ㎚ 정도가 한계일 것으로 예상된다. 그래서 45 ㎚ 보다 짧은 노광 파장을 사용하는 차세대의 노광 기술로서, ArF 레이저보다 더 단파장의 EUV 광을 사용한 노광 기술인 EUV 리소그래피가 유망시되고 있다. 본 명세서에 있어서 EUV 광이란, 연(軟) X 선 영역 또는 진공 자외선 영역의 파장의 광선을 가리키며, 구체적으로는 파장 10 ～ 20 ㎚ 정도, 특히 13.5 ㎚ ± 0.3 ㎚ 정도의 광선을 가리킨다.
EUV 광은, 모든 물질에 대하여 흡수되기 쉬우며, 또한 이 파장에서 물질의 굴절률이 1 에 가깝기 때문에, 종래의 가시광 또는 자외광을 사용한 포토리소그래피와 같은 굴절 광학계를 사용할 수 없다. 이 때문에, EUV 광 리소그래피에서는, 반사 광학계, 즉 반사형 포토마스크와 미러가 사용된다.
마스크 블랭크는, 포토마스크 제조에 사용되는 패터닝 전의 적층체이다. EUV 마스크 블랭크의 경우, 유리 등의 기판 상에 EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층이 이 순서로 형성된 구조를 갖고 있다. 반사층으로는, 고굴절층과 저굴절층을 교대로 적층함으로써, EUV 광을 층 표면에 조사하였을 때의 광선 반사율이 높아진 다층 반사막이 통상 사용된다. 흡수체층에는, EUV 광에 대한 흡수 계수가 높은 재료, 구체적으로는 예를 들어 Ta 나 Cr 을 주성분으로 하는 재료가 사용된다.
EUV 마스크 블랭크의 흡수체층 상에는, 마스크 패턴 검사광에 대한 저반사층이 통상 형성되어 있다. 마스크 패턴 형성 후에 있어서의 패턴 결함의 유무에는, 심자외광의 파장역 (190 ～ 260 ㎚) 의 광선이 사용된다. 상기 파장역의 광선을 사용한 패턴 검사에서는, 패터닝 공정에 의해 저반사층 및 흡수체층이 제거된 영역과, 저반사층 및 흡수체층이 남아 있는 영역의 반사율차, 즉, 이들 영역의 표면에서의 반사광의 콘트라스트에 의해 패턴 결함의 유무가 검사된다. 마스크 패턴의 검사 감도를 향상시키는 위해서는, 콘트라스트를 크게 할 필요가 있으며, 이를 위해서는, 저반사층이 상기 파장역에 대하여 저반사 특성인 것, 즉, 상기 파장역에 대한 반사율이 15 ％ 이하일 것이 요구된다.
특허문헌 1 에는, 탄탈 붕소 합금의 질화물 (TaBN) 로 이루어지는 흡수체층 상에, 탄탈 붕소 합금의 산화물 (TaBO) 또는 탄탈 붕소 합금의 산질화물 (TaBNO) 로 이루어지는 저반사층을 형성하는 것이, 마스크 패턴의 검사광의 파장역 (190 ㎚ ～ 260 ㎚) 에 대한 반사율이 낮기 때문에 바람직하다고 되어 있다.
또, 특허문헌 2, 3 에는, 마스크 패턴의 검사광의 파장역 (190 ㎚ ～ 260 ㎚) 에 대한 반사율을 조정하기 위해서, 흡수체층 상에 금속, 규소 (Si), 산소 (O) 및 질소 (N) 로 이루어지는 저반사층을 형성하는 것이 바람직하다고 되어 있다.
특허문헌 1 내지 3 의 어느 경우에 있어서도, 저반사층으로서, 산화물로 이루어지는 층 내지는 산질화물로 이루어지는 층이 사용되고 있다. 이것은, 저반사층에 산소를 가함으로써, 190 ㎚ ～ 260 ㎚ 부근의 파장에 대하여 저반사 기능을 향상시키기 위해서인데, 한편으로, 저반사층을 산화물로 이루어지는 층 내지는 산질화물로 이루어지는 층으로 한 경우, 이하에 서술하는 바와 같은 에칭 속도 저하의 문제가 있다.
EUVL 용 마스크의 제조시, 흡수체층 및 저반사층에 패턴 형성할 때에는, 통상은 드라이 에칭 프로세스가 사용되고, 에칭 가스로는, 염소계 가스 (혹은 염소계 가스를 함유하는 혼합 가스) (이하, 이들을 총칭하여 염소계 가스라고 한다), 내지는 불소 가스 (혹은 불소계 가스를 함유하는 혼합 가스) (이하, 이들을 총칭하여 불소계 가스라고 한다) 가 통상 사용된다. 에칭 프로세스에 의해 반사층이 데미지를 받는 것을 방지할 목적으로, 반사층 상에 보호층으로서 Ru 또는 Ru 화합물을 함유하는 막이 형성되어 있는 경우, 보호층의 데미지가 적다는 점에서, 흡수체층에 대해서는, 에칭 가스로서 주로 염소계 가스가 사용된다. 한편, 저반사층을 산화물로 이루어지는 층 내지는 산질화물로 이루어지는 층으로 한 경우, 염소계 가스에서는 불소계 가스와 비교하여 에칭 속도가 느려진다. 그 때문에, 저반사층의 에칭 프로세스에는, 일반적으로는 불소계 가스가 사용되고 있다.
흡수체층 및 저반사층에 패턴 형성하는 경우, 통상은 상기와 같은 2 단계의 에칭 프로세스, 즉 저반사층에 대해서는 불소계 가스를 사용한 에칭 프로세스를 실시하고, 흡수체층에 대해서는 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스를 실시하는 것이 필요해진다. 그러나, 이와 같은 2 단계의 에칭 프로세스를 실시한 경우, 2 개의 에칭 챔버가 필요하게 되기 때문에, 프로세스가 복잡해짐과 함께, 챔버 이동간의 오염도 우려된다. 또, 1 개의 챔버에서 2 개의 에칭 프로세스를 실시하는 경우, 불소계 가스 및 염소계 가스라는 상이한 가스종이 혼재하기 때문에, 챔버의 오염이 발생하거나, 프로세스가 불안정화된다는 문제가 생긴다.
본원 발명자들은, 상기 서술한 문제점을 해결하기 위해서 예의 검토하여, 먼저, 저반사층을 Si 및 N 을 함유하는 막 (SiN 막) 으로 함으로써, 마스크 패턴의 검사광의 전체 파장역 (190 ～ 260 ㎚) 에 대하여, 저반사층 특성을 갖고, 또한 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 대하여, 에칭 속도의 향상이 가능한 것을 알아내었다. 이 지견에 기초하는 EUV 마스크 블랭크는, 특허문헌 4 에 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 4 에 기재된 EUV 마스크 블랭크는, 저반사층이 Si 를 함유하는 막이기 때문에, 특허문헌 5 의 단락 [0003] 에 기재되어 있는 바와 같은, 마스크 패턴용 레지스트와의 밀착성에 문제가 생길 것이 우려된다. 특허문헌 5 에서는, Si 함유막과 패턴을 형성할 때에 도포되는 레지스트의 밀착성에 관하여 기재되어 있고, Si 함유막의 경우, 레지스트와의 밀착성이 충분하지 않다고 기재되어 있다. 즉 저반사층이, Si 함유막인 경우, 마스크 패턴 형성시에 도포되는 레지스트와의 밀착성이 충분하지 않고, 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 구체적으로는, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트 패턴이 소실되거나, 레지스트 패턴이 무너져 레지스트 패턴의 결함이 되는 등의 문제가 생길 가능성이 있다.
일본 공개특허공보 2004-6798호 일본 공개특허공보 2006-228767호 일본 공개특허공보 2007-335908호 국제 공개 WO2009/154238호 일본 공개특허공보 2008-70799호
본 발명은, 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서, EUV 마스크 블랭크로서의 특성이 우수하고, 특히 패턴 검사광의 파장역의 반사율이 낮고, 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 있어서, 충분한 에칭 속도를 가지며, 또한 레지스트와의 밀착성이 양호함으로써, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트 패턴이 소실되거나, 레지스트 패턴이 무너져 레지스트 패턴의 결함이 되는 등의 문제를 해소할 수 있는 저반사층을 구비한 EUV 마스크 블랭크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 이러한 EUV 마스크 블랭크의 제조 방법, 당해 블랭크스를 패터닝하여 얻어진 EUV 리소그래피용 반사형 마스크, 및 당해 반사형 마스크를 사용한 반도체 집적 회로의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, 저반사층을 Si 및 N 을 함유하는 막 (SiN 막) 과, Ta 및 N 을 함유하는 막 (TaN 막), 혹은 Ta, O, 및 N 을 함유하는 막 (TaON 막) 이 적층된 적층 구조로 함으로써, 마스크 패턴의 검사광의 전체 파장역 (190 ～ 260 ㎚) 에 대하여 저반사층 특성을 갖고, 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 대하여 에칭 속도의 향상이 가능하며, 또한 레지스트와의 밀착성도 충분하기 때문에, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트 패턴이 소실되거나, 레지스트 패턴이 무너져 레지스트 패턴의 결함이 되는 등의 문제를 해소할 수 있는 것을 알아내었다.
본 발명은, 상기 지견에 기초하여 이루어진 것으로, 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층과, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층이, 이 순서로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
상기 저반사층이, 상기 흡수체층의 측으로부터, 규소 (Si) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 원자％ (이하, 원자％ 를 at％ 라고 표기한다) 이상 함유하는 제 1 층, 그리고, 탄탈 (Ta), 산소 (O) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 2 층이 이 순서로 적층된 적층 구조인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 (이하, 「본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1)」이라고도 한다) 를 제공한다.
또, 본 발명은, 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층과, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층이, 이 순서로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
상기 저반사층이, 상기 흡수체층의 측으로부터, 규소 (Si) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 1 층, 그리고, 탄탈 (Ta) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 2 층이 이 순서로 적층된 적층 구조인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 (이하, 「본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (2)」라고도 한다) 를 제공한다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 제 1 층에 있어서의 Si 의 함유율이 5 ～ 80 at％ 이고, N 의 함유율이 15 ～ 90 at％ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 에 있어서, 상기 제 2 층에 있어서의 Ta 의 함유율이 30 ～ 80 at％ 이고, O 및 N 의 합계 함유율이 20 ～ 70 at％ 이고, O 와 N 의 조성비가 9 : 1 ～ 1 : 9 인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (2) 에 있어서, 상기 제 2 층에 있어서의 Ta 의 함유율이 30 ～ 80 at％ 이고, N 의 함유율이 20 ～ 70 at％ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 제 2 층 표면의 표면 조도 (rms) 가, 0.5 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 결정 구조가, 아모르퍼스인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 합계 막두께가 3.5 ～ 23 ㎚ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 제 1 층의 막두께가 3 ～ 18 ㎚ 이고, 상기 제 2 층의 막두께가 0.5 ～ 5 ㎚ 이고, 상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 막두께의 차 (제 1 층의 막두께 - 제 2 층의 막두께) 가 2 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 흡수체층이, 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하는 흡수체층인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 흡수체층이, 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하고, 하프늄 (Hf), 규소 (Si), 지르코늄 (Zr), 게르마늄 (Ge), 붕소 (B), 질소 (N) 및 수소 (H) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종류의 원소를 함유해도 된다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 흡수체층은, 산소 (O) 의 함유율이 25 at％ 미만인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 흡수체층 및 상기 저반사층의 막두께의 합계가, 40 ～ 200 ㎚ 인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 반사층과 상기 흡수체층 사이에, 상기 흡수체층에 대한 패턴 형성시에 상기 반사층을 보호하기 위한 보호층이 형성되어 있는 경우, 그 보호층이, Ru, Ru 화합물, SiO2 및 CrN 중 어느 1 종으로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 에 있어서, 상기 마스크 패턴의 검사광의 파장 (190 ～ 260 ㎚) 에 대한 상기 저반사층 표면의 반사율이 15 ％ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 에 있어서, 상기 제 1 층이, 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써, 혹은 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되고, 상기 제 2 층이 질소 (N) 및 산소 (O) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (2) 에 있어서, 상기 제 1 층이, 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써, 혹은 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되고, 상기 제 2 층이 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되는 것이 바람직하다.
또, 본 발명은, 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층, EUV 광을 흡수하는 흡수체층, 그리고, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층의 제 1 층 및 제 2 층을 이 순서로 형성함으로써 EUV 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
상기 제 1 층이, 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써, 혹은 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되고, 상기 제 2 층이 질소 (N) 및 산소 (O) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 블랭크의 제조 방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층, EUV 광을 흡수하는 흡수체층, 그리고, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층의 제 1 층 및 제 2 층을 이 순서로 형성함으로써 EUV 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
상기 제 1 층이, 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써, 혹은 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되고, 상기 제 2 층이 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 블랭크의 제조 방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 상기한 본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1), (2) 의 흡수체층 및 저반사층에 패터닝을 실시한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 (이하, 「본 발명의 EUV 마스크」라고 한다) 를 제공한다.
또, 본 발명은, 상기한 EUV 마스크를 사용하여, 피노광체에 노광을 실시함으로써 반도체 집적 회로를 제조하는 반도체 집적 회로의 제조 방법을 제공한다.
본 명세서에 있어서 「～」란, 특별한 규정이 없는 한, 그 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 의미로 사용된다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크는, 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 있어서도, 종래의 저반사층과 비교하여 충분히 빠른 에칭 속도가 얻어진다. 그 때문에, 염소계 가스만으로, 저반사층 및 흡수체층의 에칭이 가능하고, 에칭 프로세스 및 에칭 장치의 간이화가 기대됨과 함께, 에칭 프로세스에 있어서의 오염의 저감도 기대된다. 또한, 본 발명에서는, 저반사층의 에칭 속도가 종래의 저반사층과 비교하여 빠르기 때문에, 레지스트를 현상태보다 얇게 하는 것이 가능하고, 결과적으로, 보다 미세한 패터닝 가공도 가능해질 것으로 기대된다.
또, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크는, 저반사층이 레지스트와의 밀착성이 양호하기 때문에, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트 패턴이 소실되거나, 레지스트 패턴이 무너져 레지스트 패턴의 결함이 되는 등의 문제를 해소할 수 있다.
또, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크의 제조 방법에 의하면, 상기한 바와 같이 각종 성능이 우수한 EUV 마스크 블랭크를 용이하게 얻을 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 EUV 마스크 블랭크를 설명한다.
도 1 은, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 1 에 나타내는 마스크 블랭크 (1) 는, 기판 (11) 상에 EUV 광을 반사하는 반사층 (12) 과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층 (14) 이 이 순서로 형성되어 있다. 반사층 (12) 과 흡수체층 (14) 사이에는, 흡수체층 (14) 에 대한 패턴 형성시에 반사층 (12) 을 보호하기 위한 보호층 (13) 이 형성되어 있다. 흡수체층 (14) 상에는, 마스크 패턴의 검사광에 대한 저반사층 (15) 이 형성되어 있다. 여기서, 저반사층 (15) 은, 흡수체층 (14) 측으로부터, 제 1 층 (16), 및, 제 2 층 (17) 이 이 순서로 적층된 적층 구조를 이루고 있다.
또한, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 에 있어서, 도 1 에 나타내는 구성 중, 기판 (11), 반사층 (12), 흡수체층 (14), 그리고, 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 의 적층 구조로 이루어지는 저반사층 (15) 만이 필수이고, 보호층 (13) 은 임의의 구성 요소이다.
이하, EUV 마스크 블랭크 (1) 의 개개의 구성 요소에 대하여 설명한다.
기판 (11) 은, EUV 마스크 블랭크용 기판으로서의 특성을 만족시킬 것이 요구된다. 그 때문에, 기판 (11) 은, 저열팽창 계수를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 기판 (11) 의 20 ℃ 에 있어서의 열팽창 계수가 0 ± 0.05 × 10-7/℃ 인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 0 ± 0.03 × 10-7/℃ 이다. 또, 기판 (11) 은, 평활성, 평탄도, 및 EUV 마스크 블랭크 또는 패턴 형성 후의 포토마스크의 세정 등에 사용하는 세정액에 대한 내성이 우수한 것이 바람직하다. 기판 (11) 으로는, 구체적으로는 저열팽창 계수를 갖는 유리, 예를 들어 SiO2-TiO2 계 유리 등을 사용하는데, 이것에 한정되지 않고, β 석영 고용체를 석출한 결정화 유리나 석영 유리나 실리콘이나 금속 등의 기판을 사용할 수도 있다.
기판 (11) 은, 표면 조도 (rms) 가 0.15 ㎚ 이하인 평활한 표면과, 100 ㎚ 이하인 평탄도를 갖고 있는 것이 패턴 형성 후의 포토마스크에 있어서 고반사율 및 전사 정밀도가 얻어지기 때문에 바람직하다.
기판 (11) 의 크기나 두께 등은 마스크의 설계치 등에 의해 적절히 결정되는 것이다. 이후에 나타내는 실시예에서는 외형 가로세로 약 6 인치 (152 ㎜) 이고, 두께 약 0.25 인치 (6.3 ㎜) 인 SiO2-TiO2 계 유리를 사용하였다.
기판 (11) 의 반사층 (12) 이 형성되는 측의 표면에는 결점이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 그러나, 존재하고 있는 경우라도, 오목상 결점 및/또는 볼록상 결점에 의해 위상 결점이 생기지 않도록, 오목상 결점의 깊이 및 볼록상 결점의 높이가 2 ㎚ 이하이며, 또한 이들 오목상 결점 및 볼록상 결점의 반치폭이 60 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.
반사층 (12) 은, EUV 마스크 블랭크의 반사층으로서 원하는 특성을 갖는 것인 한 특별히 한정되지 않는다. 여기서, 반사층 (12) 에 특히 요구되는 특성은, 고 EUV 광선 반사율인 것이다. 구체적으로는, EUV 광의 파장 영역의 광선을 입사각 6 도로 반사층 (12) 표면에 조사하였을 때에, 파장 13.5 ㎚ 부근의 광선 반사율의 최대치가 60 ％ 이상인 것이 바람직하고, 65 ％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 반사층 (12) 상에 보호층 (13) 이나 저반사층 (15) 을 형성한 경우라도, 파장 13.5 ㎚ 부근의 광선 반사율의 최대치가 60 ％ 이상인 것이 바람직하고, 65 ％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
반사층 (12) 으로는, 고 EUV 광선 반사율을 달성할 수 있다는 점에서, 통상은 고굴절률층과 저굴절률층을 교대로 복수 회 적층시킨 다층 반사막이 사용된다. 반사층 (12) 을 이루는 다층 반사막에 있어서, 저굴절률층에는 Mo 가 널리 사용되고, 고굴절률층에는 Si 가 널리 사용된다. 즉, Mo/Si 다층 반사막이 가장 일반적이다. 단, 다층 반사막은 이것에 한정되지 않고, Ru/Si 다층 반사막, Mo/Be 다층 반사막, Mo 화합물/Si 화합물 다층 반사막, Si/Mo/Ru 다층 반사막, Si/Mo/Ru/Mo 다층 반사막, Si/Ru/Mo/Ru 다층 반사막도 사용할 수 있다.
반사층 (12) 을 이루는 다층 반사막을 구성하는 각 층의 막두께 및 층의 반복 단위의 수는, 사용하는 막 재료 및 반사층에 요구되는 EUV 광선 반사율에 따라 적절히 선택할 수 있다. Mo/Si 다층 반사막을 예로 들면, EUV 광선 반사율의 최대치가 60 ％ 이상인 반사층 (12) 으로 하려면, 다층 반사막은 막두께 2.3 ± 0.1 ㎚ 의 Mo 층과, 막두께 4.5 ± 0.1 ㎚ 의 Si 층을 반복 단위수가 30 ～ 60 이 되도록 적층시키면 된다. 이와 같은 Mo 층과 Si 층을 반복한 다층 반사막에 있어서, 그 최상층은 Si 층이 되도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 반사층 (12) 을 이루는 다층 반사막을 구성하는 각 층은, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등, 주지된 성막 방법을 이용하여 원하는 두께가 되도록 성막하면 된다. 예를 들어, 이온 빔 스퍼터링법을 이용하여 Mo/Si 다층 반사막을 형성하는 경우, 타깃으로서 Si 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스로서 Ar 가스 (가스압 1.3 × 10-2 ㎩ ～ 2.7 × 10-2 ㎩) 를 사용하여, 이온 가속 전압 300 ～ 1500 V, 성막 속도 0.03 ～ 0.3 ㎚/sec 로 두께 4.5 ㎚ 가 되도록 Si 막을 성막하고, 다음으로, 타깃으로서 Mo 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스로서 Ar 가스 (가스압 1.3 × 10-2 ㎩ ～ 2.7 × 10-2 ㎩) 를 사용하여, 이온 가속 전압 300 ～ 1500 V, 성막 속도 0.03 ～ 0.3 ㎚/sec 로 두께 2.3 ㎚ 가 되도록 Mo 막을 성막하는 것이 바람직하다. 이것을 1 주기로 하여, Si 막 및 Mo 막을 40 ～ 50 주기 적층시킴으로써 Mo/Si 다층 반사막이 성막된다.
반사층 (12) 의 표면이 산화되는 것을 방지하기 위해서, 반사층 (12) 을 이루는 다층 반사막의 최상층은 산화되기 어려운 재료의 층으로 하는 것이 바람직하다. 산화되기 어려운 재료의 층은 반사층 (12) 의 캡층으로서 기능한다. 캡층으로서 기능하는 산화되기 어려운 재료의 층의 구체예로는, Si 층을 예시할 수 있다. 반사층 (12) 을 이루는 다층 반사막이 Mo/Si 막인 경우, 최상층을 Si 층으로 함으로써, 그 최상층을 캡층으로서 기능시킬 수 있다. 그 경우 캡층의 막두께는 9 ～ 13 ㎚ 인 것이 바람직하다.
보호층 (13) 은, 에칭 프로세스, 통상은 드라이 에칭 프로세스에 의해 흡수체층 (14) 에 패턴 형성할 때에, 반사층 (12) 이 에칭 프로세스에 의한 데미지를 받지 않도록, 반사층 (12) 을 보호하는 것을 목적으로 하여 형성된다. 따라서, 보호층 (13) 의 재질로는, 흡수체층 (14) 의 에칭 프로세스에 의한 영향을 받기 어려운, 요컨대 이 에칭 속도가 흡수체층 (14) 보다 느리고, 또한 이 에칭 프로세스에 의한 데미지를 잘 받지 않는 물질이 선택된다. 이 조건을 만족시키는 물질로는, 예를 들어 Cr, Al, Ta 및 이들의 질화물；Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등)；SiO2, Si3N4, Al2O3 이나 이들의 혼합물이 예시된다. 이들 중에서도, Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등), CrN 및 SiO2 가 바람직하고, Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등) 이 특히 바람직하다.
보호층 (13) 의 두께는 1 ～ 60 ㎚ 인 것이 바람직하다.
보호층 (13) 은, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등 주지된 성막 방법을 이용하여 성막한다. 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Ru 막을 성막하는 경우, 타깃으로서 Ru 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스로서 Ar 가스 (가스압 1 × 10-2 ㎩ ～ 10 × 10-1 ㎩) 를 사용하여, 투입 전력 30 ～ 1500 V, 성막 속도 0.02 ～ 1 ㎚/sec 로 두께 2 ～ 5 ㎚ 가 되도록 성막하는 것이 바람직하다.
흡수체층 (14) 에 특히 요구되는 특성은, EUV 광선 반사율이 매우 낮은 것이다. 구체적으로는, EUV 광의 파장 영역의 광선을 흡수체층 (14) 표면에 조사하였을 때에, 파장 13.5 ㎚ 부근의 최대 광선 반사율이 5 ％ 이하, 특히 3 ％ 이하, 나아가서는 1 ％ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 에 있어서는, EUV 광의 파장 영역의 광선을 저반사층 (15) 표면에 조사하였을 때에도, 파장 13.5 ㎚ 부근의 최대 광선 반사율이 5 ％ 이하, 특히 3 ％ 이하, 나아가서는 1 ％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 특성을 달성하기 위해서, 흡수체층 (14) 은, EUV 광의 흡수 계수가 높은 재료로 구성된다. EUV 광의 흡수 계수가 높은 재료로는, 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하는 재료라고 한 경우, 당해 재료 중 Ta 를 40 at％ 이상, 바람직하게는 50 at％ 이상, 보다 바람직하게는 55 at％ 이상 함유하는 재료를 의미한다.
흡수체층 (14) 에 사용하는 Ta 를 주성분으로 하는 재료는, Ta 이외에, 하프늄 (Hf), 규소 (Si), 지르코늄 (Zr), 게르마늄 (Ge), 붕소 (B) 및 질소 (N) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 원소를 함유해도 된다. Ta 이외의 상기 원소를 함유하는 재료의 구체예로는, 예를 들어 TaN, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiN, TaB, TaBN, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr, TaZrN 등을 들 수 있다.
단, 흡수체층 (14) 중에는, 산소 (O) 를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 흡수체층 (14) 중의 O 의 함유율이 25 at％ 미만인 것이 바람직하다. 흡수체층 (14) 에 패턴 형성할 때에는, 통상은 드라이 에칭 프로세스가 사용되고, 에칭 가스로는, 염소계 가스 혹은 불소계 가스가 통상적으로 사용된다. 에칭 프로세스에 의해 반사층이 데미지를 받는 것을 방지할 목적으로, 반사층 상에 보호층으로서 Ru 또는 Ru 화합물을 함유하는 막이 형성되어 있는 경우, 보호층의 데미지가 적은 점에서, 에칭 가스로서 주로 염소계 가스가 사용된다. 그러나, 염소계 가스를 사용하여 드라이 에칭 프로세스를 실시하는 경우에, 흡수체층 (14) 이 산소를 함유하고 있으면, 에칭 속도가 저하되고, 레지스트 데미지가 커져 바람직하지 않다. 흡수체층 (14) 중의 산소의 함유율은, 15 at％ 이하인 것이 바람직하고, 10 at％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5 at％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 불가피 불순물 이외에 산소를 실질적으로 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다.
흡수체층 (14) 은, 흡수체층 (14) 과 저반사층 (15) 의 합계 막두께가 40 ～ 200 ㎚ 가 되도록 막두께를 설정하는 것이 바람직하고, 양자의 합계 막두께가 50 ～ 200 ㎚ 가 되도록 막두께를 설정하는 것이 보다 바람직하다. 양자의 합계 막두께가 50 ～ 150 ㎚ 가 되도록 막두께를 설정하는 것이 더욱 바람직하고, 특히 50 ～ 100 ㎚ 가 되도록 막두께를 설정하는 것이 바람직하다.
상기한 구성의 흡수체층 (14) 은, 공지된 성막 방법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법 또는 이온 빔 스퍼터링법을 실시함으로써 형성할 수 있다.
예를 들어, 흡수체층 (14) 으로서, 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 TaHf 막을 형성하는 경우, 이하의 조건에서 실시하면 된다.
·스퍼터링 타깃 : TaHf 화합물 타깃 (Ta = 30 ～ 70 at％, Hf = 70 ～ 30 at％).
·스퍼터 가스 : Ar 가스 등의 불활성 가스 (가스압 1 × 10-1 ㎩ ～ 50 × 10-1 ㎩, 바람직하게는 1 × 10-1 ㎩ ～ 40 × 10-1 ㎩, 보다 바람직하게는 1 × 10-1 ㎩ ～ 30 × 10-1 ㎩).
·성막 전 진공도 : 1 × 10-4 ㎩ 이하, 바람직하게는 1 × 10-5 ㎩ 이하, 보다 바람직하게는 10-6 ㎩ 이하.
·투입 전력 : 30 ～ 1000 W, 바람직하게는 50 ～ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ～ 500 W
·성막 속도 : 2 ～ 60 ㎚/min, 바람직하게는 3.5 ～ 45 ㎚/min, 보다 바람직하게는 5 ～ 30 ㎚/min.
또, 흡수체층 (14) 으로서, 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 TaN 층을 형성하는 경우, 이하의 조건에서 실시하면 된다.
·스퍼터링 타깃 : Ta 타깃.
·스퍼터 가스 : Ar 가스 등의 불활성 가스로 희석한 N2 가스 (가스압 1 × 10-1 ㎩ ～ 50 × 10-1 ㎩, 바람직하게는 1 × 10-1 ㎩ ～ 40 × 10-1 ㎩, 보다 바람직하게는 1 × 10-1 ㎩ ～ 30 × 10-1 ㎩).
·성막 전 진공도 : 1 × 10-4 ㎩ 이하, 바람직하게는 1 × 10-5 ㎩ 이하, 보다 바람직하게는 10-6 ㎩ 이하.
·투입 전력 : 30 ～ 1000 W, 바람직하게는 50 ～ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ～ 500 W.
·성막 속도 : 2 ～ 60 ㎚/min, 바람직하게는 3.5 ～ 45 ㎚/min, 보다 바람직하게는 5 ～ 30 ㎚/min.
저반사층 (15) 은, 마스크 패턴의 검사에 사용하는 검사광의 파장에 대하여, 저반사 특성을 나타내는 막으로 구성된다. EUV 마스크를 제작할 때, 흡수체층에 패턴을 형성한 후, 이 패턴이 설계대로 형성되어 있는지 여부를 검사한다. 이 마스크 패턴의 검사에서는, 검사광으로서 현재는 257 ㎚ 정도의 광을 사용한 검사기가 사용되고 있다. 그러나, 패턴폭이 작아짐에 따라, 검사광에 사용되는 파장도 짧아져, 향후 190 ～ 199 ㎚ 의 파장이 사용될 것이 예측된다. 따라서, 검사광은, 파장이 190 ～ 260 ㎚ 인 광이 요구된다. 요컨대, 이와 같은 파장의 검사광에 대한 반사율의 차, 구체적으로는, 흡수체층 (14) 이 패턴 형성에 의해 제거되어 노출된 면과, 패턴 형성에 의해 제거되지 않고 남은 흡수체층 (14) 표면의 반사율의 차, 즉, 이들의 면에서의 반사광의 콘트라스트에 의해 검사된다. 여기서, 전자는 반사층 (12) 표면이다. 단, 반사층 (12) 상에 보호층 (13) 이 형성되어 있는 경우, 보호층 (13) 표면이다. 따라서, 검사광의 파장에 대한 반사층 (12) 표면 또는 보호층 (13) 표면과, 흡수체층 (14) 표면의 반사율의 차가 작으면 검사시의 콘트라스트가 나빠져, 정확한 검사를 할 수 없게 된다.
상기한 구성의 흡수체층 (14) 은, EUV 광선 반사율이 매우 낮고, EUV 마스크 블랭크 (1) 의 흡수체층으로서 우수한 특성을 갖고 있지만, 검사광의 파장에 대하여 보았을 경우, 광선 반사율이 반드시 충분히 낮다고는 할 수 없다. 이 결과, 검사광의 파장에 대한 흡수체층 (14) 표면의 반사율과 보호층 (13) 표면의 반사율의 차가 작아져, 검사시의 콘트라스트가 충분히 얻어지지 않을 가능성이 있다. 검사시의 콘트라스트가 충분히 얻어지지 않으면, 마스크 패턴의 검사에 있어서 패턴의 결함을 충분히 판별할 수 없어, 정확한 결함 검사를 실시할 수 없게 된다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 에서는, 흡수체층 (14) 상에 마스크 패턴의 검사광에 대한 저반사층 (15) 을 형성함으로써, 검사시의 콘트라스트가 양호해진다. 또한, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 의 경우, 반사광의 콘트라스트는 검사광의 파장에 대한, 반사층 (12) 표면과 저반사층 (15) 표면의 반사율의 차이다. 단, 반사층 (12) 상에 보호층 (13) 이 형성되어 있는 경우, 보호층 (13) 표면과 저반사층 (15) 표면의 반사율의 차이다. 본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 에서는, 흡수체층 (14) 상에 저반사층 (15) 을 형성함으로써, 마스크 패턴의 검사광의 전체 파장역 (190 ～ 260 ㎚) 에 대하여 광선 반사율이 매우 낮아진다. 구체적으로는, 마스크 패턴의 검사광의 파장역 (190 ～ 260 ㎚) 의 광선을 저반사층 (15) 표면에 조사하였을 때에, 그 검사광의 전체 파장역 (190 ～ 260 ㎚) 에 대하여, 저반사층 (15) 표면의 광선 반사율 (최대 광선 반사율) 이 15 ％ 이하인 것이 바람직하고, 10 ％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5 ％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
마스크 패턴의 검사광의 전체 파장역 (190 ～ 260 ㎚) 에 대하여 저반사층 (15) 표면의 광선 반사율이 15 ％ 이하이면, 마스크 패턴의 검사광의 파장을 불문하고, 검사시의 콘트라스트가 양호하다.
저반사층 (15) 은, 상기 특성을 달성하기 위해서, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 굴절률이 흡수체층 (14) 보다 높은 재료로 구성되고, 그 결정 상태가 아모르퍼스인 것이 바람직하다. 이것에 추가하여, 저반사층 (15) 은, 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 있어서, 충분한 에칭 속도를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크는, 저반사층 (15) 에 대한 상기 서술한 요구를 만족시키기 위해서, 흡수체층 (14) 측으로부터, 제 1 층 (16), 및, 제 2 층 (17) 이 이 순서로 적층된 적층 구조의 저반사층 (15) 으로 하고, 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 을 종래의 마스크 블랭크의 저반사층과 같은 산화물, 산질화물과 같은 산소를 함유하는 조성이 아니라, Si 및 N 을 합계 함유율로 95 at％ 이상, 나아가서는 98 at％ 이상 함유하는 조성으로 한다. 이에 따라, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 광선 반사율을 충분히 낮게 하여, 검사시에 양호한 콘트라스트를 얻을 수 있다.
또, 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 을, 산소를 함유하지 않는 조성으로 함으로써, 적층 구조의 저반사층 (15) 이 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 대하여 충분한 에칭 속도를 갖는다.
이하, 본 명세서에 있어서, 상기한 Si 및 N 을 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 1 층을, 제 1 층 (SiN 층), 또는 간단히 SiN 층이라고도 표기한다.
또한, 적층 구조의 저반사층 (15) 이 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 대하여 충분한 에칭 속도를 갖는 것을 나타내는 지표로는, 반사층 (단, 통상은 반사층 상에 보호층이 형성되어 있기 때문에 보호층) 과의 에칭 선택비를 사용할 수 있다. 반사층 (또는 보호층) 과의 에칭 선택비는, 흡수체층이 반사층 (또는 보호층) 과의 관계에 있어서, 충분한 에칭 속도를 갖는 것을 나타내는 지표로서 사용되는 것이다. 이것을 적층 구조의 저반사층에 적용함으로써, 적층 구조의 저반사층이 충분한 에칭 속도를 갖고 있는 것을 판단할 수 있다.
본 명세서에 있어서 에칭 선택비는, 하기 식을 이용하여 계산할 수 있다.
·에칭 선택비
= (저반사층 (또는 흡수체층) 의 에칭 속도)/(반사층 (또는 보호층) 의 에칭 속도)
흡수체층의 경우, 상기 식에서 얻어지는 에칭 선택비가 10 이상인 것이 바람직하고, 11 이상인 것이 더욱 바람직하고, 12 이상인 것이 더욱 바람직한 것으로 여겨지고 있다. 따라서, 저반사층의 경우에 상기 식에서 얻어지는 에칭 선택비가 상기 범위이면, 저반사층이 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 대하여 충분한 에칭 속도를 갖고 있게 된다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 은, Si 의 함유율이 5 ～ 80 at％ 인 것이 바람직하고, N 의 함유율이 15 ～ 90 at％ 인 것이 바람직하다. Si 의 함유율이 5 at％ 미만이면, 제 1 층 (16) 의 도전성이 저하되고, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 전자선 묘화할 때에 차지 업의 문제가 생길 가능성이 있다. Si 의 함유율이 80 at％ 초과이면, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 광선 반사율을 충분히 낮게 할 수 없어, 저반사층 (15) 표면에서의 광선 반사율이 15 ％ 이하가 되지 않을 가능성이 있다. 또, N 의 함유율이 15 at％ 보다 낮은 경우, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 광선 반사율을 충분히 낮게 할 수 없어, 저반사층 (15) 표면에서의 광선 반사율이 15 ％ 이하가 되지 않을 가능성이 있다. N 의 함유율이 90 at％ 보다 높은 경우, 저반사층 (15) 의 내산성이 저하되고, 제 1 층 (16) 의 절연성이 증가하고, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 전자선 묘화할 때에 차지 업이 일어나는 등의 문제가 생길 가능성이 있다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 은, Si 의 함유율이 10 ～ 80 at％ 인 것이 보다 바람직하고, 20 ～ 80 at％ 인 것이 더욱 바람직하고, 30 ～ 70 at％ 인 것이 특히 바람직하다. 또, N 의 함유율이 15 ～ 85 at％ 인 것이 보다 바람직하고, 15 ～ 75 at％ 인 것이 더욱 바람직하고, 25 ～ 65 at％ 인 것이 특히 바람직하다.
상기 서술한 점으로부터 분명한 바와 같이, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 중에는, 산소 (O) 를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 제 1 층 (16) 중의 산소 (O) 의 함유율이 5 at％ 미만인 것이 바람직하다. 흡수체층 (14) 에 대하여 상기 서술한 바와 같이, 흡수체층 (14) 및 그 위에 있는 저반사층 (15) 에 패턴 형성할 목적으로 염소계 가스를 사용하여 드라이 에칭 프로세스를 실시하는 경우에, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 이 산소를 함유하고 있으면, 에칭 속도가 저하되고, 레지스트 데미지가 커져 바람직하지 않다. 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 중의 산소의 함유율은, 4 at％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 3 at％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 불가피 불순물 이외에 산소를 실질적으로 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다.
상기 서술한 바와 같이, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 으로서 사용하는, Si 및 N 을 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 층은, EUV 마스크 블랭크의 저반사층으로서 우수한 특성을 갖고 있다. 그러나, 층을 구성하는 원소로서 Si 를 함유하기 때문에, 마스크 패턴 형성시에 도포되는 레지스트와의 밀착성이 충분하지 않고, 제 1 층 (16) 만으로 저반사층 (15) 을 형성하면, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트 패턴이 소실되거나, 레지스트 패턴이 무너져 레지스트 패턴의 결함이 되는 등의 문제가 생길 가능성이 있다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에서는, 제 1 층 (16) 상에, 마스크 패턴 형성시에 도포되는 레지스트와의 밀착성이 우수한 제 2 층 (17) 을 적층시킨 적층 구조의 저반사층 (15) 으로 한다. 이것에 의해, 상기 문제, 즉, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트 패턴이 소실되거나, 레지스트 패턴이 무너져 (즉, 소정 패턴으로 형성된 레지스트층의 에지 부분이 붕괴되어), 레지스트 패턴의 결함이 되는 등의 문제를 해소한다.
상기 목적으로 형성하는 제 2 층 (17) 은, 마스크 패턴 형성시에 도포되는 레지스트와의 밀착성이 우수한 것에 추가하여, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 일부를 이루는 점에서, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 굴절률이 흡수체층 (14) 보다 높은 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 또, 제 2 층 (17) 의 결정 상태가 아모르퍼스인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 에서는, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (17) 이 탄탈 (Ta), 산소 (O) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 것에 의해서도 상기 특성을 달성한다.
이하, 본 명세서에 있어서, 상기한 탄탈 (Ta), 산소 (O) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 2 층을, 제 2 층 (TaON 층), 또한 간단히 TaON 층이라고도 표기한다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (TaON 층) (17) 은, 이들 원소를 이하에 서술하는 특정 비율로 함유하는 것이 바람직하다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (TaON 층) (17) 은, Ta 의 함유율이 30 ～ 80 at％ 이고, O 및 N 의 합계 함유율이 20 ～ 70 at％ 이고, O 및 N 의 조성비가 9 : 1 ～ 1 : 9 인 것이 바람직하다. O 및 N 의 함유율이 20 at％ 보다 낮은 경우, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 광선 반사율을 충분히 낮게 할 수 없어, 저반사층 (15) 표면에서의 광선 반사율이 15 ％ 이하가 되지 않을 가능성이 있다. 또, 제 2 층 (TaON 층) (17) 의 결정 상태가 아모르퍼스가 되지 않아, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 표면을 이루는 제 2 층 (TaON 층) (17) 의 표면 조도 (rms) 가 0.5 ㎚ 이하가 되지 않을 우려가 있다.
한편, O 및 N 의 함유율이 70 at％ 보다 높은 경우, 제 2 층 (TaON 층) (17) 의 절연성이 증가하고, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 전자선 묘화할 때에 차지 업이 일어나는 등의 문제가 생길 가능성이 있다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (TaON 층) (17) 은, Ta 의 함유율이 35 ～ 75 at％ 인 것이 보다 바람직하고, 40 ～ 70 at％ 인 것이 더욱 바람직하다. O 및 N 의 합계 함유율이 25 ～ 65 at％ 인 것이 보다 바람직하고, 30 ～ 60 at％ 인 것이 더욱 바람직하다. 또, O 및 N 의 조성비가 8 : 2 ～ 2 : 8 인 것이 보다 바람직하고, 7 : 3 ～ 3 : 7 인 것이 더욱 바람직하다.
상기 서술한 바와 같이, 흡수체층 (14) 과 적층 구조의 저반사층 (15) 의 합계 막두께가 40 ～ 200 ㎚ 인 것이 바람직하고, 50 ～ 200 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 50 ～ 150 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하고, 50 ～ 100 ㎚ 인 것이 특히 바람직하다. 단, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 막두께가 흡수체층 (14) 의 막두께보다 크면, 흡수체층 (14) 에서의 EUV 광 흡수 특성이 저하될 우려가 있으므로, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 막두께는 흡수체층의 막두께보다 작은 것이 바람직하다. 이 때문에, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 막두께, 즉, 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 의 합계 막두께는 3.5 ～ 23 ㎚ 인 것이 바람직하고, 8 ～ 17 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크에서는, 적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 은, 그들 막두께가 이하에 서술하는 범위를 만족시키는 것이 바람직하다.
적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 제 1 층 (16) 의 막두께가 3 ～ 18 ㎚ 이고, 제 2 층 (17) 의 막두께가 0.5 ～ 5 ㎚ 이고, 제 1 층 (16) 의 막두께가 제 2 층 (17) 의 막두께보다 두껍고, 제 1 층과 제 2 층의 막두께의 차 (제 1 층의 막두께 - 제 2 층의 막두께) 가 2 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.
제 1 층 (16) 의 막두께가 3 ㎚ 미만이면, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 광선 반사율을 충분히 낮게 할 수 없어, 저반사층 (15) 표면에서의 광선 반사율이 15 ％ 이하가 되지 않을 가능성이 있다. 한편, 제 1 층 (16) 의 막두께가 18 ㎚ 초과인 경우에도, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 광선 반사율을 충분히 낮게 할 수 없어, 저반사층 (15) 표면에서의 광선 반사율이 15 ％ 이하가 되지 않을 가능성이 있다.
제 2 층 (17) 의 막두께가 0.5 ㎚ 미만이면, 제 2 층이 연속막이 되지 않고, 레지스트와의 밀착성의 불균일이 발생할 우려가 있다. 한편, 제 2 층 (17) 의 막두께가 5 ㎚ 초과이면, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 마스크 패턴의 검사광의 파장역에 대한 광선 반사율을 충분히 낮게 할 수 없어, 저반사층 (15) 표면에서의 광선 반사율이 15 ％ 이하가 되지 않을 가능성이 있다.
제 1 층과 제 2 층의 막두께의 차가 2 ㎚ 미만인 경우, 적층 구조의 저반사층 (15) 에서 차지하는 제 1 층의 비율이 작아지기 때문에, 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스를 실시하였을 때에, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 에칭 속도가 저하된다.
적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 제 1 층 (16) 의 막두께가 8 ～ 17 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 9 ～ 14 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 제 2 층 (17) 의 막두께가 0.5 ～ 4 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 0.5 ～ 3 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 제 1 층과 제 2 층의 막두께의 차가 4 ㎚ 이상인 것이 보다 바람직하고, 6 ㎚ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
상기 서술한 점으로부터 분명한 바와 같이, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 있어서, 제 2 층 (17) 의 막두께는 제 1 층 (16) 의 막두께에 비해 작고, 저반사층 (15) 에 요구되는 기능 중, 마스크 패턴의 검사광의 파장역 (190 ～ 260 ㎚) 에 대하여 광선 반사율이 낮은 것은 제 1 층 (16) 에 의해 달성할 수 있다. 또, 저반사층 (15) 에 요구되는 기능 중, 염소계 가스를 사용한 에칭 프로세스에 있어서 충분한 에칭 속도를 갖는 것은, 제 1 층 (16) 이 상기 서술한 조성이며, 또한 제 2 층의 막두께가 충분히 얇은 것에 의해 달성된다.
이 때문에, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (17) 은, 흡수체층 (14) 에 사용되는 재료 중, 마스크 패턴 형성시에 도포되는 레지스트와의 밀착성이 우수한 것으로도 형성할 수도 있다.
이와 같은 관점에서, 본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (2) 에 있어서는, 선택되는 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (17) 으로는, 탄탈 (Ta) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 층을 들 수 있다.
이하, 본 명세서에 있어서, 상기한 탄탈 (Ta) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 2 층을, 제 2 층 (TaN 층), 또한 간단히 TaN 층이라고도 기재한다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (TaN 층) (17) 은, 이들 원소를 이하에 서술하는 특정 비율로 함유하는 것이 바람직하다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (TaN 층) (17) 은, Ta 의 함유율이 30 ～ 80 at％ 이고, N 의 함유율이 20 ～ 70 at％ 인 것이 바람직하다. N 의 함유율이 20 at％ 보다 낮은 경우, 제 2 층 (TaN 층) (17) 의 결정 상태가 아모르퍼스가 되지 않아, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 표면을 이루는 제 2 층 (TaN 층) (17) 의 표면 조도 (rms) 가 0.5 ㎚ 이하가 되지 않을 우려가 있다.
N 의 함유율이 70 at％ 보다 높은 경우, 제 2 층 (TaN 층) (17) 의 절연성이 증가하고, 적층 구조의 저반사층 (15) 에 전자선 묘화할 때에 차지 업이 일어나는 등의 문제가 생길 가능성이 있다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층 (TaN 층) (17) 은, Ta 의 함유율이 35 ～ 75 at％ 인 것이 보다 바람직하고, 40 ～ 70 at％ 인 것이 더욱 바람직하다. N 의 함유율이 25 ～ 65 at％ 인 것이 보다 바람직하고, 30 ～ 60 at％ 인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (2) 에 있어서, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 2 층이 TaN 층인 경우에도, 제 1 층 (16) 의 막두께, 제 2 층 (17) 의 막두께, 및 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 의 막두께 비가 상기한 조건을 만족시키는 것이 바람직하다. 또, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 막두께, 및 흡수체층 (14) 과 적층 구조의 저반사층 (15) 의 합계 막두께가 상기한 조건을 만족시키는 것이 바람직하다.
적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 각 층, 즉, 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) (TaON 층, 또는 TaN 층) 은, 성막시에 사용하는 타깃으로부터의 B 를 0.1 ～ 5 at％ 함유해도 된다.
적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 각 층, 즉, 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) (TaON 층, 또는 TaN 층) 은, 상기 구성인 것에 의해, 그 결정 상태는 아모르퍼스인 것이 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「결정 상태가 아모르퍼스이다」라고 한 경우, 전혀 결정 구조를 갖지 않는 아모르퍼스 구조로 되어 있는 것 이외에, 미결정 구조인 것을 포함한다.
적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 각 층, 즉, 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) (TaON 층, 또는 TaN 층) 이 아모르퍼스 구조의 막 또는 미결정 구조의 막인 것이 바람직하다. 이러한 구조로 함으로써, 평활한 저반사층 (15) 표면, 즉, 제 2 층 (17) 표면의 표면 조도 (rms) 를 0.5 ㎚ 이하로 하는 것이 용이해진다. 여기서, 제 2 층 (17) 표면의 표면 조도 (rms) 는 원자간력 현미경 (Atomic Force Microscope) 을 사용하여 측정할 수 있다. 적층 구조의 저반사층 (15) 의 표면을 이루는 제 2 층 (17) 표면의 표면 조도가 크면, 저반사층 (15) 에 형성되는 패턴의 에지 러프니스가 커져, 패턴의 치수 정밀도가 나빠진다. 패턴이 미세해짐에 따라 에지 러프니스의 영향이 현저해지기 때문에, 적층 구조의 저반사층 (15) 표면을 이루는 제 2 층 (17) 표면은 평활할 것이 요구된다.
또한, 표면 조도 (rms) 가 0.5 ㎚ 이하란, 제곱 평균 제곱근 표면 조도가 0.5 ㎚ 이하인 것을 의미한다.
적층 구조의 저반사층 (15) 의 표면을 이루는 제 2 층 (17) 표면의 표면 조도 (rms) 가 0.5 ㎚ 이하이면, 저반사층 (15) 표면이 충분히 평활하기 때문에, 에지 러프니스의 영향에 의해 패턴의 치수 정밀도가 악화될 우려가 없다. 제 2 층 (17) 표면의 표면 조도 (rms) 는 0.4 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 각 층, 즉, 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) (TaON 층, 또는 TaN 층) 의 결정 상태가 아모르퍼스인 것, 즉, 아모르퍼스 구조인 것, 또는 미결정 구조인 것은, X 선 회절 (XRD) 법에 의해 확인할 수 있다. 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) (TaON 층, 또는 TaN 층) 의 결정 상태가 아모르퍼스 구조이거나, 또는 미결정 구조이면, XRD 측정에 의해 얻어지는 회절 피크에 샤프한 피크가 보이지 않는다.
적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 각 층, 즉, 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) (TaON 층, TaN 층) 은, 이하의 순서로 형성할 수 있다.
상기한 구성의 제 1 층 (16), 즉, Si 및 N 을 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 층은, Si 타깃 혹은 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법 또는 이온 빔 스퍼터링법을 실시함으로써 형성할 수 있다.
상기한 구성의 제 1 층 (16) 은, 아르곤 (Ar) 등의 불활성 가스로 희석한 질소 (N2) 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 방전시킴으로써 형성할 수 있다. 또는, 아르곤 (Ar) 등의 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 방전시킴으로써 형성할 수 있다.
여기서, Si 타깃 및 SiN 타깃은, B 를 0.1 ～ 10 at％ 함유해도 된다.
상기한 방법 중, Si 타깃을 사용하는 방법으로 흡수체층 (14) 상에, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 을 형성하려면, 구체적으로는 이하의 성막 조건에서 실시하면 된다.
(제 1 층 (16) (SiN 막) 의 성막 조건)
·스퍼터 가스 : Ar 과 N2 의 혼합 가스
(Ar 가스 농도는, 3 ～ 80 vol％, 바람직하게는 5 ～ 70 vol％, 보다 바람직하게는 10 ～ 60 vol％. N2 가스 농도는, 3 ～ 80 vol％, 바람직하게는 5 ～ 70 vol％, 보다 바람직하게는 10 ～ 60 vol％. 가스압은, 바람직하게는 1 × 10-2 ㎩ ～ 40 × 10-1 ㎩, 보다 바람직하게는 1 × 10-1 ㎩ ～ 30 × 10-1 ㎩).
·투입 전력 : 30 ～ 1000 W, 바람직하게는 50 ～ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ～ 500 W.
·성막 속도 : 0.1 ～ 60 ㎚/min, 바람직하게는 0.5 ～ 45 ㎚/min, 보다 바람직하게는 1 ～ 30 ㎚/min.
또한, Ar 이외의 불활성 가스를 사용하는 경우, 그 불활성 가스의 농도가 상기한 Ar 가스 농도와 동일한 농도 범위로 하는 것이 바람직하다.
또, SiN 타깃을 사용하는 경우, 스퍼터 가스로서 Ar 등의 불활성 가스 농도 100 vol％ 의 가스를 사용하고, 상기 가스압, 투입 전력 및 성막 속도로 실시하면 된다.
상기한 구성의 제 2 층 (TaON 층) (17), 즉, Ta, O 및 N 을 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 층은, 헬륨 (He), 아르곤 (Ar), 네온 (Ne), 크립톤 (Kr) 및 크세논 (Xe) 중 적어도 1 종을 함유하는 불활성 가스로 희석한 산소 (O2) 그리고 질소 (N2) 분위기 중에서, Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법 또는 이온 빔 스퍼터링법을 실시함으로써 형성할 수 있다.
또는, 후술하는 순서로 TaN 층을 형성한 후, 예를 들어 산소 플라스마 중에 쬐거나, 산소를 사용한 이온 빔을 조사함으로써, 형성된 TaN 층을 산화시키는 것에 의해 제 2 층 (TaON 층) 으로 해도 된다.
상기한 방법으로 제 1 층 (16) 상에 제 2 층 (TaON 층) (17) 을 형성하려면, 구체적으로는 이하의 성막 조건에서 실시하면 된다.
(제 2 층 (TaON 층) (17) 의 성막 조건)
·스퍼터 가스 : Ar 과 O2 와 N2 의 혼합 가스
(O2 가스 농도는, 5 ～ 80 vol％, 바람직하게는 6 ～ 70 vol％, 보다 바람직하게는 10 ～ 30 vol％. N2 가스 농도는, 5 ～ 75 vol％, 바람직하게는 6 ～ 35 vol％, 보다 바람직하게는 10 ～ 30 vol％. Ar 가스 농도는, 5 ～ 90 vol％, 바람직하게는 10 ～ 88 vol％, 보다 바람직하게는 20 ～ 80 vol％. 가스압은, 1.0 × 10-1 ㎩ ～ 50 × 10-1 ㎩, 바람직하게는 1.0 × 10-1 ㎩ ～ 40 × 10-1 ㎩, 보다 바람직하게는 1.0 × 10-1 ㎩ ～ 30 × 10-1 ㎩).
·투입 전력 : 30 ～ 1000 W, 바람직하게는 50 ～ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ～ 500 W.
·성막 속도 : 0.01 ～ 60 ㎚/min, 바람직하게는 0.05 ～ 45 ㎚/min, 보다 바람직하게는 0.1 ～ 30 ㎚/min.
또한, 아르곤 이외의 불활성 가스를 사용하는 경우, 그 불활성 가스의 농도가 상기한 Ar 가스 농도와 동일한 농도 범위로 하는 것이 바람직하다. 또, 복수 종류의 불활성 가스를 사용하는 경우, 불활성 가스의 합계 농도를 상기한 Ar 가스 농도와 동일한 농도 범위로 하는 것이 바람직하다.
상기한 구성의 제 2 층 (TaN 층) (17), 즉, Ta 및 N 을 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 층은, 헬륨 (He), 아르곤 (Ar), 네온 (Ne), 크립톤 (Kr) 및 크세논 (Xe) 중 적어도 1 종을 함유하는 불활성 가스로 희석한 질소 (N2) 분위기 중에서, Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법 또는 이온 빔 스퍼터링법을 실시함으로써 형성할 수 있다.
상기한 방법으로 제 1 층 (16) 상에 제 2 층 (TaN 층) (17) 을 형성하려면, 구체적으로는 이하의 성막 조건에서 실시하면 된다.
(제 2 층 (TaN 층) (17) 의 성막 조건)
·스퍼터 가스 : Ar 과 N2 의 혼합 가스
(Ar 가스 농도는, 3 ～ 80 vol％, 바람직하게는 5 ～ 70 vol％, 보다 바람직하게는 10 ～ 60 vol％. N2 가스 농도는, 3 ～ 80 vol％, 바람직하게는 5 ～ 70 vol％, 보다 바람직하게는 10 ～ 60 vol％. 가스압은, 바람직하게는 1 × 10-2 ㎩ ～ 40 × 10-1 ㎩, 보다 바람직하게는 1 × 10-1 ㎩ ～ 30 × 10-1 ㎩).
·투입 전력 : 30 ～ 1000 W, 바람직하게는 50 ～ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ～ 500 W.
·성막 속도 : 0.01 ～ 60 ㎚/min, 바람직하게는 0.05 ～ 45 ㎚/min, 보다 바람직하게는 0.1 ～ 30 ㎚/min.
또한, 아르곤 이외의 불활성 가스를 사용하는 경우, 그 불활성 가스의 농도가 상기한 Ar 가스 농도와 동일한 농도 범위로 하는 것이 바람직하다. 또, 복수 종류의 불활성 가스를 사용하는 경우, 불활성 가스의 합계 농도를 상기한 Ar 가스 농도와 동일한 농도 범위로 하는 것이 바람직하다.
여기서, 제 2 층 (TaON 층, 또는 TaN 층) 의 형성에 사용하는 Ta 타깃은, B 를 0.1 ～ 10 at％ 함유해도 된다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크 (1) 는, 반사층 (12), 보호층 (13), 흡수체층 (14), 그리고, 적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 이외에, EUV 마스크 블랭크의 분야에 있어서 공지된 기능막을 갖고 있어도 된다. 이와 같은 기능막의 구체예로는, 예를 들어, 일본 공표특허공보 2003-501823호에 기재되어 있는 것과 같이, 기판의 정전 척킹을 촉진하기 위해서, 기판의 이면측에 실시되는 고유전성 코팅을 들 수 있다. 여기서, 기판의 이면이란, 도 1 의 기판 (11) 에 있어서, 반사층 (12) 이 형성되어 있는 측과는 반대측의 면을 가리킨다. 이와 같은 목적으로 기판의 이면에 실시하는 고유전성 코팅은, 시트 저항이 100 Ω/□ 이하가 되도록, 구성 재료의 전기 전도율과 두께를 선택한다. 고유전성 코팅의 구성 재료로는, 공지된 문헌에 기재되어 있는 것에서 넓게 선택할 수 있다. 예를 들어, 일본 공표특허공보 2003-501823호에 기재된 고유전율의 코팅, 구체적으로는, 실리콘, TiN, 몰리브덴, 크롬, TaSi 로 이루어지는 코팅을 적용할 수 있다. 고유전성 코팅의 두께는, 예를 들어 10 ～ 1000 ㎚ 로 할 수 있다.
고유전성 코팅은, 공지된 성막 방법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법과 같은 스퍼터링법, CVD 법, 진공 증착법, 전해 도금법을 이용하여 형성할 수 있다.
본 발명의 EUV 마스크 블랭크의 흡수체층을 적어도 패터닝함으로써, EUV 마스크를 제조할 수 있게 된다. 흡수체층의 패터닝 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 흡수체층 상에 레지스트를 도포하여 레지스트 패턴을 형성하고, 이것을 마스크로 하여 흡수체층을 에칭하는 방법을 채용할 수 있다. 레지스트의 재료나 레지스트 패턴의 묘화법은, 흡수체층의 재질 등을 고려하여 적절히 선택하면 된다. 흡수체층의 에칭 방법도 특별히 한정되지 않고, 반응성 이온 에칭 등의 드라이 에칭 또는 웨트 에칭을 채용할 수 있다. 흡수체층을 패터닝한 후, 레지스트를 박리액으로 박리함으로써, EUV 마스크가 얻어진다.
본 발명에 관련된 EUV 마스크를 사용한 반도체 집적 회로의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명은, EUV 광을 노광용 광원으로서 사용하는 포토리소그래피법에 의한 반도체 집적 회로의 제조 방법에 적용할 수 있다. 구체적으로는, 레지스트를 도포한 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 스테이지 상에 배치하고, 반사경을 조합하여 구성한 반사형의 노광 장치에 상기 EUV 마스크를 설치한다. 그리고, EUV 광을 광원으로부터 반사경을 개재하여 EUV 마스크에 조사하고, EUV 광을 EUV 마스크에 의해 반사시켜 레지스트가 도포된 기판에 조사한다. 이 패턴 전사 공정에 의해, 회로 패턴이 기판 상에 전사된다. 회로 패턴이 전사된 기판은, 현상에 의해 감광 부분 또는 비감광 부분을 에칭한 후, 레지스트를 박리한다. 반도체 집적 회로는, 이와 같은 공정을 반복함으로써 제조된다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세히 서술하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
본 실시예에서는, 도 1 에 나타내는 EUV 마스크 블랭크를 제작하였다.
성막용 기판 (11) 으로서, SiO2-TiO2 계의 유리 기판 (외형 가로세로 약 6 인치 (세로 × 가로 : 약 152 ㎜ × 약 152 ㎜), 두께가 약 6.3 ㎜) 을 사용하였다. 이 유리 기판의 열팽창률은 0.2 × 10-7/℃, 영률은 67 ㎬, 푸아송비는 0.17, 비강성은 3.07 × 107 ㎡/s2 이다. 이 유리 기판을 연마에 의해, 표면 조도 (rms) 가 0.15 ㎚ 이하인 평활한 표면과, 100 ㎚ 이하의 평탄도로 형성하였다.
상기 기판 (11) 의 이면측에는, 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 두께 100 ㎚ 의 Cr 막을 성막함으로써, 시트 저항 100 Ω/□ 의 고유전성 코팅을 실시하였다.
평판 형상을 한 통상적인 정전 척에, 형성한 Cr 막을 사용하여 상기 기판 (11) 을 고정시키고, 그 기판 (11) 의 표면 상에 이온 빔 스퍼터링법을 이용하여 Si 막 및 Mo 막을 교대로 성막하는 것을 40 주기 반복함으로써, 합계 막두께 272 ㎚ [(4.5 ㎚ (Si 막의 막두께) ＋ 2.3 ㎚ (Mo 막의 막두께)) × 40 주기] 의 Mo/Si 다층 반사막 (반사층 (12)) 을 형성하였다.
또한, Mo/Si 다층 반사막 (반사층 (12)) 상에, 이온 빔 스퍼터링법을 이용하여 Ru 막 (막두께 2.5 ㎚) 을 성막함으로써, 보호층 (13) 을 형성하였다.
Si 막, Mo 막 및 Ru 막의 성막 조건은 이하와 같다.
(Si 막의 성막 조건)
·타깃 : Si 타깃 (붕소 도프)
·스퍼터 가스 : Ar 가스 (가스압 0.02 ㎩)
·전압 : 700 V
·성막 속도 : 0.077 ㎚/sec
·막두께 : 4.5 ㎚
(Mo 막의 성막 조건)
·타깃 : Mo 타깃
·스퍼터 가스 : Ar 가스 (가스압 0.02 ㎩)
·전압 : 700 V
·성막 속도 : 0.064 ㎚/sec
·막두께 : 2.3 ㎚
(Ru 막의 성막 조건)
·타깃 : Ru 타깃
·스퍼터 가스 : Ar 가스 (가스압 0.02 ㎩)
·전압 : 500 V
·성막 속도 : 0.023 ㎚/sec
·막두께 : 2.5 ㎚
다음으로, 보호층 (13) 상에, 흡수체층 (14) 으로서 질화탄탈 (TaN) 막을, 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 형성하였다.
흡수체층 (14) (TaN 막) 은 이하의 방법으로 성막하였다.
(흡수체층 (14) (TaN 막) 의 성막 조건)
·타깃 : Ta 타깃
·스퍼터 가스 : Ar 과 Kr 과 H2 및 N2 의 혼합 가스 (Ar : 41.6 vol％, Kr : 42.9 vol％, H2 : 1.3 vol％, N2 : 14.3 vol％, 가스압 : 0.3 ㎩)
·투입 전력 : 740 W
·성막 속도 : 7.0 ㎚/min
·막두께 : 51 ㎚
·성막 전 진공도 : 4 × 10-6 ㎩.
이와 같이 하여 얻어진 TaN 막의 산소 (O) 함유율은 0.1 at％ 였다.
다음으로, 흡수체층 (14) 상에, Si 및 N 을 함유하는, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) (SiN 막) 을 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 형성하였다.
제 1 층 (16) (SiN 막) 의 성막 조건은 이하와 같다.
(제 1 층 (16) (SiN 막) 의 성막 조건)
·타깃 : Si 타깃
·스퍼터 가스 : Ar 과 N2 혼합 가스 (Ar : 43 vol％, N2 : 57 vol％, 가스압 : 0.2 ㎩)
·투입 전력 : 450 W
·성막 속도 : 1.05 ㎚/min
·막두께 : 11 ㎚.
이와 같이 하여 얻어진 SiN 막의 Si 의 함유율은 34 at％, N 의 함유율은 66 at％ 였다.
다음으로, 제 1 층 (16) 상에, Ta, O 및 N 을 함유하는, 저반사층 (15) 의 제 2 층 (17) (TaON 막) 을 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 형성하고, 기판 (11) 상에 반사층 (12), 보호층 (13), 흡수체층 (14), 그리고, 적층 구조의 저반사층 (15) 의 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 이 이 순서로 형성된 EUV 마스크 블랭크를 얻었다.
제 2 층 (17) (TaON 막) 의 성막 조건은 이하와 같다.
(제 2 층 (17) (TaON 막) 의 성막 조건)
·타깃 : Ta 타깃
·스퍼터 가스 : Ar 과 O2 및 N2 의 혼합 가스 (Ar : 49.4 vol％, O2 : 36.8 vol％, N2 : 13.8 vol％, 가스압 : 0.3 ㎩)
·투입 전력 : 450 W
·성막 속도 : 0.15 ㎚/min
·막두께 : 1 ㎚.
이와 같이 하여 얻어진 TaON 막의 Ta 의 함유율은 50 at％, O 의 함유율은 15 at％, N 의 함유율은 35 at％ 였다.
상기 순서로 얻어진 EUV 마스크 블랭크의 193 ㎚ 에 있어서의 반사율을 측정하여 표 1 의 결과를 얻었다.
상기 순서로 얻어진 EUV 마스크 블랭크에 신에츠 화학 공업 주식회사 제조의 전자선 묘화 레지스트를 130 ㎚ 의 막두께가 되도록 도포하고, 이어서 전자선 묘화 장치를 사용하여 묘화를 실시하고, 수산화테트라메틸암모늄 (THAH) 2.38 ％ 용액을 사용하여 현상함으로써, 표 2 에 기재하는 원하는 노광선폭으로 레지스트 고립 라인의 패턴을 형성하였다.
레지스트 고립 라인의 형상을 주사 전자 현미경을 사용하여 관찰하고, 그 결과를 표 2 에 나타내었다. 선폭 60 내지 250 ㎚ 의 라인이 형성되어 있는 것이 확인되었다.
상기 순서에 의해 레지스트 고립 라인 패턴이 형성된 EUV 마스크 블랭크를, 리액티브 이온 에칭 (RIE) 장치를 사용하여, Cl2 계 가스 또는 CF4 계 가스로 표 3 에 나타내는 원하는 시간, 드라이 에칭을 실시하고, 흡수체층 (14), 그리고, 적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 의 패터닝을 실시하였다. 또한, 실시예 1 에서는, 동일한 조건에서 2 개의 EUV 마스크 블랭크를 제조하고, 일방의 EUV 마스크 블랭크는 CF4 계 가스에 의해 에칭한 후, Cl2 계 가스에 의해 에칭하는 2 단 에칭을 실시하고, 타방의 EUV 마스크 블랭크는 Cl2 계 가스에 의한 1 단 에칭을 실시하였다. 이들 에칭의 에칭 시간은, 표 3 과 같다. 또한, 후자의 Cl2 계 가스에 의한 에칭의 에칭 시간은, 표 3 에 있어서 괄호를 사용하여 기재하였다.
에칭의 조건은 하기와 같다.
(Cl2 계 가스에 의한 에칭 조건)
·바이어스 RF : 50 W
·트리거 압력 : 5 ㎩
·에칭 압력 : 2 ㎩
·에칭 가스 : Cl2/Ar
·가스 유량 (Cl2/Ar) : 20/80 sccm
(CF4 계 가스에 의한 에칭 조건)
·바이어스 RF : 50 W
·트리거 압력 : 4 ㎩
·에칭 압력 : 1 ㎩
·에칭 가스 : CF4
·가스 유량 (Cl4) : 99 sccm
드라이 에칭 후에 잔존하는 레지스트를 레지스트 박리액을 사용하여 제거하고, 흡수체층 (14), 그리고, 적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 으로 이루어지는 고립 라인 패턴을 얻었다.
상기 순서에 의해 형성된 흡수체층 (14), 그리고, 적층 구조의 저반사층 (15) 을 이루는 제 1 층 (16) 및 제 2 층 (17) 으로 이루어지는 고립 라인 패턴의 선폭을 주사형 전자 현미경을 사용하여 관찰, 계측한 결과를 표 4 에 나타내었다.
(실시예 2)
본 실시예에서는, 제 2 층 (17) 을 막두께 3 ㎚ 의 TaON 막으로 하고, 에칭 시간을 표 3 과 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 성막 및 평가를 실시하였다. 그 결과, 표 1, 2, 4 의 결과를 얻었다.
(실시예 3)
본 실시예에서는, 제 2 층 (17) 을 흡수체층 (14) 과 동일한 조건에서 성막되는 막두께 1 ㎚ 의 TaN 막으로 하고, 에칭 시간을 표 3 과 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 성막 및 평가를 실시하였다. 그 결과, 표 1, 2, 4 의 결과를 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 TaN 막의 Ta 의 함유율은 57 at％, N 의 함유율은 43 at％ 였다.
(비교예 1)
본 비교예는, 제 2 층 (17) 을 형성하지 않고, 에칭 시간을 표 3 과 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 성막 및 평가를 실시하였다. 그 결과, 표 1, 2, 4 의 결과를 얻었다.
(비교예 2)
본 비교예는, 제 2 층 (17) 을 형성하지 않고, 제 1 층 (16) 을 실시예 1 의 제 2 층 (17) 인 TaON 을 성막하였을 때와 동일한 조건에서 성막되는 막두께 10 ㎚ 의 TaON 막으로 하고, 에칭 시간을 표 3 과 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 성막 및 평가를 실시하였다. 그 결과, 표 1, 2, 4 의 결과를 얻었다. 또한, 본 예에 대해서는, TaON 막의 막두께가 상이한 복수의 샘플을 제조하여 193 ㎚ 에 있어서의 반사율을 측정하였다.
Figure pct00001
상기 표 1 에 있어서의 흡수체층, 저반사층의 란에 나타내는 수치는, 각 층의 두께를 나타낸다.
Figure pct00002
표 중의 부호는 이하를 나타낸다.
A : 패턴 무너짐, 소실 없음
B : 일부 패턴 무너짐, 소실 있음
C : 패턴 소실
Figure pct00003
Figure pct00004
비교예 2 는 가장 일반적인 구성의 EUV 마스크 블랭크인데, 막두께를 임의로 변경해도 193 ㎚ 에 있어서의 15 ％ 이하, 바람직하게는 10 ％ 이하, 보다 바람직하게는 5 ％ 이하의 반사율을 얻을 수는 없다.
비교예 1 은 저반사막으로서 SiN 을 채용한 구성의 EUV 마스크 블랭크로서, 표 1 에 나타내는 바와 같이, 193 ㎚ 에 있어서의 저반사율을 실현할 수 있지만, 표 2, 표 4 의 결과와 같이, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트의 밀착성 부족에 의한 레지스트 패턴의 소실이나 무너짐이 발생하여 문제가 된다.
실시예 1, 실시예 2, 실시예 3 에서는, 193 ㎚ 에 있어서의 반사율이 바람직한 5 ％ 이하이고, 또한 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트의 밀착성 부족에 의한 레지스트 패턴의 소실이나 무너짐이 일어나지 않아, 미세한 패터닝이 가능하다.
또, 실시예 1, 실시예 2, 실시예 3 에서는, 각각 상기 제 2 층 표면의 표면 조도 (rms) 가, 28.8 ㎚, 27.6 ㎚, 29.6 ㎚ 인 평활한 표면이었다.
산업상 이용가능성
본 발명의 EUV 마스크 블랭크는, 패턴 검사광의 파장역에 있어서 반사율이 낮고, 에칭 프로세스에 있어서, 충분한 에칭 속도를 가지며, 또한 레지스트와의 밀착성이 양호하다. 또, 폭이 100 ㎚ 정도 혹은 그 이하의 미세한 레지스트 패턴의 형성시에, 레지스트 패턴이 소실되거나, 레지스트 패턴이 무너져 레지스트 패턴의 결함이 발생하는 경우가 없어, 고정밀이 요구되는 반도체 집적 회로를 제조하기 위해서 사용되는 EUV 마스크용으로서 유용하다.
한편, 2010년 3월 2일에 출원된 일본 특허 출원 2010-045059호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하여, 본 발명의 개시로서 받아들인다.
1 : EUV 마스크 블랭크
11 : 기판
12 : 반사층 (다층 반사막)
13 : 보호층
14 : 흡수체층
15 : 저반사층
16 : 제 1 층
17 : 제 2 층

Claims (21)

  1. 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층과, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층이, 이 순서로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
    상기 저반사층이, 상기 흡수체층의 측으로부터, 규소 (Si) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 1 층, 그리고, 탄탈 (Ta), 산소 (O) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 2 층이, 이 순서로 적층된 적층 구조인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층에 있어서의 Ta 의 함유율이 30 ～ 80 at％ 이고, O 및 N 의 합계 함유율이 20 ～ 70 at％ 이고, O 와 N 의 조성비가 9 : 1 ～ 1 : 9 인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 층이, 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써, 혹은 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되고, 상기 제 2 층이 질소 (N) 및 산소 (O) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  4. 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수체층과, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층이, 이 순서로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
    상기 저반사층이, 상기 흡수체층의 측으로부터, 규소 (Si) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 1 층, 그리고, 탄탈 (Ta) 및 질소 (N) 를 합계 함유율로 95 at％ 이상 함유하는 제 2 층이, 이 순서로 적층된 적층 구조인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 층에 있어서의 Ta 의 함유율이 30 ～ 80 at％ 이고, N 의 함유율이 20 ～ 70 at％ 인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 층이, 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써, 혹은 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되고, 상기 제 2 층이 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 층에 있어서의 Si 의 함유율이 5 ～ 80 at％ 이고, N 의 함유율이 15 ～ 90 at％ 인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 층 표면의 표면 조도 (rms) 가, 0.5 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 결정 구조가 아모르퍼스인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 합계 막두께가 3.5 ～ 23 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 층의 막두께가 3 ～ 18 ㎚ 이고, 상기 제 2 층의 막두께가 0.5 ～ 5 ㎚ 이고, 상기 제 1 층과 상기 제 2 층의 막두께의 차 (제 1 층의 막두께 - 제 2 층의 막두께) 가 2 ㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡수체층이, 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하는 흡수체층인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡수체층이, 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하고, 하프늄 (Hf), 규소 (Si), 지르코늄 (Zr), 게르마늄 (Ge), 붕소 (B), 질소 (N) 및 수소 (H) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종류의 원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡수체층은, 산소 (O) 의 함유율이 25 at％ 미만인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡수체층 및 상기 저반사층의 막두께의 합계가, 40 ～ 200 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사층과 상기 흡수체층 사이에, 상기 흡수체층에 대한 패턴 형성시에 상기 반사층을 보호하기 위한 보호층이 형성되어 있고, 그 보호층이, Ru, Ru 화합물, SiO2 및 CrN 중 어느 1 종으로 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마스크 패턴의 검사광의 파장 (190 ～ 260 ㎚) 에 대한 상기 저반사층 표면의 반사율이 15 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  18. 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층, EUV 광을 흡수하는 흡수체층, 그리고, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층의 제 1 층 및 제 2 층을 이 순서로 형성함으로써 EUV 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
    상기 제 1 층이, 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써, 혹은 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되고, 상기 제 2 층이 질소 (N) 및 산소 (O) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  19. 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층, EUV 광을 흡수하는 흡수체층, 그리고, 마스크 패턴의 검사광 (파장 190 ～ 260 ㎚) 에 대한 저반사층의 제 1 층 및 제 2 층을 이 순서로 형성함으로써 EUV 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
    상기 제 1 층이, 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Si 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써, 혹은 불활성 가스 분위기 중에서 SiN 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되고, 상기 제 2 층이 질소 (N) 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 Ta 타깃을 사용한 스퍼터링법을 실시함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  20. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 흡수체층 및 저반사층에 패터닝을 실시한, EUV 리소그래피용 반사형 마스크.
  21. 제 20 항에 기재된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 사용하여, 피노광체에 노광을 실시함으로써 반도체 집적 회로를 제조하는, 반도체 집적 회로의 제조 방법.
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