TW202111420A - 極紫外光遮罩吸收材料 - Google Patents

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Abstract

本案揭示極紫外光(EUV)遮罩坯體、其製造方法及生產系統。EUV遮罩坯體包含：基板；在基板上的反射層之多層堆疊；在反射層之多層堆疊上的覆蓋層；以及在覆蓋層上的吸收層，吸收層由硼及鎳所製成。

Description

極紫外光遮罩吸收材料
本揭示內容大體關於極紫外光微影術，且更具體而言，關於具有合金吸收體(absorber)的極紫外光遮罩坯體(mask blank)及其製造方法。
極紫外光(EUV)微影術（亦稱為軟性X射線投射微影術）可用於製造0.0135微米及更小的最小特徵尺寸(minimum feature size)的半導體元件。然而，通常在5至100奈米波長範圍內的極紫外光幾乎會被所有的材料強烈地吸收。正因如此，極紫外光系統是藉由反射光而非透射光運作。透過使用一系列鏡或鏡片元件(lens element)，以及反射元件或塗覆有非反射性吸收體遮罩圖案的遮罩坯體，將圖案化的光化光反射到塗覆有光阻劑的半導體基板上。
極紫外光微影系統的鏡片元件及遮罩坯體塗覆有諸如鉬和矽之材料的反射性多層塗層。已藉由使用塗覆有多層塗層的基板獲得每鏡片元件或遮罩坯體有約65%的反射值，多層塗層會強烈地反射極窄的紫外光帶通（例如，對於13.5奈米紫外光而言，12.5至14.5奈米的帶通）內的光。
第1圖圖示由EUV遮罩坯體所形成的習用EUV反射遮罩10，其包括在基板14上的反射性多層堆疊12，EUV反射遮罩10的未遮蔽部分藉由布拉格干涉反射EUV輻射。習用EUV反射遮罩10的遮蔽（非反射）區域16藉由蝕刻緩衝層18和吸收層(absorber layer) 20而形成。吸收層通常具有在51 nm至77 nm範圍內的厚度。覆蓋層22形成在反射性多層堆疊12之上，並且在蝕刻製程期間保護反射性多層堆疊12。下面將進一步論述，EUV遮罩坯體是由低熱膨脹材料基板上塗覆有多層、覆蓋層和吸收層所製成，接著蝕刻吸收層以提供遮蔽（非反射）區域16和反射區域24。
國際半導體技術藍圖(ITRS)將節點的覆蓋要求指定為技術最小半節距特徵尺寸(technology's minimum half-pitch feature size)的某個百分比。由於對所有反射微影系統中固有的影像配置和重疊誤差的影響，EUV反射遮罩將需要遵守更精確的平坦度規格以供未來的生產。再者，EUV坯體(EUV blank)對坯體工作區域上的缺陷容忍度非常低。另外，儘管吸收層的作用是吸收光，但是由於吸收層的折射率與真空折射率(n=1)之間的差異，因此也存在相移效應，且這種相移導致三維(3D)遮蔽效應。需要提供具有更薄吸收體的EUV遮罩坯體以減少三維(3D)遮蔽效應。
本揭示內容的一或更多個實施例涉及一種製造極紫外光(EUV)遮罩坯體之方法，此方法包含以下步驟：在基板上形成多層堆疊，多層堆疊反射EUV輻射，多層堆疊包含複數個反射層對；在多層堆疊上形成覆蓋層；以及在覆蓋層上形成吸收層，吸收層包含硼及鎳的合金。
本揭示內容的另外的實施例涉及一種EUV遮罩坯體，EUV遮罩坯體包含：基板；反射EUV輻射的多層堆疊，多層堆疊包含複數個反射層對；在反射層的多層堆疊上的覆蓋層；以及包含硼及鎳之合金的吸收層。
在描述本揭示內容的若干示例性實施例之前，應理解，本揭示內容不受限於以下描述中所提出的構造或處理步驟的細節。本揭示內容能夠具有其它實施例並能夠以各種方式實施或執行。
於本文所使用的術語「水平」被定義為與遮罩坯體的平面或表面平行（與遮罩坯體的定向(orientation)無關）的平面。術語「垂直」是指垂直於如剛所定義的水平的方向。如此等圖中所示，諸如「在……上方(above)」、「在……下方(below)」、「底部」、「頂部」、「側面」（如在「側壁」中）、「更高」、「更低」、「上部(upper)」、「在……之上(over)」、及「在……之下(under)」等的術語是相對於水平平面來定義的。
術語「在……上(on)」表示元件之間直接接觸。術語「直接在……上(directly on)」表示元件之間直接接觸而沒有介於中間的元件。
所屬技術領域中具有通常知識者將理解到，使用諸如「第一」和「第二」的序數來描述處理區域並不意味著處理腔室內的特定位置或處理腔室內的曝光順序。
如在本說明書和隨附申請專利範圍內所用，術語「基板」是指製程作用於其上的表面或一部分的表面。所屬技術領域中具有通常知識者亦將理解到，除非上下文另外明確指出，否則論及基板係僅指一部分的基板。另外，論及在基板上的沉積可意指，裸露基板和其上沉積或形成有一或更多個膜或特徵之基板二者。
現在參閱第2圖，其圖示極紫外光微影系統100的示例性實施例。極紫外光微影系統100包括用於產生極紫外光112的極紫外光光源102、一組反射元件、及目標晶圓(target wafer)110。反射元件包括聚光器104、EUV反射遮罩106、光學縮小組件(optical reduction assembly)108、遮罩坯體、鏡、或上述之組合。
極紫外光光源102產生極紫外光112。極紫外光112是具有在5至50奈米(nm)範圍內的波長的電磁輻射。例如，極紫外光光源102包括雷射、雷射產生電漿、放電產生電漿、自由電子雷射、同步輻射、或上述之組合。
極紫外光光源102產生具有各種特性的極紫外光112。極紫外光光源102產生涵蓋一波長範圍的寬頻極紫外光輻射。例如，極紫外光光源102產生具有範圍從5至50 nm的波長的極紫外光112。
在一或更多個實施例中，極紫外光光源102產生具有窄頻的極紫外光112。例如，極紫外光光源102產生13.5 nm的極紫外光112。波長峰值中心為13.5 nm。
聚光器104是用於反射及聚焦極紫外光112的光學單元。聚光器104反射及聚集來自極紫外光光源102的極紫外光112，以照射EUV反射遮罩106。
儘管聚光器104圖示為單一元件，但應理解，聚光器104在一些實施例中包括一或更多個反射元件，諸如凹面鏡、凸面鏡、平面鏡或上述之組合，用於反射及聚集極紫外光112。例如，在一些實施例中，聚光器104為單一凹面鏡或具有凸面、凹面及平面的光學元件之光學組件。
EUV反射遮罩106是具有遮罩圖案114的極紫外光反射元件。EUV反射遮罩106產生微影圖案，以形成待形成於目標晶圓110上的電路系統佈局。EUV反射遮罩106反射極紫外光112。遮罩圖案114定義一部分的電路系統佈局。
光學縮小組件108是用於縮小遮罩圖案114影像的光學單元。來自EUV反射遮罩106所反射的極紫外光112被光學縮小組件108縮小，並反射到目標晶圓110上。在一些實施例中，光學縮小組件108包括鏡及其它光學元件以縮小遮罩圖案114影像的尺寸(size)。例如，在一些實施例中，光學縮小組件108包括用於反射和聚焦極紫外光112的凹面鏡。
光學縮小組件108縮小在目標晶圓110上的遮罩圖案114影像的尺寸。例如，在一些實施例中，遮罩圖案114係由光學縮小組件108以4：1的比率成像在目標晶圓110上，以在目標晶圓110上形成由遮罩圖案114所描繪的電路系統。在一些實施例中，極紫外光112同步掃描EUV反射遮罩106與目標晶圓110以在目標晶圓110上形成遮罩圖案114。
現在參閱第3圖，圖示極紫外光反射元件生產系統200的實施例。極紫外光反射元件包括EUV遮罩坯體204、極紫外光鏡205或其它反射元件（諸如EUV反射遮罩106）。
在一些實施例中，極紫外光反射元件生產系統200生產遮罩坯體、鏡或反射第2圖的極紫外光112的其它元件。極紫外光反射元件生產系統200藉由施加薄塗層至源基板(source substrate) 203來製造反射元件。
EUV遮罩坯體204是用於形成第2圖的EUV反射遮罩106的多層結構。在一些實施例中，使用半導體製造技術形成EUV遮罩坯體204。在一些實施例中，EUV反射遮罩106具有藉由蝕刻及其它製程在EUV遮罩坯體204上所形成的第2圖之遮罩圖案114。
極紫外光鏡205是在極紫外光範圍內反射的多層結構。在一些實施例中，使用半導體製造技術形成極紫外光鏡205。相對於在每個元件上所形成的層，EUV遮罩坯體204及極紫外光鏡205在一些實施例中為類似的結構，但是極紫外光鏡205不具有遮罩圖案114。
此些反射元件是有效的極紫外光112反射體。在一實施例中，EUV遮罩坯體204及極紫外光鏡205具有大於60%的極紫外光反射率。若此些反射元件反射超過60%的極紫外光112，則此些反射元件是有效的。
極紫外光反射元件生產系統200包括晶圓裝載及載具傳送系統202，將源基板203裝載至晶圓裝載及載具傳送系統202中，並且從晶圓裝載及載具傳送系統202卸載反射元件。大氣中的傳送系統(atmospheric handling system) 206提供到晶圓傳送真空腔室(wafer handling vacuum chamber) 208的通道。在一些實施例中，晶圓裝載及載具傳送系統202包括基板運送箱、裝載閘及其它部件以將基板從大氣轉移到系統內部的真空。因為EUV遮罩坯體204用以形成極小尺寸的元件，所以在真空系統中處理源基板203及EUV遮罩坯體204以防止汙染及其它缺陷。
在一些實施例中，晶圓傳送真空腔室208包含兩個真空腔室，第一真空腔室210及第二真空腔室212。第一真空腔室210包括第一晶圓傳送系統214，以及第二真空腔室212包括第二晶圓傳送系統216。儘管將晶圓傳送真空腔室208描述為具有兩個真空腔室，但應理解，在一些實施例中，系統具有任意數目的真空腔室。
在一些實施例中，晶圓傳送真空腔室208具有圍繞其周邊的用於連接各種其它系統的複數個埠。第一真空腔室210具有除氣系統(degas system) 218、第一物理氣相沉積系統220、第二物理氣相沉積系統222及預清潔系統224。除氣系統218用於從基板熱脫附濕氣。預清潔系統224用於清潔晶圓、遮罩坯體、鏡及其它光學部件的表面。
在一些實施例中，使用物理氣相沉積系統（諸如第一物理氣相沉積系統220及第二物理氣相沉積系統222）在源基板203上形成導電材料薄膜。例如，在一些實施例中，物理氣相沉積系統包括真空沉積系統，諸如磁控濺射系統、離子濺射系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積或上述之組合。物理氣相沉積系統（諸如磁控濺射系統）在源基板203上形成薄層，薄層包括矽層、金屬層、合金層、化合物層或上述之組合。
物理氣相沉積系統形成反射層、覆蓋層及吸收層。例如，在一些實施例中，物理氣相沉積系統形成矽層、鉬層、氧化鈦層、二氧化鈦層、氧化釕層、氧化鈮層、釕鎢層、釕鉬層、釕鈮層、鉻層、銻層、鐵層、銅層、硼層、鎳層、碲層、鉿層、氮化物層、化合物層或上述之組合。儘管將一些化合物描述為氧化物，但應理解，在一些實施例中，此些化合物包括氧化物、二氧化物、具有氧原子的原子混合物或上述之組合。
第二真空腔室212具有與其連接的第一多陰極源226、化學氣相沉積系統228、固化腔室230及超平滑沉積腔室232。例如，在一些實施例中，化學氣相沉積系統228包括流動式化學氣相沉積系統(FCVD)、電漿輔助化學氣相沉積系統(CVD)、氣溶膠輔助CVD、熱燈絲CVD系統或類似的系統。在另一實例中，化學氣相沉積系統228、固化腔室230以及超平滑沉積腔室232在一些實施例中處於與極紫外光反射元件生產系統200分開的系統中。
在一些實施例中，化學氣相沉積系統228在源基板203上形成材料薄膜。例如，在一些實施例中，使用化學氣相沉積系統228在源基板203上形成材料層，材料層包括單晶層、多晶層、非晶層、磊晶層或上述之組合。在一些實施例中，化學氣相沉積系統228形成矽層、氧化矽層、碳氧化矽層、鉭層、碲層、銻層、鉿層、鐵層、銅層、硼層、鎳層、鎢層、碳化矽層、氮化矽層、氮化鈦層、金屬層、合金層以及適合用於化學氣相沉積的其它材料層。例如，在一些實施例中，化學氣相沉積系統形成平坦化層。
第一晶圓傳送系統214能夠於連續真空中在大氣中的傳送系統206與圍繞第一真空腔室210周邊的各種系統之間移動源基板203。第二晶圓傳送系統216能夠圍繞第二真空腔室212移動源基板203，同時維持源基板203處於連續真空中。在一些實施例中，極紫外光反射元件生產系統200於連續真空中在第一晶圓傳送系統214、第二晶圓傳送系統216之間轉移源基板203及EUV遮罩坯體204。
現在參閱第4圖，其圖示極紫外光反射元件302的實施例。在一或更多個實施例中，極紫外光反射元件302為第3圖的EUV遮罩坯體204或第3圖的極紫外光鏡205。EUV遮罩坯體204及極紫外光鏡205是用於反射第2圖的極紫外光112的結構。在一些實施例中，使用EUV遮罩坯體204形成第2圖中所圖示的EUV反射遮罩106。
極紫外光反射元件302包括基板304、反射層之多層堆疊306及覆蓋層308。在一或更多個實施例中，可使用極紫外光鏡205形成在第2圖的聚光器104或第2圖的光學縮小組件108中所使用的反射結構。
極紫外光反射元件302在一些實施例中是EUV遮罩坯體204，極紫外光反射元件302包括基板304、反射層之多層堆疊306、覆蓋層308及吸收層310。在一些實施例中，極紫外光反射元件302是EUV遮罩坯體204，可用以藉由以所需的電路系統佈局圖案化吸收層310來形成第2圖的EUV反射遮罩106。
在以下段落中，為了簡單起見，EUV遮罩坯體204之術語與極紫外光鏡205之術語可互換使用。在一或更多個實施例中，EUV遮罩坯體204包括極紫外光鏡205的部件，另外增加吸收層310以形成第2圖的遮罩圖案114。
EUV遮罩坯體204是光學上平坦的結構，用於形成具有遮罩圖案114的EUV反射遮罩106。在一或更多個實施例中，EUV遮罩坯體204的反射表面形成用於反射入射光（諸如第2圖的極紫外光112）的平坦焦平面。
基板304是用於向極紫外光反射元件302提供結構支撐的元件。在一或更多個實施例中，基板304是由具有低熱膨脹係數(CTE)的材料製成，以提供溫度變化期間的穩定性。在一或更多個實施例中，基板304具有諸多性質，諸如抵抗機械循環、熱循環、晶體形成或上述之組合的穩定性。根據一或更多個實施例的基板304是由諸如矽、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷或上述之組合的材料所形成。
多層堆疊306是對極紫外光112具有反射性的結構。多層堆疊306包括第一反射層312與第二反射層314的交替反射層。
第一反射層312及第二反射層314形成第4圖的反射對(reflective pair) 316。在非限制性的實施例中，多層堆疊306包括範圍在20對至60對的反射對316，總計多達120層的反射層。
在一些實施例中，第一反射層312及第二反射層314係由各種材料所形成。在一實施例中，第一反射層312及第二反射層314分別由矽及鉬所形成。儘管將此些層示出為矽及鉬，但應理解，在一些實施例中，交替層係由其它材料所形成或者具有其它內部結構。
在一些實施例中，第一反射層312及第二反射層314具有各種結構。在一實施例中，第一反射層312及第二反射層314兩者由單層、多層、分層(divided layer)結構、非均勻結構或上述之組合所形成。
因為大多數的材料吸收極紫外光波長的光，所以所使用的光學元件是反射元件，而不是如其它微影系統中所使用的透射元件。多層堆疊306藉由具有交替的不同光學性質之材料薄層來形成反射結構，以產生布拉格反射體或鏡。
在一實施例中，交替層的每一層對於極紫外光112具有不同的光學常數。當交替層厚度的週期是極紫外光112波長的一半時，交替層提供共振反射率。在一實施例中，對於波長為13 nm的極紫外光112，交替層為約6.5 nm厚。應理解，所提供的尺寸(size)及維度(dimension)在典型元件的常規工程容許偏差內。
在一些實施例中，多層堆疊306以各種方式形成。在一實施例中，第一反射層312及第二反射層314用磁控濺射、離子濺射系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積或上述之組合形成。
在說明性實施例中，使用物理氣相沉積技術（諸如磁控濺射）形成多層堆疊306。在一實施例中，多層堆疊306的第一反射層312及第二反射層314具有藉由磁控濺射技術形成的特性，包括精確厚度、低粗糙度以及層之間的清潔介面。在一實施例中，多層堆疊306的第一反射層312及第二反射層314具有藉由物理氣相沉積形成的特性，包括精確厚度、低粗糙度以及層之間的清潔介面。
在一些實施例中，精確地控制使用物理氣相沉積技術形成的多層堆疊306的層的實際尺寸(physical dimension)以增加反射率。在一實施例中，第一反射層312（諸如矽層）的厚度為4.1 nm。第二反射層314（諸如鉬層）的厚度為2.8 nm。此些層的厚度決定極紫外光反射元件的峰值反射率波長。若此些層的厚度不正確，則在一些實施例中預期波長為13.5 nm的反射率會降低。
在一實施例中，多層堆疊306具有大於60%的反射率。在一實施例中，使用物理氣相沉積所形成的多層堆疊306具有在66%～67%範圍內的反射率。在一或更多個實施例中，在由較硬材料所形成的多層堆疊306之上形成覆蓋層308可改善反射率。在一些實施例中，使用低粗糙度層、層之間的清潔介面、改良的層材料或上述之組合可達到大於70%的反射率。
在一或更多個實施例中，覆蓋層308是允許極紫外光112透射的保護層。在一實施例中，覆蓋層308直接在多層堆疊306上形成。在一或更多個實施例中，覆蓋層308保護多層堆疊306免受污染及機械損傷。在一個實施例中，多層堆疊306易受氧、鉭、鉭氫化合物或上述組合的污染。根據一實施例的覆蓋層308與污染物相互作用以中和此些污染物。
在一或更多個實施例中，覆蓋層308是可讓極紫外光112穿透的光學均勻結構。極紫外光112通過覆蓋層308而在多層堆疊306上產生反射。在一或更多個實施例中，覆蓋層308具有1%至2%的總反射率損失。在一或更多個實施例中，不同的材料中的每一者可依據厚度而具有不同的反射率損失，但是所有的反射率損失都將在1%至2%範圍內。
在一或更多個實施例中，覆蓋層308具有平滑的表面。例如，在一些實施例中，覆蓋層308的表面具有小於0.2 nm的RMS（均方根量測值）粗糙度。在另一實例中，對於在1/100 nm與1/1 μm範圍內的長度，覆蓋層308的表面具有0.08 nm的RMS粗糙度。RMS粗糙度將依據粗糙度量測所涵蓋的範圍而變化。對於100 nm至1微米的特定範圍，粗糙度為0.08 nm或更小。所涵蓋的範圍越大，粗糙度將會越大。
在一些實施例中，覆蓋層308以各種方法形成。在一實施例中，覆蓋層308用磁控濺射、離子濺射系統、離子束沉積、電子束蒸鍍、射頻(RF)濺射、原子層沉積(ALD)、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積或上述之組合而在多層堆疊306上或直接在多層堆疊306上形成。在一或更多個實施例中，覆蓋層308具有藉由磁控濺射技術形成的物理特性，包括精確厚度、低粗糙度以及層之間的清潔介面。在一實施例中，覆蓋層308具有藉由物理氣相沉積形成的物理特性，包括精確厚度、低粗糙度以及層之間的清潔介面。
在一或更多個實施例中，覆蓋層308由各種材料形成，材料具有足以抵抗清潔期間腐蝕的硬度。在一個實施例中，因為釕是良好的蝕刻終止物且在操作條件下是相對惰性的，所以使用釕作為覆蓋層材料。然而，應理解，在一些實施例中，使用其它材料形成覆蓋層308。在特定的實施例中，覆蓋層308的厚度在2.5 nm至5.0 nm範圍內。
在一或更多個實施例中，吸收層310是吸收極紫外光112的層。在一實施例中，吸收層310用以藉由提供不反射極紫外光112的區域而在EUV反射遮罩106上形成圖案。根據一或更多個實施例，吸收層310包含對於特定頻率的極紫外光112（諸如約13.5 nm）具有高吸收係數的材料。在一實施例中，吸收層310直接在覆蓋層308上形成，並且使用光微影製程蝕刻吸收層310以形成EUV反射遮罩106的圖案。
根據一或更多個實施例，極紫外光反射元件302（諸如極紫外光鏡205）由基板304、多層堆疊306及覆蓋層308形成。極紫外光鏡205具有光學上平坦的表面，並且在一些實施例中有效且均勻地反射極紫外光112。
根據一或更多個實施例，極紫外光反射元件302（諸如EUV遮罩坯體204）由基板304、多層堆疊306、覆蓋層308及吸收層310形成。遮罩坯體204具有光學上平坦的表面，並且在一些實施例中有效且均勻地反射極紫外光112。在一實施例中，遮罩圖案114由EUV遮罩坯體204的吸收層310形成。
根據一或更多個實施例，在覆蓋層308之上形成吸收層310可提高EUV反射遮罩106的可靠性。覆蓋層308是作為吸收層310的蝕刻終止層。當將第2圖的遮罩圖案114蝕刻到吸收層310裡面時，在吸收層310下方的覆蓋層308終止蝕刻作用以保護多層堆疊306。在一或更多個實施例中，吸收層310對覆蓋層308具蝕刻選擇性。在一些實施例中，覆蓋層308包含釕，且吸收層310對釕具蝕刻選擇性。
在一實施例中，吸收層310包含硼及鎳的合金。在一些實施例中，吸收體的厚度低於約45 nm。在一些實施例中，吸收層的厚度低於約45 nm，包括低於約40 nm、低於約35 nm、低於約30 nm、低於約25 nm、低於約20 nm、低於約15 nm、低於約10 nm、低於約5 nm、低於約1 nm、或低於約0.5 nm。在其它實施例中，吸收層310的厚度在約0.5 nm至約45 nm範圍內，包括約1 nm至約44 nm的範圍、1 nm至約40 nm的範圍、及15 nm至約40 nm的範圍。
不欲受理論的束縛，認為吸收層310的厚度低於約45 nm，這有利地導致吸收層的反射率小於約2%，降低且減少極紫外光(EUV)遮罩坯體中的3D遮蔽效應。
在一實施例中，吸收層310由硼及鎳的合金製成。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約2重量%至約10.9重量%的硼及約89.1重量%至約98重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約3重量%至約9.9重量%的硼及約90.1重量%至約97重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含5重量%至約7.9重量%的硼及約92.1重量%至約95重量%的鎳。在一或更多個實施例中，硼及鎳的合金為非晶態。在一或更多個實施例中，合金為單相合金。
在特定的實施例中，硼及鎳的合金為富鎳合金。如本文所用之術語「富鎳」意指合金中的鎳多於硼。例如，在特定的實施例中，硼及鎳的合金為包含約89.1重量%至約98重量%的鎳的合金。在一或更多個實施例中，硼及鎳的合金為非晶態。在一或更多個實施例中，合金為單相合金。
在一或更多個實施例中，硼及鎳的合金包含摻雜劑。摻雜劑可以選自氮或氧中的一者或更多者。在一實施例中，摻雜劑包含氧。在一替代實施例中，摻雜劑包含氮。在一實施例中，基於合金的總重量，摻雜劑在合金中以在約0.1重量%至約5重量%範圍內的量存在。在其它實施例中，摻雜劑在合金中以約0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%、0.8重量%、0.9重量%、1.0重量%、1.1重量%、1.2重量%、1.3重量%、1.4重量%、1.5重量%、1.6重量%、1.7重量%、1.8重量%、1.9重量%、2.0重量%、2.1重量%、2.2重量%、2.3重量%、2.4重量%、2.5重量%、2.6重量%、2.7重量%、2.8重量%、2.9重量%、3.0重量%、3.1重量%、3.2重量%、3.3重量%、3.4重量%、3.5重量%、3.6重量%、3.7重量%、3.8重量%、3.9重量%、4.0重量%、4.1重量%、4.2重量%、4.3重量%、4.4重量%、4.5重量%、4.6重量%、4.7重量%、4.8重量%、4.9重量%、或5.0重量%的量存在。
在一或更多個實施例中，吸收層的合金是在物理沉積腔室中形成的經共濺射的合金吸收材料，這在一些實施例中提供更薄的吸收層厚度（低於30 nm），同時實現小於2%的反射率及合適的蝕刻性質。在一或更多個實施例中，吸收層的合金在一些實施例中藉由選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中的一者或更多者的氣體所共濺射。在一實施例中，吸收層的合金在一些實施例中藉由氬氣及氧氣(Ar + O2 )的混合物所共濺射。在一些實施例中，藉由氬及氧的混合物的共濺射形成硼的氧化物及/或鎳的氧化物。在其它實施例中，藉由氬及氧的混合物的共濺射不會形成硼或鎳的氧化物。在一實施例中，吸收層的合金在一些實施例中藉由氬氣及氮氣(Ar + N2 )的混合物所共濺射。在一些實施例中，藉由氬及氮的混合物的共濺射形成硼的氮化物及/或鎳的氮化物。在其它實施例中，藉由氬及氮的混合物的共濺射不會形成硼或鎳的氮化物。在一實施例中，吸收層的合金在一些實施例中藉由氬氣及氧氣及氮氣(Ar + O2 + N2 )的混合物所共濺射。在一些實施例中，藉由氬及氧及氮的混合物的共濺射形成硼的氧化物及/或氮化物以及/或者鎳的氧化物及/或氮化物。在其它實施例中，藉由氬及氧及氮的混合物的共濺射不會形成硼或鎳的氧化物或氮化物。在一實施例中，如上所述，可藉由控制合金的百分比來定製一些實施例中的吸收層的蝕刻性質及/或其它性質以達規格。在一實施例中，可藉由操作物理氣相沉積腔室的參數（如電壓、壓力、流量等）來精確地控制一些實施例中的合金的百分比。在一實施例中，使用製程氣體來進一步改變材料性質，例如，使用N2 氣體來形成硼及鎳的氮化物。
在一或更多個實施例中，如本文所使用的「共濺射」意指使用一或更多個選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )的氣體，同時濺射兩靶材（一個靶材包含硼以及第二個靶材包含鎳），以沉積/形成包含硼及鎳的合金的吸收層。
在其它實施例中，可使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中的一者或更多者的氣體，逐層沉積一些實施例中的硼及鎳的合金作為硼層及鎳層的積層體(laminate)。在一實施例中，可使用氬氣及氧氣(Ar + O2 )的混合物逐層沉積一些實施例中的吸收層的合金作為硼層及鎳層的積層體。在一些實施例中，使用氬及氧的混合物的逐層沉積形成硼的氧化物及/或鎳的氧化物。在其它實施例中，使用氬及氧的混合物的逐層沉積不會形成硼或鎳的氧化物。在一實施例中，可使用氬氣及氮氣(Ar + N2 )的混合物逐層沉積一些實施例中的吸收層的合金作為硼層及鎳層的積層體。在一些實施例中，使用氬及氮的混合物的逐層沉積形成硼的氮化物及/或鎳的氮化物。在其它實施例中，使用氬及氮的混合物的逐層沉積不會形成硼或鎳的氮化物。在一實施例中，可使用氬氣及氧氣及氮氣(Ar + O2 + N2 )的混合物逐層沉積一些實施例中的吸收層的合金作為硼層及鎳層的積層體。在一些實施例中，使用氬及氧及氮的混合物的逐層沉積形成硼的氧化物及/或氮化物以及/或者鎳的氧化物及/或氮化物。在其它實施例中，使用氬及氧及氮的混合物的逐層沉積不會形成硼或鎳的氧化物或氮化物。
在一或更多個實施例中，本文所描述的合金組成物的塊狀靶材可使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中的一者或更多者的氣體藉由常規濺射來製造。在一或更多個實施例中，使用具有相同的合金組成物的塊狀靶材來沉積合金，並且使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中的一者或更多者的氣體來濺射合金，以形成吸收層。在一實施例中，使用具有相同的合金組成物的塊狀靶材來沉積一些實施例中的吸收層的合金，並且使用氬氣及氧氣(Ar + O2 )的混合物來濺射吸收層的合金。在一些實施例中，使用氬及氧的混合物的塊狀靶材沉積形成硼的氧化物及/或鎳的氧化物。在其它實施例中，使用氬及氧的混合物的塊狀靶材沉積不會形成硼或鎳的氧化物。在一實施例中，可使用具有相同的合金組成物的塊狀靶材來沉積一些實施例中的吸收層的合金，並且使用氬氣及氮氣(Ar + N2 )的混合物來濺射吸收層的合金。在一些實施例中，使用氬及氮的混合物的塊狀靶材沉積形成硼的氮化物及/或鎳的氮化物。在其它實施例中，使用氬及氮的混合物的塊狀靶材沉積不會形成硼或鎳的氮化物。在一實施例中，使用具有相同的合金組成物的塊狀靶材來沉積一些實施例的吸收層的合金，並且使用氬氣及氧氣及氮氣(Ar + O2 + N2 )的混合物來濺射一些實施例的吸收層的合金。在一些實施例中，使用氬及氧及氮的混合物的塊狀靶材沉積形成硼的氧化物及/或氮化物以及/或者鎳的氧化物及/或氮化物。在其它實施例中，使用氬及氧及氮的混合物的塊狀靶材沉積不會形成硼或鎳的氧化物或氮化物。在一些實施例中，硼及鎳的合金摻雜有在從0.1重量%至5重量%的範圍內的氮或氧中的一者或更多者。
在一些實施例中，EUV遮罩坯體可在物理沉積腔室中製造，物理沉積腔室具有包含第一吸收材料的第一陰極、包含第二吸收材料的第二陰極、包含第三吸收材料的第三陰極、包含第四吸收材料的第四陰極、及包含第五吸收材料的第五陰極，其中第一吸收材料、第二吸收材料、第三吸收材料、第四吸收材料及第五吸收材料彼此不同，並且此些吸收材料的每一者具有不同於其它材料的消光係數，並且此些吸收材料的每一者具有不同於其它吸收材料的折射率。
現在參閱第5圖，極紫外光遮罩坯體400圖示為包含基板414、在基板414上的反射層之多層堆疊412，反射層之多層堆疊412包括複數個反射層對。在一或更多個實施例中，複數個反射層對由選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料的材料所製成。在一些實施例中，複數個反射層對包含交替的鉬層與矽層。極紫外光遮罩坯體400進一步包括在反射層之多層堆疊412上的覆蓋層422，並且有在覆蓋層422上的吸收層之多層堆疊420。在一或更多個實施例中，複數個反射層412選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料並且覆蓋層422包含釕。
吸收層之多層堆疊420包括複數個吸收層對420a、420b、420c、420d、420e、420f，每對（420a/420b、420c/420d、420e/420f）包含硼及鎳的合金。在一些實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約2重量%至約10.9重量%的硼及約89.1重量%至約98重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約3重量%至約9.9重量%的硼及約90.1重量%至約97重量%的鎳。
在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含5重量%至約7.9重量%的硼及約92.1重量%至約95重量%的鎳。在一或更多個實施例中，硼及鎳的合金為非晶態。在一或更多個實施例中，合金為單相合金。在一個實例中，吸收層420a由硼所製成，並且形成吸收層420b的材料是鎳。同樣地，吸收層420c由硼製成，並且形成吸收層420d的材料是鎳，以及吸收層420e由硼材料所製成，並且形成吸收層420f的材料是鎳。
在一個實施例中，極紫外光遮罩坯體400包括複數個反射層412，複數個反射層412選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，例如，鉬(Mo)及矽(Si)。用以形成吸收層420a、420b、420c、420d、420e及420f的吸收材料是硼及鎳的合金。在一些實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約2重量%至約10.9重量%的硼及約89.1重量%至約98重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約3重量%至約9.9重量%的硼及約90.1重量%至約97重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含5重量%至約7.9重量%的硼及約92.1重量%至約95重量%的鎳。在一或更多個實施例中，硼及鎳的合金為非晶態。在一或更多個實施例中，合金為單相合金。
在一或更多個實施例中，吸收層對420a/420b、420c/420d、420e/420f包含第一層（420a、420c、420e）及第二吸收層（420b、420d、420f），第一層包括含硼及鎳的合金的吸收材料，第二吸收層包括含硼及鎳的合金的吸收材料。在特定的實施例中，吸收層對包含第一層（420a、420c、420e）以及第二吸收層（420b、420d、420f），第一層包括硼及鎳的合金，硼及鎳的合金選自具有關於硼及鎳的合金之合金，第二吸收層包括含硼及鎳的合金的吸收材料。
根據一或更多個實施例，吸收層對包含第一層（420a、420c、420e）及第二吸收層（420b、420d、420f），第一吸收層（420a、420c、420e）與第二吸收層（420b、420d、420f）中的每一者的厚度在0.1 nm與10 nm範圍內，例如在1 nm與5 nm的範圍內，或在1 nm與3 nm的範圍內。在一或更多個特定實施例中，第一層420a的厚度為0.5 nm、0.6 nm、0.7 nm、0.8 nm、0.9 nm、1 nm、1.1 nm、1.2 nm、1.3 nm、1.4 nm、1.5 nm、1.6 nm、1.7 nm、1.8 nm、1.9 nm、2 nm、2.1 nm、2.2 nm、2.3 nm、2.4 nm、2.5 nm、2.6 nm、2.7 nm、2.8 nm、2.9 nm、3 nm、3.1 nm、3.2 nm、3.3 nm、3.4 nm、3.5 nm、3.6 nm、3.7 nm、3.8 nm、3.9 nm、4 nm、4.1 nm、4.2 nm、4.3 nm、4.4 nm、4.5 nm、4.6 nm、4.7 nm、4.8 nm、4.9 nm、及5 nm。在一或更多個實施例中，每對的第一吸收層及第二吸收層的厚度是相同或不同的。例如，第一吸收層及第二吸收層具有使得第一吸收層厚度與第二吸收層厚度的比率為1:1、1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1、或20:1的厚度，這導致在每對中的第一吸收層的厚度等於或大於第二吸收層的厚度。替代地，第一吸收層及第二吸收層具有使得第二吸收層厚度與第一吸收層厚度的比率為1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1、或20:1的厚度，這導致在每對中的第二吸收層的厚度等於或大於第一吸收層的厚度。
根據一或更多個實施例，選擇不同的吸收材料及吸收層的厚度，以使得極紫外光由於吸光度且由於來自反射層的多層堆疊的光的破壞性干涉所導致的相變而被吸收。儘管在第5圖中所圖示的實施例顯示三個吸收層對420a/420b、420c/420d及420e/420f，但申請專利範圍不應受限於特定數量的吸收層對。根據一或更多個實施例，在一些實施例中，EUV遮罩坯體400包括在5與60個範圍內的吸收層對，或在10與40個範圍內的吸收層對。
根據一或更多個實施例，吸收層的厚度提供小於2%的反射率及其它蝕刻性質。在一些實施例中，使用供應氣體進一步改變吸收層的材料性質，例如，在一些實施例中使用氮(N2 )氣體形成以上所提供的材料的氮化物。根據一或更多個實施例的吸收層的多層堆疊是不同材料的個別厚度的重複圖案，以使得EUV光不僅由於吸光度而被吸收，且藉由多層吸收堆疊所導致的相變而被吸收，這將破壞性干涉來自下面反射材料的多層堆疊的光，以提供更好的對比度。
本揭示內容的另一態樣涉及一種製造極紫外光(EUV)遮罩坯體的方法，方法包含以下步驟：在基板上形成反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對，在反射層的多層堆疊上形成覆蓋層，以及在覆蓋層上形成吸收層，吸收層包含硼及鎳的合金，其中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約硼及鎳的合金包含約2重量%至約10.9重量%的硼及約89.1重量%至約98重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約3重量%至約9.9重量%的硼及約90.1重量%至約97重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含5重量%至約7.9重量%的硼及約92.1重量%至約95重量%的鎳。在一或更多個實施例中，硼及鎳的合金為非晶態。在一或更多個實施例中，合金為單相合金。
在一些實施例中，EUV遮罩坯體具有上面關於第4圖及第5圖所描述的實施例的任何特性，且方法在一些實施例中在關於第3圖所描述的系統中執行。
因此，在一實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，且吸收層是硼及鎳的合金，其中基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約硼及鎳的合金包含約2重量%至約10.9重量%的硼及約89.1重量%至約98重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約3重量%至約9.9重量%的硼及約90.1重量%至約97重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含5重量%至約7.9重量%的硼及約92.1重量%至約95重量%的鎳。在一或更多個實施例中，硼及鎳的合金為非晶態。在一或更多個實施例中，合金為單相合金。
在另一個特定的方法實施例中，在物理沉積腔室中形成不同的吸收層，物理沉積腔室具有包含第一吸收材料的第一陰極以及包含第二吸收材料的第二陰極。現在參閱第6圖，根據一實施例圖示多陰極腔室500的上部分。多陰極腔室500包括具有藉由頂部配接器504所覆蓋的圓柱形主體部分502的底座結構(base structure) 501。頂部配接器504具有圍繞頂部配接器504放置的若干陰極源（諸如陰極源506、508、510、512、及514）之配置。
在一或更多個實施例中，方法形成厚度在5 nm與60 nm範圍內的吸收層。在一或更多個實施例中，吸收層的厚度在51 nm與57 nm範圍內。在一或更多個實施例中，選擇用以形成吸收層的材料以實現吸收層的蝕刻特性。在一或更多個實施例中，吸收層的合金藉由共濺射在物理沉積腔室中所形成的合金吸收材料而形成，這在一些實施例中提供了更薄的吸收層厚度（低於30 nm）且實現小於2%的反射率及預期的蝕刻性質。在一實施例中，可藉由控制每種吸收材料的合金百分比來定製一些實施例的吸收層的蝕刻性質及其它預期的性質以達規格。在一實施例中，可藉由操作物理氣相沉積腔室的參數（如電壓、壓力、流量等）來精確地控制一些實施例的合金的百分比。在一實施例中，使用製程氣體來進一步改變材料性質，例如，使用N2 氣體來形成硼及鎳的氮化物。在一些實施例中，合金吸收材料包含硼及鎳的合金，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約2重量%至約10.9重量%的硼及約89.1重量%至約98重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含約3重量%至約9.9重量%的硼及約90.1重量%至約97重量%的鎳。在一或更多個實施例中，基於合金的總重量，硼及鎳的合金包含5重量%至約7.9重量%的硼及約92.1重量%至約95重量%的鎳。在一或更多個實施例中，硼及鎳的合金為非晶態。在一或更多個實施例中，合金為單相合金。
在一些實施例中，多陰極源腔室500是第3圖中所圖示的系統的一部分。在一實施例中，極紫外光(EUV)遮罩坯體生產系統包含基板傳送真空腔室、基板傳送平臺、及多個子腔室，基板傳送真空腔室用於產生真空，基板傳送平臺在真空中用於運送裝載於基板傳送真空腔室中的基板，多個子腔室由基板傳送平臺進出用於形成EUV遮罩坯體，EUV遮罩坯體包括反射層的多層堆疊、覆蓋層、及吸收層，反射層的多層堆疊在基板上，多層堆疊包括複數個反射層對，覆蓋層在反射層的多層堆疊上，吸收層在覆蓋層上，吸收層由硼及鎳的合金製成。在一些實施例中，系統用以製造關於第4圖或第5圖所圖示的EUV遮罩坯體，且具有關於上面關於第4圖或第5圖所描述的EUV遮罩坯體所描述的任何性質。
製程通常可以以軟體常式(software routine)儲存在記憶體中，當處理器執行軟體常式時，軟體常式使處理腔室執行本揭示內容的製程。軟體常式也可以藉由第二處理器（未圖示）儲存及/或執行，第二處理器位於遠離由處理器所控制的硬體處。本揭示內容的方法之部分或全部也可在硬體中執行。就此而言，製程可施行於軟體中且使用電腦系統執行於硬體中，如特定應用積體電路或其它類型硬體的實施，或軟體及硬體之組合。當處理器執行軟體常式時，軟體常式將通用電腦轉換為控制腔室操作的特定用途電腦（控制器），因而可執行製程。
貫穿此說明書論及「一個實施例」、「某些實施例」、「一或更多個實施例」或「一實施例」意指在本揭示內容的至少一個實施例中包括結合實施例所描述的特定的特徵、結構、材料、或特性。因此，貫穿此說明書的不同地方中，諸如「在一或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」、或「在一實施例中」的片語的出現不一定是指本揭示內容的相同實施例。另外，在一或更多個實施例中可以以任何合適的方式結合特定的特徵、結構、材料、或特性。
儘管已參考特定實施例描述了本文揭示內容，但應理解，這些實施例僅是本揭示內容的原理及應用的說明。對於所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易見的是，在不脫離本揭示內容的精神及範圍下，可對本揭示內容的方法及裝置做出各種改變及變化。因此，本揭示內容意欲包括在隨附的申請專利範圍及其等效物的範圍內的改變及變化。
10:EUV反射遮罩 12:反射性多層堆疊 14:基板 16:遮蔽(非反射)區域 18:緩衝層 20:吸收層 22:覆蓋層 24:反射區域 100:極紫外光微影系統 102:極紫外光光源 104:聚光器 106:EUV反射遮罩 108:光學縮小組件 110:目標晶圓 112:極紫外光 114:遮罩圖案 200:極紫外光反射元件生產系統 202:晶圓裝載及載具傳送系統 203:源基板 204:EUV遮罩坯體 205:極紫外光鏡 206:大氣中的傳送系統 208:晶圓傳送真空腔室 210:第一真空腔室 212:第二真空腔室 214:第一晶圓傳送系統 216:第二晶圓傳送系統 218:除氣系統 220:第一物理氣相沉積系統 222:第二物理氣相沉積系統 224:預清潔系統 226:第一多陰極源 228:化學氣相沉積系統 230:固化腔室 232:超平滑沉積腔室 302:極紫外光反射元件 304:基板 306:反射層之多層堆疊/多層堆疊 308:覆蓋層 310:吸收層 312:第一反射層 314:第二反射層 316:反射對 400:極紫外光遮罩坯體 412:反射層之多層堆疊/複數個反射層 414:基板 420:吸收層之多層堆疊 420a/420b,420c/420d,420e/420f:吸收層對 420a,420c,420e:吸收層/第一層/第一吸收層 420b,420d,420f:吸收層/第二吸收層 422:覆蓋層 500:多陰極(源)腔室 501:底座結構 502:圓柱形主體部分 504:頂部配接器 506,508,510,512,514:陰極源
藉由參考實施例（一些實施例說明於隨附圖式中），可獲得於上文中簡要概述的本揭示內容的更具體描述，而能夠詳細理解本揭示內容的上述特徵。然而，應注意，隨附圖式僅圖示出本揭示內容的典型實施例，且因此此等圖式不欲視為本揭示內容範圍的限制，因為本揭示內容可允許其它同等有效的實施例。
第1圖示意性地圖示採用習用吸收體的先前技術EUV反射遮罩；
第2圖示意性地圖示極紫外光微影系統的實施例；
第3圖圖示極紫外光反射元件生產系統的實施例；
第4圖圖示極紫外光反射元件諸如EUV遮罩坯體的實施例；
第5圖圖示極紫外光反射元件諸如EUV遮罩坯體的實施例；以及
第6圖圖示多陰極物理沉積腔室的實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
302:極紫外光反射元件
304:基板
306:反射層之多層堆疊/多層堆疊
308:覆蓋層
310:吸收層
312:第一反射層
314:第二反射層
316:反射對

Claims (20)

  1. 一種製造一極紫外光(EUV)遮罩坯體之方法，包含以下步驟： 在一基板上形成一多層堆疊，該多層堆疊反射EUV輻射，該多層堆疊包含複數個反射層對； 在該多層堆疊上形成一覆蓋層；以及 在該覆蓋層上形成一吸收層，該吸收層包含一硼及鎳之合金。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該硼及鎳之合金包含約2重量%至約10.9重量%的硼及約89.1重量%至約98重量%的鎳。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該硼及鎳之合金包含約3重量%至約9.9重量%的硼及約90.1重量%至約97重量%的鎳。
  4. 如請求項2所述之方法，其中該硼及鎳之合金包含5重量%至約7.9重量%的硼及約92.1重量%至約95重量%的鎳。
  5. 如請求項2所述之方法，其中該硼及鎳之合金為非晶態。
  6. 如請求項1所述之方法，其中藉由以一氣體共濺射硼及鎳形成該合金以形成該吸收層，該氣體選自氬(Ar)、氧(O2 )、或氮(N2 )中的一者或更多者。
  7. 如請求項1所述之方法，其中使用一氣體逐層沉積該合金作為一硼層及鎳層之積層體以形成該吸收層，該氣體選自氬(Ar)、氧(O2 )、或氮(N2 )中的一者或更多者。
  8. 如請求項1所述之方法，其中使用一塊狀靶材沉積該合金，並且使用一氣體濺射該合金以形成該吸收層，該塊狀靶材具有與該合金相同的組成物，該氣體選自氬(Ar)、氧(O2 )、或氮(N2 )中的一者或更多者。
  9. 如請求項2所述之方法，其中該硼及鎳之合金摻雜有從0.1重量%至5重量%的範圍內的氮或氧中之一者或更多者。
  10. 如請求項3所述之方法，其中該硼及鎳之合金摻雜有從約0.1重量%至約5重量%的範圍內的氮或氧中之一者或更多者。
  11. 一種極紫外光(EUV)遮罩坯體，包含： 一基板； 一多層堆疊，反射EUV輻射，該多層堆疊包含複數個反射層對； 一覆蓋層，在反射層之該多層堆疊上；以及 一吸收層，包含一硼及鎳之合金。
  12. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該硼及鎳之合金包含約2重量%至10.9重量%的硼及約89.1重量%至約98重量%的鎳。
  13. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，該硼及鎳之合金包含約3重量%至約9.9重量%的硼及約90.1重量%至約97重量%的鎳。
  14. 如請求項12所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該硼及鎳之合金包含5重量%至約7.9重量%的硼及約92.1重量%至約95重量%的鎳。
  15. 如請求項13所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該硼及鎳之合金為非晶態。
  16. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該吸收層的厚度低於45 nm。
  17. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該吸收層進一步包含範圍從約0.1重量%至約5重量%的一摻雜劑，該摻雜劑選自氮或氧中的一者或更多者。
  18. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該吸收層的厚度低於45 nm。
  19. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該吸收層相對於該覆蓋層具有蝕刻選擇性。
  20. 一種極紫外光(EUV)遮罩坯體，包含： 一基板； 一多層堆疊，反射EUV輻射，該多層堆疊包含複數個反射層對，該些反射層對包括鉬(Mo)及矽(Si)； 一覆蓋層，在反射層之該多層堆疊上；以及 一吸收層，包含一硼及鎳之合金。
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