KR20220168108A - 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 제조 방법 - Google Patents
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 196
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 44
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 15
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 7
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 33
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- FMLYSTGQBVZCGN-UHFFFAOYSA-N oxosilicon(2+) oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Si+2]=O.[O-2].[O-2] FMLYSTGQBVZCGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
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Abstract
극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 제조 방법을 제시한다. 위상 시프트 마스크는 기판, 반사층, 소자 패턴들, 프레임 패턴, 및 위상 시프트 패턴들을 포함하여 구성될 수 있다. 프레임 패턴은 위상 시프트 마스크의 로딩 위치를 체크하는 데 사용되는 정렬홀을 제공하는 패턴일 수 있다. 위상 시프트 패턴들은 소자 패턴들에 중첩될 수 있다. 소자 패턴들과 프레임 패턴은 저반사 물질층으로부터 패터닝된 패턴들일 수 있다.
Description
본 개시는 리소그래피(lithography) 기술에 관한 것으로, 특히, 극자외선(EUV: Extreme UltraViolet light) 리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로가 보다 미세한 크기의 패턴들로 집적되고 있어, 보다 짧은 파장대의 노광 광원이 리소그래피 공정에 요구되고 있다. 미세화된 회로 선폭을 구현하기 위해서, 대략 13.5㎚ 파장대의 극자외선(EUV)을 노광 광으로 사용하는 기술이 주목되고 있다. 극자외선 리소그래피 기술에는 반사형 마스크 구조가 적용되고 있다. 극자외선에 의한 해상력을 향상시키기 위해서, 반사형 마스크 구조에 위상 시프트 구조를 적용한 위상 시프트 마스크 구조가 시도되고 있다.
본 개시는 정렬 마크(alignment mark)를 포함한 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크의 구조를 제시하고자 한다.
본 개시는 정렬 마크를 포함한 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크의 구조를 구현하는 제조 방법을 제시하고자 한다.
본 개시의 일 관점은, 기판 상에 형성된 반사층; 상기 반사층 상에 형성된 소자 패턴들 및 정렬홀을 제공하는 프레임 패턴; 및, 상기 소자 패턴들에 중첩된 위상 시프트 패턴들;을 포함하는 위상 시프트 마스크를 제시한다.
본 개시의 다른 일 관점은, 기판 상에 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층 상에 하부층을 형성하는 단계; 상기 하부층 상에 위상 시프트 상부층을 형성하는 단계; 상기 위상 시프트 상부층 및 상기 하부층을 순차적으로 식각하여, 상기 위상 시프트 상부층으로부터 제1위상 시프트 패턴들 및 정렬홀을 제공하는 제2위상 시프트 패턴을 패터닝하고, 상기 하부층으로부터 상기 제1위상 시프트 패턴들에 중첩된 소자 패턴들 및 상기 제2위상 시프트 패턴에 중첩된 프레임 패턴을 패터닝하는 단계; 및 상기 제2위상 시프트 패턴을 선택적으로 제거하는 단계;를 포함하는 위상 시프트 마스크 제조 방법을 제시한다.
본 개시의 실시예들에 따르면, 정렬 마크를 포함한 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크의 구조를 제시하고자 할 수 있다. 또한, 정렬 마크를 포함한 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크의 구조를 구현하는 제조 방법을 제시할 수 있다.
도 1 및 도 2는 일 예에 따른 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크를 보여주는 개략적인 도면들이다.
도 3은 일 예에 따른 극자외선 리소그래피 시스템을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 4 내지 도 10은 일 예에 따른 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크를 제조하는 방법을 보여주는 개략적인 도면들이다.
도 3은 일 예에 따른 극자외선 리소그래피 시스템을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 4 내지 도 10은 일 예에 따른 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크를 제조하는 방법을 보여주는 개략적인 도면들이다.
본 개시의 기재에서 사용하는 용어들은 제시된 실시예에서의 기능을 고려하여 선택된 용어들로서, 그 용어의 의미는 기술 분야에서의 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 사용된 용어의 의미는 본 명세서에 구체적으로 정의된 경우 정의된 정의에 따르며, 구체적인 정의가 없는 경우 당업자들이 일반적으로 인식하는 의미로 해석될 수 있다.
본 개시의 기재에서 "제1" 및 "제2", "상부(top)"및 "하부(bottom or lower)"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니고, 상대적인 위치 관계를 의미하는 것이지 그 부재에 직접 접촉하거나 또는 사이 계면에 다른 부재가 더 도입되는 특정한 경우를 한정하는 것은 아니다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들에서도 마찬가지의 해석이 적용될 수 있다.
본 출원의 실시예들은 DRAM 소자나, PcRAM 소자나 ReRAM 소자와 같은 집적 회로들을 구현하는 기술 분야에 적용될 수 있다. 또한, 본 출원의 실시예들은 SRAM, FLASH, MRAM 또는 FeRAM과 같은 메모리 소자나, 논리 집적회로가 집적된 로직(logic) 소자를 구현하는 기술 분야에도 적용될 수 있다. 본 출원의 실시예들은 미세 패턴들을 요구하는 다양한 제품을 구현하는 기술 분야에 적용될 수 있다.
명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다. 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 일 예에 따른 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크(10)의 단면 형상을 보여주는 개략적인 단면도이다. 도 2는 일 예에 따른 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크(10)의 평면 형상을 보여주는 개략적인 평면도이다. 도 1은 도 2의 X1-X2 절단선을 따르는 단면 형상을 보여준다.
도 1을 참조하면, 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크(10)는 기판(100)과 반사층(300), 하부층(400) 및 위상 시프트 상부층(upper layer for phase shift: 500)을 포함하여 구성될 수 있다. 하부층(400)은 반사층(300) 상에 형성될 수 있다. 하부층(400)은 반사층(300) 상에 형성된 소자 패턴(device pattern: 401)들 및 프레임 패턴(frame pattern: 402)을 포함할 수 있다. 위상 시프트 상부층(500)은 위상 시프트 패턴(501)들 및 에지링 패턴(edge ring pattern: 502)을 포함할 수 있다. 이와 같이 구성되는 위상 시프트 마스크(10)는 극자외선을 광원으로 이용하는 리소그래피 공정에 포토마스크(photomask)로 사용될 수 있다.
위상 시프트 마스크(10)는 입사되는 극자외선을 반사하는 반사형 포토마스크 구조를 포함할 수 있다. 위상 시프트 마스크(10)의 반사층(300)은 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 반사층(300)은 기판(100)의 상측 표면(100S)을 덮도록 형성될 수 있다. 기판(100)은 반사층(300)이 형성되는 베이스(base)일 수 있다. 기판(100)은 낮은 열팽창 계수를 갖는 물질(LTEM: Low Thermal Expansion Material)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 석영, 알루미나 실리케이트 유리, 또는 실리콘산화물-티타늄산화물(SiO2-TiO2)계 유리를 포함할 수 있다.
위상 시프트 마스크(10)의 반사층(300)은 극자외선, 예컨대, 13.5nm 파장대를 반사하는 구조의 층일 수 있다. 반사층(300)은 입사되는 극자외선에 대비하여 대략 58% 내지 대략 60% 정도의 반사도를 구현하는 층 구조로 구성될 수 있다. 반사층(300)은 제1반사층((210)과 제2반사층(220)이 서로 교번적으로 복수 번 스택된 다중층(multi-layer: 200)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2반사층(210, 220)들은 극자외선에 대한 굴절률(n)이 서로 다른 물질층들 일 수 있다. 제1 및 제2반사층(210, 220)이 교번적으로 반복 스택된 다중층(200)은 입사하는 극자외선을 반사하는 거울(mirror) 구조를 구성할 수 있다. 제1반사층(210)은 실리콘(Si)층을 포함하고, 제2반사층(220)은 몰리브데늄(Mo)층을 포함할 수 있다.
반사층(300)은 다중층(200)을 덮는 캐핑층(capping layer: 310)을 더 포함할 수 있다. 캐핑층(310)은 다중층(200)의 상측 표면을 덮어, 외부 환경으로부터 다중층(200)에 결함이 발생되는 것을 막아, 다중층(200)을 보호할 수 있다. 캐핑층(310)은 극자외선에 대한 흡광 계수(extinction coefficient: k)가 낮은 물질, 예컨대, 0.005 내지 0.04의 흡광 계수를 가지는 물질로 구성될 수 있다. 캐핑층(310)은 루테늄(Ru)층을 포함할 수 있다.
소자 패턴(401)들과 프레임 패턴(402)은 반사층(300) 상에 서로 이격되도록 형성될 수 있다. 소자 패턴(401)들과 프레임 패턴(402)은 동일한 레벨(level)에 위치할 수 있다. 소자 패턴(401)들과 프레임 패턴(402)은 하부층(400)으로부터 패터닝되어 서로 분리될 수 있다. 소자 패턴(401)들은 기판(100)의 제1영역(101)에 중첩되도록 위치할 수 있다. 프레임 패턴(402)은 기판(100)의 제2영역(102)에 중첩되도록 위치할 수 있다. 기판(100)의 제1영역(101)은 기판(100)의 중앙 부분일 수 있고, 기판(100)의 제2영역(102)은 제1영역(101)을 둘러싸는 에지 영역(edge region)일 수 있다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 소자 패턴(401)들은 극자외선 리소그래피 공정에 의해 웨이퍼 상으로 이미지가 전사될 이미지 전사 패턴(image transfer pattern)들일 수 있다. 기판(100)의 제1영역(101)은 극자외선 리소그래피 공정에 의해 웨이퍼 상으로 이미지가 전사될 패턴들이 배치될 영역일 수 있다. 기판(100)의 제2영역(102)은 극자외선 리소그래피 공정에 의해 웨이퍼 상으로 이미지가 전사되는 것이 금지된 영역일 수 있다. 프레임 패턴(402)은 극자외선 리소그래피 공정에 의해 웨이퍼 상으로 이미지가 전사되는 것이 금지된 패턴일 수 있다.
소자 패턴(401)들은 프레임 패턴(402)에 비해 상대적으로 매우 작은 선폭 크기를 가지는 패턴들일 수 있다. 프레임 패턴(402)은 소자 패턴(401)들을 둘러싸는 링(ring) 형상 또는 루프(loop) 형상을 가질 수 있다. 프레임 패턴(402)은 기판(100)의 제1영역(101)을 둘러싸는 링 형상의 패턴일 수 있다. 프레임 패턴(402)은 반사층(300)의 제2영역(102)에 중첩된 부분을 차단하여, 반사층(300)의 제2영역(102)에 중첩된 부분에서 극자외선이 반사되는 것을 실질적으로 차단할 수 있다. 이와 같이, 프레임 패턴(402)은 기판(100)의 제2영역(102)으로부터 웨이퍼 상으로 이미지가 전사되는 것을 차단하는 역할을 할 수 있다.
프레임 패턴(402)은 정렬홀(alignment hole: 420)을 제공하는 패턴일 수 있다. 정렬홀(420)은 극자외선 리소그래피 공정을 진행할 때, 위상 시프트 마스크(10)의 위치를 체킹(checking)하는 기준 마크(reference mark) 또는 정렬 마크(alignment mark)일 수 있다. 정렬홀(420)은 프레임 패턴(402)을 실질적으로 상하로 관통하는 관통홀 형태일 수 있다. 정렬홀(420)은 바닥에 반사층(300)의 일부 영역을 노출하는 관통홀일 수 있다.
도 3은 일 예에 따른 극자외선 리소그래피 시스템(90)을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 2 및 도 3을 함께 참조하면, 극자외선 리소그래피 공정이 수행되는 시스템(90)은, 제어부(91)와 극자외선 광원부(96), 위치 체킹부(position checker: 98) 및 마스크 로딩부(mask loader: 95)를 포함할 수 있다. 마스크 로딩부(95)에 위상 시프트 마스크(10)가 로딩(loading)되고, 극자외선 광원부(96)로부터 발생된 극자외선(97A)이 위상 시프트 마스크(10)로 입사될 수 있다. 위상 시프트 마스크(10)로부터 극자외선(97B)이 반사되고, 반사된 극자외선(97B)이 웨이퍼(20)에 형성된 레지스트층(21)에 입사될 수 있다. 이에 따라, 위상 시프트 마스크(10)로부터 레지스트층(21)에 패턴 이미지가 전사될 수 있다.
위상 시프트 마스크(10)가 마스크 로딩부(95)에 로딩된 후, 위상 스프트 마스크(10)가 로딩된 위치를 체크하는 과정이 수행될 수 있다. 위치 체킹부(98)의 검사 광원부(92)로부터 검사광(94A)이 위상 시프트 마스크(10)에 조사되고, 위상 시프트 마스크(10)로부터 반사되는 검사광(94B)을 검사 수광부(93)가 수광할 수 있다. 검사광(94A)은 위상 시프트 마스크(10)의 프레임 패턴(402) 및 정렬홀(420)을 스캔(scan)하고, 검사 수광부(93)는 프레임 패턴(402) 및 정렬홀(420)로부터 반사되는 검사광(94B)을 수광할 수 있디.
프레임 패턴(402)은 입사되는 검사광(94A)에 대한 반사도가 반사층(300) 보다 낮은 물질의 층으로 구성되고 있다. 이에 따라, 반사층(300)의 정렬홀(420) 바닥에 드러난 부분(302)에서 반사되는 검사광(94B)의 세기는, 프레임 패턴(402) 표면으로부터 반사되는 검사광의 세기에 비해 상대적으로 더 클 수 있다. 입사되는 검사광(94A)의 스캔 방향에 따른 반사되는 검사광(94B)의 세기 분포로부터, 정렬홀(420)의 위치를 체크할 수 있다. 정렬홀(420)의 위치는 위상 시프트 마스크(10)의 위치를 대표하므로, 정렬홀(420)의 위치를 체크함으로써, 위상 시프트 마스크(10)의 위치를 검출할 수 있다.
정렬홀(420) 또는 정렬홀(420) 바닥으로부터 반사되는 검사광(94B)의 시그널(signal) 또는 세기와, 프레임 패턴(402) 표면으로부터 반사되는 검사광의 스그널 또는 세기를 구분하기 위해서는, 프레임 패턴(402)은 반사층(300) 보다 입사되는 검사광(94A)에 대한 반사도는 상대적으로 낮을 수 있다. 위상 스프트 마스크(10)가 로딩된 위치를 체크하는 과정에서 사용되는 검사광(94A)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원을 사용할 수 있다. 검사광(94A)은 대략 405nm 내외의 파장대의 광원 또는 880nm 내외의 파장대의 광원을 사용할 수 있다.
프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가, 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사층(300)의 반사도보다 상대적으로 낮을 수 있다. 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사도가, 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사층(300)의 반사도보다 상대적으로 낮을 수 있다.
프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가, 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사층(300)의 반사도보다 대략 50% 이하로 낮을 수 있다. 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사도가, 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사층(300)의 반사도보다 대략 50% 이하로 낮을 수 있다.
프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가 대략 2% 내지 30% 일 수 있다. 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사도가 대략 2% 내지 30% 일 수 있다.
반사층(300)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가 대략 58% 내지 60% 일 수 있다.
이와 같이, 프레임 패턴(402)이 반사층(300) 보다 검사광(94A)에 대한 반사도가 상대적으로 크게 낮아, 정렬홀(420)에 대한 검출 및 체크가 유효하게 수행될 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가 상대적으로 낮은 저반사 물질층을 포함하여 형성될 수 있다. 저반사 물질층 또는 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은, 루테늄(Ru), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 또는 지르코늄(Zr)을 포함하는 물질층으로 구성될 수 있다. 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은, 루테늄(Ru), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 및 지르코늄(Zr)들 중 적어도 하나를 포함하는 물질층으로 구성될 수 있다. 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은, 루테늄(Ru), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 및 지르코늄(Zr)의 산화물 또는 질화물들을 포함하는 물질층으로 구성될 수 있다. 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은, 실리콘질화물(Si3N4), 실리콘산화물(SiO2), 실리콘산질화물(SiON), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 티타늄산화물(TiO2), 하프늄산화물(HfO2), 또는 지르코늄산화물(ZrO2)들을 포함하는 물질층으로 구성될 수 있다. 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은, 실리콘질화물(Si3N4), 실리콘산화물(SiO2), 실리콘산질화물(SiON), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 티타늄산화물(TiO2), 하프늄산화물(HfO2), 및 지르코늄산화물(ZrO2)들 중 적어도 하나를 포함하는 물질층으로 구성될 수 있다.
티타늄산화물은 405nm 파장대의 검사광에 대해서, 3% 내외의 반사도를 가질 수 있고, 880nm 파장대의 검사광에 대해서 24% 내외의 반사도를 가질 수 있다고 확인된다. 이에 따라, 프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)은 티타늄산화물의 층으로 형성되는 것이 유효할 수 있다.
실리콘산화물은 405nm 파장대의 검사광에 대해서, 22% 내외의 반사도를 가질 수 있고, 880nm 파장대의 검사광에 대해서 30% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인된다. 실리콘질화물은 405nm 파장대의 검사광에 대해서, 12% 내외의 반사도를 가질 수 있고, 880nm 파장대의 검사광에 대해서 28% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인된다. 탄탈륨산화물은 405nm 파장대의 검사광에 대해서, 9% 내외의 반사도를 가질 수 있고, 880nm 파장대의 검사광에 대해서 28% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인된다. 하프늄산화물은 405nm 파장대의 검사광에 대해서, 15% 내외의 반사도를 가질 수 있고, 880nm 파장대의 검사광에 대해서 30% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인된다. 지르코늄산화물은 405nm 파장대의 검사광에 대해서, 10% 내외의 반사도를 가질 수 있고, 880nm 파장대의 검사광에 대해서 27% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인된다.
프레임 패턴(402) 또는 하부층(400)이 실리콘질화물(Si3N4), 실리콘산화물(SiO2), 실리콘산질화물(SiON), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 티타늄산화물(TiO2), 하프늄산화물(HfO2), 또는 지르코늄산화물(ZrO2)을 포함하여 구성되므로, 검사광(도 3의 94A)을 스캔함으로써 정렬홀(420)을 보다 유효하게 검출할 수 있다.
소자 패턴(401)들은 프레임 패턴(402)과 실질적으로 동일한 물질층을 포함하여 형성될 수 있다. 소자 패턴(401)들은 실리콘질화물(Si3N4), 실리콘산화물(SiO2), 실리콘산질화물(SiON), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 티타늄산화물(TiO2), 하프늄산화물(HfO2), 또는 지르코늄산화물(ZrO2)을 포함하여 형성될 수 있다.
도 1을 참조하면, 위상 시프트 상부층(500)의 위상 시프트 패턴(501)들은 소자 패턴(401)들에 각각 중첩되도록 형성될 수 있다. 위상 시프트 패턴(501)은 소자 패턴(401)과 실질적으로 동일한 평면 형상 또는 패턴 형상을 가지도록 패터닝될 수 있다. 위상 시프트 패턴(501)은 소자 패턴(401)에 정렬되어 소자 패턴(401)에 실질적으로 완전히 중첩된 형상으로 패터닝될 수 있다.
에지링 패턴(502)은 위상 시프트 패턴(501)들과 서로 이격되도록 형성될 수 있다. 에지링 패턴(502)은 위상 시프트 패턴(501)들과 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 에지링 패턴(502)와 위상 시프트 패턴(501)들은 위상 시프트 상부층(500)으로부터 서로 분리되도록 패터닝될 수 있다. 위상 시프트 패턴(501)은 소자 패턴(401)들과 마찬가지로 기판(100)의 제1영역(101)에 중첩되도록 위치할 수 있다. 에지링 패턴(502)은 프레임 패턴(402)의 일부 부분에 중첩될 수 있다. 에지링 패턴(502)은 기판(100)의 제2영역(102)의 일부 부분에 중첩되도록 위치할 수 있다.
위상 시프트 패턴(501)들은 위상 시프트 마스크(10)에 의해 전사되는 이미지의 해상력을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 위상 시프트 상부층(500) 또는 위상 시프트 패턴(501)들은, 입사하는 극자외선(EUV)을 반사하는 층으로 구성될 수 있다. 위상 시프트 상부층(500) 또는 위상 시프트 패턴(501)들은, 위상 시프트 패턴(501)들 또는 위상 시프트 상부층(500)에 의해 반사되는 극자외선과 반사층(300)에 의해 반사되는 극자외선이 180도(°) 내지 300도(°) 위상차를 가지는 위상 시프트층으로 형성될 수 있다. 위상 시프트 패턴(501)들 또는 위상 시프트 상부층(500)은, 극자외선에 대해 5% 내지 60%의 반사도를 가지는 위상 시프트층으로 형성될 수 있다. 위상 시프트 패턴(501)들 또는 위상 시프트 상부층(500)은, 극자외선에 대해 0.87 내지 0.96의 굴절률 및 0.005 내지 0.04의 흡광 계수를 가지는 물질의 위상 시프트층으로 형성될 수 있다.
위상 시프트 패턴(501)들 또는 위상 시프트 상부층(500)은, 루테늄(Ru), 몰리브데늄(Mo), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 및 지르코늄(Zr)들 중 적어도 하나를 포함하는 위상 시프트층을 포함할 수 있다. 위상 시프트 패턴(501)들 또는 위상 시프트 상부층(500)은, 루테늄(Ru), 몰리브데늄(Mo), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 또는 지르코늄(Zr)을 포함하는 위상 시프트층을 포함할 수 있다. 위상 시프트층은 루테늄(Ru), 몰리브데늄(Mo), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 및 지르코늄(Zr)들 중 적어도 2가지 이상 물질의 혼합물(composition)을 포함할 수 있다. 위상 시프트층은 탄소(C), 산소(O), 및 질소(N)들 중 적어도 하나를 첨가제로 더 포함할 수 있다.
위상 시프트 패턴(501)들 또는 위상 시프트 상부층(500)은, 대략 60nm 내외의 두께를 가지는 몰리브데늄층을 포함할 수 있다. 이 몰리브데늄층의 위상 시프트 패턴(501)들로부터 반사되는 극자외선은, 반사층(300)으로부터 반사되는 극자외선과 대략 250도(°) 내외의 위상차를 가지는 것으로 확인된다. 몰리브데늄층의 위상 시프트 패턴(501)들은 극자외선에 대해 대략 40% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인된다.
위상 시프트 패턴(501)들 또는 위상 시프트 상부층(500)은, 대략 40nm 내외의 두께를 가지는 루테늄층을 포함할 수 있다. 이 루테늄층의 위상 시프트 패턴(501)들로부터 반사되는 극자외선은, 반사층(300)으로부터 반사되는 극자외선과 대략 250도(°) 내외의 위상차를 가지는 것으로 확인된다. 루테늄층의 위상 시프트 패턴(501)들은 극자외선에 대해 대략 20% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인된다.
에지링 패턴(502)들은 위상 시프트 패턴(501)들과 실질적으로 동일한 위상 시프트층을 포함하여 형성될 수 있다. 에지링 패턴(502)들에서 반사되는 극자외선은 이웃하는 반사층(300) 부분으로부터 반사되는 극자외선과 위상 차이를 가질 수 있다. 이에 따라, 에지링 패턴(502)은 기판(100)의 제1영역(101)과 제2영역(102)의 경계 부분에 위치하거나 인접한 패턴의 이미지의 해상력을 향상시킬 수 있다. 에지링 패턴(502)은, 도 2에 제시된 것과 같이, 위상 시프트 패턴(501)들을 둘러싸는 링 형상 또는 루프 형상의 패턴으로 형성될 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 위상 시프트 패턴(501)들 또는 에지링 패턴(502)을 포함하는 위상 시프트 상부층(500)은, 정렬홀(420)과 이격되고, 정렬홀(420)에 인근하는 프레임 패턴(402)의 대부분 영역은 위상 시프트 상부층(500)에 덮이지 않고 드러나 있다. 이에 따라, 위상 시프트 패턴(501)들 또는 위상 시프트 상부층(500)은 검사광(도 3의 94A) 대해 상대적으로 높은 반사도를 가져도, 검사광(94A)으로 정렬홀(420)을 스캔하고 정렬홀(420)의 위치를 체크할 때, 위상 시프트 상부층(500)에 의해 체크 결과가 영향을 받는 것을 실질적으로 배제시킬 수 있다.
도 4 내지 도 10은 일 예에 따른 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크를 제조하는 방법을 보여주는 개략적인 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 기판(100) 상에 반사층(300)을 형성할 수 있다. 기판(100)은 제1영역(101)과 제2영역(102)을 포함할 수 있다. 기판(100)의 제1영역(101)은 기판(100)의 중앙 부분일 수 있고, 기판(100)의 제2영역(102)은 제1영역(101)을 둘러싸는 에지 영역일 수 있다. 기판(100)은 반사층(300)이 그 상에 형성되는 베이스일 수 있다. 기판(100)은 낮은 열팽창 계수를 갖는 물질(LTEM)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 석영, 알루미나 실리케이트 유리, 또는 실리콘산화물-티타늄산화물(SiO2-TiO2)계 유리를 포함할 수 있다.
반사층(300)은 극자외선, 예컨대, 13.5nm 파장대를 반사하는 구조의 층으로 형성될 수 있다. 반사층(300)은 입사되는 극자외선에 대비하여 대략 58% 내지 대략 60% 정도의 반사도를 구현하는 층 구조로 구성될 수 있다. 반사층(300)은 제1반사층((210)과 제2반사층(220)이 서로 교번적으로 복수 번 스택된 다중층(200)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2반사층(210, 220)들은 극자외선에 대한 굴절률(n)이 서로 다른 물질층들 일 수 있다. 제1 및 제2반사층(210, 220)이 교번적으로 반복 스택된 다중층(200)은 입사하는 극자외선을 반사하는 거울 구조로 형성될 수 있다. 제1반사층(210)은 실리콘(Si)층을 포함하고, 제2반사층(220)은 몰리브데늄(Mo)층을 포함할 수 있다.
반사층(300)은 다중층(200)을 덮는 캐핑층(310)을 더 포함할 수 있다. 캐핑층(310)은 다중층(200)의 상측 표면을 덮어, 외부 환경으로부터 다중층(200)을 보호할 수 있다. 캐핑층(310)은 극자외선에 대한 흡광 계수(k)가 낮은 물질, 예컨대, 0.005 내지 0.04의 흡광 계수를 가지는 물질로 구성될 수 있다. 캐핑층(310)은 루테늄(Ru)층을 포함할 수 있다.
반사층(300) 상에 하부층(400)을 형성할 수 있다. 하부층(400)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가 상대적으로 낮은 저반사 물질층을 포함하여 형성될 수 있다. 하부층(400)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가, 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사층(300)의 반사도보다 상대적으로 낮을 수 있다. 하부층(400)은 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사도가, 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사층(300)의 반사도보다 상대적으로 낮을 수 있다.
하부층(400)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가, 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사층(300)의 반사도보다 대략 50% 이하로 낮을 수 있다. 하부층(400)은 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사도가, 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사층(300)의 반사도보다 대략 50% 이하로 낮을 수 있다.
하부층(400)은 대략 248nm 내지 대략 900nm의 파장대의 광원에 대한 반사도가 대략 2% 내지 30% 일 수 있다. 하부층(400)은 405nm 내외의 파장대의 광원 및 880nm 내외의 파장대의 광원에 대한 반사도가 대략 2% 내지 30% 일 수 있다.
하부층(400)은 실리콘질화물(Si3N4), 실리콘산화물(SiO2), 실리콘산질화물(SiON), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 티타늄산화물(TiO2), 하프늄산화물(HfO2), 또는 지르코늄산화물(ZrO2)들을 포함하는 물질층으로 구성될 수 있다.
하부층(400) 상에 위상 시프트 상부층(500)을 형성할 수 있다. 위상 시프트 상부층(500)은 입사하는 극자외선을 반사하는 층으로 구성될 수 있다. 위상 시프트 상부층(500)은, 위상 시프트 상부층(500)에 의해 반사되는 극자외선과 반사층(300)에 의해 반사되는 극자외선이 180도(°) 내지 300도(°) 위상차를 가지는 위상 시프트층으로 형성될 수 있다. 위상 시프트 상부층(500)은, 극자외선에 대해 5% 내지 60%의 반사도를 가지는 위상 시프트층으로 형성될 수 있다. 위상 시프트 상부층(500)은, 극자외선에 대해 0.87 내지 0.96의 굴절률 및 0.005 내지 0.04의 흡광 계수를 가지는 물질의 위상 시프트층으로 형성될 수 있다.
위상 시프트 상부층(500)은 대략 60nm 내외의 두께를 가지는 몰리브데늄층을 포함할 수 있다. 위상 시프트 상부층(500)은 대략 40nm 내외의 두께를 가지는 루테늄층을 포함할 수 있다.
위상 시프트 상부층(500) 상에 하드 마스크층(hard mask layer: 600)을 형성할 수 있다. 하드 마스크층(600)은 위상 시프트 상부층(500) 및 하부층(400)을 선택적으로 식각하는 과정에서 하드 마스크(hard mask)로 사용될 수 있다. 하드 마스크층(600)은 후속되는 선택적 식각 공정에 따라 생략될 수도 있다. 하드 마스크층(600)은 크롬(Cr)층 또는 크롬질화물(CrN)층을 포함할 수 있다. 크롬층은 365nm 광원에 대해 대략 44% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인되고, 405nm 광원에 대해 대략 42% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인되고, 880nm 광원에 대해 대략 43% 내외의 반사도를 가지는 것으로 확인된다.
이와 같이, 크롬층은 검사광(도 3의 94A)으로 사용될 수 있는 파장대에 대해 상대적으로 높은 반사도를 가지고 있어, 크롬층은 하드 마스크층(600)으로 사용될 수 있지만, 위상 시프트 마스크(도 1의 10)의 구조에서는 배제될 수 있다. 도 3에서 제시된 것과 같이, 위상 시프트 마스크(10)를 마스크 로딩부(95)에 로딩하고, 위상 시프트 마스크(10)의 위치를 체크할 때, 크롬 하드 마스크층(600)으로부터 반사되는 검사광은 정렬홀(420)의 위치를 체크하는 것을 방해할 수 있다. 따라서, 하드 마스크층(600)은 위상 시프트 상부층(500) 및 하부층(400)을 선택적으로 식각하는 과정 이후에, 별도의 제거 공정으로 제거될 수 있다.
도 5를 참조하면, 하드 마스크층(600) 상에 포토레지스트 패턴(photoresist pattern: 700)을 형성할 수 있다. 포토레지스트 패턴(700)은 하드 마스크층(600) 상에 포토레지스트층을 형성하고, 포토레지스트층에 전자빔 쓰기(e-beam write) 공정으로 수행하고, 포토레지스트층을 현상하는 공정으로 형성될 수 있다. 포토레지스트 패턴(700)은 하드 마스크층(600), 위상 시프트 상부층(500) 및 하부층(400)을 선택적으로 식각하기 위한 식각 마스크(etch mask)로 형성될 수 있다.
포토레지스트 패턴(700)은 기판(100)의 영역들(101, 102) 별로 서로 이격되면서 배치된 제1포토레지스트 패턴(701)들과 제2포토레지스트 패턴(703)을 포함할 수 있다. 제1포토레지스트 패턴(701)들은 기판(100)의 제1영역(101)에 중첩되도록 위치하고, 제2포토레지스트 패턴(703)은 기판(100)의 제2영역(102)에 중첩되도록 위치할 수 있다. 제1포토레지스트 패턴(701)들은 극자외선 리소그래피 공정에 의해 웨이퍼 상으로 이미지 전사될 형상들을 가질 수 있다. 제2포토레지스트 패턴(703)은 정렬홀(도 1의 420)을 형성하기 위한 형상을 가지는 오프닝(opening: 720)을 가지는 패턴으로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 포토레지스트 패턴(700)을 식각 마스크로 사용하는 선택적 식각 공정을 수행할 수 있다. 포토레지스트 패턴(700)을 식각 마스크로 사용하여, 하부의 위상 시프트 상부층(500)의 일부 부분들 및 하부층(400)의 일부 부분들 순차적으로 식각하여 제거할 수 있다.
포토레지스트 패턴(700)을 식각 마스크로 사용하여 하드 마스크층(600)의 일부 부분들을 선택적으로 식각 제거함으로써, 제1하드 마스크 패턴(601)들 및 제2하드 마스크 패턴(603)을 패터닝할 수 있다. 제1하드 마스크 패턴(601)들은 제1포토레지스트 패턴(701)들에 중첩되고, 제1포토레지스트 패턴(701)들의 형상들을 따르는 형상들을 가지도록 패터닝될 수 있다. 제2하드 마스크 패턴(603)은 제2포토레지스트 패턴(703)들에 중첩되고, 제2포토레지스트 패턴(703)의 형상들을 따르는 형상을 가지도록 패터닝될 수 있다. 제1 및 제2하드 마스크 패턴들(601, 603)은 포토레지스트 패턴(700)을 보조하는 식각 마스크의 일부로 사용될 수 있다.
포토레지스트 패턴(700) 및 제1 및 제2하드 마스크 패턴들(601, 603)을 식각 마스크로 사용하여, 하부의 위상 시프트 상부층(500)의 일부 부분들 및 하부층(400)의 일부 부분들 순차적으로 제거하는 식각 공정을 계속 수행할 수 있다. 이에 따라, 위상 시프트 상부층(500)으로부터 제1위상 시프트 패턴(501)들 및 제2위상 시프트 패턴(503)을 패터닝할 수 있다. 제1위상 시프트 패턴(501)들은 제1하드 마스크 패턴(601)들 또는 제1포토레지스트 패턴(701)들에 중첩되고, 제1포토레지스트 패턴(701)들의 형상들을 따르는 형상들을 가지도록 패터닝될 수 있다. 제2위상 시프트 패턴(503)은 제2하드 마스크 패턴(603) 또는 제2포토레지스트 패턴(703)들에 중첩되고, 제2포토레지스트 패턴(703)의 형상들을 따르는 형상을 가지도록 패터닝될 수 있다. 제2하드 마스크 패턴(603)는 오프닝(720)의 형상을 따라 형성되는 정렬홀(420) 또는 정렬홀(420)의 일부 부분을 제공하는 패턴으로 패터닝될 수 있다.
하부층(400)으로부터 소자 패턴(401)들 및 프레임 패턴(402)을 패터닝할 수 있다. 소자 패턴(401)들은 제1위상 시프트 패턴(501)들, 제1하드 마스크 패턴(601)들 또는 제1포토레지스트 패턴(701)들에 중첩되고, 제1포토레지스트 패턴(701)들의 형상들을 따르는 형상들을 가지도록 패터닝될 수 있다. 프레임 패턴(402)은 제2위상 시프트 패턴(503), 제2하드 마스크 패턴(603) 또는 제2포토레지스트 패턴(703)들에 중첩되고, 제2포토레지스트 패턴(703)의 형상들을 따르는 형상을 가지도록 패터닝될 수 있다. 프레임 패턴(402)은 오프닝(720)의 형상을 따라 형성되는 정렬홀(420) 또는 정렬홀(420)의 일부 부분을 제공하는 패턴으로 패터닝될 수 있다.
도 7을 참조하면, 식각 마스크로 사용된 포토레지스트 패턴(도 6의 700)을 선택적으로 제거할 수 있다.
도 8을 참조하면, 식각 마스크의 일부로 사용된 하드 마스크 패턴들(도 6의 601, 603)을 선택적으로 제거할 수 있다.
도 9를 참조하면, 제2위상 시프트 패턴(503) 또는 제2위상 시프트 패턴의 일부 부분(504)을 노출하여 드러내는 차폐 패턴(800)을 형성할 수 있다. 차폐 패턴(800)은 제1위상 시프트 패턴(501)들을 덮어 차폐 또는 보호할 수 있다. 차폐 패턴(800)은 반사층(300)의 제1위상 시프트 패턴(501)들 사이 부분(301)들을 덮어 차폐 또는 보호할 수 있다. 차폐 패턴(800)은 반사층(300)의 제1위상 시프트 패턴(501)과 제2위상 시프트 패턴(503) 사이 부분(303)을 덮어 차폐 또는 보호할 수 있다. 차폐 패턴(800)은 제2위상 시프트 패턴(503)의 제1위상 시프트 패턴(501)에 인근하면서 제1위상 시프트 패턴(501)을 마주보는 일부 영역(502)을 덮어 차폐 또는 보호할 수 있다.
차폐 패턴(800)은 반사층(300)의 기판(100)의 제1영역(101)에 중첩된 부분들(301, 303)과 제1위상 시프트 패턴(501)들을 덮어, 외부 환경 또는 후속되는 식각 제거 공정으로부터 반사층(300)의 기판(100)의 제1영역(101)에 중첩된 부분들(301, 303)과 제1위상 시프트 패턴(501)들을 보호할 수 있다. 차폐 패턴(800)은 포토레지스트 물질을 포함하는 패턴으로 형성될 수 있다. 차폐 패턴(800)은 포토레지스트 물질을 도포(coating)하고, 노광하고, 현상(develop)하여 형성될 수 있다. 차폐 패턴(800)은 제2위상 시프트 패턴(503)가 제공하는 정렬홀(420)과, 정렬홀(420)에 인근하는 제2위상 시프트 패턴(503)의 일부 부분(504)을 노출하여 드러낼 수 있다.
도 10을 참조하면, 차폐 패턴(800)을 식각 마스크로 사용하는 식각 공정을 수행할 수 있다. 차폐 패턴(800)에 의해 드러난 제2위상 시프트 패턴(도 9의 503) 또는 제2위상 시프트 패턴(503)의 일부 부분(504)을 선택적으로 식각하여 제거할 수 있다. 이에 따라, 프레임 패턴(402)가 드러날 수 있다. 차폐 패턴(800)이 제2위상 시프트 패턴(504)의 일부 영역(502)을 덮도록 확장되면, 제2위상 시프트 패턴(504)의 일부 영역(502)이 에지링 패턴(502)으로 잔존할 수 있다.
차폐 패턴(800)은 제1위상 시프트 패턴(501)들 및 반사층(300)의 기판(100)의 제1영역(101)에 중첩된 부분들(301, 303)을, 제2위상 시프트 패턴(503) 또는 제2위상 시프트 패턴(503)의 일부 부분(504)을 선택적으로 제거하는 식각 환경으로부터 차단하여 보호할 수 있다. 이에 따라, 제2위상 시프트 패턴(503) 또는 제2위상 시프트 패턴(503)의 일부 부분(504)을 선택적으로 제거하는 과정에서, 제1위상 시프트 패턴(501)들 및 반사층(300)의 기판(100)의 제1영역(101)에 중첩된 부분들(301, 303)이 손상(damage)되는 것을 유효하게 방지할 수 있다. 차폐 패턴(800)은 반사층(300)의 캐핑층(310)의 기판(100)의 제1영역(101)에 중첩된 부분들이 손상되는 것을 유효하게 방지할 수 있다.
차폐 패턴(800)을 선택적으로 제거하고, 차폐 패턴(800)이 제거된 표면을 세정할 수 있다. 이와 같은 제조 공정들에 의해서, 도 1에 제시된 것과 같은 위상 시프트 마스크(10)가 구현될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판,
300: 반사층,
310: 캐핑층,
401: 소자 패턴,
402: 프레임 패턴,
420: 정렬홀
501: 위상 시프트 패턴.
300: 반사층,
310: 캐핑층,
401: 소자 패턴,
402: 프레임 패턴,
420: 정렬홀
501: 위상 시프트 패턴.
Claims (23)
- 기판 상에 형성된 반사층;
상기 반사층 상에 형성된 소자 패턴들 및 정렬홀을 제공하는 프레임 패턴; 및
상기 소자 패턴들에 중첩된 위상 시프트 패턴들; 을 포함하는 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 프레임 패턴은
248nm 내지 900nm의 광원에 대한 반사도가 상기 반사층 보다 낮은 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 프레임 패턴은
248nm 내지 900nm의 광원에 대한 반사도가 상기 반사층 보다 50% 이하로 낮은 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 프레임 패턴은
248nm 내지 900nm의 광원에 대한 반사도가 2% 내지 30%인 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 프레임 패턴은
루테늄(Ru), 실리콘(Si), 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 및 지르코늄(Zr)들 중 적어도 하나를 포함하는 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 프레임 패턴은
실리콘질화물(Si3N4), 실리콘산화물(SiO2), 실리콘산질화물(SiON), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 티타늄산화물(TiO2), 하프늄산화물(HfO2), 및 지르코늄산화물(ZrO2)들 중 적어도 하나를 포함하는 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 프레임 패턴과 상기 소자 패턴들은
실질적으로 동일한 물질층을 포함하는 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 위상 시프트 패턴들은
상기 위상 시프트 패턴들에 의해 반사되는 극자외선(EUV)과 상기 반사층에 의해 반사되는 극자외선이
180도(°) 내지 300도(°) 위상차를 가지도록 형성된 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 위상 시프트 패턴들은
루테늄(Ru), 몰리브데늄(Mo), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 및 지르코늄(Zr)들 중 적어도 하나를 포함하는 위상 시프트층을 포함하는 위상 시프트 마스크. - 제9항에 있어서,
상기 위상 시프트층은
탄소, 산소, 및 질소들 중 적어도 하나를 더 포함하는 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 위상 시프트 패턴들은
극자외선에 대해 5% 내지 60%의 반사도를 가지는 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 위상 시프트 패턴들은
극자외선에 대해 0.87 내지 0.96의 굴절률 및 0.005 내지 0.04의 흡광 계수를 가지는 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 반사층은
극자외선에 대해 굴절률이 서로 다른 제1 및 제2반사층들이 교번적으로 스택된 다중층; 및
상기 다중층을 덮는 캐핑층을 포함하는 위상 시프트 마스크. - 제13항에 있어서,
상기 제1반사층은 실리콘층을 포함하고,
상기 제2반사층은 몰리브데늄층을 포함하고,
상기 캐핑층은 루테늄층을 포함하는 위상 시프트 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 프레임 패턴은
상기 소자 패턴들을 둘러싸는 링 형상을 가지는 위상 시프트 마스크. - 기판 상에 반사층을 형성하는 단계;
상기 반사층 상에 하부층을 형성하는 단계;
상기 하부층 상에 위상 시프트 상부층을 형성하는 단계;
상기 위상 시프트 상부층 및 상기 하부층을 순차적으로 식각하여, 상기 위상 시프트 상부층으로부터 제1위상 시프트 패턴들 및 정렬홀을 제공하는 제2위상 시프트 패턴을 패터닝하고, 상기 하부층으로부터 상기 제1위상 시프트 패턴들에 중첩된 소자 패턴들 및 상기 제2위상 시프트 패턴에 중첩된 프레임 패턴을 패터닝하는 단계; 및
상기 제2위상 시프트 패턴을 선택적으로 제거하는 단계;를 포함하는 위상 시프트 마스크 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 위상 시프트 상부층 상에
상기 위상 시프트 상부층 및 상기 하부층을 식각하기 위한 식각 마스크로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 위상 시프트 마스크 제조 방법. - 제17항에 있어서,
상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 이전에
상기 위상 시프트 상부층을 덮는 하드 마스크층을 형성하는 단계를 더 포함하는 위상 시프트 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 제2위상 시프트 패턴을 선택적으로 제거하는 단계는
상기 제2위상 시프트 패턴을 노출하는 차폐 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 차폐 패턴에 의해 노출된 상기 제2위상 시프트 패턴을 선택적으로 제거하는 단계;를 포함하는 위상 시프트 제조 방법. - 제19항에 있어서,
상기 차폐 패턴은
상기 제1위상 시프트 패턴들 및 상기 반사층의 상기 제1위상 시프트 패턴들 사이 부분 및 상기 반사층의 상기 제1위상 시프트 패턴과 상기 제2위상 시프트 패턴 사이 부분을 덮는 위상 시프트 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 하부층은
248nm 내지 900nm의 광원에 대한 반사도가 상기 반사층 보다 낮은 위상 시프트 마스크 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 하부층은
248nm 내지 900nm의 광원에 대한 반사도가 상기 반사층 보다 50% 이하로 낮은 위상 시프트 마스크 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 하부층은
248nm 내지 900nm의 광원에 대한 반사도가 2% 내지 30%인 위상 시프트 마스크 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210077710A KR20220168108A (ko) | 2021-06-15 | 2021-06-15 | 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 제조 방법 |
| US17/529,071 US20220397818A1 (en) | 2021-06-15 | 2021-11-17 | Phase shift mask for euv lithography and manufacturing method for the phase shift mask |
| CN202210003300.XA CN115480440A (zh) | 2021-06-15 | 2022-01-04 | 用于euv光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210077710A KR20220168108A (ko) | 2021-06-15 | 2021-06-15 | 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220168108A true KR20220168108A (ko) | 2022-12-22 |
Family
ID=84389717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210077710A KR20220168108A (ko) | 2021-06-15 | 2021-06-15 | 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220397818A1 (ko) |
| KR (1) | KR20220168108A (ko) |
| CN (1) | CN115480440A (ko) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674969B1 (ko) * | 2005-04-20 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | Ｅｕｖｌ 교호 위상반전 마스크의 제조 방법 |
| JP4602430B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2010-12-22 | 株式会社東芝 | 反射型マスク及びその作製方法 |
| WO2009136564A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 |
| JP6739960B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| KR20180057813A (ko) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크 |
| US11275301B2 (en) * | 2018-08-31 | 2022-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same |
-
2021
- 2021-06-15 KR KR1020210077710A patent/KR20220168108A/ko unknown
- 2021-11-17 US US17/529,071 patent/US20220397818A1/en active Pending
-
2022
- 2022-01-04 CN CN202210003300.XA patent/CN115480440A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115480440A (zh) | 2022-12-16 |
| US20220397818A1 (en) | 2022-12-15 |
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