JP4926523B2 - 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。露光機(パターン転写装置)に搭載された反射型マスクに入射した光は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
また、特許文献2には、吸収体膜の材料として、タンタルとホウ素を含む材料(TaBNなど)を用い、さらに多層反射膜と吸収体膜との間に、吸収体膜パターン形成時に多層反射膜を保護するためのクロム系バッファー層を備えた反射型マスクが記載されている。
したがって、吸収体膜の膜厚は出来る限り薄いことが望まれるが、吸収体膜の材料として、従来はTaBN系材料が一般的に使用されているが、この例えばTaBNを用いた場合、膜厚をある程度厚くしないとEUV光に対する吸収係数が高くならないため、吸収体膜の膜厚を薄くするといっても自ずと限界がある。
このような事情から、従来のTaBN系材料よりも吸収体膜の膜厚をさらに薄くすることが可能な材料が要望されている。
(構成1)基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、さらに前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えた反射型マスクブランクスであって、前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにテルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクスである。
(構成2)前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ヒ素(As)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする構成1に記載の反射型マスクブランクスである。
(構成4)前記バッファー層は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ヒ素(As)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする構成3に記載の反射型マスクブランクスである。
(構成7)前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ヒ素(As)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする構成6に記載の反射型マスクブランクスである。
(構成9)構成8に記載の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により半導体基板上に微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項2の発明によれば、前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ヒ素(As)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、請求項1の発明における効果に加えて、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜との密着性、等をより向上することができる。
請求項4の発明によれば、前記バッファー層は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ヒ素(As)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、請求項3の発明における効果に加えて、上記バッファー層のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜や吸収体膜との密着性、等をより向上することができる。
請求項7の発明によれば、前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ヒ素(As)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、請求項6の発明における効果に加えて、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜との密着性、等をより向上することができる。
請求項9の発明によれば、本発明の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により、半導体基板上に高精度な微細パターンを形成した半導体装置が得られる。
(実施の形態1)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態1は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えている。
本実施の形態において、前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにテルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料(以下、「本発明のタンタル系材料」と呼ぶ。)からなる。
本発明のタンタル系材料は、露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を持つため、本実施の形態の反射型マスクブランクスから製造される反射型マスクを用いたパターン転写時に、高コントラストのパターン転写を行なえる。また、これにより例えばTaBNと比べるとより薄い膜厚の吸収体膜とすることができ、シャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止することができる。
ここで、上記複素屈折率について説明する。
例えばEUV光を露光光として用いる反射型マスクは光学回折素子であるため、複素屈折率と形状が判れば、光学特性を求めることが可能である。
n*=n+ik=1−(r0λ2/2π)ΣNqfq(0) (1)
fq(0)=fq1(0)−ifq2(0)
また、Nqは、密度N(g/cm3)、原子量mq、アボガドロ数Naから以下の関係式で得られる。
Nq=(N×Na)/mq
以上の式を用いて上記の複素屈折率を求めることが可能である。なお、軟X線領域では、f1とf2は同じオーダーである。
たとえば、前記のテルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)等の元素は、Taと比べてkの値の小さな若しくは同程度の元素である。
下記表1に、テルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)の各元素についての散乱因子(f1、f2)、EUV光波長(13.5nm)における複素屈折率の実数部n、虚数部kの値を示した。
・Aグループ
タンタル(Ta)を主成分とし、さらにテルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料。
・Bグループ
タンタル(Ta)を主成分とし、さらにテルル(Te)、アンチモン(Sb)、沃素(I)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料。
このうち、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにテルル(Te)、アンチモン(Sb)、沃素(I)、タングステン(W)、レニウム(Re)のうちの少なくとも1種の元素を含有する材料は、フッ素系ガスでも塩素系ガスでもエッチング可能な材料である。
また、上記Bグループに属する本発明のタンタル系材料の具体例としては、例えば、TaTe2、Ta2Te3、Ta2Sn3、Ta5Sb4、Ta6Ga5、Ta3Ga2、Ta5Ga3、Ta3Sb、FeTa、Ta2Au、Ta2Al3、AlTa、ReTa0.8等の結晶系材料が挙げられる。また、In、I、Hg、WはTaと明確なな結晶系ではなく混晶を形成する。とくに、SnとWは毒性が少なく且つ安定なため、TaとSn又はWとを含有する材料は本発明に好適である。
また、本発明のタンタル系材料は、上記で例示したようなTaを主成分とし、テルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)の何れかの元素を含有する材料には限定されない。たとえばTaを主成分とし、テルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)から選ばれる2種以上の元素を含有する材料であってもよい。
なお、下記表2に、上記例示で挙げたTaTe2、Ta2Te3、Ta2Sn3、Ta5Sb4、Ta6Ga5、Ta3Ga2、Ta5Ga3、Ta3Sb、FeTa、Ta3Ir、Ta2Au、TaPt2、Ta2Al3、AlTa、Ta3Os、ReTa0.8、TaPt(Pt:20原子%)、TaPt(Pt:50原子%)、TaW(W:20原子%)、TaW(W:50原子%)の各物質についてのEUV光波長(13.5nm)における複素屈折率の実数部n、虚数部kの値を示した。参考までに、従来のTaBNのデータも示した。
本発明のタンタル系材料からなる吸収体膜は、必ずしも全体が均一な組成でなくてもよく、例えば膜厚方向で組成が異なるように組成傾斜させてもよい。組成傾斜させる場合、含有する元素の組成が連続的に異なるようにしてもよいし、或いは組成が段階的に異なるようにしてもよい。
本発明のタンタル系材料で形成された吸収体膜は、前述したように、Aグループの材料に対してはエッチングガスとしてフッ素系ガス(例えばCHF3ガスなど)を用いたドライエッチングにより、Bグループの材料に対しては塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、それぞれパターニングすることができる。
また、基板は、高反射率及び高転写精度を得るために、高い平滑性と平坦度を備えた基板が好ましい。特に、0.2nmRms以下の平滑な表面(10μm角エリアでの平滑性)と、100nm以下の平坦度(142mm角エリアでの平坦度)を有することが好ましい。また、基板は、その上に形成される膜の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。特に、65GPa以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。
なお、平滑性を示す単位Rmsは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡で測定することができる。また平坦度は、TIR(Total Indicated Reading)で示される表面の反り(変形量)を表す値で、基板表面を基準として最小自乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。
例えば、波長13〜14nmのEUV光に対する多層反射膜としては、前述のMo膜とSi膜を交互に40〜60周期程度積層したMo/Si周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、EUV光の領域で使用される多層反射膜として、Ru/Si周期多層膜、Mo/Be周期多層膜、Mo化合物/Si化合物周期多層膜、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru周期多層膜などがある。要は、露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
多層反射膜は、DCマグネトロンスパッタ法や、イオンビームスパッタ法などにより、各層を成膜することにより形成できる。上述したMo/Si周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタ法により、まずSiターゲットを用いて厚さ数nm程度のSi膜を成膜し、その後Moターゲットを用いて厚さ数nm程度のMo膜を成膜し、これを一周期として、40〜60周期積層した後、最後に、酸化防止のための保護膜(キャッピング層とも呼んでいる)として、厚さ数nm程度のSi膜を最上層に設けることが行われている。
上記反射型マスクブランクスを使用して得られる反射型マスクの態様としては、基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有するバッファー層と吸収体膜のパターンが形成された反射型マスクが挙げられる。
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態2は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えている。そして、本実施の形態では、該バッファー層を本発明のタンタル系材料で形成している。
なお、本発明のタンタル系材料からなるバッファー層は、さらにB、N、O、C、Si、あるいは、Ge、Rh、As、Hfから選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、バッファー層のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜や吸収体膜との密着性、あるいはEUV光吸収特性等をより向上することができる。
また、本発明のタンタル系材料からなるバッファー層は、実施の形態1のように吸収体膜として用いた場合と同様、マグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法で形成するのが好ましい。
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態3は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えるとともに、前記多層反射膜と前記バッファー層との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されている。そして、前記吸収体膜あるいはバッファー層は、実施の形態1あるいは実施の形態2と同様、本発明のタンタル系材料で形成されている。
本実施の形態においては、前述の実施の形態1あるいは実施の形態2における多層反射膜とバッファー層との間に、ルテニウム単体又はその化合物からなる保護膜を備えることにより、吸収体膜パターンに従ってバッファー層をパターン形成する時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。
上記ルテニウム化合物のRu含有量は、上記効果を引き出すためには10〜95原子%とすることが好ましい。
また、上記保護膜の膜厚は、0.5〜5nmの範囲で選定することが好ましい。さらに好ましくは、多層反射膜上で反射される光の反射率が最大となる膜厚にすることが望ましい。
本実施の形態の反射型マスクブランクスにおける基板、多層反射膜、本発明のタンタル系材料からなる吸収体膜あるいはバッファー層などについては、前述の実施の形態1、実施の形態2と同様であるので、ここでは重複説明は省略する。
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態4は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜を備え、前記吸収体膜は、本発明のタンタル系材料で形成している。
本実施の形態では、多層反射膜と吸収体膜との間に、ルテニウム単体又はその化合物からなる保護膜を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。保護膜を形成するルテニウム又はルテニウム化合物については、前述の実施の形態3の場合と同様である。また、上記ルテニウム化合物のRu含有量、保護膜の膜厚、保護膜の形成方法などについても、前述の実施の形態3の場合と同様である。
なお、本実施の形態の上記反射型マスクブランクスにおいても、吸収体膜に所定の転写パターンを形成するためのレジスト膜が形成された状態であっても構わない。
上記反射型マスクブランクスを使用して得られる反射型マスクの態様としては、基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスクが挙げられる。
図1は本発明の反射型マスクブランクスの一実施の形態及びこのマスクブランクスを用いて反射型マスクを製造する工程を示す概略断面図である。
図1に示す反射型マスクブランクスの一実施の形態としては、前述の実施の形態3の場合を例として挙げる。図1(a)に示すように、反射型マスクブランクス10は、基板1上に多層反射膜2が形成され、その上に保護膜6を設け、更にその上に、バッファー層3及び吸収体膜4の各層が形成された構造をしている。
そして、この反射型マスクブランクス10の吸収体膜4に所定の転写パターンを形成する。まず、吸収体膜4上に電子線用レジストを塗布し、ベーキングを行う。次に、電子線描画機を用いて描画し、これを現像して、所定のレジストパターン5aを形成する。
なお、熱濃硫酸を用いて、吸収体膜パターン4a上に残ったレジストパターン5aを除去して、マスク11(同図(c)参照)を作製する。
このようにして、例えば、除去されるべきでない吸収体膜が除去されたピンホール欠陥(白欠陥)や、エッチング不足により一部が除去されずに残っているエッチング不足欠陥(黒欠陥)を検出する。このようなピンホール欠陥や、エッチング不足による欠陥が検出された場合には、これを修正する。エッチング不足による欠陥の修正には、例えば、集束イオンビーム(Focussed Ion Beam:FIB)照射による不要部分の除去を行うなどの方法がある。また、ピンホール欠陥の修正には、FIBアシストデポジション法により炭素膜等をピンホールに堆積させるなどの方法がある。また、このとき、バッファー層3は、FIB照射に対して、多層反射膜2を保護する保護膜となる。
また、本発明により製造される反射型マスクは、EUV 光(波長0.2〜100nm程度)を露光光として用いた場合に特に好適であるが、他の波長の光に対しても適宜用いることができる。
本発明の実施例を説明するにあたって、まずコントラストについて説明する。
例えばEUV光を露光光とする反射型マスクのコントラスト(マスクコントラスト)は、
コントラスト=反射率比(多層反射膜からの反射率/吸収体膜からの反射率)
で定義される(図3参照)。EUV光用の反射型マスクは光学多層膜であるため、反射光は複雑な経路の合成波であり、干渉の効果で反射光は吸収体膜の膜厚に対して複雑な挙動を示す。また、前述の実施の形態1のようにバッファー層を備える場合、バッファー層も吸収体としての効果を有するため、本発明においてコントラストを考えるときの吸収体膜とは、吸収体膜とバッファー層とを合わせた層を意味するものとする。
以下に示す実施例1は、前述の実施の形態1に係る実施例である。
使用する基板は、SiO2-TiO2系のガラス基板(6インチ角、厚さが6.3mm)である。この基板の熱膨張係数は0.2×10−7/℃、ヤング率は67GPaである。そして、このガラス基板は機械研磨により、0.2nmRms以下の平滑な表面と、100nm以下の平坦度に形成した。
基板上に形成される多層反射膜は、13〜14nmの露光光波長帯域に適した多層反射膜とするために、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を採用した。即ち、多層反射膜は、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して形成した。Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、最後にキャッピング層としてSi膜を11nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.8%であった。また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。
次に、このバッファー層上に、吸収体膜として、TaTe2ターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、TaTe2膜を所定の厚さに成膜し、反射型マスクブランクスを得た(実施例1−1の反射型マスクブランクスとする。)。
次に、これら実施例1−1〜1−12の反射型マスクブランクスを用いて、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。
このレジストパターンをマスクとして、吸収体膜の材料によってフッ素系(CHF3)ガス又は塩素(Cl2)ガスを用いて吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。
さらに、塩素と酸素の混合ガスを用いて、反射領域上(吸収体膜のパターンのない部分)に残存しているバッファー層を吸収体膜のパターンに従ってドライエッチングして除去し、多層反射膜を露出させ、反射型マスクを得た。
こうして、実施例1−1〜1−12の反射型マスクを得た。
なお、比較例として、上記吸収体膜の材料としてTaBN(Ta:0.8原子%、B:0.1原子%、N:0.1原子%)を使用したこと以外は上記実施例1と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求め(図5参照)、さらにt100を求めたところ、t100の値は74.3nmであり、上記実施例と比べると大きい値であった。
以上の結果から、吸収体膜として本発明のタンタル系材料を用いることにより、例えば従来のTaBN系材料を用いた場合と比べて、より薄い膜厚で高いコントラストを実現できるので、EUV露光用反射型マスクに要求される高コントラストを保証することができ信頼性が高い。
反射型マスクを搭載したパターン転写装置50は、レーザープラズマX線源31、縮小光学系32等から概略構成される。縮小光学系32は、X線反射ミラーを用いている。縮小光学系32により、反射型マスク20で反射されたパターンは通常1/4程度に縮小される。尚、露光波長として13〜14nmの波長帯を使用するので、光路が真空中になるように予め設定した。
このような状態で、レーザープラズマX線源31から得られたEUV光を反射型マスク20に入射し、ここで反射された光を縮小光学系32を通してシリコンウエハ(レジスト層付き半導体基板)33上に転写した。
以上のようにして半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例1−1〜1−12の反射型マスクは何れも、パターン転写時にパターンぼけの発生がなく、高コントラストのパターン転写を実現できることが確認できた。
(実施例2)
実施例1と同じガラス基板上に、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を形成した。即ち、Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、最後にキャッピング層としてSi膜を4nm成膜し、更にその上に保護膜としてRuNbターゲットを用いてRuNb膜を2.5nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.2%であった。また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。
次に、このバッファー層上に、吸収体膜として、TaTe2ターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、TaTe2膜を所定の厚さに成膜し、反射型マスクブランクスを得た(実施例2−1の反射型マスクブランクスとする。)。
次に、これら実施例2−1〜2−12の反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。
このレジストパターンをマスクとして、吸収体膜の材料によってフッ素系(CHF3)ガス又は塩素(Cl2)ガスを用いて吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。
さらに、塩素と酸素の混合ガスを用いて、反射領域上(吸収体膜のパターンのない部分)に残存しているバッファー層を吸収体膜のパターンに従ってドライエッチングして除去し、多層反射膜を露出させ、反射型マスクを得た。露出した多層反射膜表面にはRuNb保護膜を有する。
こうして、実施例2−1〜2−12の反射型マスクを得た。
なお、比較例として、上記吸収体膜の材料としてTaBN(Ta:0.8原子%、B:0.1原子%、N:0.1原子%)を使用したこと以外は上記実施例2と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求め(図6参照)、さらにt100を求めたところ、t100の値は75.7nmであり、上記実施例と比べると大きい値であった。
次に、得られた実施例2−1〜2−12の反射型マスク(但し、各実施例の吸収体膜の膜厚は各々の上記t100の値に設定した)を用いて、実施例1と同様に図2のパターン転写装置を用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例2−1〜2−12の反射型マスクは何れも、パターン転写時にパターンぼけの発生がなく、高コントラストのパターン転写を実現できることが確認できた。
(実施例3)
実施例1と同じガラス基板上に、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を形成した。即ち、Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、キャッピング層としてSi膜を4nm成膜し、更にその上に保護膜としてRuNbターゲットを用いてRuNb膜を2.5nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.2%であった。また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。
次に、実施例3−1の反射型マスクブランクスにおける上記吸収体膜の材料をそれぞれ、Ta2Te3(実施例3−2)、Ta2Sn3(実施例3−3)、Ta5Sb4(実施例3−4)、Ta6Ga5(実施例3−5)、Ta3Ga2(実施例3−6)、Ta5Ga3(実施例3−7)、Ta3Sb(実施例3−8)、FeTa(実施例3−9)、Ta3Ir(実施例3−10)、Ta2Au(実施例3−11)、TaPt2(実施例3−12)、Ta2Al3(実施例3−13)、AlTa(実施例3−14)、Ta3Os(実施例3−15)、ReTa0.8(実施例3−16)とした以外は実施例3−1と同様にして、実施例3−2〜3−16の反射型マスクブランクスを作製した。
次に、これら実施例3−1〜3−16の反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。
このレジストパターンをマスクとして、吸収体膜の材料によってフッ素系(CHF3)ガス又は塩素(Cl2)ガスを用いて吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成し、反射型マスクを得た。露出した多層反射膜表面にはRuNb保護膜を有する。
こうして、実施例3−1〜3−16の反射型マスクを得た。
なお、比較例として、上記吸収体膜の材料としてTaBN(Ta:0.8原子%、B:0.1原子%、N:0.1原子%)を使用したこと以外は上記実施例3と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求め(図7参照)、さらにt100を求めたところ、t100の値は80.4nmであり、上記実施例と比べると大きい値であった。
次に、得られた実施例3−1〜3−16の反射型マスク(但し、各実施例の吸収体膜の膜厚は各々の上記t100の値に設定した)を用いて、実施例1と同様に図2のパターン転写装置を用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例3−1〜3−16の反射型マスクは何れも、パターン転写時にパターンぼけの発生がなく、高コントラストのパターン転写を実現できることが確認できた。
実施例1−1の反射型マスクブランクスにおける吸収体膜の材料をそれぞれ、TaPt(Pt:20at%)(実施例4−1)、TaPt(Pt:50at%)(実施例4−2)、TaW(W:20at%)(実施例4−3)、TaW(W:50at%)(実施例4−4)とした以外は実施例1−1と同様にして、実施例4−1〜4−4の反射型マスクブランクスを作製した。
また、実施例2−1の反射型マスクブランクスにおける吸収体膜の材料をそれぞれ、TaPt(Pt:20at%)(実施例5−1)、TaPt(Pt:50at%)(実施例5−2)、TaW(W:20at%)(実施例5−3)、TaW(W:50at%)(実施例5−4)とした以外は実施例2−1と同様にして、実施例5−1〜5−4の反射型マスクブランクスを作製した。
また、実施例3−1の反射型マスクブランクスにおける吸収体膜の材料をそれぞれ、TaPt(Pt:20at%)(実施例6−1)、TaPt(Pt:50at%)(実施例6−2)、TaW(W:20at%)(実施例6−3)、TaW(W:50at%)(実施例6−4)とした以外は実施例3−1と同様にして、実施例6−1〜6−4の反射型マスクブランクスを作製した。
ここで、各実施例におけるコントラストの吸収体膜厚依存性を求め、その結果を、実施例4−1〜4−4については図8、実施例5−1〜5−4については図9、実施例6−1〜6−4については図10にそれぞれ示した。
なお、比較例として、上記吸収体膜の材料としてTaBN(Ta:0.8原子%、B:0.1原子%、N:0.1原子%)を使用したこと以外は上記各実施例と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求め(図8〜図10参照)、さらにt100を求めたところ、t100の値は図8については75.7nm、図9については80.4nm、図10については72.7nmであり、上記各実施例と比べると大きい値であった。
実施例4−1〜4−4の各反射型マスクブランクスにおけるバッファー層の材料を、CrNに代えてCrAg(Ag:20at%)とした以外は実施例4−1〜4−4と同様にして、実施例7−1〜7−4の反射型マスクブランクスを作製した。
また、実施例5−1〜5−4の各反射型マスクブランクスにおけるバッファー層の材料を、CrNに代えてCrAg(Ag:20at%)とした以外は実施例5−1〜5−4と同様にして、実施例8−1〜8−4の反射型マスクブランクスを作製した。
ここで、各実施例におけるコントラストの吸収体膜厚依存性を求め、その結果を、実施例7−1〜7−4については図11、実施例8−1〜8−4については図12にそれぞれ示した。
なお、比較例として、上記吸収体膜の材料としてTaBN(Ta:0.8原子%、B:0.1原子%、N:0.1原子%)を使用したこと以外は上記各実施例と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求め(図11,図12参照)、さらにt100を求めたところ、t100の値は図11については74.7nm、図12については67.4nmであり、上記各実施例と比べると大きい値であった。
2 多層反射膜
3 バッファー層
4 吸収体膜
5a レジストパターン
6 保護膜
10 反射型マスクブランクス
20 反射型マスク
50 パターン転写装置
Claims (13)
- 基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、さらに前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えた反射型マスクブランクスであって、
前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにテルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなり、
前記吸収体膜と前記バッファー層とを合わせた層の全体膜厚は、前記露光光に対する前記多層反射膜からの反射率を前記吸収体膜と前記バッファー層とを合わせた層からの反射率で除して算出されるコントラストが100以上となる条件を満足する膜厚であり、かつその膜厚以上でもコントラストが100未満にならない膜厚を下限値とすることを特徴とする反射型マスクブランクス。 - 前記吸収体膜と前記バッファー層とを合わせた層の全体膜厚は、前記露光光に対する前記多層反射膜からの反射率を、TaBNで形成される吸収体膜と前記バッファー層とを合わせた層からの反射率で除して算出されるコントラストが100以上となる条件を満足する膜厚であり、かつその膜厚以上でもコントラストが100未満にならない膜厚よりも小さい膜厚を下限値とすることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランクス。
- 前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ヒ素(As)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型マスクブランクス。
- 前記多層反射膜と前記バッファー層との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されており、前記露光光に対する前記多層反射膜からの反射率は、前記多層反射膜上に保護膜がある状態における反射率であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載の反射型マスクブランクス。
- 前記バッファー層は、クロム系材料で形成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一に記載の反射型マスクブランクス。
- 基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、
前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されており、
前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにテルル(Te)、アンチモン(Sb)、白金(Pt)、沃素(I)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、タングステン(W)、レニウム(Re)、スズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなり、
前記吸収体膜の膜厚は、前記露光光に対する前記保護膜がある状態における前記多層反射膜からの反射率を前記吸収体膜からの反射率で除して算出されるコントラストが100以上となる条件を満足する膜厚であり、かつその膜厚以上でもコントラストが100未満にならない膜厚を下限値とすることを特徴とする反射型マスクブランクス。 - 前記吸収体膜の膜厚は、前記露光光に対する前記保護膜がある状態における前記多層反射膜からの反射率をTaBNで形成される吸収体膜からの反射率で除して算出されるコントラストが100以上となる条件を満足する膜厚であり、かつその膜厚以上でもコントラストが100未満にならない膜厚よりも小さい膜厚を下限値とすることを特徴とする請求項6に記載の反射型マスクブランクス。
- 前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ロジウム(Rh)、ヒ素(As)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項6又は7に記載の反射型マスクブランクス。
- 前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにテルル(Te)、アンチモン(Sb)、沃素(I)、タングステン(W)、レニウム(Re)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1乃至8の何れか一に記載の反射型マスクブランクス。
- 前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらに白金(Pt)、ビスマス(Bi)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1乃至8の何れか一に記載の反射型マスクブランクス。
- 前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにスズ(Sn)、インジウム(In)、ポロニウム(Po)、鉄(Fe)、金(Au)、水銀(Hg)、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1乃至8の何れか一に記載の反射型マスクブランクス。
- 請求項1乃至11の何れか一に記載の反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に、被転写体に対する転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスク。
- 請求項12に記載の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により半導体基板上に微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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