JP6739960B2 - 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6739960B2 JP6739960B2 JP2016064269A JP2016064269A JP6739960B2 JP 6739960 B2 JP6739960 B2 JP 6739960B2 JP 2016064269 A JP2016064269 A JP 2016064269A JP 2016064269 A JP2016064269 A JP 2016064269A JP 6739960 B2 JP6739960 B2 JP 6739960B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- phase shift
- reflective mask
- mask blank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 561
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 321
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 213
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 27
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 35
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 24
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000652359 Homo sapiens Spermatogenesis-associated protein 2 Proteins 0.000 description 1
- 101000642464 Homo sapiens Spermatogenesis-associated protein 2-like protein Proteins 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100030254 Spermatogenesis-associated protein 2 Human genes 0.000 description 1
- 229910004164 TaMo Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Description
本発明の構成1は、基板上に、多層反射膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、最上層と、最上層以外の下層とを有し、
n2<n1<1 ・・・(1)、かつ
λ/4×(2m+1)−α≦n1・d1≦λ/4×(2m+1)+α ・・・(2)
の関係を満たすことを特徴とする反射型マスクブランクである。ただし、上記式中、n1は前記最上層の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、n2は前記下層の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、d1は前記最上層の膜厚(nm)、mはゼロ以上の整数、及びα=1.5nmである。
本発明の構成2は、前記mは2以下であることを特徴とする構成1の反射型マスクブランクである。
本発明の構成3は、前記位相シフト膜の前記最上層はケイ素化合物を含む材料からなり、前記下層はタンタル化合物を含む材料からなることを特徴とする構成1又は2の反射型マスクブランクである。
本発明の構成4は、基板上に、多層反射膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、第1層〜第N層(Nは2以上の整数)をこの順で含む単位薄膜を1層、又は2層以上含む多層膜からなり、最も多層反射膜から遠い所に位置する単位薄膜の第1層が最上層であり、
の関係を満たすことを特徴とする反射型マスクブランクである。ただし、上記式中、iは1〜Nの整数、niは第i層の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、diは前記第i層の膜厚(nm)、及びα=1.5nmである。
本発明の構成5は、ni+1<ni、かつn1<1であることを特徴とする構成4の反射型マスクブランクである。
本発明の構成6は、N=2であることを特徴とする構成4又は5の反射型マスクブランクである。
本発明の構成7は、前記第1層は、Ta及びCrから選択される少なくとも一種の金属材料を含むことを特徴とする構成4〜6の何れかの反射型マスクブランクである。
本発明の構成8は、前記第2層は、Mo、Ru、Pt、Pd、Ag及びAuから選択される少なくとも一種の金属材料を含むことを特徴とする構成4〜7の何れかの反射型マスクブランクである。
本発明の構成9は、前記多層反射膜と前記位相シフト膜との間に保護膜を有することを特徴とする構成1〜8の何れかの反射型マスクブランクである。
本発明の構成10は、構成1〜9の何れかの反射型マスクブランクにおける前記位相シフト膜がパターニングされた位相シフト膜パターンを有することを特徴とする反射型マスクである。
本発明の構成11は、構成10の反射型マスクを用いて半導体基板上にパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
n2<n1<1 ・・・(1)、かつ
λ/4×(2m+1)−α≦n1・d1≦λ/4×(2m+1)+α ・・・(2)
を満たすことを特徴とする。ただし、上記式(1)及び式(2)中、n1は前記最上層16の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、n2は下層17の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、d1は最上層16の膜厚、mはゼロ以上の整数、及びα=1.5である。図1に示す反射型マスクブランク10は、1層の下層17を有する。
を満たすことを特徴とする。ただし、上記式(3)中、iは1〜Nの整数、niは、第i層(iは1以上N以下の任意の整数)の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、diは、前記第i層の膜厚(nm)、及びα=1.5nmである。
図1は、本発明の実施形態1のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク10の構成を説明するための断面模式図である。図2は、本発明の実施形態2のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク10の構成を説明するための断面模式図である。図1及び図2を用いて本発明の反射型マスクブランク10について説明する。
本発明は、上述の本発明の反射型マスクブランク10における位相シフト膜15がパターニングされた位相シフト膜パターンを有する反射型マスクである。上述の本発明の反射型マスクブランク10を使用して、本発明の反射型マスクを作製することができる。EUVリソグラフィ用反射型マスクの製造には、高精細のパターニングを行うことができるフォトリソグラフィー法が最も好適である。
本発明は、上述の本発明の反射型マスクを用いて半導体基板12上にパターンを形成するパターン形成工程を含む、半導体装置の製造方法である。
<反射型マスクブランク10の作製>
次に述べる方法で、実施例1の反射型マスクブランク10を作製した。実施例1の反射型マスクブランク10は、CrN裏面導電膜\基板12\MoSi多層反射膜13\Ru保護膜14\位相シフト膜15という構造を有する。
実施例2として、位相シフト膜15の最上層16(SiO2膜)の膜厚d1を3.375nm、下層17のTaN膜の膜厚d2を60nmとした以外は、実施例1と同様に、反射型マスクブランク10を作製した。表1に、実施例2の位相シフト膜15の最上層16のSiO2膜の屈折率(n1)及び膜厚(d1)、並びに下層17のTaN膜の屈折率(n2)及び膜厚(d2)を示す。
実施例3として、位相シフト膜15の最上層16(SiO2膜)の膜厚d1を3.7nm、下層17のTaN膜の膜厚d2を60nmとした以外は、実施例1と同様に、反射型マスクブランク10を作製した。表1に、実施例3の位相シフト膜15の最上層16のSiO2膜の屈折率(n1)及び膜厚(d1)、並びに下層17のTaN膜の屈折率(n2)及び膜厚(d2)を示す。
実施例4として、位相シフト膜15の最上層16(SiO2膜)の膜厚d1を18nm、下層17のTaN膜の膜厚d2を61.5nmとした以外は、実施例1と同様に、反射型マスクブランク10を作製した。表1に、実施例4の位相シフト膜15の最上層16のSiO2膜の屈折率(n1)及び膜厚(d1)、並びに下層17のTaN膜の屈折率(n2)及び膜厚(d2)を示す
比較例1として、位相シフト膜15の最上層16(SiO2膜)を設けず、下層17(TaN膜)の膜厚d2を65nmとした以外は、実施例1と同様に、反射型マスクブランク10を作製した。表1に、比較例1の位相シフト膜15の下層17のTaN膜の屈折率(n2)及び膜厚(d2)を示す。
比較例1として、位相シフト膜15の最上層16(SiO2膜)の膜厚d1を1.5nm、下層17(TaN膜)の膜厚d2を65nmとした以外は、実施例1と同様に、反射型マスクブランク10を作製した。表1に、比較例1の位相シフト膜15の最上層16のSiO2膜の屈折率(n1)及び膜厚(d1)、並びに下層17のTaN膜の屈折率(n2)及び膜厚(d2)を示す。
表2に、実施例1〜4の反射型マスクブランク10のn1とd1との積(n1・d1)、並びに露光波長λ=13.5nm及びm=0のときの、λ/4×(2m+1)−1.5(nm)及びλ/4×(2m+1)+1.5(nm)の値を示す。表2から明らかなように、実施例1〜4のn1及びn2は、上述の式(1)の関係を満たしている。また、実施例1〜3のn1・d1は、及びm=0の場合の上述の式(2)の関係を満たしている。また、実施例4のn1・d1は、m=2の場合の上述の式(2)の関係を満たしている。
次に、実施例5として、保護膜14上に、以下の方法で多層膜からなる位相シフト膜15を形成した以外は実施例1と同様に、反射型マスクブランク10を製造した。
実施例6として、位相シフト膜15の周期の数を15とした以外は、実施例5と同様に、反射型マスクブランク10を作製した。したがって、実施例5の位相シフト膜15は、Ta層(第1層15a)及びMo層(第2層15b)からなる単位薄膜18を15周期有する構造である。表3に、実施例6の位相シフト膜15の最上層16のTa膜の屈折率(n1)及び膜厚(d1)、並びに下層17として形成したMo膜の屈折率(n2)及び膜厚(d2)を示す。
実施例7として、位相シフト膜15の周期の数を20とした以外は、実施例5と同様に、反射型マスクブランク10を作製した。したがって、したがって、実施例5の位相シフト膜15は、Ta層(第1層15a)及びMo層(第2層15b)からなる単位薄膜18を20周期有する構造である。表3に、実施例7の位相シフト膜15の最上層16のTa膜の屈折率(n1)及び膜厚(d1)、並びに下層17として形成したMo膜の屈折率(n2)及び膜厚(d2)を示す。
表4に、実施例5〜7の反射型マスクブランクのn1とd1との積(n1・d1)、n2とd2との積(n2・d2)、n1・d1及びn2・d2の和、並びに露光波長λ=13.5nm及びm=2のときの、λ/4×(2m+1)−1.5(nm)及びλ/4×(2m+1)+1.5(nm)の値を示す。表2から明らかなように、実施例5〜7のn1・d1及びn2・d2の和は、m=2の場合の上述の式(3)の関係を満たしている。なお、実施例5〜7は、ni+1<ni(すなわち、n2<n1)、かつn1<1との関係も満たしている。
次に、上述のようにして製造した実施例1〜7の反射型マスクブランク10の位相シフト膜15上に、レジスト膜を膜厚100nmで形成し、描画・現像によりレジストパターンを形成した。その後、このレジストパターンをマスクとし、フッ素系のSF6ガスを用いて、位相シフト膜15をドライエッチングし、位相シフト膜パターンを形成した。その後、レジストパターンを除去して、反射型マスクを作製した。
実施例1〜7のマスクブランク用基板12を用いて製造した反射型マスクをEUVスキャナにセットし、半導体基板12上に被加工膜とレジスト膜が形成されたウエハに対してEUV露光を行った。そして、この露光済レジスト膜を現像することによって、被加工膜が形成された半導体基板12上にレジストパターンを形成した。
12 基板
13 多層反射膜
14 保護膜
15 位相シフト膜
15a 第1層
15b 第2層
16 最上層
17 下層
18 単位薄膜
Claims (12)
- 基板上に、多層反射膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、最上層と、最上層以外の下層とを有し、
n2<n1<1 ・・・(1)、かつ
λ/4×(2m+1)−α≦n1・d1≦λ/4×(2m+1)+α ・・・(2)
の関係を満たし、
前記n 1 ・d 1 は、3.912以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
(ただし、n1は、前記最上層の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、
n2は前記下層の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、
d1は前記最上層の膜厚(nm)、
mはゼロ以上の整数、及び
α=1.5nm) - 前記最上層の膜厚は、4nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。
- 前記mは2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型マスクブランク。
- 前記位相シフト膜の前記最上層はケイ素化合物を含む材料からなり、前記下層はタンタル化合物を含む材料からなることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の反射型マスクブランク。
- 基板上に、多層反射膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、第1層〜第N層(Nは2以上の整数)をこの順で含む単位薄膜を2層以上含む多層膜からなり、最も多層反射膜から遠い所に位置する単位薄膜の第1層が最上層であり、
の関係を満たすことを特徴とする反射型マスクブランク。
(ただし、iは1〜Nの整数、
niは第i層の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、
diは前記第i層の膜厚(nm)、及び
α=1.5nm) - ni+1<ni、かつn1<1であることを特徴とする請求項5に記載の反射型マスクブランク。
- N=2であることを特徴とする請求項5又は6に記載の反射型マスクブランク。
- 前記第1層は、Ta及びCrから選択される少なくとも一種の金属材料を含むことを特徴とする請求項5〜7の何れか一項に記載の反射型マスクブランク。
- 前記第2層は、Mo、Ru、Pt、Pd、Ag及びAuから選択される少なくとも一種の金属材料を含むことを特徴とする請求項5〜8の何れか一項に記載の反射型マスクブランク。
- 前記多層反射膜と前記位相シフト膜との間に保護膜を有することを特徴とする請求項1〜9の何れか一項に記載の反射型マスクブランク。
- 請求項1〜10の何れか一項に記載の反射型マスクブランクにおける前記位相シフト膜がパターニングされた位相シフト膜パターンを有することを特徴とする反射型マスク。
- 請求項11に記載の反射型マスクを用いて半導体基板上にパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016064269A JP6739960B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
KR1020227001343A KR102479274B1 (ko) | 2016-03-28 | 2017-03-10 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US16/084,698 US10871707B2 (en) | 2016-03-28 | 2017-03-10 | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
KR1020187030286A KR102352732B1 (ko) | 2016-03-28 | 2017-03-10 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
PCT/JP2017/009721 WO2017169658A1 (ja) | 2016-03-28 | 2017-03-10 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
SG11201807251SA SG11201807251SA (en) | 2016-03-28 | 2017-03-10 | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
TW110118052A TWI775442B (zh) | 2016-03-28 | 2017-03-24 | 反射型遮罩基底、反射型遮罩及半導體裝置之製造方法 |
TW106109866A TWI730071B (zh) | 2016-03-28 | 2017-03-24 | 反射型遮罩基底、反射型遮罩及半導體裝置之製造方法 |
JP2020125052A JP6968945B2 (ja) | 2016-03-28 | 2020-07-22 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016064269A JP6739960B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020125052A Division JP6968945B2 (ja) | 2016-03-28 | 2020-07-22 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017181571A JP2017181571A (ja) | 2017-10-05 |
JP2017181571A5 JP2017181571A5 (ja) | 2019-04-04 |
JP6739960B2 true JP6739960B2 (ja) | 2020-08-12 |
Family
ID=59963180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016064269A Active JP6739960B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10871707B2 (ja) |
JP (1) | JP6739960B2 (ja) |
KR (2) | KR102352732B1 (ja) |
SG (1) | SG11201807251SA (ja) |
TW (2) | TWI775442B (ja) |
WO (1) | WO2017169658A1 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2022-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
US10468149B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-11-05 | Globalfoundries Inc. | Extreme ultraviolet mirrors and masks with improved reflectivity |
WO2018159392A1 (ja) | 2017-03-03 | 2018-09-07 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
JP6861095B2 (ja) | 2017-03-03 | 2021-04-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
SG11202011373SA (en) * | 2018-05-25 | 2020-12-30 | Hoya Corp | Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device |
KR20200034500A (ko) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 삼성전자주식회사 | 다층 박막 구조물 및 이를 이용한 위상 변환 소자 |
TW202026770A (zh) | 2018-10-26 | 2020-07-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料 |
TW202028495A (zh) | 2018-12-21 | 2020-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法 |
JP7250511B2 (ja) | 2018-12-27 | 2023-04-03 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
TW202035792A (zh) | 2019-01-31 | 2020-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收體材料 |
TWI828843B (zh) | 2019-01-31 | 2024-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線(euv)遮罩素材及其製造方法 |
US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
KR102214777B1 (ko) * | 2019-03-18 | 2021-02-10 | 한양대학교 산학협력단 | 극자외선 리소그래피용 마스크, 및 그 제조 방법 |
TW202111420A (zh) | 2019-05-22 | 2021-03-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
TW202104666A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
US11275303B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
TW202104667A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
US11366379B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-06-21 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask with embedded absorber layer |
US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
JP6929340B2 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
JPWO2021132111A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | ||
US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TWI817073B (zh) | 2020-01-27 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料 |
TW202131087A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
TW202129401A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料 |
TW202141165A (zh) | 2020-03-27 | 2021-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
US11644741B2 (en) | 2020-04-17 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TW202202641A (zh) | 2020-07-13 | 2022-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收劑材料 |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11940725B2 (en) | 2021-01-27 | 2024-03-26 | S&S Tech Co., Ltd. | Phase shift blankmask and photomask for EUV lithography |
US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
JP2022137972A (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-22 | 株式会社トッパンフォトマスク | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクの修正方法 |
KR20220168108A (ko) * | 2021-06-15 | 2022-12-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 제조 방법 |
US20230069583A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle for an euv lithography mask and a method of manufacturing thereof |
TW202347008A (zh) * | 2022-03-29 | 2023-12-01 | 日商凸版光掩模有限公司 | 反射型空白光罩及反射型光罩 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5233321B1 (ja) | 1971-07-10 | 1977-08-27 | ||
JP2004207593A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
JP2006228766A (ja) | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、及び露光方法 |
JP5294227B2 (ja) | 2006-09-15 | 2013-09-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写マスクの製造方法 |
JP5476679B2 (ja) | 2007-09-26 | 2014-04-23 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型euvマスク及びハーフトーン型euvマスクの製造方法 |
JP5233321B2 (ja) | 2008-02-27 | 2013-07-10 | 凸版印刷株式会社 | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 |
JP5282507B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-09-04 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型euvマスク、ハーフトーン型euvマスクの製造方法、ハーフトーン型euvマスクブランク及びパターン転写方法 |
JP2010109336A (ja) | 2008-10-04 | 2010-05-13 | Hoya Corp | 反射型マスクの製造方法 |
JP5372455B2 (ja) * | 2008-10-04 | 2013-12-18 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにこれらの製造方法 |
KR101663842B1 (ko) * | 2008-11-27 | 2016-10-07 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막을 가진 기판 및 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
JP6111243B2 (ja) | 2012-03-28 | 2017-04-05 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
WO2014021235A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
WO2014104276A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
WO2015041023A1 (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
JP6301127B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-03-28 JP JP2016064269A patent/JP6739960B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-10 WO PCT/JP2017/009721 patent/WO2017169658A1/ja active Application Filing
- 2017-03-10 KR KR1020187030286A patent/KR102352732B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-10 US US16/084,698 patent/US10871707B2/en active Active
- 2017-03-10 SG SG11201807251SA patent/SG11201807251SA/en unknown
- 2017-03-10 KR KR1020227001343A patent/KR102479274B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-24 TW TW110118052A patent/TWI775442B/zh active
- 2017-03-24 TW TW106109866A patent/TWI730071B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190079383A1 (en) | 2019-03-14 |
US10871707B2 (en) | 2020-12-22 |
SG11201807251SA (en) | 2018-09-27 |
KR102479274B1 (ko) | 2022-12-20 |
KR102352732B1 (ko) | 2022-01-19 |
TWI775442B (zh) | 2022-08-21 |
JP2017181571A (ja) | 2017-10-05 |
TW201800831A (zh) | 2018-01-01 |
TWI730071B (zh) | 2021-06-11 |
KR20220012412A (ko) | 2022-02-03 |
TW202134776A (zh) | 2021-09-16 |
KR20180129838A (ko) | 2018-12-05 |
WO2017169658A1 (ja) | 2017-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6739960B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP6636581B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP7263424B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP6301127B2 (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP7361027B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
WO2019225737A1 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP6381921B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2020106639A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6441012B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2023080223A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP6968945B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP7478208B2 (ja) | 反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法 | |
JP6556885B2 (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2020101741A (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190222 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200623 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6739960 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |